「diffusion treatment」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a coating composition used in screen printing or the like which provides a light diffusion graduation treatment on one surface of a light guide plate, and to provide a light guide plate printed therewith.例文帳に追加

導光板の片面に光拡散グラデーション処理を施すスクリーン印刷等に用いる塗料組成物、及びそれを印刷した導光板を提供すること。 - 特許庁

The method comprises a step of performing humidification treatment and drying treatment to the solid polymer electrolyte membrane 34 repeatedly before the gas diffusion layers 36c and 38c are joined to the solid polymer electrolyte membrane 34, and a step of integrally forming the gas diffusion layers 36c and 38c in both sides of the solid polymer electrolyte membrane 34.例文帳に追加

この製造方法では、固体高分子電解質膜３４にガス拡散層３６ｃ、３８ｃが接合される前に、前記固体高分子電解質膜３４に湿潤処理と乾燥処理とを繰り返し行う工程と、前記固体高分子電解質膜３４の両側に、前記ガス拡散層３６ｃ、３８ｃを一体化する工程とを有する。 - 特許庁

Next, only the mutual diffusion of Ti atoms on the side of the barrier layer 14 and Si atoms in a substrate 11 is performed, at least one-hour diffusion thermal treatment is performed at the temperature of 400°C where silicification does not occur to sufficiently diffuse the Si atoms on the side of the barrier layer 14 and the Ti atoms in the substrate 11, respectively, thereby forming a diffusion layer 16A.例文帳に追加

次に、バリア層１４側のＴｉ原子と基板１１のＳｉ原子との互いの拡散のみを行ない、シリサイド化が生じない温度である４００℃で少なくとも１時間の拡散用熱処理を行なってシリコン原子をバリア層１４側に且つＴｉ原子を基板１１中に十分に拡散させることにより、拡散層１６Ａを形成する。 - 特許庁

To prevent Al in a stainless steel from being reduced by a vacuum heat treatment for diffusion welding and to conduct sound diffusion welding in the method for producing a metal carrier by rounding flat foil/waved foils consisting of a ferritic stainless steel containing A1 and welding the contact part of the flat foil/waved foils by diffusion welding.例文帳に追加

Ａｌを含有するフェライト系ステンレス鋼からなる平箔と波箔とを回し、平箔と波箔の接触部を拡散接合によって接合するメタル担体の製造方法において、拡散接合のための真空熱処理でステンレス鋼中のＡｌが減少することを防止し、かつ健全な拡散接合を行う製造方法を提供する。 - 特許庁

Specifically, the crack is repaired by sandwiching the top and bottom of the cracked component with a jig having a lower thermal expansion coefficient than a thermal expansion coefficient of the component and generating compression stress in the component during the heat treatment to cause the solid phase diffusion joining or liquid phase diffusion joining.例文帳に追加

具体的には、き裂を生じた部品の上部と下部を部品の熱膨張率より低い熱膨張率の治具で挟んで熱処理中に部品に圧縮応力を発生させ、固相拡散接合または液相拡散接合によってき裂を補修する。 - 特許庁

From an edge part 23f of a bottom contact part 23c in contact with the bottom part 56a on the diffusion layer 23b to at least a part of a projection area 23g when the inclination part 56c is projected onto the diffusion layer 23b, a water-repellent treatment part 8 is formed.例文帳に追加

拡散層２３ｂにおける底部５６aに接する底部接触部２３ｃの縁部２３ｆから、傾斜部５６ｃを拡散層２３ｂに投影したときの投影領域２３ｇの少なくとも一部までの間には、撥水処理部８が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein the amount of flares of redistribution of impurities accompanying transient enhanced diffusion phenomenon (TED) and regular thermal treatment is restrained, when the impurities having different re-diffusion length property are annealed after ion implantation.例文帳に追加

異なる再拡散長特性を有する不純物をイオン注入後アニールするに際し、過渡増速拡散現象（ＴＥＤ）及び通常の熱処理に伴う不純物の再分布の拡がり量を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a biological treatment apparatus reducing fear such that an air diffusion means is blocked by sludge highly concentrated by an immersion membrane in an aerobic digestion tank and excluding the necessity for providing a means separate from the air diffusion means as a vibration means for vibrating the surface of the immersion membrane.例文帳に追加

