「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polyester film having excellent optical performance, which allows an LCD member, particularly a thermosetting type diffusion sheet to obtain excellent processing characteristics when the LCD member is subjected to back coat processing of the opposite surface side after the diffusion processing as primary processing is carried out, without causing deterioration in processing speed or the yield and which can keep high brightness to stably provide high quality and clear image.例文帳に追加

ＬＣＤの部材、特に熱硬化型の拡散シートにおいて、一次加工である拡散加工後の反対面側のバックコート加工時において、加工特性が良好で、加工速度や歩留りの低下を発生させることなく、また、高い輝度を維持して鮮明で高品質な画像を安定的に与えることができる、光学的性能に優れたポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

The semiconductor storage device 100 comprises a plurality of bit line diffusion layers 108 formed above a p-type semiconductor substrate 101 in such a manner as to extend in parallel with each other, and a plurality of word line electrodes 110 formed above the semiconductor substrate 101 in such a manner as to extend in a direction respectively crossing the bit line diffusion layers 108 and in parallel with each other.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、Ｐ型の半導体基板１０１の上部にそれぞれが互いに並行に延びるように形成された複数のビット線拡散層１０８と、半導体基板１０１の上で、且つそれぞれが各ビット線拡散層１０８と交差する方向に互いに並行に延びるように形成された複数のワード線電極１１０とを有している。 - 特許庁

The main feature of this 3-D ferroelectric capacitor is that it is equipped with a trench-type lower electrode, interlayer insulator formed around the lower electrode such as an SiO_2 layer, diffusion prevention film formed on the interlayer insulator, ferroelectric layer (PZT layer) formed on the lower electrode and diffusion prevention film, and upper electrode formed on the ferroelectric layer.例文帳に追加

トレンチ型下部電極と、下部電極の周りに形成された層間絶縁層、例えば、ＳｉＯ_２層と、層間絶縁層上に形成された拡散防止膜と、下部電極及び拡散防止膜上に形成された強誘電層（ＰＺＴ層）と、強誘電層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする３次元強誘電体キャパシタである。 - 特許庁

The transparent electrode for the gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprises: a contact metal layer formed on a p-type semiconductor layer by the ohmic contact; a current diffusion layer which is formed on the contact metal layer and has a lower resistance value per unit distance on an electrode plane than a contact metal; and the bonding pad formed on the current diffusion layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、ｐ型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタルよりも電極平面での単位距離あたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。 - 特許庁

The bit line backing region S1 comprises bit line contact regions 9a including a part of the bit line diffusion layers 2 and having contacts 6, and a bit line contact isolation region 9b of the same conductive type as the substrate 1 interposed between the bit line contact regions 9a.例文帳に追加

ビット線裏打ち領域Ｓ１は、ビット線拡散層２の一部を含みコンタクト６を設けるビット線コンタクト領域９ａと、ビット線コンタクト領域９ａに挟まれ基板１と同一導電型のビット線コンタクト分離領域９ｂとを備える。 - 特許庁

Diffusion areas 112, 122 corresponding to the back gates of the respective MOS transistors T1, T2 formed on both a semiconductor substrate 100 and an n-well 110 are used as those having the same type of conductivity as that of the adjacent source areas 111S, 121S.例文帳に追加

半導体基板１００及びＮウェル１１０に形成される各ＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ２のバックゲートに相当する拡散領域１１２，１２２を、それぞれ隣接するソース領域１１１Ｓ，１２１Ｓと同一導電型の拡散領域とする。 - 特許庁

To suppress diffusion of nitrogen and carbon contained in an inter-electrode insulating film via an application type element isolation insulating film to the side of an active region, directly below a gate insulating film, generation of fixed charge and adverse effects on the electrical characteristics of a device.例文帳に追加

電極間絶縁膜に含有される窒素や炭素が塗布型素子分離絶縁膜を介してゲート絶縁膜直下の活性領域脇に拡散して固定電荷を発生し、デバイスの電気的特性に悪影響を及ぼすことを抑制する。 - 特許庁

To provide an optical diffusion sheet of a translucent type which can improve the illumination luminance during lighting of a back light without impairing the illumination luminance during non-lighting of the back light and a back light system using the same.例文帳に追加

半透過式液晶表示装置において、バックライト非点灯時の照明輝度を損なうことなくバックライト点灯時の照明輝度を向上させることの出来る半透過タイプの光拡散シートおよびこれを用いたバックライト装置を提供する。 - 特許庁

