「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

To form a new interface layer having excellent adhesion, oxidation resistance, and diffusion barrier property at the interface between a lower Cu wire and an upper insulating layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、下部Ｃｕ配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。 - 特許庁

The electrode catalyst layer 1 is formed by arranging a gas diffusion layer 2, with catalyst ink directly coated, on a flat base material 3 structured in a pattern shape by a ferromagnet and a feeble magnet.例文帳に追加

強磁性体と弱磁性体によってパターン状に構成された平面状の基材３上に、ガス拡散層２を配置して、触媒インクを直接塗布し、電極触媒層１を形成する。 - 特許庁

To provide the structure of a catalyst layer for suppressing damage to an electrolyte membrane caused by naps and the breakage or the like of a diffusion layer, and improving the durability of a membrane electrode conjugant.例文帳に追加

拡散層の毛羽立ち、破損等に起因する電解質膜の損傷を抑制し、膜電極接合体の耐久性を向上させるため触媒層の構造で解決することを提供する。 - 特許庁

This preprocessing method includes a step of forming a liquid-repellent layer on a substrate before forming a diffusion layer by selectively applying a diffuser for forming silicon-containing coating using the inkjet system.例文帳に追加

この前処理方法は、インクジェット方式を用いて選択的にケイ素含有被覆形成用拡散剤を塗布して拡散層を形成する前に、基板上に撥液性層を形成する工程を含む。 - 特許庁

To form a deep diffusion layer such as a field stop layer using phosphorous and boron used in a normal silicon process as a dopant, and to form a trench gate structure having a satisfactory characteristic.例文帳に追加

通常のシリコンプロセスで用いられるリンやボロンをドーパントとして用いてフィールドストップ層などの深い拡散層を形成するとともに、良好な特性を有するトレンチゲート構造を形成すること。 - 特許庁

The first semiconductor diffusion layer reaches to a second position from the top surface of the semiconductor layer located among the plurality of trenches and has a third impurity concentration lower than the second impurity concentration.例文帳に追加

第１半導体拡散層は、複数のトレンチの間に位置する半導体層の上面から第２の位置に達し且つ第２の不純物濃度より小さい第３の不純物濃度を有する。 - 特許庁

The direct methanol fuel cell has an electrolyte membrane 21, an anode catalyst layer 22, a cathode catalyst layer 23, dense water repellent layers 26, 28 of water repellent nature, and porous gas diffusion layers 25, 27.例文帳に追加

直接メタノール型燃料電池は、電解質膜２１と、アノード触媒層２２と、カソード触媒層２３と、撥水性の緻密撥水層２６、２８と、多孔質のガス拡散層２５、２７とを有する。 - 特許庁

The grain boundary diffusion in the sinter junction layer 14B is suppressed by covering the body part 14A including thorium with the sinter junction layer of the tungsten of the coarsened crystal grain that does not include thorium.例文帳に追加

トリウムを含有する本体部分１４Ａをトリウムを含まない粗大結晶粒のタングステンの焼結接合層で覆うことにより、焼結接合層１４Ｂにおける粒界拡散が抑制される。 - 特許庁

An electrolyte membrane and a catalyst layer are formed in sequence on an electrolyte membrane support, and then a cell member containing a gas diffusion layer and a gasket is joined thereto and the electrolyte membrane support is separated from the joined body.例文帳に追加

電解質膜支持体上に電解質膜、触媒層を順次形成し、次いでガス拡散層とガスケットを含む電池部材を接合し、その接合体から電解質膜支持体を剥離する。 - 特許庁

The total of the thickness of the ultraviolet curing resin layer having a diffusion pattern formed thereon and the thickness of the ultraviolet curing resin layer having the diffraction grating pattern is smaller than the thickness of the transparent resin film.例文帳に追加

拡散パターンが成形された紫外線硬化樹脂層の厚さと、回折格子パターンが成形された紫外線硬化樹脂層の厚さの合計が、透明樹脂フィルムの厚さより小さいこと。 - 特許庁

To provide a reflector having a reflective layer which is thin, has a high strength and has a diffusion reflectance of ≥95% at wavelength 550 nm with respect to the reflector having the reflective layer formed on a substrate.例文帳に追加

基材上に反射層が形成された反射体であって、反射層が薄く、反射層の強度が高く、かつ５５０ｎｍにおける拡散反射率が９５％以上である反射体を提供する。 - 特許庁

In the method for producing the article, a superalloy substrate is formed, a thermally stable diffusion barrier layer is applied on the substrate, and moreover, a silicon base ceramic material is carried on the substrate coated with the barrier layer.例文帳に追加

