「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(83ページ目) - Weblio英語例文検索

An n^++ diffusion layer 3 is formed by ion implantation or diffuison method in the dicing region of the semiconductor wafer 1, in such a manner that it may reach an n^++ layer 11 formed in a deep place of the semiconductor wafer 1 from the front surface of the wafer.例文帳に追加

半導体ウェハ１のダイシング領域にｎ^＋＋拡散領域３を、ウェハ表面から、半導体ウェハ１の深いところに設けられたｎ^＋＋層１１に達するように、イオン注入法や拡散法により形成する。 - 特許庁

In a region Z2 of an LDMOS, which is different from a formation region Z1 of an IGBT inside a chip, a P-type well region 13 and an N+-type impurity diffusion regions 14, 15 are formed in a surface layer part of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

チップ内でのＩＧＢＴの形成領域Ｚ１とは異なるＬＤＭＯＳの領域Ｚ２において、エピタキシャル層３の表層部にＰ型ウエル領域１３およびＮ^+ 型不純物拡散領域１４，１５が形成されている。 - 特許庁

Wiring 28 for etching is arranged between one end section 28a that is electrically connected to the n-type epitaxial layer on a chip inner circumference and the other 28b extended to a tip end section without straddling the p^+ impurity diffusion layer 27.例文帳に追加

エッチング用配線２８は、チップ内周にてｎ型エピタキシャル層に電気的に接続された一端部２８ａとチップ端部にまで延長された他端部２８ｂとの間で、ｐ^+不純物拡散層２７を跨がないように配置されている。 - 特許庁

The semiconductor device is connected with a power supply wiring to a ground wiring through a wiring layer and a diffusion layer by covering a blank area on a chip with MOSs irrespective of an area close to the power supply wiring or the ground wiring.例文帳に追加

電源配線あるいはグランド配線に近接した領域であるか否かにかかわらず、チップの空き領域にＭＯＳを敷き詰め、配線層、拡散層を利用して電源配線・グランド配線に接続させるようにしたものである。 - 特許庁

EPDM is used as the high-thermal-expansion material provided for the gas diffusion layer 10, and the pore diameter-varying layer 2 is formed by applying paste containing the EPDM and carbon black particles to the conductive porous base material and drying it.例文帳に追加

ガス拡散層１０に備えられる高熱膨張材料として、ＥＰＤＭを使用し、ＥＰＤＭとカーボンブラック粒子とを含むペーストを導電性多孔質基材に塗布し乾燥させることにより気孔径可変層２が形成される。 - 特許庁

At this time, a continuous part of a buried oxide film 13 between an active layer 11 and a bulk layer 12 is extinguished by heat diffusion of the oxygen included in the buried oxide film 13 to form a partial SOI structure.例文帳に追加

その際、埋め込み酸化膜１３のうち、活性層１１とバルク層１２とを連続させる一部の領域が、埋め込み酸化膜１３に含まれた酸素の熱拡散によって消滅し、部分ＳＯＩ構造が形成される。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device capable of achieving a decrease in number of saturation electrons of a light receiving element and prevention against color mixing due to spreading of an element isolation diffusion layer of a surface layer of a semiconductor substrate even when micromanufactured to a smaller size.例文帳に追加

微細化が進んだ場合においても半導体基板の表層における素子分離拡散層の拡がりに起因した受光素子の飽和電子数の低減および混色が防止可能な固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁

Phosphorus ions are implanted to a first conductive film formed on the diffusion layer on a substrate, and a damaged layer is formed on the surface part, and then patterning is performed with a resist film formed thereon as a mask, thereby forming a first conductive film 9B.例文帳に追加

基板上の拡散層上に形成した第１導電膜にリンイオンを注入して、その表面部にダメージ層を形成した後、その上に形成したレジスト膜をマスクにしてパターニングして第１導電膜９Ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer for providing a polymer electrolyte fuel cell capable of sufficiently suppressing deterioration or damage of a polymer electrolyte membrane in the vicinity of a peripheral part of a catalyst layer, having high durability and operating for a long time.例文帳に追加

触媒層の周辺部付近における高分子電解質膜の劣化や損傷を十分に抑制し、かつ耐久性に優れる長期運転が可能な高分子電解質形燃料電池を実現し得るガス拡散層の提供。 - 特許庁