A frame arranged on the back side of a liquid crystal unit 2 has an opening having almost the same size as the liquid crystal unit 2 on the face plate, is formed in a thin box-like shape, and is structured to extend a light transmitting type light diffusion plate in the opening.例文帳に追加

液晶ユニット（２）の裏側に配置されるフレームは、表面板に液晶ユニット（２）とほぼ同一の大きさの開口部を有し薄い箱状に形成され該開口部に光透過型の光拡散板が張設されるように構成されている。 - 特許庁

A solid-state image pickup device is provided with a photodiode 1 where the n-type impurity region is formed in an active region 9, a transfer switch 2 transferring the optical signal charge and FD 3 (floating diffusion region) being a transfer destination of the optical signal charge.例文帳に追加

固体撮像装置は、アクティブ領域９にＮ型不純物領域を形成してなるフォトダイオード１と、光信号電荷を転送する転送スイッチ２と、光信号電荷の転送先であるＦＤ（浮遊拡散領域）３とを有する。 - 特許庁

The diffracted X rays from the sample 14 and the diffracted X rays from the sample 16 are discriminatively detected at least in the Z-direction by a position responsive type X-ray detector 34 after the diffusion in the Z-direction is restricted by the solar slit 32 on a light detecting side.例文帳に追加

試料１４からの回折Ｘ線と，試料１６からの回折Ｘ線を，受光側のソーラースリット３２でＺ方向の発散を制限してから，少なくともＺ方向に位置感応型のＸ線検出器３４で，区別して検出する。 - 特許庁

A first diffusion prevention film 11, a first low-k film 12 and a first cap film 13 are formed on a silicon substrate 1, and a barrier film 15 and a Cu film 16 are buried in these films to form a first conductivity type layer.例文帳に追加

シリコン基板１上に第１拡散防止膜１１と第１ｌｏｗ−ｋ膜１２と第１キャップ膜１３が形成され、それらの膜内にバリアメタル膜１５とＣｕ膜１６が埋め込まれることにより第１導電層が形成されている。 - 特許庁

Coarse powder is fed into a first raw material supply passage 1A and fine powder is fed into a second raw material supply passage 6A of a diffusion type burner by conveying along with a carrier gas, and oxygen is bisected and supplied into a first oxygen supply passage 5A and a second oxygen supply passage 7A.例文帳に追加

拡散型のバーナの第一原料供給路１Ａに粗粉を、第二原料供給路６Ａに微粉をキャリアガスに搬送して送り込み、酸素を第一酸素供給路５Ａと第二酸素供給路７Ａとに二分して供給する。 - 特許庁

Next, the first spacer film is removed, impurities of the second conductivity-type are implanted into the surface layer part of the first region with use of the first gate electrode as a mask for third activation treatment and to form a third impurity diffusion region 111.例文帳に追加

次いで第１のスペーサ膜を除去し、第１のゲート電極をマスクとして第１領域の表層部に第２導電型の不純物を注入した後第３の活性化処理を行い、第３の不純物拡散領域１１１を形成する。 - 特許庁

To provide an air diffuser-type thermoelectric generator and a thermoelectric generation air-diffusion system using a thermoelectric generator, capable of performing power generation economically, without requiring special cooling apparatuses or a driving unit at the low-temperature side.例文帳に追加

低温側に特別な冷却装置や駆動装置を必要とすることなく、経済的に発電を行うことができる熱電発電装置を用いた散気装置型熱電発電装置、及び熱電発電散気システムを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a solid oxide type fuel cell allowing reduction of diffusion resistance of fuel gas in a substrate pipe without impairing strength of the substrate pipe, and allowing efficient removal of water vapor generated from the inner surface of the substrate pipe.例文帳に追加

基体管の強度を損なうことなく、基体管における燃料ガスの拡散抵抗を低減するとともに、基体管の内表面から生成した水蒸気を効率的に除去することを可能とする固体酸化物型燃料電池を提供する。 - 特許庁

A pin photodiode is formed by laminating an n-InP layer 22, an I-InGaAs layer 24, and an n-InP layer 26 on an n-InP substrate 20 and forming p-type diffusion areas 28 by diffusing Zn in the n-InP layer 26.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰ層２２，ｉ−ＩｎＧａＡｓ層２４，ｎ−ＩｎＰ層２６が積層され、ｎ−ＩｎＰ層２６内にＺｎが拡散されてｐ型拡散領域２８が形成され、ｐｉｎフォトダイオードが作られている。 - 特許庁