物品の製造方法において、超合金基体を形成し、該基体上に熱安定な拡散障壁層を施工し、さらにケイ素基セラミック材料を、上記障壁層で被覆された基体に担持させる。 - 特許庁

After an interlayer insulating film 10 is provided and planarized, and the lead out electrode 21 connecting with the emitter layer (n-type diffusion layer 5) is provided to connect to the silicide film 8 on the element isolation film 3.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながる引き出し電極２１が設けられる。 - 特許庁

Moreover, on the single crystal layers 13 on the both sides of the floating gate 20 extending on a tunnel oxidized film 19, a pair of impurity diffusion layers 21 and 22 are formed, and an aluminum electrode 198 is connected for stabilizing a threshold value to a p-type impurity diffusion layer 195 neighboring the impurity diffusion layers 21 and 22.例文帳に追加

また、トンネル酸化膜１９上に延在した浮遊ゲート２０の両側の単結晶シリコン層１３には一対の不純物拡散層２１，２２が形成されており、不純物拡散層２１，２２と近接するｐ型不純物拡散層１９５には、しきい値を安定させるためのアルミニウム電極１９８が接続されている。 - 特許庁

To obtain an impurity diffusion processing method in a semiconductor element manufacturing process which forms a uniform impurity diffusion layer and can carry on an impurity diffusion process high in performance and a yield, an impurity diffusing device for use in the same method, and a semiconductor element containing a solar cell, etc., high in a yield.例文帳に追加

均一な不純物拡散層を形成し、性能や歩留まりの高い不純物拡散処理が可能な半導体素子製造工程における不純物拡散処理方法および同方法に用いる不純物拡散装置、並びに、歩留まりの高い太陽電池等を含む半導体素子を得ること。 - 特許庁

Metal plates 3, 4 and 5, with alignment open holes 7 aligned, are laminated one on another, and gas diffusion passages 60 continuously extending along the laminated direction of the metal plates 3, 4 and 5 are formed by gas diffusion open holes 6 in the respective metal plates 3, 4 and 5, whereby a gas diffusion layer for a fuel cell is composed.例文帳に追加

金属板３、４、５を位置合わせ用貫通孔７を合わせて積層し、各金属板３、４、５のガス拡散用貫通孔６により金属板３、４、５が積層された方向に沿って連続的に延在するガス拡散用貫通路６０を形成することで燃料電池用ガス拡散層を構成する。 - 特許庁

A light diffusion layer 11 including a light diffusion material 13 and a resin binder 14 is disposed on at least one side surface of a transparent sheet-like substrate 10, wherein the light diffusion material indispensably consists of acryl-urethane resin fine particles and the resin binder is prepared by cross-linking an acrylic resin indispensably consisting of acrylic monomer with hydroxide group with polyisocyanate.例文帳に追加

透明なシート状基材１０の少なくとも一方の面に光拡散材１３および樹脂バインダー１４を含有する光拡散層１１が設けられ，光拡散材は、アクリルウレタン樹脂微粒子を必須とし，樹脂バインダーは，水酸基を持ったアクリルモノマーを必須成分としたアクリル樹脂をポリイソシアネートで架橋した。 - 特許庁

A gas diffusion layers 42a for constituting the anode side electrode 38 has a surface area wider than that of a gas diffusion layer 42b for constituting the cathode electrode 40, and a prescribed press load is imparted preliminarily to an outer circumferential edge part 45 of the gas diffusion layers 42a, corresponding to an abutting face of the second seal 47b.例文帳に追加

アノード側電極３８を構成するガス拡散層４２ａは、カソード側電極４０を構成するガス拡散層４２ｂよりも大きい表面積を有し、前記ガス拡散層４２ａの外周縁部４５には、第２シール４７ｂの当接面に対応して予め所定のプレス荷重が付与されている。 - 特許庁

To appropriately limit the impregnation of molding material into a fuel cell-sealing structure comprising a generator, second gas diffusion layers on both sides thereof, and a gasket molded integrally with the generator and the second gas diffusion layers via the impregnated portion of the molding material, the generator comprising a membrane-electrode complex and a first gas diffusion layer.例文帳に追加

膜−電極複合体及び第一ガス拡散層からなる発電体と、その両側の第二ガス拡散層と、これら発電体及び第二ガス拡散層に成形材料の含浸部を介して一体に成形されたガスケットからなる燃料電池用シール構造体において、成形材料の含浸を適切に制限する。 - 特許庁