In the light-emitting element 100 in which a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate as the substrate 1, a substrate having an off-angle is used.例文帳に追加

単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成した発光素子１００において、単結晶基板１としてオフアングルを有するものを使用する。 - 特許庁

A diffusion preventing film 106 and the interlayer insulating film 108 are formed on the lower-layer wirings 104, 105 and, thereafter, the interlayer insulating film is ground to flatten the same with a grinding amount in accordance with the amount of dishing of the lower-layer wiring 105 through CMP.例文帳に追加

下層配線１０４，１０５上に拡散防止膜１０６、層間絶縁膜１０８を形成した後、ＣＭＰにより下層配線１０５のディッシング量に応じた研磨量で層間絶縁膜を研磨し平坦化する。 - 特許庁

An electrolytic film 1 like a solid polymeric material is formed into a wave-shaped plate body with crest folds and trough folds running in parallel, and a film electrode body 8 is formed by arranging a catalyst layer, a diffusion layer, a current collector and the like, on the front side and the back side of the wave shaped plate body.例文帳に追加

固体高分子物質などの電解質膜１を、山折りと谷折りが平行に連なる波形板体に形成し、その表裏に触媒層，拡散層，集電体４などを組み付けて膜電極体８とする。 - 特許庁

By establishing the diameter ϕ2 of the drainage hole h2 to a degree as can generate a capillary pressure, the generated water can be sucked from the vicinity of the catalyst layer to the surface sf1 of the gas diffusion layer 102c and is discharged to the outside of the cell.例文帳に追加

排水孔ｈ２の直径φ２を毛管力の作用を生じさせ得る程度に設定することで、触媒層近傍からガス拡散層１０２ｃの表面ｓｆ１に生成水を吸い上げ、セル外に排出させる。 - 特許庁

Left circular polarized light 31L projected from the projecting machine 21 is transmitted through the polarized light selecting reflective layer 11, then diffused by the recesses and projections of the diffusion layer 40, and an image with diffused light 33A is consequently displayed towards the observer 50A.例文帳に追加

投影機２１から投射された左円偏光３１Ｌは、偏光選択反射層１１を透過した後、拡散層４０の凹凸部で拡散され、観察者５０Ａ側に拡散光３３Ａによる映像を表示する。 - 特許庁

To provide an exothermic body wherein an electric insulation can be secured well by suppressing diffusion of silver in a crystallized glass layer and by preventing generation of relatively large bubbles in an amorphous glass layer.例文帳に追加

結晶化ガラス層における銀の拡散を抑制するとともに、非晶質ガラス層における比較的大きな気泡の発生を防止することにより、電気絶縁性を良好に確保することのできる、発熱体を提供する。 - 特許庁

In a sheet- or roll-shaped silver salt diffusion transfer type planographic printing original plate having an aluminum support, a physical developing nuclei layer and a silver halide emulsion layer in this order, opposite two lateral faces are coated with a protective film.例文帳に追加

アルミニウム支持体、物理現像核層、およびハロゲン化銀乳剤層をこの順序で有するシート状もしくはロール状の銀塩拡散転写型平版印刷原版において、対向する二つの側面を保護膜で覆う。 - 特許庁

On the shielding layer 26, a drainage hole 261 for discharging moisture from the porous diffusion resistance layer 25 is formed at an axial direction position between the distal end of the insulator 11 and the proximal end of the measurement target gas chamber 24.例文帳に追加

遮蔽層２６には、絶縁碍子１１の先端と被測定ガス室２４の基端との間の軸方向位置において、多孔質拡散抵抗層２５から水分を放出するための水抜き孔２６１が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can easily obtain a structure holding reliability of an npn-type bipolar transistor mounted on a surface of a semiconductor substrate having a diffusion layer as an element isolation layer; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子分離層として拡散層を有する半導体基板の表面に搭載されるＮＰＮ型バイポーラトランジスタの信頼性を確保する構造を容易に得ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a membrane-electrode assembly and a fuel cell in which voltage drop is small on current collection from a gas diffusion layer to a separator and electrode reaction is hardly blocked on a catalyst layer in the vicinity of a gas passage and power generation capability is excellent.例文帳に追加