By providing the n-type diffusion layer 17, a depletion layer is well generated in the semiconductor device 10 when a reverse voltage is applied, and a leakage current can also be decreased, so that the semiconductor device 10 will have a high breakdown voltage.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７を設けることによって逆方向電圧が印加された際、半導体素子１０内に空乏層が良好に発生し、また漏れ電流を減少させることができるため半導体素子１０は良好な耐圧性を備える。 - 特許庁

To provide a fluid numerical value computing method, which is usable as an efficient general-purpose numerical value computing method causing less numerical value diffusion and not depending on a function type of a state equation, a fluid numerical value computing device, a control program, and a storage medium.例文帳に追加

効率的で数値拡散が少なく、状態方程式の関数形によらない汎用的な数値計算手法として利用することができる流体の数値計算方法及び装置及び制御プログラム及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁

The diffusion furnace includes a cylindrical heat-insulating cylinder 21 and heating wire 22 that is spirally arranged on the inner circumferential surface of the heat-insulating cylinder 21, and the heating wire 22 is fixed at a movable type separator 23B that can be moved in the direction of outside diameter of the heat-insulating cylinder 21.例文帳に追加

拡散炉は、円筒状の断熱筒２１と、断熱筒２１の内周面に螺旋状に配置される電熱線２２とを備え、断熱筒２１の径外方向に移動可能な移動式セパレーター２３Ｂに電熱線２２を固定する。 - 特許庁

To provide a chip type semiconductor element capable of ensuring the wettability of the solder of a gate electrode even in a bonding processing temperature which is 630°C or more, and reducing the deterioration of a withstand voltage by suppressing the diffusion of aluminum as much as possible.例文帳に追加

アルミニウムの拡散をできるかぎり抑制して、６３０℃以上の接合処理温度でもゲート電極のはんだのぬれ性を確保し、また耐電圧の劣化を抑えることのできるチップ型半導体素子及びその製造方法の提案。 - 特許庁

In a sheet- or roll-shaped silver salt diffusion transfer type planographic printing original plate having an aluminum support, a physical developing nuclei layer and a silver halide emulsion layer in this order, opposite two lateral faces of the aluminum support are chamfered.例文帳に追加

アルミニウム支持体、物理現像核層、およびハロゲン化銀乳剤層をこの順序で有するシート状もしくはロール状の銀塩拡散転写型平版印刷原版において、アルミニウム支持体の対向する二つの側面を面取り処理する。 - 特許庁

A light-transmitting electrode layer 21 comprising ITO, a reflection electrode layer 22 comprising a silver alloy, a diffusion preventing layer 23 laminating Ti and Pt and a thick-film electrode 24 comprising of gold are laminated successively on the p-type layer 13 on the positive electrode side.例文帳に追加

正電極側は、ｐ型層１３の上に、ＩＴＯから成る透光性電極層２１、銀合金から成る反射電極層２２、ＴｉとＰｔを積層した拡散防止層２３、金から成る厚膜電極２４を順に積層する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element which further facilitates current diffusion in a semiconductor film and prevents light emission from a side surface of the optical semiconductor element for eliminating color unevenness of luminescent colors in a vertical type optical semiconductor element.例文帳に追加

縦型光半導体素子において、半導体膜内における電流拡散が更に促進され、更に発光色の色ムラ解消に寄与するべく光半導体素子側面からの光放出の抑えた光半導体素子を提供する。 - 特許庁

By making the thickness of the second insulating resin substrate 7, by which the reflection type liquid crystal display device 20 is constituted, 0.4 mm or less, problems such as display blurring or the like are not generated even when a haze value of a diffusion layer 11 is made longer to 70 or more.例文帳に追加

反射型液晶表示装置２０を構成する第２の絶縁性樹脂基板７の厚さを０．４ｍｍ以下をすることで、拡散層１１のヘイズ値を７０以上と大きくした場合についても表示ボケなどの問題が発生しない。 - 特許庁

On the silicon substrate, a band-like projected part 13 extending in the direction of columns is formed, and a pair of band-like n-type diffusion regions 14a and 14b functioning as a source or a drain are formed on a top layer in such a manner as to pinch the projected part 13.例文帳に追加

シリコン基板には、コラム方向に延在した帯状の凸部１３が形成されており、ソース又はドレインとして機能する一対の帯状のｎ型拡散領域１４ａ，１４ｂが凸部１３を挟む表層に形成されている。 - 特許庁

To provide an air diffuser in which the distribution state and the discharge flow rate of a bubble demanded in the air diffuser of a membrane separation type activated sludge treatment apparatus are fulfilled without occluding a diffusion hole, and the treatment efficiency of MBR is improved, thereby reducing the energy consumption.例文帳に追加