A furnace core tube 11 is incliningly arranged with respect to the horizontal in this lateral type diffusion furnace, and an impurity diffusion layer is formed on each silicon substrate 21 on the diffusion semiconductor boat 22 arranged in the furnace core tube 11, by introducing an impurity gas into the furnace core tube 11 from the end part on the lower side of the furnace core tube 11.例文帳に追加

炉心管１１が水平に対して傾斜状態に配置されており、炉心管１１の下側の端部から炉心管１１内に不純物ガスが導入されて加熱されることにより、炉心管１１内に配置された拡散半導体基板ボート２２上の各シリコン基板２１に不純物拡散層が形成される。 - 特許庁

An exothermic module 10 is integrally provided with a cooler 11, a thermal diffusion member 12 disposed on the cooler 11 and including at least one layer of a thermal diffusion plate 30 formed using a carbon-based material, and an exothermic body 13 disposed on one surface 12a opposite to the cooler 11 of the thermal diffusion member 12.例文帳に追加

発熱体モジュール１０は、冷却器１１と、炭素系材料を用いて形成された熱拡散板３０を少なくとも１層有し、冷却器１１上に配置された熱拡散部材１２と、熱拡散部材１２の冷却器１１と反対の一面１２ａ上に配置された発熱体１３と、一体的に備える。 - 特許庁

At least one diffusion region exists among a plurality of resistor elements made on the element isolating layer, and further the plurality of resistor elements 4 and the diffusion region 1a are arranged so that the intervals between the resistor elements 4 and the surrounding corresponding diffusion region 1a may be equal to each other, in individual resistor elements 4.例文帳に追加

素子分離層上に形成された複数の抵抗素子間には、少なくとも一つの拡散領域１ａが存在し、さらに個々の抵抗素子４において、抵抗素子４と周囲の対応する拡散領域１ａとの距離がそれぞれ等しくなるように複数の抵抗素子４および拡散領域１ａを配置する。 - 特許庁

The manufacturing method of a membrane electrode assembly for a solid polymer fuel cell, is provided with a process, after covering a first gas diffusion layer on a first carbon layer coating liquid layer, forming a first carbon layer by drying the first carbon layer coating liquid layer, and a process heating and jointing by making the first carbon layer in contact with a first catalyst layer formed on one surface of a solid polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

第１のカーボン層塗工液層の上に、第１のガス拡散層を被せた後、前記第１のカーボン層塗工液層を乾燥して第１のカーボン層を形成する工程と、前記第１のカーボン層と、固体高分子電解質膜の一方の面に形成された前記第１の触媒層とを接するようにして加熱接合する工程と、を有する固体高分子形燃料電池用膜電極接合体の製造方法。 - 特許庁

The negative electrode 21 has a diffusion preventing layer 21B formed by a dry or wet deposition method, a negative electrode current collector layer 21C, and a negative electrode activator layer 21D formed on a substrate 21A for deposition made of a plastic or the like.例文帳に追加

負極２１は、プラスチックなどよりなる成膜用基体２１Ａの上に、乾式成膜法または湿式成膜法により形成された拡散防止層２１Ｂ，負極集電体層２１Ｃおよび負極活物質層２１Ｄを有している。 - 特許庁

After an epitaxial layer 11 (n-type semiconductor layer) 11 is formed on the surface of a silicon substrate (p-type semiconductor substrate) 10, n-type diffusion regions 17 are formed on the peripheral edge sections of the substrate 10 and layer 11 and the rear surface of the substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０（ｐ型の半導体基板）表面にエピタキシャル層１１（ｎ型の半導体層）を形成し、シリコン基板１０及びエピタキシャル層１１の周縁部、並びにシリコン基板１０の裏面にｎ型拡散領域１７を形成する。 - 特許庁

In this wiring structure where a wiring layer is embedded in an interlayer insulation film, the interlayer adjoining to a wiring layer has a three-layer structure consisting of a diffusion prevention film, a porous insulation film and a cap film, and the cap film is made of SiOC or SiO_2.例文帳に追加

層間絶縁膜に配線層が埋め込まれた配線構造において、配線層に隣接する層間絶縁膜が、拡散防止膜、多孔質絶縁膜、およびキャップ膜の３層構造からなり、キャップ膜がＳｉＯＣまたはＳｉＯ_２からなる。 - 特許庁

The catalyst for cleaning diesel exhaust gas is characterized by comprising (A) a honeycomb monolith substrate layer, (B) a layer containing a platinum group metal carried on a metal oxide, and (C) a gas diffusion layer comprising a metal oxide, wherein the layers are laminated in order of the above (A), (B), and (C).例文帳に追加