ガス拡散層からセパレータへの集電における電圧降下が小さく、ガス流路付近での触媒層での電極反応が阻害され難く、発電能力にすぐれた膜電極接合体及び燃料電池を提供する。 - 特許庁

Since inert C ion species enter voids of carbon site to eliminate the voids, diffusion of B is suppressed and a stepwise junction of the deep base layer 30 and the n- epi layer 2 is formed.例文帳に追加

このように、Ｃを注入することにより、炭素サイトの空孔に不活性なイオン種が入り込み、空孔を無くすことができるため、Ｂの拡散が抑制され、ディープベース層３０とｎ^- 型エピ層２との接合部が階段型接合となる。 - 特許庁

The free layer structure can include a spin diffusion layer that prevents shunt of a spin current to the voltage source by assuring that all spin current is scattered and lost completely before it reaches the lead to the voltage source.例文帳に追加

自由層構造は、電圧源へのリードに到達する前に全てのスピン電流が完全に散失されることを保証することによって、電圧源へのスピン電流の分流を阻止する、スピン拡散層を含むことができる。 - 特許庁

The problem is solved by a gas diffusion layer which has a conductive water repellent layer and a conductive base material containing a conductive material of which combustion temperature in the air atmosphere is 650°C or more.例文帳に追加

本発明は、空気雰囲気における燃焼温度が６５０℃以上である導電性材料を含む導電性撥水層と、導電性基材と、を有することを特徴とするガス拡散層により上記課題を解決する。 - 特許庁

In the gas diffusion layer for fuel cell having carbon layers containing conductive carbon on a conductive porous substrate layer, the carbon layers have a different gas permeability performance toward thickness direction.例文帳に追加

導電性多孔質基材層上に導電性カーボンを含有するカーボン層を有する燃料電池用ガス拡散層において、 前記カーボン層は厚さ方向に向かってガス透過性能が異なる燃料電池用ガス拡散層である。 - 特許庁

To provide a method and device for forming an electrode member of a fuel cell, which reduces the manufacturing cost of a catalyst layer and a gas diffusion layer as an electrode member without requiring preparation of ink and solvent.例文帳に追加

インクの調製や溶剤を必要とせず、電極用部材としての触媒層およびガス拡散層の製造コストを低減することができる、燃料電池の電極用部材の形成方法、および形成装置を提供する。 - 特許庁

Incident light Li is reflected at the reflection layer 20, reflected light Lr is irregularly refracted by creases on the surface of the irregular diffusion layer 16 and turned to diffused light Lo in random directions and thus irregular light quantity bias (brightness and darkness) is generated.例文帳に追加

入射光Ｌｉが反射層２０で反射され、反射光Ｌｒは、乱拡散層１６の表面の皺で不規則に屈折させられてランダムな方向への拡散光Ｌｏとなり不規則な光量の偏り（明暗）が生じる。 - 特許庁

Any of a plurality of contact plugs CP0 which reaches a diffusion layer 3 serving as a drain layer of an MOS transistor Q1 has its end provided in contact with the lower surface of a thin insulating film 19 provided selectively on an interlayer insulating film IL1.例文帳に追加

複数のコンタクトプラグＣＰ０のうちＭＯＳトランジスタＱ１のドレイン層となる拡散層３に達するものは、その端部が層間絶縁膜ＩＬ１上に選択的に配設された薄膜絶縁膜１９の下面に接している。 - 特許庁

Since the surface of the work is activated in the pretreatment step, a compound layer is favorably formed on the surface of the work and a diffusion layer is favorably formed at the inside of the work in a gas nitrocarburizing step.例文帳に追加

前処理工程において、ワーク表面が活性化されることから、ガス軟窒化工程においては、ワーク表面に化合物層を良好に形成することができ、ワーク内部に拡散層を良好に形成することが可能となる。 - 特許庁

The second semiconductor area (2) works as a semiconductor area in the depthwise direction (diffusion direction) of a semiconductor layer (20), and as a resistance element in the direction parallel with the main surface (20a) of the semiconductor layer (20) that is perpendicular to the depthwise direction.例文帳に追加

第２の半導体領域（２）は、半導体層（２０）の深さ方向（拡散方向）には半導体領域として作用し、深さ方向と直角な半導体層（２０）の主面（２０ａ）と並行な方向には抵抗素子として作用する。 - 特許庁

