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「etching solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索
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etching solutionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1035



例文

To provide a photopolymerizable resin composition having particularly excellent high resolution, high adhesion and plating solution resistance as a resist material of an etching resist, a plating resist or the like and excellent also in resist stripping property.例文帳に追加

エッチングレジスト又はめっきレジスト等のレジスト材料として特に優れた高解像性と高密着性及びめっき液耐性を有し、更にレジスト剥離性にも優れた光重合性樹脂組成物を提供する事。 - 特許庁

To provide a method for accurately adjusting the phase contrast of a phase shift mask by appropriately selecting materials used for the phase shift mask (a transparent substrate and a phase shifter film) and an etching solution.例文帳に追加

位相シフトマスクに使用される材料(透明基板及び位相シフタ膜)及びエッチング薬液を適宜選定することにより、位相シフトマスクの位相差を精度良く調整する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The feeding direction of the etching solution in feeding pipes 111, 117 on both end parts in the width direction of the shadow mask material W is always set so as to be oriented toward the outside the widthwise direction of the shadow mask material W.例文帳に追加

そして、シャドウマスク材Wの幅方向両端部の供給パイプ111,117におけるエッチング液の供給方向は、常にシャドウマスク材Wの幅方向外側に向くように設定されている。 - 特許庁

The surface of the first insulating film 51 is etching removed by an alkali solution to dissolve a carbon-containing silicon oxide film so that the residual metal 54 can be removed, and that short-circuit between the first metallic wiring 53 can be prevented.例文帳に追加

炭素含有シリコン酸化膜を溶解させるアルカリ系溶液により第1の絶縁膜51の表面をエッチング除去することで、金属残54が除去されて第1の金属配線53間の短絡を防止できる。 - 特許庁

例文

The etching solution contains a mixture of 60-82 pts.wt. perfluoroalkylsulfonate having a straight chain fluorocarbon group and 18-40 pts.wt. perfluoroalkylsulfonate having a branched chain fluorocarbon group.例文帳に追加

直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩60〜82重量部と、分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩18〜40重量部との混合物を含有することを特徴とするエツチング液。 - 特許庁


例文

These through grooves 404 are formed by an isotropic wet etching method using an HF solution.例文帳に追加

この構成により真空下におけるエッチング処理等によってデバイス収納部に達する開口を形成する際、デバイス収納部の雰囲気を外界と同様の雰囲気に保持し、デバイス収納部の急激な圧力変化を防止した。 - 特許庁

A silicon etchant is an alkaline solution containing an alkali compound, hydroxylamines, and acid, and characterized in anisotropically dissolving single-crystal silicon; and the etching method for silicon using the same etchant.例文帳に追加

アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン類および酸を含有したアルカリ性水溶液であって、単結晶シリコンを異方性に溶解することを特徴としたシリコンエッチング液、且つ該エッチング液を用いるシリコンのエッチング方法。 - 特許庁

The etching composition comprises about 0.1-8 mass.% of hydrogen fluoride solution, about 10-25 mass.% of ammonium fluoride, about 0.0001-3 mass.% of a nonionic high molecular weight surfactant, and pure water.例文帳に追加

前記エッチング組成物は、フッ化水素溶液約0.1〜8質量%、フッ化アンモニウム約10〜25質量%、非イオン性高分子界面活性剤約0.0001〜3質量%、及び残り質量%の純水を含む。 - 特許庁

The etching liquid for removing an insulation film including a silicon oxide film or a silicon native oxide includes aqueous solution containing a hydrofluoric acid salt of hydrofluoric acid and an aliphatic or an alicylic tertiary amine.例文帳に追加

フッ化水素酸と脂肪族又は脂環式第三級アミンのフッ化水素酸塩を含む水溶液を包含する、シリコン酸化膜を含む絶縁膜のエッチング用またはシリコン自然酸化膜のエッチング除去用のエッチング液。 - 特許庁

例文

To form an irregular structure having a favorable irregular shape on a surface 1a by impregnating a crystal system semiconductor substrate 1 with an alkaline solution containing a surfactant and etching the substrate surface 1a.例文帳に追加

界面活性剤を含むアルカリ性溶液中に結晶系半導体基板1を浸漬することによって、該基板の表面1aをエッチングし、良好な凹凸形状を有する凹凸構造を表面1aに形成する。 - 特許庁