(A)ハニカムモノリス基材層と、(B)金属酸化物に担持された白金族金属を含む層と、(C)金属酸化物からなるガス拡散層とを、前記(A)-(B)-(C)の順に積層して有してなることを特徴とするディーゼル排ガス浄化用触媒。 - 特許庁

To provide a light-emitting element excellent in luminescence characteristics in which diffusion of metal ions from other functional layer such as an electron injection layer to a light-emitting layer is prevented, and to provide a highly reliable light-emitting device equipped with this light-emitting element and an electronic apparatus.例文帳に追加

例えば、電子注入層のような他の機能層からの発光層への金属イオンの拡散が防止され、発光特性に優れる発光素子、かかる発光素子を備えた信頼性の高い発光装置および電子機器を提供すること。 - 特許庁

A display apparatus 10 includes a light source 31, a transparent front panel 20, a metallic color layer 40 arranged between the light source 31 and the front panel 20, and a diffusion layer 50 which diffuses light before being incident on the metallic color layer 40.例文帳に追加

表示装置１０は、光源３１と、透明色の前面パネル２０と、光源３１と前面パネル２０との間に配置されたメタリック色の層４０と、メタリック色の層４０に入射する前の光を拡散する拡散層５０とを備える。 - 特許庁

Two InGaP spacer layers 14, 16 for preventing the diffusion of In atoms, contained in the i-InGaAs channel layer 5 to the n-AlGaAs carrier supply layer sides, are inserted between the i-InGaAs channel layer and the n-AlGaAs carrier supply layers 3, 7.例文帳に追加

ｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層５とｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層３、７の間に、チャネル層のＩｎ原子がｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層側へ拡散することを防止するためのＩｎＧａＰスペーサ層１４、１６を挿入する。 - 特許庁

In the planographic printing plate having on a support at least an undercoat layer, a silver halide emulsion layer and a physical developing nucleus layer and applying a silver complex diffusion transfer process, an aqueous urethane resin is contained on the side on which a silver image is formed.例文帳に追加

支持体上に少なくとも下塗り層、ハロゲン化銀乳剤層、および物理現像核層有する銀錯体拡散転写法を応用した平版印刷板において、銀画像を形成する側に水系ウレタン樹脂を含有する平版印刷版。 - 特許庁

In this method of manufacturing a thin film transistor, the surface of the semiconductor layer of a channel section 19 is formed in a predetermined recessed and projecting surface at the time of performing channel etching for removing a prescribed ohmic layer 14 and its diffusion layer by plasma etching.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、所定のオーミック層１４およびその拡散層をプラズマエッチングにより除去するチャンネルエッチングを行うとき、チャネル部１９の半導体層表面を予め定めた凹凸にすることとした。 - 特許庁

A thermal transfer recording image receiving sheet is provided with an image receiving layer having the dye uptake properties to a dye transferred from an ink sheet containing a heat diffusion dye and a protective layer having clearances formed of inorganic fine particles and formed on the image receiving layer.例文帳に追加

熱拡散性染料を含有するインクシートから転写される染料に対して染着性を有する受像層と、その上に無機微粒子から成る空隙を有する保護層を有することを特徴とする熱転写記録用受像シート。 - 特許庁

The anode gas diffusion layer 2g is arranged to be brought into surface contact with the thick membrane part 1e and the anode catalyst layer 2c in a continuous plane formed of an external surface of the thick membrane part 1e and an external surface of the anode catalyst layer 2c.例文帳に追加

また、アノードガス拡散層２ｇは、膜厚部１ｅの外表面とアノード触媒層２ｃの外表面とで形成される連続した面内において、膜厚部１ｅおよびアノード触媒層２ｃと面接触するように配置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which reduces a current leakage via a clad layer and prevents the diffusion of an injected carrier in between a core layer in a region having a first function and a core layer in a region having a second function.例文帳に追加

半導体素子において、クラッド層を経由する電流リークを低減するとともに、第１の機能を有する領域のコア層と第２の機能を有する領域のコア層との間で、注入されたキャリアが拡散してしまうのを抑制する。 - 特許庁

This method has a step of forming the base layer F1 on a substrate P, a step of applying a solution containing metallic particles and a diffusion stabilizer on the base layer F1, and a step of thermally treating the applied solution to form a conductive layer F2.例文帳に追加

基板Ｐ上に下地層Ｆ１を形成する工程と、金属微粒子及び分散安定剤を含む溶液を下地層Ｆ１上に塗布する工程と、塗布した溶液を加熱処理して導電層Ｆ２を形成する工程とを有する。 - 特許庁