好気性消化槽内で浸漬膜により高濃度に濃縮された汚泥によって散気手段が閉塞してしまうおそれを低減し、浸漬膜の膜面を振動させる振動手段として散気手段とは別個の手段を設ける必要性を排除する。 - 特許庁

In this biological treatment apparatus wherein the immersion membrane 6 is arranged in the aerobic digestion tank 5 for biologically treating excess sludge, an ejector 8 is provided as the air diffusion means for performing air diffusion with respect to the immersion membrane 6 and the vibration means for vibrating the surface of the immersion membrane 6.例文帳に追加

余剰汚泥を生物処理するための好気性消化槽５内に浸漬膜６を配置した生物処理装置において、浸漬膜６に対して散気を行う散気手段及び浸漬膜６の膜面を振動させる振動手段としてエゼクタ８を設けた。 - 特許庁

To provide an air diffuser in which the distribution state and the discharge flow rate of a bubble demanded in the air diffuser of a membrane separation type activated sludge treatment apparatus are fulfilled without occluding a diffusion hole, and the treatment efficiency of MBR is improved, thereby reducing the energy consumption.例文帳に追加

散気孔を閉塞させることなく膜分離活性汚泥処理装置の散気装置に要求される気泡の分布状態と吐出流量とを充足させてＭＢＲの処理効率を高めることで消費エネルギーを削減する。 - 特許庁

A semiconductor device is manufactured by a method where a treatment gas containing N2 or N2O is ionized and the surface of a copper wiring layer 110 is exposed to the ionized treatment gas, whereby the surface of the layer 110 is modified to turn the surface into a copper diffusion preventive layer.例文帳に追加

Ｎ_2 又はＮ_ 2Ｏを含む処理ガスをプラズマ化し、該プラズマ化した処理ガスに銅配線層１１０の表面を曝すことにより、該銅配線層１１０の表層部を改質して銅拡散防止層にする半導体装置の製造方法による。 - 特許庁

To provide a vacuum carburization method and a vacuum carburizing apparatus which achieve the uniform temperature between a surface and the inside of a workpiece in the high-temperature treatment even when the progression of carburization and diffusion is accelerated to shorten the treatment time by increasing the treatment time, and which provide the workpiece having the predetermined physical properties by suppressing the coarsening of crystal grains.例文帳に追加

処理温度を高くすることにより浸炭及び拡散の進行を速めて処理時間を短縮した場合にも、高温処理による被処理物の表面と内部との間における温度の均一化を図るとともに、結晶粒の肥大化を改善して所定の物性値をもつ被処理物を得る。 - 特許庁

Further, diffusion blades rotated at the position above the sprinkling blades by an almost vertical rotary shaft 40 and accumulated air bubbles are gathered to be taken in the air bubble taking-in port 15 of the defoaming device opened to the ceiling surface 11 of the treatment tank by the rotation of the diffusion blades.例文帳に追加

さらに、散布翼より上側の位置で略垂直回転軸（４０）をもって回転する拡散翼（５）を配置し、該拡散翼の回転によって、処理槽の天井面（１１）に開口させた上記消泡装置の気泡取込口（１５）へ、滞積した気泡を寄せて取り込むようにした。 - 特許庁

To provide a light diffusion film of high practicability with excellent film passing performance in a heat treatment process after post-working, over the whole roll length irrespective of post-working conditions.例文帳に追加

後加工時の熱処理工程におけるフィルムの通過性が後加工の条件に拘わらずロール全長に亘って良好な実用性の高い光拡散性フィルムを提供する。 - 特許庁

The second thermal treatment process allows the first gate insulating film to be more tight, preventing diffusion of active species generated at deposition of the second gate insulating film 12, not to increase its interface level.例文帳に追加

第２熱処理工程により第１ゲート絶縁膜が緻密化され、第２ゲート絶縁膜１２の堆積の際に生成する活性種の拡散が阻止され、界面順位を増加させない。 - 特許庁

The air treatment apparatus has a means 4 for activating diffusion of a volatile treating agent, and this means is composed of a film, a small piece for peeling, a string, or an impression device.例文帳に追加