例文

Concretely, Al ion or Si ion is injected by using HfO_2 as the high dielectric constant film, and oxygen in the HfO_2 film is connected to the injected ion, and then etching is carried out by using HF water solution.例文帳に追加

具体的に、例えば、高誘電率膜として、HfO_2を用いて、Alイオンまたは、Siイオンを注入し、HfO_2膜中の酸素と、注入したイオンとを結合させた後、HF水溶液により、エッチングする。 - 特許庁

To solve the problem of the method for fabricating a piezoelectric device element by etching, through the use of a solution that the contour and the side face thereof are susceptible to variation due to crystal anisotropy and thereby the characteristics are unstable and the design is made difficult.例文帳に追加

溶液を使用するエッチングにより圧電デバイス素子を製造するのに結晶の異方性により輪郭及び輪郭側面の形状がばらつきを生じやすく、特性が不安定で設計が困難である。 - 特許庁

To provide a photosensitive resist solution which can etch fine and high-density conductor circuits by forming an etching resist layer free of tack on a coating film by using a dipping process, and to provide a method for manufacturing a printed circuit board having the fine and high-density conductor circuits by using the resist solution.例文帳に追加

ディップ法を用いて塗膜にタックのないエッチングレジスト層を形成し、微細で高密度の導体回路をエッチング加工できる感光性レジスト液を提供し、該レジスト液を用い微細で高密度の導体回路を有するプリント配線基板の製造方法を提供することを課題とするものである。 - 特許庁

To provide a post-ashing treatment solution which prevents the corrosion of metallic wiring and reliably removes residue such as a degenerated photoresist film and a metallic deposition from a substrate subjected a ashing after dry etching under severer conditions in an ultrafine patterning process and a treatment method using the solution.例文帳に追加

超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide semiconductor substrate cleaning solution capable of surely removing residues existing on a semiconductor substrate after dry etching and/or ashing at semiconductor production, and suppressing corrosion on a semiconductor substrate having a Low-k film deterioration layer, and the like, and to provide a semiconductor substrate cleaning method that uses the solution.例文帳に追加

半導体製造におけるドライエッチング及び/又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣を確実に除去できると共に、Low−k膜変質層等を有する半導体基板に対する腐食を抑制することができる半導体基板洗浄液、及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition and a photosensitive resin laminate which yields no residue by development, exhibits high sensitivity and high resolution, has high adhesiveness to a substrate and excellent etching resistance, is developable with a diluted alkali aqueous solution, and produces fine chips of stripped material in a stripping process with the alkali aqueous solution.例文帳に追加

現像残りがなく高感度、高解像度を有し、基板に対する密着性が良好で、かつ耐エッチング性に優れ、さらに希アルカリ水溶液を用いて現像可能で、アルカリ水溶液による剥離において剥離片形状が細片となる感光性樹脂組成物および感光性樹脂積層体を提供する。 - 特許庁

To provide a new pretreatment method for plating where a plating film having high adhesion to a resin molded body composed of a polystyrene-based resin or a polystyrene-based alloy resin can be formed, and further, a permanganate water solution used as an etching treatment solution can be continuously used stably over a long period.例文帳に追加

ポリスチレン系樹脂又はポリスチレン系アロイ樹脂からなる樹脂成形体に対して高い密着力を有するめっき皮膜を形成することができ、しかもエッチング処理液として用いる過マンガン酸塩水溶液を長期間安定して連続使用することが可能な新規なめっき用前処理方法を提供する。 - 特許庁

The waste copper etching solution and the waste resist solution, both of which are discharged from the printed circuit board, are simultaneously treated by adjusting both of the waste solutions to a pH of 8-13 in the presence of a rare earth element compound, sedimenting and separating copper as a hardly soluble substance while sedimenting and separating an organic substance in raw water.例文帳に追加

プリント基板から排出される銅エッチング廃液とレジスト廃液を希土類化合物の共存下で、pHを8〜13に調整することによって、該銅を難溶性物質として沈殿分離させること及び該原水中の有機物を沈殿分離させる銅エッチング廃液とレジスト廃液の同時処理方法。 - 特許庁

