「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain an air-fuel ratio sensor exhibiting a high yield of manufacture in which a stabilized pumping current can be obtained by preventing a material forming a spray layer of spinel, or the like, from adhering to a porous tubular body responsible for diffusion controlled reaction through a gas diffusion hole.例文帳に追加

拡散律速を担う多孔質筒体にガス拡散孔を介してスピネルなどの溶射層を形成する材料が付着することを防ぎ、安定したポンピング電流が得られ、製造歩留りの高い空燃比センサ素子を得る。 - 特許庁

To provide an amplifier for charge transfer devices and a solid-state imaging element, capable of preventing the charge detection sensitivity of an amplifier from decreasing, by preventing an impurity diffusion layer from being formed on a semiconductor substrate where a floating diffusion amplifier has been formed.例文帳に追加

フローティングディフュージョンアンプを形成した半導体基板に不純物拡散層が形成されることを防止することで、アンプの電荷検出感度の低下を防止できる電荷転送素子用アンプ及び固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

In addition, by performing the heat treatment to the preform 32 in the atmosphere of gaseous nitrogen, the Fe-based alloy having layers which has a diffusion layer 20 formed by the diffusion of carbide and nitride in a base material can be obtained.例文帳に追加

さらに、予備成形体３２に対して窒化ガス雰囲気中で熱処理を施すことにより、前記炭化物、窒化物が母材中に拡散することによって形成された拡散層２０を有する有層Ｆｅ基合金が得られる。 - 特許庁

Since the diffusion control layer 9 controls the diffusion of gas at a proper speed, the overshooting of the resistance change can be appropriately suppressed even if substance with improved sensitivity such as SnO2 is used as the oxide semiconductor 7.例文帳に追加

拡散制御層９が上記ガスの拡散を適切な速度に制御するため、ＳｎＯ_2 のように感度が優れた物質を酸化物半導体７として使用しても、抵抗値変化のオーバーシュートを良好に抑制することができる。 - 特許庁

The first side diffusion region 2SDR1 is positioned directly above the cathode N+ layer 4, and the vertical sectional shape of the bottoms 2BS1, 2BS2 of both side diffusion regions 2SDR1, 2SDR2 is a slowly-varying parabolic shape.例文帳に追加

第１サイド拡散領域２ＳＤＲ１はカソードＮ＋層４の直上に位置しており、両サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２の底部２ＢＳ１，２ＢＳ２の縦断面形状は、緩やかに変化する放物線を成す。 - 特許庁

Wiring to be connected to the first electrode diffusion layer is formed to form a cathode terminal KT, while wiring to be commonly connected with the second and third electrode diffusion layers 222 and 23 is formed to form an anode terminal AT.例文帳に追加

第１電極用拡散層２２１に接続される配線を形成してカソード端子ＫＴとし、第２電極用拡散層２２２と第３電極用拡散層２３が共通接続される配線を形成してアノード端子ＡＴとする。 - 特許庁

Formed is, just under the silicide block 51a of an HV ESD protection device 1A, a diffusion layer resistance region 29a of the same junction depth as those of LDD diffusion layers 26a and 27a for forming an extension region.例文帳に追加

たとえば、ＨＶ用のＥＳＤ保護素子１Ａのシリサイドブロック５１ａの直下には、エクステンション領域を形成するためのＬＤＤ拡散層２６ａ，２７ａと同じ接合深さの拡散層抵抗領域２９ａが形成されている。 - 特許庁

The high fusion temperature metallic silicide layer 140, which covers cover the P+ diffusion region 124 between gate electrodes 120A and 120B, is eliminated at two portions separating in the channel widthwise direction D and diffusion resistance regions 150A and 150B are formed.例文帳に追加

ゲート電極１２０Ａ，１２０Ｂ間のＰ^+拡散領域１２４を覆う高融点金属シリサイド層１４０はチャネル幅方向Ｄにて離れた２箇所にて除去され、拡散抵抗領域１５０Ａ，１５０Ｂが形成される。 - 特許庁

