「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(105ページ目) - Weblio英語例文検索

A coverage rate representing the area of a region that is the sum of an impurity diffusion layer forming region and a gate electrode forming region per given area is determined to be different between the first region A1 and the second region A2 of the semiconductor substrate.例文帳に追加

ここで、所定面積あたりの不純物拡散層の形成領域とゲート電極の形成領域の和で示される領域の面積である被覆率が、半導体基板の第１の領域と第２の領域間で異なるようにする。 - 特許庁

The diffusion plate 37 is recessed away from a lower end of the slanted face 50, and the prism sheet 38a is extended toward the light introduction part 48 side from a light guide plate body 49 side, covering an upper part of the slanted face 50 through an air layer 56.例文帳に追加

拡散板３７は、傾斜面５０の下端から離れて引っ込んでおり、プリズムシート３８ａは導光板本体４９側から光導入部４８側へ延出されていて、空気層５６を介して傾斜面５０の上方を覆っている。 - 特許庁

This structure serves as a supply suppression structure for suppressing supply of liquid fuel from the first flow passage 13 to the diffusion layer 17 of the fuel electrode 1, and a discharge acceleration structure for accelerating discharge of discharge gas from the second flow passage 15.例文帳に追加

この構造は、第１の流路１３から燃料極１の拡散層１７への液体燃料の供給を抑制する供給抑制構造と、第２の流路１５からの排出ガスの排出を促進する排出促進構造とをなす。 - 特許庁

Thus, the contact plug can be formed without using a diffusion layer contact pattern, and also, since the fringe of the contact plug substantially coincides with a boundary between the element isolation area and the active area, the active area can be reduced.例文帳に追加

これにより、拡散層コンタクトパターンを用いることなく、コンタクトプラグを形成できるとともに、コンタクトプラグの周縁が素子分離領域と活性領域の境界と実質的に一致することから、活性領域を縮小することが可能となる。 - 特許庁

When the non-fumidified gas is introduced from the inlet 22, water is produced on the cathode layer 12 side, the diffusion of the produced water can be prevented with the shielding plate 51, 52, etc. and thereby, drying of an electrolyte membrane 11 can be prevented.例文帳に追加

流路２１の入口２２から無加湿ガスが導入されると、カソード電極層１２側で水が生成されるが、この生成された水は、遮蔽板５１，５２，・・・によって拡散されるのが防止できるので、電解質膜１１の乾燥を防止できる。 - 特許庁

There is provided a semiconductor power module having an insulating circuit board 500 mounted thereon, on which one layer or more of a thermal diffusion plates 3 provided with a ceramic plate 2 are disposed between a circuit plate 1 and a heat dissipation plate 5, and the heat dissipation plate is set as an electric conducting path of a semiconductor power element.例文帳に追加

回路板１と放熱板５の間に、セラミックス板２を設けた熱拡散板３を１層以上配置した絶縁回路基板５００を搭載した半導体パワーモジュールで、前記熱拡散板を半導体パワー素子の通電路とする。 - 特許庁

An inverting mechanism 30 inverts the gas diffusion layer substrate 200 to which heating treatment has been applied in the first heating furnace 20 and which is carried out of the first heating furnace 20, so as to turn the surface coated with the paste downward perpendicularly, and conveys it to a second heating furnace 40.例文帳に追加

反転機構３０は、第１加熱炉２０において加熱処理が施されて、第１加熱炉２０から搬出されたガス拡散層基材２００を、ペーストの塗工面が鉛直下方を向くように反転させて、第２加熱炉４０に搬送する。 - 特許庁

To provide a fuel cell separator which prevents closure of passage due to moisture in the reaction gas passage of the separator, and is capable of reduction in a contact electric resistance between a diffusion layer, improvement in thermal conduction, and uniform supply of gas to a catalyst electrode.例文帳に追加

セパレータの反応ガス流路において、水分による流路閉塞を防止し、拡散層との間の接触電気抵抗の低減および伝熱性の向上，触媒電極へ均一なガス供給を可能とした燃料電池セパレータを提供する。 - 特許庁

To provide a member for a gas diffusion layer of a solid polymer fuel cell, and its manufacturing method wherein man-hour in assembling the fuel cell having a conductive porous material can be reduced and assembling accuracy can be improved.例文帳に追加