散気孔を閉塞させることなく膜分離活性汚泥処理装置の散気装置に要求される気泡の分布状態と吐出流量とを充足させてＭＢＲの処理効率を高めることで消費エネルギーを削減する。 - 特許庁

Consequently, when a voltage BVdss is applied between a drain and a gate, the influence of a gate electrode 15 on the interior of silicon of the N type diffusion layer 12 slowly varies due to a variation in the thickness of the silicon oxide film 19.例文帳に追加

したがって、ドレイン‐ゲート間に電圧ＢＶdssが印加された場合に、Ｎ型拡散層１２のシリコン内に与えるゲート電極１５の影響が、シリコン酸化膜１９における外周部における膜厚の変化を反映して緩やかに変化する。 - 特許庁

To provide a soundproof panel capable of controlling the diffusion of noises including a low frequency noise, simply providing a wall/house type soundproof wall and, at the same time, removing the soundproof panel to reuse without being crushed when it is removed.例文帳に追加

超低周波騒音を含めた騒音の拡散を抑制でき、また簡便に壁式・ハウス式の防音壁を設けることができると共に、撤去時に破砕せず取り外して何度も再使用することができる防音パネルを提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, an opening 12d is formed on the ONO film 12, and arsenic ions are implanted from the formed opening 12d to the semiconductor substrate 11 to form an n-type diffusion layer 14 at the lower part of each opening 12d of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

続いて、ＯＮＯ膜１２に開口部を１２ｄを形成し、形成した開口部１２ｄから半導体基板１１に砒素イオンを注入することにより、半導体基板１１の各開口部１２ｄの下側部分にｎ型拡散層１４を形成する。 - 特許庁

When a deep source or drain diffusion layer region is formed with high impurity concentration, an intermediate region of higher impurity concentration than a semiconductor substrate having a conductivity type opposite to that of a source-drain layer is formed between the source-drain layer and the semiconductor substrate.例文帳に追加

高濃度で深いソース又はドレイン拡散層領域を形成する時、ソース・ドレイン拡散層と反対の導電型を有する半導体基板との間に該半導体基板の不純物濃度より高い濃度の中間領域を形成する。 - 特許庁

When the main semiconductor region 4 is epitaxially grown on the silicon substrate 3, a p-type silicon semiconductor layer 9 formed by thermal diffusion of a group III element in the main semiconductor region 4 into the silicon substrate is used as a portion of a protective diode.例文帳に追加

シリコン基板３上に主半導体領域４をエピタキシャル成長させる時に主半導体領域４の３族元素がシリコン基板に熱拡散することによって生じたｐ型シリコン半導体層９を保護ダイオードの一部として使用する。 - 特許庁

This semiconductor device 1 has grooves 16, the gate insulating films 17 formed on the surfaces of the grooves 16 respectively, gate electrodes 18 embedded in the grooves 16 respectively, and an N^+-type source diffusion layer 15 formed to be adjacent to the grooves 16.例文帳に追加

この半導体装置１は、溝部１６と、溝部１６の表面上に形成されたゲート絶縁膜１７と、溝部１６に埋め込まれたゲート電極１８と、溝部１６に隣接するように形成されたＮ^＋型ソース拡散層１５とを備えている。 - 特許庁

To provide a small-size tabular internal latent image type direct positive silver halide emulsion with a reversal characteristics curve on which a low density part has high contrast and a color diffusion transfer photosensitive material using the emulsion, having good graininess and rapidly forming a transferred image.例文帳に追加

反転特性曲線上の低濃度部が硬調な小サイズ平板状内部潜像型直接ポジハロゲン化銀乳剤、およびそれを用いた粒状性が良く、転写画像形成が迅速なカラー拡散転感光材料を提供する。 - 特許庁

To provide an immersion type membrane separation device capable of being installed even in the state that a mixture liquid exists in a water tank and facilitating a handling thereof by making the device to a light weight by reducing a weight applied to a diffusion case.例文帳に追加

水槽内に槽内混合液が存在する状態においても設置することができ、散気ケースに加わる重量を軽減して装置を軽量化し、その取り扱いを容易なものとすることができる浸漬型膜分離装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor element 10 has a P-type semiconductor substrate 11 having an N-well 13 and an N^+-diffusion layer 14 with its impurity concentration higher than that of the N-well 13, and a silicide layer 12 formed to partly cover the N^+-layer 14.例文帳に追加

半導体素子１０は、Ｎウェル１３及びＮウェル１３よりも高い不純物濃度を有するＮ^＋拡散層１４を有するＰ型半導体基板１１と、Ｎ^＋拡散層１４上に部分的に形成されたシリサイド層１２と、を備える。 - 特許庁