To provide a fuel cell which can easily secure electric contact of an electrode terminal for connection outside with a diffusion electrode layer, and can be further miniaturized without deteriorating the rate of diffusion of fuel and oxidant.例文帳に追加

外部と接続するための電極端子と拡散電極層との電気的接触を容易に確保し得ると共に燃料、酸化剤の拡散速度を低下させることがなく、更に小型化も可能な燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly for a solid polymer fuel cell having a porous gas diffusion layer which is obtained by an inexpensive processing and has little deterioration in battery performance even in a long time operation, and is superior in gas diffusion performance.例文帳に追加

安価な処理で得られ、長時間の運転でも電池性能が低下し難く、且つガス拡散性に優れた多孔質ガス拡散層を有する固体高分子形燃料電池用膜電極接合体を提供すること。 - 特許庁

A process of preparing an electrolyte membrane 1 and gas diffusion layers 2, 3 and a jointing process of forming a membrane electrode junction 6 by pressuring in overlapped state the electrolyte membrane 1 and the gas diffusion layers 2, 3 through a catalyst layer are implemented.例文帳に追加

電解質膜１とガス拡散層２，３とを用意する工程と、電解質膜１とガス拡散層２，３とを触媒層を介して重ねた状態で加圧して膜電極接合体６を形成する接合工程とを実施する。 - 特許庁

An n-type well 6 and a p-type well 7 are formed in the silicon layer 4 of the SOI substrate 1 and pluralities of p^+-type diffusion regions 9 (anodes) and n^+-type diffusion regions 10 (base electrodes) are alternately arranged on the surface of the n-type well 6.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１のシリコン層４にＮウエル６及びＰウエル７を形成し、Ｎウエル６の表面に、夫々複数個のＰ^＋拡散領域９（アノード）及びＮ^＋拡散領域１０（ベース電極）を交互に配列する。 - 特許庁

One P-type high-concentration diffusion layer 23 and three or more (for example, four) N-type high-concentration diffusion layers 24-1 to 24-4, joined thereto, which constitute a ZAP diode are formed in a region enclosed with a field oxide film 22.例文帳に追加

フィールド酸化膜２２による包囲内に、ザップダイオードを構成している１つのＰ型高濃度拡散層２３とこれに接合された３つ以上（例えば、４つ）のＮ型高濃度拡散層２４−１〜２４−４とが形成されている。 - 特許庁

The pre-molded article can be further subjected to salt bath nitriding treatment, thereby forming a layered Fe-based alloy which has a diffusion layer 20 which is formed by the diffusion of the carbonized product, a nitrided product and AlN in the base material.例文帳に追加

さらに、予備成形体に対して塩浴窒化処理を施すことにより、前記炭化物、窒化物及びＡｌＮが母材中に拡散することによって形成された拡散層２０を有する有層Ｆｅ基合金が得られる。 - 特許庁

Alternately, the impurity diffusion layer 8, whose impurity concentration is lower than 1x10^19cm^-3, is formed larger than the depth of 1.2μm or smaller, exceeding 0.3μm from the surface of the epitaxial layer 6.例文帳に追加

または、エピタキシャル層６の表面から０．３μｍを超え、かつ、１．２μｍ以下の深さにわたって不純物濃度が１×１０^１９ｃｍ^−３より低い不純物拡散層８を形成する。 - 特許庁

Therefore, the impurity diffusion layer 8, whose impurity concentration is lower than 1x10^20cm^-3, is formed ranging to a depth of 0.3μm or less, exceeding 0.1μm from the surface of the epitaxial layer 6.例文帳に追加

よって、エピタキシャル層６の表面から０．１μｍを超え、０．３μｍ以下の深さにわたって不純物濃度が１×１０^２０ｃｍ^−３より低い不純物拡散層８を形成する。 - 特許庁