An adhesive layer 60 comprises a transparent film 6, a first adhesive layer 5 of which the transparent film 6 is formed on a such surface as faces the first optical sheet 13, and a second adhesive layer 7 of which the transparent film 6 is formed on such a surface as faces a diffusion plate 4.例文帳に追加

接着層６０は、透明フィルム６と、透明フィルム６が第１の光学シート１３に臨む面に設けられた第１接着層５と、透明フィルム６が拡散板４に臨む面に設けられた第２接着層７とを備えている。 - 特許庁

When a deep source or drain diffusion layer region is formed with high impurity concentration, an intermediate region of higher impurity concentration than a semiconductor substrate having a conductivity type opposite to that of a source-drain layer is formed between the source-drain layer and the semiconductor substrate.例文帳に追加

高濃度で深いソース又はドレイン拡散層領域を形成する時、ソース・ドレイン拡散層と反対の導電型を有する半導体基板との間に該半導体基板の不純物濃度より高い濃度の中間領域を形成する。 - 特許庁

To provide an super-straight solar battery using a light-absorbing layer with a chalcopyrite structure, wherein the solar battery prevents deterioration of properties due to mutual diffusion of a buffer layer and the light-absorbing layer and that has satisfactory properties such as conversion efficiency.例文帳に追加

カルコパイライト構造を有する光吸収層を利用するスーパーストレート型の太陽電池において、バッファ層と光吸収層との相互拡散に起因する特性劣化を防止して、変換効率等の特性が良好な太陽電池を提供する。 - 特許庁

This aluminide bond coat comprises a heat insulating ceramic layer 26 and a diffusion aluminide bond coat 24, in which aluminum oxide scale grows on the bond coat 24, which protects the surface of the lower layer parts 22 thereof and chemically bonds the ceramic layer 26.例文帳に追加

熱絶縁性セラミック層２６および拡散アルミニウム化物ボンディングコート２４からなり、ボンディングコート２４上に酸化アルミニウムスケールが成長されており、これがその下層の部品２２の表面を保護しそしてセラミック層２６を化学的に結合している。 - 特許庁

A boundary wall 65 is formed at a boundary part between the isotropic layer 63 and the anisotropic layer 64 to prevent diffusion of a monomer or radical from the respective areas to the adjacent other areas during formation of the phase difference layer 61.例文帳に追加

そして、等方層６３と異方層６４との境界部分には、位相差層６１を形成する際、それぞれの領域から隣接する他の領域にモノマーやラジカルの拡散が進行することを防ぐ境界壁６５が形成されている。 - 特許庁

The electrode structure comprises a layer 61 containing at least the main material of the electrode, a layer 62 for preventing diffusion of metallic material, and a layer 63 for making ohmic contact with the metal formed sequentially.例文帳に追加

少なくとも電極の主材料を含む電極主材料層６１と、金属材料の拡散を防止する拡散防止層６２と、金属に対してオーミック接触するオーミック接触層６３とを順次積層して構成されている電極構造。 - 特許庁

The semiconductor element 10 has a P-type semiconductor substrate 11 having an N-well 13 and an N^+-diffusion layer 14 with its impurity concentration higher than that of the N-well 13, and a silicide layer 12 formed to partly cover the N^+-layer 14.例文帳に追加

半導体素子１０は、Ｎウェル１３及びＮウェル１３よりも高い不純物濃度を有するＮ^＋拡散層１４を有するＰ型半導体基板１１と、Ｎ^＋拡散層１４上に部分的に形成されたシリサイド層１２と、を備える。 - 特許庁

The light diffusion sheet body 2 is preferably a single layer sheet or a laminated sheet, comprising a core layer and a surface layer which contain 0.1-35 mass% light diffusing agent.例文帳に追加

光拡散シート本体２は、光拡散剤を０．１〜３５質量％含有する単層シート又はコア層と表層との積層シートであることが好ましく、積層シートの場合は光拡散剤をコア層のみに、又はコア層と表層の双方に含有させる。 - 特許庁

The optical film 10 which has a restriction layer 31 for restricting emission of light with a definite angle or more toward a normal line direction and a diffusion layer 33 for diffusing light passed through the restriction layer 31 is arranged in front of the liquid crystal panel 2.例文帳に追加

液晶パネル２の前面に、法線方向に対して一定以上の角度をなす光の出射を制限する制限層３１と、この制限層３１を透過した光を拡散する拡散層３３とを有する光学フィルム１０を配置する。 - 特許庁