空気処理装置は、揮発性処理剤の放散を活性化する手段4を有し、この手段は、フィルム、引き剥がし用小片、紐、或いは印打装置によって構成されている。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device wherein a high-concentration diffusion layer is formed at a lower portion of a light-receiving face electrode layer without adding heat treatment, and moreover without declining in strength of a substrate.例文帳に追加

光電変換素子において、熱処理工程を追加することなく、また基板強度を低下させることもなく、受光面電極層の下部に高濃度拡散層を形成する。 - 特許庁

Before a lamination process, each of jointing surfaces 12a, 14a of an MEA 12 and a gas diffusion layer 14 is subjected to rubbing treatment to form a surface roughness in a fluffy form in one direction.例文帳に追加

積層工程前に、ＭＥＡ１２及びガス拡散層１４の各接合面１２ａ、１４ａに、ラビング処理を施すことで、一方向に毛羽立つ態様の表面荒れを形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method, p-type high resistance wafer obtained through CZ method is employed to effect heating treatment for the purpose of oxygen outward diffusion of 1-5 hours at 1,100-1,250°C in a tuning atmosphere.例文帳に追加

製造方法はＣＺ法によるｐ型の高抵抗ウェーハを用い、調整雰囲気中にて１１００〜１２５０℃で１〜５時間の酸素外方拡散を目的とした加熱処理をおこなう。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus in which nuclear species of short diffusion length related to photodegradation of an amorphous silicon thin film can be removed furthermore, and a large area film can be produced.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜の光劣化と関連する拡散長の短い核種をより一層排除することができ、また、大面積製膜も可能なプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

To provide a means for determining whether a wafer surface subjected to surface treatment is stabilized when minority carrier diffusion length in a silicon wafer is measured by an SPV method.例文帳に追加

シリコンウェーハ中の少数キャリア拡散長をＳＰＶ法により測定する際に、表面処理を施したウェーハ表面が安定化したか否かを判定する手段を提供する。 - 特許庁

To obtain a wafer treatment method and a device, where an improved MOS gate dielectric film uniform in thickness and superior in reliability and barrier diffusion properties than a silicon dioxide film can be formed.例文帳に追加

均一な厚さでニ酸化ケイ素より優れた信頼性とバリヤ拡散特性を有する改良されたＭＯＳゲート誘電体成膜を可能にするウエハ処理の方法と装置を提供する。 - 特許庁

After applying, a heat treatment is performed to the preform body 52 and thus, the preform body 52 having the diffusion layer 36a formed by diffusing the carbide of the above metal in the base material, is obtained.例文帳に追加

塗布後、予備成形体５２を熱処理すれば、前記金属の炭化物が母材中に拡散することによって形成された拡散層３６ａを有する予備成形体５２が得られる。 - 特許庁

Consequently, excessive diffusion of impurities to below the gate electrodes due to a difference in sizes of the source-drain regions can be avoided during a heat treatment to obtain predetermined characteristics.例文帳に追加

これにより、熱処理する際にソース・ドレイン領域の大きさの違いによるゲート電極の下方への過剰な不純物の拡散が回避でき、所定の特性を得ることができる。 - 特許庁

A flange is provided in an upper portion of the branch coupling and after inserting a spacer between the flange and the pressure accumulating container to contact both closely with each other or fitting the both together, both may be diffusion-joined by applying a thermal treatment.例文帳に追加

分岐接続体の上部にフランジを設け、該フランジと蓄圧容器の間にスペーサーを挿入して密接させたり、あるいは嵌合させた後、熱処理して拡散接合させても良い。 - 特許庁

In this case, zone 32 which is not doped with impurities is provided in a side of the clad layer 25 provided with the active layer 24 and is used as a buffer region of impurity diffusion at the thermal treatment.例文帳に追加

その場合、ｐ型クラッド層２５の活性層２４側に不純物がドープされない領域３２を形成し、上記熱処理の際に不純物拡散の緩衝領域とする。 - 特許庁

Ozone feeded from an inlet pipe 4 is mixed as fine bubbles into the treatment water introduced into a fine-bubble-mixing gap 21 between a diffusion plate 6 and an introduction plate 5.例文帳に追加