With the side wall insulating film and etching stopper film as masks, a conductive impurity D2 is introduced by allowing it to transmit the etching stopper film on the upper layer of the substrate, to form a source/drain diffusion layer 12.例文帳に追加

次に、サイドウォール絶縁膜およびエッチングストッパ膜をマスクとして、基板の上層のエッチングストッパ膜を透過させて導電性不純物Ｄ２を導入し、ソース・ドレイン拡散層１２を形成する。 - 特許庁

A non-SiN-based insulating film, such as a P-SiO film having N-H groups on its surface generated by an HMDS process may be uses as the CU anti-diffusion layer and/or etching stopper layer.例文帳に追加

ＨＭＤＳ処理などにより表面にＮ−Ｈ基を生成したＰ−ＳｉＯ膜などの非ＳｉＮ系絶縁膜をＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として用いてもよい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a blade for a turbomachine by superplastic forming and diffusion bonding a first layer, a second layer and a membrane, the membrane being disposed between the first and second layers.例文帳に追加

第１層、第２層、及び第１層と第２層との間に配置されたメンブレンを超塑性成形し、拡散接合することによってターボマシン用のブレードを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface 8a of the main light diffusion layer 8 on the side opposite to the base material layer 6 includes a recess 8b and a protrusion 8c, each of which is extended to one direction and has a curved shape, and is formed to have a cyclic wavy shape.例文帳に追加

そして、主光拡散層８の基材層６と反対側の表面８ａを、一方向に延びる曲面状の凹部８ｂと凸部８ｃを備えて周期的な波状に形成する。 - 特許庁

To provide an inter-layer closing device, preferably closing an inter-layer gap without restrictively connecting a wall panel and a floor material to each other, and surely preventing diffusion of smoke from a lower story to an upper story.例文帳に追加

壁パネルと床材とを拘束的に結合することなく層間隙間を好適に塞ぎ、下層階から上層階への煙の拡散を確実に防止することができる層間塞ぎ装置を提供する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 111a is formed on a surface part of the n-type epitaxial layer 104 being isolated from the p-type silicon substrate 101 and made a top gate of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

前記Ｐ型シリコン基板１０１から離れて前記Ｎ型エピタキシャル層１０４の表面部分にＰ型拡散層１１１ａを形成し、接合型電界効果トランジスタ１５１のトップゲートとする。 - 特許庁

To provide a composition for sealing a semiconductor, which enables the formation of a thin resin layer, can prevent the diffusion of a metallic component into a porous interlayer insulating layer, and has excellent adhesion to wiring materials.例文帳に追加

薄い樹脂層を形成可能で、多孔質の層間絶縁層への金属成分の拡散を抑制することができ、配線材料の密着性に優れる半導体用シール組成物を提供する。 - 特許庁

Further, an activation heat treatment is carried out for 0.1 to 100 milliseconds to recrystallize the semiconductor layer having been made amorphous, thereby forming a diffusion region of the dopant impurity in the semiconductor layer.例文帳に追加

次いで、０．１ミリ秒〜１００ミリ秒の活性化熱処理を行い、アモルファス化した半導体層を再結晶化することにより、半導体層にドーパント不純物の拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a catalyst layer which structures a gas diffusion electrode for a solid polymer fuel cell which achieves excellent catalyst utilization efficiency, and to provide a catalyst layer obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

優れた触媒利用効率が得られる、固体高分子型燃料電池用のガス拡散電極を構成する触媒層の製造方法および該製造方法で得られる触媒層の提供。 - 特許庁

The gas sensor element 2 includes a solid electrolyte 21, a measurement target gas side electrode 22, a reference gas side electrode 23, a measurement target gas chamber 24, a porous diffusion resistance layer 25, and a shielding layer 26.例文帳に追加