In this method for manufacturing the lithographic printing plate support, the lithographic printing plate support is obtained by performing an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution 14 containing at least, nitric acid, aluminum nitrate and sulfuric acid and an etching process in an aqueous alkali solution, to an aluminum plate 11 in that order.例文帳に追加

アルミニウム板11に、少なくとも、硝酸、硝酸アルミニウムおよび硫酸を含有する水溶液中14での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、および、アルカリ水溶液中でのエッチング処理をこの順に施し、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the uneven substrate for forming the uneven structure by dipping the crystal semiconductor substrate 1 in an alkaline solution containing a surfactant and etching the surface of the substrate, an adhesive 2 is adhered in a dotted manner on the surface of the substrate 1 before dipping the substrate 1 in the alkaline solution.例文帳に追加

界面活性剤を含むアルカリ性溶液中に結晶系半導体基板1を浸漬し、該基板の表面をエッチングすることによって凹凸構造を形成する凹凸基板の製造方法において、前記基板1をアルカリ性溶液中に浸漬する前に、基板1の表面に点状に粘着剤2を付ける。 - 特許庁

The method for manufacturing the surface-treated aluminum material comprises: an etching step of etching an aluminum material using an alkaline solution to make smut stick on the surface of the aluminum material; skipping a neutralization step for removing the smut; and an anodic oxidation step of forming the anodic oxide coating on the surface of the aluminum material by electrolyzing the aluminum material in an slightly acidic to alkaline solution for electrolysis.例文帳に追加

アルカリ性溶液によりアルミニウム材料をエッチング処理することにより前記アルミニウム材料の表面にスマットを付着させるエッチング工程と、前記スマットを除去する中和工程を行なわずに前記アルミニウム材料を、弱酸性からアルカリ性の電解液中で電解することにより、前記アルミニウム材料の表面に陽極酸化皮膜を形成する陽極酸化工程とを備える表面処理アルミニウム材料の製造方法とする。 - 特許庁

In this method, the lithographic printing plate support is obtained by performing an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution containing at least nitric acid, aluminum nitrate and sulfuric acid, an etching process in an aqueous alkali solution and an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution containing nitric acid, to an aluminum plate in that order.例文帳に追加

アルミニウム板に、少なくとも、硝酸、硝酸アルミニウムおよび硫酸を含有する水溶液中での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、アルカリ水溶液中でのエッチング処理、および、硝酸を含有する水溶液中での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、をこの順に施し、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

This invention is industrially useful as the method where, from an etching waste liquid produced when the indium-containing material to be etched such as an ITO film is subjected to etching treatment with an oxalic acid solution, and in which metal components such as indium and tin are present as complex compounds together with oxalic acid, the indium whose separation/recovery are extremely difficult owing to its low concentration is selectively separated/recovered.例文帳に追加

ITO膜などのインジウム含有被エッチング材をシュウ酸溶液でエッチン処理した際に生ずるインジウム、スズなどの金属成分がシュウ酸と共に錯体化合物として存在するエッチング廃液から、低濃度のため分離回収が極めて困難なインジウムを選択的に分離回収する方法として工業的に有用である。 - 特許庁

The shadow mask is manufactured through such procedures that a metal sheet 4 furnished with a resist is subjected to etching and the etching liquid attached to the metal sheet 4 is rinsed off by a washing device 10 so that apertures are provided at the two surfaces of the sheet 4, and in this shadow mask manufacturing device, an inert washing solution is sprayed to the sheet 4 using a spray means 2.例文帳に追加

レジストが形成された金属薄板4のエッチング処理後、洗浄装置10により金属薄板4に付着したエッチング液を洗浄除去して金属薄板4の両面に開孔が形成されたシャドウマスクを得るシャドウマスクの製造装置において、スプレー手段2により金属薄板4に不活性な洗浄液を吹き付ける。 - 特許庁

In order to combine "narrowing a source-gate electrode interval d_SG and a gate-drain electrode interval d_GD" and "increasing the thickness t_S of a source electrode and the thickness t_D of a drain electrode", the source electrode and the drain electrode are formed to be divided into a layer for etching by using an etching solution and a layer for lifting-off by using a resist.例文帳に追加