吸気管４から送り込まれたオゾンは、散気板６と導水板５との間の微細気泡混和間隙２１に導入される処理水中に微細気泡となって混和される。 - 特許庁

To stably maintain high cleanliness within a cabinet in a substrate treatment apparatus for manufacturing a semiconductor device by conducting processes such as film forming and impurity diffusion or the like to the substrate.例文帳に追加

基板に製膜処理、不純物の拡散等の処理をして、半導体装置を製造する基板処理装置に於いて、筐体内の高清浄度を安定して維持できる様にする。 - 特許庁

To enhance the overflow drain function and the gettering capacity required for the substrate performance by suppressing impurity diffusion due to high-temperature heat treatment, without complicating the manufacturing process.例文帳に追加

高温熱処理による不純物拡散を抑制することにより、基板性能に要求されるオーバーフロードレイン機能とゲッタリング能力を向上できて、製造工程も複雑化しない。 - 特許庁

In a semiconductor device that uses a high dielectric constant insulating film for a gate insulating film, a diffusion layer 12 requiring high temperature treatment is first formed, and then, a gate insulating film 15 is formed.例文帳に追加

高誘電率絶縁膜をゲート絶縁膜に用いる半導体装置において、高温熱処理を必要とする拡散層１２を先に形成し、その後ゲート絶縁膜１５を形成する。 - 特許庁

This method includes plasma nitriding the surface of the steel material, and then implanting nitrogen ions in the surface, to make the nitrogen concentration of the surface to be 30 atom% or higher, for diffusion treatment causing little film- peeling.例文帳に追加

鉄鋼材料表面を剥離の恐れがない拡散処理として、プラズマ窒化処理し、その後に窒素イオンを注入し、表面の窒素濃度を３０原子％以上にする。 - 特許庁

By the heat treatment, the diffusion of impurities such as alkali metal or alkaline earth metal, that might be contained in the substrate 13, from the substrate 13 can be prevented.例文帳に追加

このように熱処理を施すことにより、基板１３中に含まれているおそれがあるアルカリ金属やアルカリ土類金属等の不純物が、基板１３から拡散することを防止できる。 - 特許庁

After a resist pattern 19 that covers a PMIS region is formed, and then the polysilicon germanium film 18 in an NMIS region is implanted with phosphorus ion 20, a heat treatment for diffusion is implemented.例文帳に追加

ＰＭＩＳ領域を覆うレジストパターン１９を形成した後、ＮＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にリンイオン２０を注入した後、拡散用の熱処理を行う。 - 特許庁

The heat treatment temperature is limited to 300°C or less, so that significant diffusion of hydrogen atoms in the silicon crystal is not generated, and no surface roughness of the SOI layer is also produced.例文帳に追加

熱処理温度は３００℃以下に制限されているから、シリコン結晶中での水素原子の拡散が顕著に生じることがなく、ＳＯＩ層の表面荒れが生じることがない。 - 特許庁

Then, a heat treatment for drive diffusion is performed at the same time to form a p- base region 5, an n- source region 6, an n- drain region, 7, and n- regions 8, 9 (sec FIG. (b)).例文帳に追加

その後で、ドライブ拡散するための熱処理を同時に行い、ｐ^-ベース領域５とｎ^- ソース領域、ｎ^- ドレイン領域７、ｎ^- 領域８、９を同時に形成する（同図（ｂ））。 - 特許庁

A heavily doped diffusion layer 42 is formed to the surface layer of a terminal-section base region 40 by an ion implantation using an end on the cell-section side of the oxide film 10 as a mask and a heat treatment.例文帳に追加

酸化膜１０のセル部側の端部をマスクとするイオン注入および熱処理により終端部ベース領域４０の表面層に高濃度不純物拡散層４２を形成する。 - 特許庁

To provide an antibacterial adhesive roll for simple cleaner capable of effectively catching harmful organism such as bacteria and mold and dust, preventing the diffusion and propagation of bacteria and mold during use and after use, and necessitating no treatment such as burning and sterilization as post-treatment.例文帳に追加

塵埃や細菌、カビ類などの有害生物を効果的に捕獲でき、使用時、使用後においても細菌、カビ類を拡散、増殖させず、後処理としての焼却や滅菌などの処理を必要としない簡易クリーナー用抗菌性粘着ロールを提供すること。 - 特許庁