ガスセンサ素子２は、固体電解質体２１と、被測定ガス側電極２２及び基準ガス側電極２３と、被測定ガス室２４と、多孔質拡散抵抗層２５と、遮蔽層２６とを有する。 - 特許庁

After forming an interlayer insulation film 10 and flattening it, emitter extraction electrodes 21 connected to the emitter layer (n-type diffusion layer 5) are so formed as to be connected to the silicide film 8 on the element isolation film 3.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながるエミッタ引き出し電極２１を形成する。 - 特許庁

A gas sensor element 1 comprises a solid electrolyte 11, a measured gas-side electrode 12, a reference gas-side electrode 13, a porous diffusion resistance layer 17, an intermediate layer 16, and a hollow part 169.例文帳に追加

ガスセンサ素子１は、固体電解質体１１と被測定ガス側電極１２及び基準ガス側電極１３と多孔質の拡散抵抗層１７と中間層１６と中空部１６９とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device which suppresses the diffusion of p-type dopant to a light emitting layer (or active layer) with a high luminance and reduces the maintenance requirement of a deposition system.例文帳に追加

発光層（または活性層）へのｐ型ドーパントの拡散を抑制して高輝度を実現でき、また、成長装置のメンテナンス頻度を少なくできる半導体発光素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a III-V group compound semiconductor device in which the diffusion of Zn to an adjacent layer in which Zn is not contained is suppressed even at the time of doping Zn in p type layer with high density.例文帳に追加

ｐ型層内へ高濃度にＺｎをドーピングした場合でも、近隣のＺｎを含まない層へのＺｎの拡散が抑制されたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置を提供する。 - 特許庁

The gas diffusion layer has carbon water repellent layer containing carbon particles coated by a water repellent agent and particles of water repellent agent on the surface of a gas diffusing base material.例文帳に追加

撥水剤でコーティングされてなるカーボン粒子と、撥水剤粒子とを含むカーボン撥水層をガス拡散基材表面に有することを特徴とするガス拡散層により上記課題を解決する。 - 特許庁

To obtain a highly reliable, high output light emitting diode by suppressing emission at a deep level thereby increasing emission quantity and suppressing diffusion of Zn from a p-type clad layer to a p-type active layer.例文帳に追加

深いレベルでの発光を抑止することで発光量を増加させ、更に、ｐ型クラッド層のＺｎがｐ型活性層に拡散することを抑止して、高出力、且つ高信頼性の発光ダイオードとする。 - 特許庁

Since the irregular light quantity bias is generated in the irregular diffusion layer 16, irregular brightness and darkness are generated in the light passing through the decoration layer 14 as well and a stereoscopic effect is generated by the irregular brightness and darkness.例文帳に追加

乱拡散層１６において不規則な光量の偏りが生じているので、装飾層１４を通過してくる光にも不規則な明暗が生じ、この不規則な明暗により立体感が出る。 - 特許庁

The layer 14b is removed, the fine irregularities are formed on the surface 14e of the layer 14 by the protrusion and/or dropout of the fine particles 12 to obtain the light diffusion sheet master disc.例文帳に追加

そして感光層１４ｂを除去し、感光性樹脂層１４の表面１４ｅに微粒子１２の突出及び／又は脱落による微細な凹凸を形成させ、光拡散シート原盤を得る。 - 特許庁

On the contrary, at high temperature when a volume of the moisture gets small, the gaseous diffusion layer 13 is compressed making the moisture harder to move in the layer 13 to remain in the MEA 10.例文帳に追加

逆に、単セル内の水分量が少なくなる高温時には、ガス拡散層１３が圧縮され、ガス拡散層１３内を水分が移動しにくくなり、ＭＥＡ１０内に水分が止まることになる。 - 特許庁

A source diffusion layer 24 of the MISFET-QM passes through the above region and further through the insulating layer 14 and connected with storage electrodes 13 of the capacitors C by using embedded storage electrode plugs 26.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴ−ＱＭのソース拡散層２４は、これを貫通し更に絶縁膜１４を貫通して埋め込まれた蓄積電極プラグ２６により、キャパシタＣの蓄積電極１３に接続される。 - 特許庁