「ソース・ゲート電極間隔d_SG、ゲート・ドレイン電極間隔d_GDを狭くすること」と「ソース電極の厚さt_S、ドレイン電極の厚さt_Dを厚くすること」とを両立させるために、ソース電極およびドレイン電極を、エッチング溶液を用いてエッチングする層とレジストを用いてリフトオフする層とに分けて形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing an etching foil for an electrolytic capacitor has an electrochemical etching process, a dechlorination treatment process, a post-processing process and a heat treatment process, wherein the post-processing process consists of a first process for performing hydration treatment, and a second process immersed in 0.5-10wt% solution of water of aluminum nitrate or magnesium nitrate.例文帳に追加

電気化学エッチング工程と、脱塩素処理工程と後処理工程と熱処理工程とを有し、上記後処理工程が、水和処理する第1工程と、硝酸アルミニウムまたは硝酸マグネシウムの0.5〜10wt%水溶液に浸漬する第2工程とからなることを特徴とする電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法である。 - 特許庁

The method of uniformalizing the electrochemical etching is carried out by arranging a block of an insulating body on the outermost part of the part-to-be-worked surface of a panel in the electrochemical etching of a hole on the surface of the panel by applying voltage between the panel used as an anode and a cathode of a counter electrode in an aqueous solution tank.例文帳に追加

本発明の電気化学的エッチングの均一化手法は、水溶液槽内においてパネルを陽電極とし対向電極の陰電極との間に電圧を印加して前記パネルの面に穴を電気化学的反応でエッチング加工する際に、前記パネルの被加工面部の最も外側部分に絶縁体のブロックを配置してエッチングを実施するようにした。 - 特許庁

In the p-type low resistance silicon single crystal substrate evaluating method, the final etching is conducted using an alkali solution after the selective etching of the silicon single crystal substrate using a selective etchant, and thereafter crystal defect of the silicon single crystal substrate is evaluated.例文帳に追加

P型低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、シリコン単結晶基板を選択エッチング液によって選択エッチングした後、アルカリ溶液によって仕上げエッチングし、その後、前記シリコン単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 - 特許庁

The inner structure of the syringe comprises special materials, especially glass, plastics, quartz and/or corundum, and the surface is reformed by an etching agent, e.g. acid or caustic alkali solution, especially the chromic acid mixture, uninterruptedly after removal of the etching agent and cleaning of the syringe, and the surface of the syringe inner structure is especially sterilized by a pressurized heating process according to circumstances.例文帳に追加

注射器の内部構造は特別な材料、特にガラス、プラスチック、石英および/またはコランダム、からなり、その表面は特にエッチング剤、例えば酸または苛性アルカリ溶液、特にクロム硫酸で改質され、引き続きエッチング剤の除去と注射器の洗浄後に場合によっては注射器内部構造の表面が、特に加圧熱処理によって、滅菌される。 - 特許庁

To provide a flexible base material for preventing the generation of ion migration due to the dissolution or elution of the metal components of a barrier layer in a cover lay or moisture or the like containing chlorine components, and for preventing the generation of etching residue by surely dissolving the barrier layer in etching solution with hydrochloric acid as main components in the case of forming a pattern.例文帳に追加

バリア層の金属成分が塩素成分を含有するカバーレイや水分などに溶解あるいは溶出することによるイオンマイグレーションの発生を防止でき、その一方で、バリア層をパターン形成の際に塩酸を主成分とするエッチング液に確実に溶解させて、エッチング残渣の発生も防止できるフレキシブル基材を提供する。 - 特許庁

To provide a novel fluorine containing polymer compound useful as a base resin for radiation sensitivity resist excellent in properties such as transparency to radiations at wave length of 200 nm or less, adhesiveness to a base plate, affinity to a developing solution and dry etching resistance.例文帳に追加

波長200nm以下の放射線に対する透明性、基板密着性、現像液親和性、ドライエッチング耐性等の性能に優れる感放射線レジスト用のベース樹脂として有用な新規含フッ素高分子化合物の提供。 - 特許庁

After O_2 ashing treatment is performed to the substrate for 1 minute to remove a resist, remaining resist is removed by washing with a mixture of sulfuric acid and water and then an oxidized thin film 28 is removed by etching with 1% hydrofluoric acid aqueous solution for 2 minutes.例文帳に追加

この基板に対してO_2アッシング処理を1分間行ってレジストを除去した後、キャロス洗浄により残っているレジストを除去し、1%フッ酸水溶液で2分間エッチングして酸化薄膜28を除去する。 - 特許庁