After a ferroelectric substance 11 connected to one diffusion layer of the MOS transistor 4b, the wiring, an electrode 17 and the like are formed, heat treatment is performed about 300-500°C for about 5-60 minutes in nitrogen as second heat treatment.例文帳に追加

そして、ＭＯＳトランジスタ４ｂの一方の拡散層に接続する強誘電体容量１１、配線及び電極１７等を形成した後、第２の熱処理として窒素中で３００乃至５００℃程度の温度で５乃至６０分程度の熱処理をする。 - 特許庁

To provide a treatment method of an aluminum planographic printing plate for obtaining stable ink receiving by improving preservation effect during passing liquid to provide water washing liquid without coloring the liquid, and further improving exfoliation and removal inferiority of an emulsion layer in running treatment in a treatment agent of the aluminum planographic printing plate using a silver salt diffusion transfer method.例文帳に追加

銀塩拡散転写法を利用したアルミニウム平版印刷版の処理剤において、液経時による防腐効果を向上させ液が着色しない水洗液を提供し、更にランニング処理における乳剤層の剥離除去不良を改良し、安定したインキ受理性が得られるアルミニウム平版印刷版の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method which can clean the heat treatment tube of a semiconductor substrate heat treatment device, which is used in the heat treatment process such as the oxidation and diffusion process, etc., of a semiconductor substrate, reducing the quantity of metallic contamination efficiently without raising its cost, and a metal contamination getter substrate and a regenerative metal contamination getter substrate used in that cleaning method.例文帳に追加

半導体基板の酸化、拡散工程等の熱処理工程で用いられる半導体基板熱処理装置の熱処理チューブをコストアップすることなく効率よく金属汚染量を減少させ清浄できる方法及びその清浄化方法に用いられる金属汚染ゲッター基板及び再生金属汚染ゲッター基板を提供する。 - 特許庁

In the lighting fixture for the vehicle including a lamp unit formed by disposing a bezel integrally molded with a resin on the periphery of a lens, a non-reflection part 6B formed of the base material of the resin, a reflection part 6C subjected to reflection treatment and a light diffusion part 6A subjected to emboss forming treatment and reflection treatment are formed on the outer surface of the bezel 6.例文帳に追加

レンズの周囲に樹脂にて一体成形されたベゼル６を配置して成るランプユニットを備える車両用灯具において、前記ベゼル６の外表面に、前記樹脂の素地から成る非反射部６Ｂと、反射処理がなされた反射部６Ｃ及びシボ形成処理と反射処理がなされた光拡散部６Ａを形成する。 - 特許庁

To provide a diffusion bonding method capable of avoiding the treatment at high temperature or preventing the deformation of the entire metal component by partially lowering the transformation temperature of a bonding surface part.例文帳に追加

接合表面部分の変態点を部分的に下げることで、高温での処理を回避し、あるいは金属部品全体の変形を防止することができるような拡散接合方法を提供する。 - 特許庁

Further, by not only changing rotation speed of the winnower 79 but also changing rotational speed of the diffusion treatment cylinder 73 corresponding to the grain culm amount fed to the threshing chamber 66, more precise control can be performed.例文帳に追加

また、唐箕７９の回転速度のみならず、更に扱室６６に供給される穀稈量に応じて拡散処理胴７３の回転速度を変化させることで、より細かな制御が可能となる。 - 特許庁

Further, an activation heat treatment is carried out for 0.1 to 100 milliseconds to recrystallize the semiconductor layer having been made amorphous, thereby forming a diffusion region of the dopant impurity in the semiconductor layer.例文帳に追加

次いで、０．１ミリ秒〜１００ミリ秒の活性化熱処理を行い、アモルファス化した半導体層を再結晶化することにより、半導体層にドーパント不純物の拡散領域を形成する。 - 特許庁

Different additives or different kinds of catalysts are added to slurry to form the activation layer, and the activation layers and the diffusion layers are formed through simultaneous sintering, thereby, the process treatment time is shortened.例文帳に追加

スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）には異なる充填物もしくは異なる触媒剤を加えて活化層を形成し、同時焼結の方式で活化層と拡散層を成形し、工程処理時間を短縮する。 - 特許庁