導電性多孔質体を有する燃料電池の組立て工数を低減できるとともに、組立て精度の向上を図ることができる固体高分子型燃料電池のガス拡散層用部材およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The semiconductor substrate, which is used for evaluation of contamination in the semiconductor substrate manufacturing process and the semiconductor device manufacturing process, is characterized in that the structure is composed of three layers of a semiconductor substrate body, a contaminant diffusion preventing film, and a contamination evaluation layer.例文帳に追加

半導体基板製造工程及び半導体デバイス製造工程の汚染評価に用いられる半導体基板であって、その構造が半導体基板本体、汚染物質の拡散阻止膜、及び汚染評価層の三層からなるようにした。 - 特許庁

Subsequently, an insulating film is formed on the metal wiring ALA, and after final stage is reached, the metal wiring ALA is removed selectively as shown by a dashed line ET to eliminate short circuit state of the source/drain diffusion layer selectively so that ROM data can be written.例文帳に追加

その後、配線ＡＬＡ上に絶縁膜を形成し、最終段階まで進んでから破線ＥＴに示すように配線ＡＬＡを選択的に除去してソース／ドレイン拡散層の短絡状態を選択的になくし、ＲＯＭデータを書き込む。 - 特許庁

At either side of a solid polymer electrolyte film 1, an electrode catalyst layer 3 is provided, on an outside face of which 3, a gas diffusion electrode 5 consisting of a carbon cloth 13 is arranged with a warn 15 and a weft 17 of a carbon fiber woven in.例文帳に追加

固体高分子電解質膜１の両面に電極触媒層３を備え、この電極触媒層３の外側の面に、炭素繊維の横糸１５および縦糸１７で織り込んだカーボンクロス１３からなるガス拡散電極５を配置する。 - 特許庁

To provide a transfer film capable of improving the secondary electron emission characteristic and emission efficiency of a protective film, of improving a panel characteristic such as improvement of discharge delay, and of forming a dielectric layer high in diffusion transmittance after baking.例文帳に追加

保護膜の２次電子放出特性や発光効率を向上させ、さらに放電遅れ改善などのパネル特性を向上させることができ、かつ焼成後の拡散透過率が高い誘電体層を形成することができる転写フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an electric double layer capacitor electrode capable of reinforcing the molding of an electrode, preventing the generation of cracks, lowering the diffusion resistance of ions, increasing capacitance at a high current density, and manufacturing a large-sized electrode.例文帳に追加

電極の成形体を補強しクラック、われの発生を防止し、イオンの拡散披抗を下げ、高電流密度における静電容量を増加させ、大型の電極の作製が可能となる電気二重層コンデンサ電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of forming a punch through stopper layer on one major surface of a semiconductor substrate 1, ions are implanted while masking a region for forming an analog CMOS transistor, a high breakdown strength MOS transistor, a bipolar transistor, a diode or a diffusion resistor.例文帳に追加

半導体基板１の一主面側にパンチスルーストッパー層を形成する際に、アナログＣＭＯＳトランジスタ、高耐圧ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗を形成する領域をマスクしてたとえばイオン注入をおこなう。 - 特許庁

To provide an electrolyte film-electrode joined body for fuel cell, firmly joining an electrolyte film-electrode joined body to a gas diffusion layer without damaging a polymer electrolyte film, enabled to obtain high output even under the low humidifying condition.例文帳に追加

高分子電解質膜に損傷を与えることなく、電解質膜−触媒層接合体とガス拡散層を強固に接合し、低加湿条件でも高出力が得られる燃料電池用電解質膜−電極接合体を提供すること。 - 特許庁

By making the thickness of the second insulating resin substrate 7, by which the reflection type liquid crystal display device 20 is constituted, 0.4 mm or less, problems such as display blurring or the like are not generated even when a haze value of a diffusion layer 11 is made longer to 70 or more.例文帳に追加

反射型液晶表示装置２０を構成する第２の絶縁性樹脂基板７の厚さを０．４ｍｍ以下をすることで、拡散層１１のヘイズ値を７０以上と大きくした場合についても表示ボケなどの問題が発生しない。 - 特許庁

To provide a processing liquid for forming a material to be recorded, which quickly absorbs an ink, of which no ink flows out, in which the lateral diffusion of an ink dot is small and no bleeding develops and on which an ink receiving layer excellent in the water resistance of an image and characters can be formed.例文帳に追加