On the surface of the epitaxial layer 2, a high-concentration diffusion layer 13 made of an N-type impurity and an electrode extraction layer 14 are so formed between a low-concentration drain layer 9 and the insulating isolation layer 12 as to be adjacent to the layers 9 and 12.例文帳に追加

そして、エピタキシャル層２の表面であって、低濃度のドレイン層９と絶縁分離層１２との間に、それらの層に隣接してＮ型不純物から成る高濃度拡散層１３及び電極取り出し層１４が形成されている。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect type head, a fixed layer is constituted of a ferromagnetic film 12/an oxide film 13/a ferromagnetic film 14 and oxygen diffusion is suppressed by incorporating an element (Mg, Al, Si, Ca, Ti, Zr, etc.), having strong bonding force to oxygen into the oxide film 13.例文帳に追加

固定層を強磁性膜１２／酸化物膜１３／強磁性膜１４で構成し、酸化物膜１３に酸素との結合力の強い元素（Mg、Al、Si、Ca、Ti、Zrなど）を含ませることによって酸素拡散を抑止した磁気抵抗効果型ヘッドとする。 - 特許庁

The area of a region in which boron is diffused is limited in the area of the p^+-type buried diffusion layer because the opening section corresponding to the scribing line is not formed, and the area of the region is made largely smaller than the case when the opening section corresponding to the scribing line is formed.例文帳に追加

スクライブラインに対応する開口部を形成しないことで、ボロンを拡散する領域の面積がＰ^＋型埋め込み拡散層の面積に限られ、スクライブラインに対応する開口部を形成した場合に比べて大幅に削減される。 - 特許庁

To provide a method for producing a carbonaceous fiber-woven fabric balancing properties such as gas-permeation property, electric conductivity, water-retenting and water-discharging properties, thickness unevenness, etc., and suitable for a solid polymer type gas-diffusion layer material for a fuel cell as a long length form having a wide utility.例文帳に追加

ガス透過性、導電性、保水性、排水性、厚さむら等の性質がバランスし、固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料として好適な炭素質繊維織布を、利用性の広い長尺状に作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lighting fixture for a vehicle for obtaining a diffusion type light distribution pattern and a light distribution pattern for an overhead sign, eliminating curving-up or -down of a light distribution, and obtaining the light distribution pattern suitable for vehicular illumination.例文帳に追加

拡散タイプの配光パターンとオーバーヘッドサイン用の配光パターンとが得られるとともに、配光の反り上がり及び反り下がりをなくして車両照明に適した拡散タイプの配光パターンが得られる車両用照明灯具を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses deterioration in electric endurance characteristics and leak resistance characteristics caused by diffusion of a conductivity type impurity nearby a boundary in a semiconductor substrate between the semiconductor substrate and a device isolation region, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板内の半導体基板と素子分離領域との境界近傍における導電型不純物の拡散に起因する耐電圧特性や耐リーク特性の劣化を抑制する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the rear surface of the semiconductor substrate 1, On the rear surface of the semiconductor substrate 1, a first electrode 5 containing Ag is formed in ohmic contact with the semiconductor substrate 1, and a second electrode 6 consisting of Ag e.g. is formed in ohmic contact with the p^+ type diffusion area 3.例文帳に追加

半導体基板１の裏面には、その半導体基板１とオーミック接触によりＡｇを含む第１電極５が設けられ、ｐ^＋形拡散領域３とオーミック接触して、たとえばＡｇからなる第２電極６が設けられている。 - 特許庁

To prevent diffusion of boron frame a p-type polysilicon film and penetration through a gate oxide film and to stabilize the characteristics of a P-channel MOS transistor, when polysilicon film is contained in the gate electrode of the P-channel MOS transistor and the polysilicon film coexists with a silicon nitride film.例文帳に追加

ＰＭＯＳのゲート電極７にｐ型ポリシリコン膜５が含まれ、かつ窒化シリコン膜１３と共存する場合に、該ｐ型ポリシリコン膜５からのホウ素の拡散やゲート酸化膜４の突抜けを防止し、ＰＭＯＳ特性を安定化させる。 - 特許庁

This front plate 1 is used for the back projection type screen and has a diffusion layer 14 in an area at a specific distance from each of the incidence surface 12 and projection surface 11 of the front plate 1.例文帳に追加

本発明にかかる前面板は、背面投射型スクリーンにおいて用いられる前面板１であって、当該前面板１の入射面１２と出射面１１の各々より所定距離分離れた領域に拡散層１４を有するものである。 - 特許庁