The surface layer consists of a metal, Au, Ag, Pd, etc., which is hard to oxidize within the in-use temperature range, has small diffusion to the electrode metal layer, and is easily diffused in the solder during soldering.例文帳に追加

表面層は、使用される温度範囲で、酸化されにくく、電極金属層との拡散が少なく、ハンダ付け時にハンダ中に拡散しやすい金属、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどで構成される。 - 特許庁

In a first formula, porous carbon support bodies of a gas diffusion layer are structured in a plurality of layers, of which, osculum distribution of layers at a catalyst layer side is made fine, and that at a contrary side is made coarse.例文帳に追加

第１の方式では、ガス拡散層の多孔性カーボン支持体を複数の層で構成し、触媒層側の層の細孔分布を細かくし、触媒層側とは反対側の層の細孔分布を粗くした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a fuel cell capable of manufacturing a fuel cell having a better adhesion property between a catalyst electrode layer and water-repellent layer and suitable gas diffusion characteristics.例文帳に追加

本発明は、触媒電極層と撥水層との密着性が高く、ガス拡散性が良好な燃料電池を製造可能な燃料電池の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

Any of the plurality of contact plugs CP0 which reaches the diffusion layer 3 serving as a source layer has its end connected directly to the end of a contact plug CP1 penetrating an interlayer insulating film IL2.例文帳に追加

複数のコンタクトプラグＣＰ０のうちソース層となる拡散層３に達するものは、その端部が層間絶縁膜ＩＬ２を貫通するコンタクトプラグＣＰ１の端部にダイレクトに接続されている。 - 特許庁

A gas diffusion layer 2 is arranged on a flat-face laminate 3 structured in a pattern shape of a ferromagnetic body and a feeble magnetic body, and is directly applied with catalyst ink to form the electrode catalyst layer 1.例文帳に追加

強磁性体と弱磁性体によってパターン状に構成された平面状の積層体３上に、ガス拡散層２を配置して、触媒インクを直接塗布し、電極触媒層１を形成する。 - 特許庁

Phosphorus atoms 26b for forming an Noffset diffused layer is implanted at a deep level, to enable making the diffusion depth of the Noffset diffused layer large, and the electrostatic breakdown strength can be improved.例文帳に追加

また、Ｎｏｆｆｓｅｔ拡散層形成のリン原子２６ｂを深く打ち込むことで、Ｎｏｆｆｓｅｔ拡散層の拡散深さを深くすることができて、静電破壊耐量を向上させることができる。 - 特許庁

The solar cell module back sheet comprises a light diffusion layer having approximately uniform fine projections or recesses and a reflective or gas-barrier metal deposition layer on one side.例文帳に追加

本発明の太陽電池モジュール用バックシートは、一方の面に微細な凸部又は凹部を略均一に有する光拡散層と、反射性及びガスバリア性を有する金属蒸着層とを備えている。 - 特許庁

To provide a fuel cell stack capable of operating continuously for a long time by restraining a flooding phenomenon and reducing damage to a polymer electrolyte film and a catalyst layer by a gas diffusion layer.例文帳に追加

フラッディング現象を抑制するとともに、ガス拡散層による高分子電解質膜や触媒層へのダメージを低減することにより、長時間の連続運転が可能な燃料電池スタックを提供する。 - 特許庁

Consequently, the quantity of a P-type dopant can be made uniform around the opening 4 of the electrode 3 and the diffusion of an external base layer covering the peripheral section of the emitter layer through heat treatment becomes uniform.例文帳に追加

この構成により、Ｐ型ドーパント量を引き出し電極３の開口部４を中心に同量にすることができ、熱処理によるエミッタ層周辺部を覆う外部ベース層の拡散が均一になる。 - 特許庁