インクを速やかに吸収し、インクが流れ出さずインクドットの横方向への拡散が少なく滲みがなく、また画像や文字の耐水性にも優れたインク受理層を形成し得る記録材料形成用塗布液を提供する。 - 特許庁

Since the diffusion layer 5 is located on the downstream side of the polarizing plate 4a on an optical path, reflection to the backlight unit 20 side and backward scattering are prevented by the polarizing plate 4a, and thus reduction of contrast and the NTSC ratio (color reproducibility) are eliminated.例文帳に追加

それとともに、拡散層５が光の通路上、偏光板４ａの下流側にあるので、この偏光板４ａによって、バックライトユニット２０側への反射や後方散乱が阻止され、コントラストやＮＴＳＣ比（色再現性）の低下がない。 - 特許庁

The end of the first semiconductor region 14 is positioned closer to the floating diffusion layer 25 than the end of a gate electrode 20 of the transfer transistor, and the end of the second semiconductor region 15 is positioned at substantially identical position of the end of the gate electrode 20 of the transfer transistor.例文帳に追加

第１の半導体領域１４の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部よりも浮遊拡散層２５側に位置し、第２の半導体領域１５の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部と略同じ位置である。 - 特許庁

On the silicon substrate, a band-like projected part 13 extending in the direction of columns is formed, and a pair of band-like n-type diffusion regions 14a and 14b functioning as a source or a drain are formed on a top layer in such a manner as to pinch the projected part 13.例文帳に追加

シリコン基板には、コラム方向に延在した帯状の凸部１３が形成されており、ソース又はドレインとして機能する一対の帯状のｎ型拡散領域１４ａ，１４ｂが凸部１３を挟む表層に形成されている。 - 特許庁

Under a resurfed region 14, a diffusion layer 31 having a higher impurity concentration than the reserve region 14 is formed.例文帳に追加

リサーフ領域１４の下方にリサーフ領域１４より不純物濃度が高い拡散層３１を形成するとともに、拡散層２０及びソース領域１６の下方に、拡散層２０に接して拡散層２０より不純物濃度が高い拡散層３２を形成している。 - 特許庁

The readout circuit 116 includes a floating diffusion FD electrically connected to the photoelectric conversion layer, a reset transistor 204 which resets a potential of the FD to a reset potential, and an output transistor 205 which outputs a signal corresponding to the potential of the FD.例文帳に追加

読出し回路１１６は、光電変換層と電気的に接続されたフローティングディフュージョンＦＤと、ＦＤの電位をリセット電位にリセットするリセットトランジスタ２０４と、ＦＤの電位に応じた信号を出力する出力トランジスタ２０５とを含む。 - 特許庁

Consequently, when a voltage BVdss is applied between a drain and a gate, the influence of a gate electrode 15 on the interior of silicon of the N type diffusion layer 12 slowly varies due to a variation in the thickness of the silicon oxide film 19.例文帳に追加

したがって、ドレイン‐ゲート間に電圧ＢＶdssが印加された場合に、Ｎ型拡散層１２のシリコン内に与えるゲート電極１５の影響が、シリコン酸化膜１９における外周部における膜厚の変化を反映して緩やかに変化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is excellent in adhesion and operation characteristics while preventing the diffusion of Cu included in a Cu wiring layer to the circumference, a method for manufacturing the same, and a sputtering target used for the manufacture of the device.例文帳に追加

Ｃｕ配線層に含まれるＣｕの周囲への拡散を抑制すると共に密着性および動作特性に優れた半導体装置およびその製造方法、並びに、その半導体装置の製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Then, an opening 12d is formed on the ONO film 12, and arsenic ions are implanted from the formed opening 12d to the semiconductor substrate 11 to form an n-type diffusion layer 14 at the lower part of each opening 12d of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

続いて、ＯＮＯ膜１２に開口部を１２ｄを形成し、形成した開口部１２ｄから半導体基板１１に砒素イオンを注入することにより、半導体基板１１の各開口部１２ｄの下側部分にｎ型拡散層１４を形成する。 - 特許庁