This etching agent for the silicongermanium comprises an aqueous solution containing an oxo-acid ion represented by general formula (X_mO_n)-Y (wherein, X is Br or I; m is 1 or 2; n is 1, 3, 4, 6 or 9; and Y is 1, 4 or 5) and a hydrofluoric acid.例文帳に追加

一般式(XmOn)−Y (XはBrまたはI、mは1または2、nは1、3、4、6または9、Yは1、4または5)で表されるオキソ酸イオンとフッ化水素酸を含む水溶液からなる、シリコンゲルマニウムのエッチング剤。 - 特許庁

In a cleaning tank 14, at first, a water jet formed by an overflow type spray apparatus 18 is poured on the surface of an aluminum web 12 where an etching solution is stuck, and, the surface of the aluminum web 12 is subjected to cleaning (initial cleaning).例文帳に追加

洗浄槽14内では、先ず、オーバーフロー型のスプレー装置18により形成された水流をエッチング溶液が付着したアルミウエブ12の表面に浴びせ、この水流によりアルミウエブ12の表面を洗浄(初期洗浄)する。 - 特許庁

To provide a field emission type electron emission element suitable for mass production, to provide a manufacturing method of the field emission type electron emission element, and to provide an etching solution used for the manufacturing method of the field emission type electron emission element.例文帳に追加

量産製造することに好適な電界放出型電子放出素子、電界放出型電子放出素子の製造方法及び電界放出型電子放出素子の製造方法に用いるエッチング液を提供する。 - 特許庁

After a circuit pattern is formed, a laminated body 10 in which a palladium appears is dipped in a dilute hydrochloric acid solution so as to remove etching residue, etc., such as iron hydroxide, etc., adhered to the surface of the laminated body 10, making its surface clean (A).例文帳に追加

回路パターンを形成後パラジウム20が現れた積層体10を、希塩酸溶液中に浸漬し、積層体10表面に付着している水酸化鉄等のエッチング残さ等を除去して表面を清浄にする(図2の工程A)。 - 特許庁

The non-sticking fog generating unit 26 is made of a mist generator 39 for introducing a nitrogen gas and making an etching solution 38 into minute particles, a selecting plate 41 for passing the particles of grain size of 30 μm or below out of the whole mist(M), and the like.例文帳に追加

スティックレスフォグ発生ユニット26を、窒素ガスを導入しながらエッチング液38を微粒子化するミスト発生器39や、そのミストMのうち粒径30μm以下のものを通過させる選択プレート41等から構成する。 - 特許庁

To provide a method for accurately detecting the concentration of divalent iron ions in a solution in a process of etching a metal when an iron (III) chloride is a main component, in a process of processing a waste liquid containing the divalent and trivalent iron ions, or the like.例文帳に追加

塩化第二鉄を主成分として金属をエッチングする工程または二価と三価の鉄イオンを含有する廃液処理する工程等において、溶液中の二価の鉄イオン濃度を精度よく検出する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing solution which is capable of reducing an etching rate sufficiently as keeping a preferable polishing rate, restraining the occurrence of dishing and a dry area from occurring in the surface of a copper, and forming a very reliable buried pattern composed of a metal film.例文帳に追加

好ましい研磨速度を維持しつつ、エッチング速度を十分に低下させ、デッシングの発生や銅表面の荒れを抑制し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターン形成を可能とする研磨液を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon stain film removing method for removing a stain film produced on the surface of a silicon substrate during a period until next treatment after etching a silicon wafer by mixed acid solution at a low cost without contaminating the device and the wafer itself.例文帳に追加

シリコンウェハを混酸溶液でエッチングした後に、次の処理までの間にシリコン基板表面に生成されるステイン膜を、低コストで、かつ装置及びウェハ自身を汚染しないシリコンステイン膜の除去方法を提供する。 - 特許庁

At least at part of a circuit formation surface of the insulating layer 10, a 2nd insulator layer 20 which is thick enough to bury the circuit pattern 13 is formed by using a material which is not dissolved with a solution for etching the insulator layer 10.例文帳に追加

この絶縁体層10の回路形成面の少なくとも一部に、絶縁体層10をエッチングする溶液では溶解しない材料を用いて、回路パターン13を埋め尽くす厚さの第2絶縁体層20を形成する。 - 特許庁