Since the [111]-face of a face-centered cubic (fcc) structure is the densest face and the densest face is exposed on the surface of the structure, the diffusion and mixing of the atom of the free magnetic layer 16 in the nonmagnetic material layer can be suppressed.例文帳に追加

面心立方（ｆｃｃ）構造の[１１１]面は最稠密面であり、この最稠密面が表面に露出しているので、フリー磁性層１６の原子が非磁性材料層の内部に拡散混入することを、抑制できる。 - 特許庁

Carbon or nitrogen is vapor-phase vapor-deposited on a surface of a base material at high temperature to form a niobium carbide or niobium nitride diffusion layer, and silicon is vapor-phase vapor-deposited thereon to manufacture a nano composite coated layer by the solid phase substitution reaction.例文帳に追加

高温で母材表面に炭素または窒素を気相蒸着してニオビウム炭化物またはニオビウム窒化物拡散層を形成した後、シリコンを気相蒸着して固相置換反応によってナノ複合被覆層を製造する。 - 特許庁

The sheet-like translucent member includes a translucent substrate 43, a light diffusion layer 45 disposed on the side of its one surface, and a translucent prism sequence forming layer 44 disposed on the side of the other surface of the translucent substrate 43.例文帳に追加

シート状透光性部材は、透光性基材４３と、その一方の面の側に配置された光拡散層４５と、透光性基材４３の他方の面の側に配置された透光性プリズム列形成層４４とを含んでなる。 - 特許庁

Then, before the formation of a second insulating film 19, a metal diffusion preventive layer 16 which is on the first insulating layer 11 and is unintentionally generated due to partially selective breakage, or remaining metal ions 17 or the like is removed through CMP process.例文帳に追加

その後、第２の絶縁膜１９形成前に、第１の絶縁膜１１上に存在する部分的選択破れにより意図せず生じた金属拡散防止膜１６や、残留金属イオン１７等を除去するＣＭＰ工程をする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a self-alignment structure of high precision is formed, and an impurity element forming a diffusion layer is ion-implanted in a semiconductor layer, to improve characteristics.例文帳に追加

高精度のセルフアライメント構造を形成して半導体層に拡散層を形成する不純物元素のイオン注入を行うことにより、特性の向上を図る半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A gas diffusion layer 213a having a polymer-containing conductive layer 22a consisting of conductive carbon particles 210a, 211a with different volume of acid functional group and a polymer material 212a is formed on a porous support body 21a.例文帳に追加

多孔性支持体２１ａの上に酸性官能基量の異なる導電性炭素粒子２１０ａ、２１１ａと高分子材料２１２ａとからなる高分子含有導電層２２ａを有するガス拡散層２１３ａを形成する。 - 特許庁

To provide an electrode electrolyte which is inexpensive and easy to recover catalyst metals and is excellent in proton conductivity, processability (joining characteristics between a proton conductive membrane and a gas diffusion layer and an electrode layer) and durability against chemical degradation.例文帳に追加

安価で、触媒金属の回収が容易であり、プロトン伝導性、および加工性(プロトン伝導膜・ガス拡散層と電極層の接合性)に優れ、化学劣化に対する耐久性も改良された電極電解質を提供する。 - 特許庁

A pair of electrodes having a gas diffusion layer and a catalyst layer are jointed to both surfaces of the solid polymer electrolyte membrane, and the solid polymer electrolyte membrane contains sulfonated polyarylene having a constituent unit expressed by general formula (1).例文帳に追加

ガス拡散層および触媒層を有する一対の電極が、固体高分子電解質膜の両面に接合され、該固体高分子電解質膜が、一般式（１）で表される構成単位を有するスルホン化ポリアリーレンを含む。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer used for a fuel cell, capable of appropriately exhausting unnecessary moisture in a catalyst layer constituting the fuel cell; to provide a membrane electrode assembly, and to provide the fuel cell equipped with them.例文帳に追加

燃料電池を構成する触媒層において、不要な水分を適切に排出することかできる燃料電池に用いられるガス拡散層および膜電極接合体、並びに、これらを備えてなる燃料電池を提供する。 - 特許庁