To make a Zn diffusion position deep from a ZnO/SiO2 film, to the extent in which the COD tolerance of a laser end surface window structure can be made larger than conventional, as to a manufacturing method for a compound semiconductor device which includes the process of diffusing zinc into a compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体層への亜鉛拡散工程を含む化合物半導体装置の製造方法に関し、レーザ端面窓構造のＣＯＤ耐量を従来よりも大きくすることができる程度にZnO/SiO_2膜からのZn拡散位置を深くすること。 - 特許庁

Such a multilayer ceramics board is formed by adding at least one kind of element selected from Ti, Zr and Mn into the conductive paste as a diffusion element, so that it may be diffused to the surrounding glass ceramics layer at the time of firing.例文帳に追加

このような多層セラミックス基板は、導体ペーストにＴｉ、Ｚｒ、Ｍｎから選択される少なくとも１種を拡散元素として添加し、焼成時にこれら拡散元素を周囲のガラスセラミックス層に拡散させることにより形成する。 - 特許庁

To provide a mask material composition that is suitably adoptable for a mask formed for diffusion barrier of an impurity diffusing component diffusing into a semiconductor substrate; a method for forming an impurity diffusing layer using the mask material composition; and a solar battery.例文帳に追加

半導体基板への不純物拡散成分の拡散の際に拡散保護のために形成するマスクに好適に採用可能なマスク材組成物、当該マスク材組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。 - 特許庁

The auxiliary pattern 103 is provided to each channel pattern 101 so that a part apart from the edge 212 of the diffusion layer by a fixed distance of each channel part is expanded in the direction T2 orthogonal to the direction of extension of the channel part.例文帳に追加

補助パターン１０３は、各々のチャネル部の、拡散層の縁部２１２から一定の距離だけ離れた部分を、該チャネル部が延びている方向と直交する方向Ｔ２に広げるように、各々のチャネルパターン１０１に対して設けられている。 - 特許庁

By so doing, it is possible to prevent the increase of the thickness of the nitride semiconductor layer 18 near the insulating film 16 by the diffusion of raw materials, while preventing abnormal growth generated in the high-dislocation region 12 from propagating to the low-dislocation region 10.例文帳に追加

これにより、高転位領域１２上で発生した異常成長が低転位領域１０に伝播するのを防ぎつつ、原料拡散により絶縁膜１６の近傍で窒化物半導体層１８の厚みが増大するのを防ぐことができる。 - 特許庁

The shape memory material is a nearly isotropic solid material formed by aggregation of layer structures exhibiting binding anisotropy, and recovers its shape by releasing an accumulated strain with accompanying diffusion of atoms.例文帳に追加

本発明の形状記憶材料は、結合異方性を示す層状構造が集合して形成される略等方的な固体材料であって、蓄積されたひずみが原子の拡散を伴って解放されることで形状回復することを特徴とする。 - 特許庁

The ratio of iron measuring intensity to the maximum value of the nickel measuring intensity is defined as the iron/nickel ratio, at a depth position showing the maximum value of nickel measuring intensity at the performing of glow discharge spectrum measurement of the iron-nickel diffusion layer 91, in the thickness direction.例文帳に追加

鉄−ニッケル拡散層９１をその厚さ方向にグロー放電分光測定したときにニッケル測定強度が最大を示す深さ位置において、ニッケル測定強度の最大値に対する鉄測定強度の比を、鉄／ニッケル比率と定義する。 - 特許庁

A low-melting-point alloy 100 which is solid within a controlled temperature range, melts or plasticizes below temperature at which the fuel cell ND generates abnormalities and ceases to work normally, and yet, with electron conductivity in a gas diffusion layer 24.例文帳に追加

ガス拡散層２４内には、制御温度範囲内では固体であり、燃料電池ＮＤに異常が発生し正常に動作できなくなる温度未満で融解あるいは可塑化し、かつ、電子伝導性を有する低融点合金１００が設けられている。 - 特許庁

When the main semiconductor region 4 is epitaxially grown on the silicon substrate 3, a p-type silicon semiconductor layer 9 formed by thermal diffusion of a group III element in the main semiconductor region 4 into the silicon substrate is used as a portion of a protective diode.例文帳に追加

シリコン基板３上に主半導体領域４をエピタキシャル成長させる時に主半導体領域４の３族元素がシリコン基板に熱拡散することによって生じたｐ型シリコン半導体層９を保護ダイオードの一部として使用する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly capable of suppressing drop in power generation performance and generation of molding failure of a gasket by preventing penetration of the material of the gasket into a gas diffusion layer; and to provide the manufacturing method and the manufacturing device of the membrane electrode assembly.例文帳に追加