To provide a metal foil laminate capable of preventing the problem due to the penetration of an etching solution, capable of being simply manufactured and capable of also sufficiently obtaining the reduction effect of the dielectric constant of the whole of an insulating layer, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

エッチング液の浸透による問題を防止でき、しかも簡易な方法で製造できて絶縁層全体の誘電率の低減効果も十分得られる金属箔積層体、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon-containing positive photoresist which has high resolution with respect to a radiation of300 nm, particularly KrF (248 nm) or ArF (193 nm), exhibits excellent dry etching resistance and can be developed with an aqueous alkali solution.例文帳に追加

300nm以下、特にKrF(248nm)、ArF(193nm)などの放射線に対して高分解能で優れたドライエッチング耐性を示し、アルカリ水溶液で現像することのできるシリコン含有ポジ型フォトレジストを提供する。 - 特許庁

The resin solution 2 is applied onto the surface of the resin cured object 1, after etching the surface of the resin cured object 1 by washing at least one of an acid or alkali to be impregnated thereinto.例文帳に追加

上記樹脂硬化物1の表面を酸又はアルカリの少なくとも一方で洗浄することにより樹脂硬化物1の表面をエッチングした後、上記樹脂溶液2を樹脂硬化物1の表面に塗布して含浸させる。 - 特許庁

After that, hydrofluoric acid based etching chemical solution is supplied to the semiconductor substrate while a disk brush is pressed against the surface of the semiconductor substrate and rotated in another chamber, and an oxide film formed on the surface is etched, thereby eliminating microscratches.例文帳に追加

その後、別のチャンバーでディスクブラシを半導体基板表面に押圧し回転させながら、フッ酸系のエッチング性薬液を半導体基板に供給し、基板表面に形成された酸化膜をエッチングしてマイクロスクラッチを除去する。 - 特許庁

To manufacture a composite filter having an electromagnetic wave blocking function made composite with an optical filter function with a pigment containing adhesive layer, by completely preventing contact of deteriorating substances such as a conductive mesh layer and an etching solution that cause pigment deterioration.例文帳に追加

電磁波遮蔽機能に更に光学フィルタ機能を色素含有粘着層で複合化した複合フィルタを、色素劣化の原因となる、導電体メッシュ層やエッチング液等の劣化物質の接触を完全に防いで製造する。 - 特許庁

By polishing the major surface of the glass plate using a polishing solution containing cerium oxide abrasives and a polishing pad, and polishing the machining allowance of one side of the glass plate by 15 μm or more, grooves without side etching can be formed.例文帳に追加

ガラス板の主表面を酸化セリウムの砥粒を含有する研磨液と研磨パッドを用いる研磨により、ガラス板片面の取り代を15μm以上研磨することにより、サイドエッチングがない溝を形成することができる。 - 特許庁

Afterwards, a non-reacting metal on the wafer is removed by an RCA solution, while this wet etching process has the process of ultrasonically removing the residue to be removed by applying ultrasonic waves during a prescribed time from right before the end.例文帳に追加

その後、ウェハはRCA液により未反応の金属を除去するが、このウェットエッチ工程では終了直前からの所定時間超音波が与えられ、除去すべき残留物を超音波除去する工程を有する。 - 特許庁

The method for producing the porous glass includes: a step for separating phases into a silica-rich phase and a non-silica rich phase by carrying out phase separating processing by heating the borosilicate glass; and a step for dissolving out the silica-rich phase by etching with solution.例文帳に追加

前記ホウケイ酸塩ガラスを加熱による分相処理をしてシリカリッチ相と非シリカリッチ相に相分離させる工程、前記非シリカリッチ相を溶液によるエッチングにより溶出させる工程を有する多孔質ガラスの製造方法。 - 特許庁

例文

To provide an etching solution which can etch a stacked metallic film mainly composed of a molybdenum-based metal and an aluminum-based metal by one operation, and can control a cone angle into 20 to 70 degrees by controlling an etched amount of the side face of each film.例文帳に追加

モリブデン系金属とアルミニウム系金属を主成分とした金属積層膜を一括エッチング可能で各膜のサイドエッチング量を抑制し、テーパー角度を20〜70度に制御可能な優れたエッチング液を提供すること。 - 特許庁




  
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