In each of end cells 40e arranged at both ends in the stacking direction of a stack structure in a fuel cell stack, a hydrogen oxidation catalyst layer 42c having a hydrogen oxidation catalyst is formed on a surface of a cathode-side gas diffusion layer 42.例文帳に追加

燃料電池スタックにおいて、スタック構造の積層方向の両端部に配置される端セル４０ｅは、カソード側ガス拡散層４２の表面に、水素酸化触媒を備える水素酸化触媒層４２ｃが形成されている。 - 特許庁

In the plated steel sheet for the positive polarity can of an alkali manganese battery, an Ni based diffusion plated layer is formed on the face to be used as the inside face of the can, and the surface layer is provided with many submicron pinholes.例文帳に追加

本発明の要旨は、アルカリマンガン電池正極缶用のメッキ鋼板であって、缶内面になる面にＮｉ系拡散メッキ層が形成され、その表層に多数のサブミクロンピンホールを有することを特徴とするものである。 - 特許庁

CATALYST LAYER FOR FUEL CELL, CATALYST LAYER TRANSFER SHEET FOR FUEL CELL, GAS DIFFUSION ELECTRODE FOR FUEL CELL, MANUFACTURING METHOD OF MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY FOR FUEL CELL, AND DIRECT METHANOL FUEL CELL USING THEM例文帳に追加

燃料電池用触媒層、燃料電池用触媒層転写シート、燃料電池用ガス拡散電極、および燃料電池用膜電極接合体の製造方法、並びに、それらを使用した直接メタノール形燃料電池。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion region 7 is formed on the surface of the epitaxial layer 2 within the bottom surface of the opening 6, and then a surface electrode 10 made of a metal film in contact with the epitaxial layer 2 at the bottom of the opening 6 is formed.例文帳に追加

次いで、開口部６の底面内でエピタキシャル層２の表面にｎ型拡散領域７を形成した後、開口部６の底部でエピタキシャル層２と接触する金属膜からなる表面電極１０を形成する。 - 特許庁

To provide a solid polymer type fuel cell, which can achieve long life and high current supply, by controlling the concentration of a water repellency agent within an electrode layer in a thickness-wise direction of the layer and within the surface thereof to attain high efficiency and evenness of gas diffusion.例文帳に追加

電極層内での撥水濃度を層の厚み方向及び表面内で制御してガス拡散の高効率化と均一化に行い、高寿命化と大電流化を達成できる固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁

An n-type upper impurity diffusion region 115 with its peak concentration higher than that of an n-type drift layer 102 is formed in the region positioning between a collector region 110 and an emitter region 104 out of the surface part of the drift layer 102.例文帳に追加

ドリフト層１０２の表面部のうちコレクタ領域１１０とエミッタ領域１０４との間に位置する領域に、ピーク濃度がＮ型ドリフト層１０２よりも高いＮ型上部不純物拡散領域１１５を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose pattern layout is optimized so that the yield of flattening by CMP is not influenced owing to increase of the integration degree of the semiconductor device having a well contact diffusion layer and a sub-contact diffusion layer disposed between both P- and N-channel transistor arrays arranged facing each other.例文帳に追加

Ｐｃｈトランジスタ列とＮｃｈトランジスタ列とが向かい合って配置された半導体集積回路において、両トランジスタ列間にウェルコン拡散層及びサブコン拡散層が配置された装置の集積度を高めても、ＣＭＰによる平坦化を行う際に歩留まりに悪影響のないパターンにレイアウトを最適化した半導体装置を提供する。 - 特許庁

The sheet member 44 has a hydrogen supply port 44i, and the hydrogen supply port 44i is formed so that resistance for making flow fluid from the anode side diffusion layer 43a to the anode side metallic porous body 45a is higher than resistance for making flow hydrogen from the anode side metallic porous body 45a to the anode side diffusion layer 43a.例文帳に追加

シート部材４４は、水素供給口４４ｉを備えており、水素供給口４４ｉは、アノード側金属多孔体４５ａからアノード側拡散層４３ａに水素が流れるときの抵抗よりも、アノード側拡散層４３ａからアノード側金属多孔体４５ａに流体が流れるときの抵抗の方が大きくなるように形成されている。 - 特許庁