ガスケットの材料がガス拡散層に浸透することを防ぐことで、発電性能の低下およびガスケットの成形不良の発生を抑えることができる膜電極接合体並びにその製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

The sheet for uniform luminance 1 has a white diffusion layer 12 formed on at least one surface of a translucent base material 11 in a pattern so as to emit uniform light from incident light having uneven luminance distribution, by gravure offset printing.例文帳に追加

透光性基材１１の少なくとも片面に、不均一な輝度分布を有する入射光を均斉化して出射できるパターン状に、グラビアオフセット方式の印刷により白色拡散層１２が形成されている輝度均斉化シート１。 - 特許庁

The planographic printing plate is formed by using the aluminum sheet as the support and by utilizing a silver complex salt diffusion process and contains a specific polymer, i.e., a polymer insoluble in water and soluble in an alkali in a physical development nucleus layer.例文帳に追加

アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、物理現像核層中に特定のポリマー、即ち水に不溶性で、アルカリ可溶性の重合体を含有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

By injecting P ions into a region, where the Co silicide film is hard to be formed since various ions, such as at least an N+ diffusion layer formed on a silicon substrate in a transistor, are injected, the Co silicide is formed easily.例文帳に追加

トランジスタにおけるシリコン基板上形成されたすくなくともＮ^^＋拡散層のような種々のイオン種が注入によって、Ｃｏシリサイド膜の形成が困難担っている領域に、Ｐイオンを注入してＣｏシリサイドの形成を容易にする。 - 特許庁

To provide a membrane/electrode assembly for a fuel cell and its manufacturing method advantageous for restraining a flooding phenomenon of water produced by power generation reaction blocking a gas channel, a gas diffusion layer for a fuel cell and its manufacturing method.例文帳に追加

発電反応で生成された水がガス通路を塞ぐというフラッディング現象を抑制するのに有利な燃料電池用の膜・電極接合体及びその製造方法、燃料電池用のガス拡散層及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of stably securing the concentration of impurities in a diffusion layer at the side of a gate electrode and capable of stabilizing a distance between PN junctions capable of obtaining a semiconductor device having stable element characteristics.例文帳に追加

ゲート電極脇の拡散層における不純物濃度を安定的に確保でき、またＰＮ接合間距離を安定化させることが可能で、これにより安定な素子特性を有する半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of surely obtaining a wiring board resistant to warp in a glass-ceramic-made substrate with little diffusion of Cu into the glass-ceramic and having a Cu-metallized layer relatively densely and rigidly adhered.例文帳に追加

ガラス−セラミックからなる基板に反りが生じにくく且つ当該ガラス−セラミック中にＣｕの拡散が少ないと共に、比較的緻密で且つ強固に密着したＣｕメタライズ層を有する配線基板が確実に得られる製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device 1 has grooves 16, the gate insulating films 17 formed on the surfaces of the grooves 16 respectively, gate electrodes 18 embedded in the grooves 16 respectively, and an N^+-type source diffusion layer 15 formed to be adjacent to the grooves 16.例文帳に追加

この半導体装置１は、溝部１６と、溝部１６の表面上に形成されたゲート絶縁膜１７と、溝部１６に埋め込まれたゲート電極１８と、溝部１６に隣接するように形成されたＮ^＋型ソース拡散層１５とを備えている。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device including an n channel MIS transistor and a p channel MIS transistor formed on one substrate wherein resistances at a gate electrode and a diffusion layer hardly increase, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ｎチャネルＭＩＳトランジスタとｐチャネルＭＩＳトランジスタとが１つの基板に形成された半導体装置において、ゲート電極及び拡散層における抵抗が上昇しにくい半導体装置及びその製造方法を実現できるようにする。 - 特許庁

To suppress a leak current from an impurity diffusion layer connected to a plug when the mutual positions of the plug and an opening part for bit line are deviated, concerning a producing method for a semiconductor device having a self-align contact structure to be used for DRAM or the like.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等に使用されるセルフアラインコンタクト構造を有する半導体装置の製造方法に関し、プラグとビット線用開口部の互いの位置にずれが生じた場合にプラグに繋がる不純物拡散層からのリーク電流を抑制すること。 - 特許庁