「etching solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for regenerating an etching solution for a printed circuit board capable of contributing to the reduction in the production cost of a printed circuit board and environmental protection by utilizing ozone produced in a UV ink hardening furnace as an oxidizer instead of a hydrogen peroxide aqueous solution.例文帳に追加

過酸化水素水に代えてＵＶインク硬化炉で生成されるオゾンを酸化剤として利用することにより、プリント配線板の製造コストの低減と環境保護とに寄与させ得るプリント配線板用エッチング液の再生方法を提供する。 - 特許庁

At this time, the inorganic compound is silicon oxide and the chemical etching liquid is preferably hydrofluoric acid, an ammonium fluoride aqueous solution or a mixed solution of them and the first and second films are preferably formed by a plasma CVD method.例文帳に追加

このとき、無機化合物が酸化珪素であり、化学エッチング液がフッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液またはこれらの混合溶液であることが好ましく、第一の膜と第二の膜がプラズマＣＶＤ法で形成されることが好ましい。 - 特許庁

This peeling method comprises the steps of: corroding the metallic underlayer 2 on the resin 3 with an etching agent such as an aqueous solution of ferric chloride to peel the gold-plated layer 1 from the resin; removing the separated resin; and filtering the gold-containing solution to collect only gold and recycle the gold.例文帳に追加

塩化第二鉄水溶液などのエッチング剤で樹脂３の下地金属層２を腐食させる事で金メッキ層１を樹脂から剥離し、分離された樹脂を取り除き、金を含む溶液をろ過して金のみを回収、リサイクルする。 - 特許庁

This etching solution for a semiconductor device having a metallic film contains at least one kind selected from the groups consisting of 5- amino-1H-tetrazole, 5-methyl-tetrazole and 3-amino-1H-1,2,4-triazole and an aqueous solution of hydrogen peroxide.例文帳に追加

５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５−メチルテトラゾールおよび３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾールからなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素水溶液とを含有することを特徴とする金属膜を有する半導体装置のエッチング液。 - 特許庁

Since the invasion preventing part 14 having the thickness of I_2 is formed to the nozzle mold material 4, a strong alkali solution penetrating from a crack of the etching stop layer 11 is prevented from reaching the rib-like projecting part 6 when the ink supply port 9 is formed by anisotropic etching.例文帳に追加

ノズル型材４に厚さｌ_2の浸入防止部１４が形成されているため、異方性エッチングによりインク供給口９を形成する際にエッチング停止層１１のクラックから浸入してきた強アルカリ溶液がリブ状突起部６まで到達することはない。 - 特許庁

In this method of etching by soaking an aluminum foil in an electrolytic solution containing chlorine ions and then applying alternating current to the aluminum foil, the aluminum foil for an electrical double-layer capacitor collector body is manufactured by etching with 60 Hz or lower frequency.例文帳に追加

塩素イオンを含有する電解液中にアルミニウム箔を浸漬し、このアルミニウム箔に交流電流を印加してエッチング処理する方法において、周波数６０Ｈｚ以下でエッチングして電気二重層コンデンサ集電体用アルミニウム箔を製造している。 - 特許庁

In a process of etching the wiring of a printed board using an etchant prepared by mixing a plurality of constituents for formation, temperature control and stirring are performed for a supplemental chemical solution for supplementing the etchant consumed for the etching processing or at a standby time.例文帳に追加

複数の成分を混合したエッチング液を用いてプリント基板の配線をエッチング処理して形成する工程において、エッチング処理又は待機時に消費されたエッチング液を補充するための補充薬液に対して、温度調節および攪拌を行う。 - 特許庁

To provide a gradation photomask substrate on which a fine pattern can be formed with high precision by wet etching of high productivity while an etching solution and manufacturing steps such as a film forming step and a photoprocess are reduced as much as possible, the gradation photomask, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

エッチング液、成膜工程、フォトプロセス等の製造工程をできるだけ少なくして、生産性の高い湿式エッチングにより微細なパターンを高精度に形成可能な階調フォトマスク基板及び階調フォトマスク、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

And at the time of making the groove 6 by etching, protective films 13 and 14 of photosensitive resin material or the like are previously formed for each pressure sensor 1, and the rear side of the wafer is brought into contact with an etching solution with the front side of the wafer sealed by a sealing ring 16 or the like.例文帳に追加

そして、凹溝６のエッチング加工時には、感光性の樹脂材料等からなる保護膜１３，１４を各圧力センサ１毎に予め形成しておき、シールリング１６等によって表面側をシールした状態で裏面側にエッチング液を接触させる。 - 特許庁

As an etching liquid used in an etching stage where a recessed part for an ink pressure chamber, a recessed part for an ink reserver or the like are formed, e.g., on a cavity plate in an ink jet head, the one obtained by incorporating calcium, e.g., of ≥500 ppb into an alkali solution of KOH or the like is used.例文帳に追加

インクジェットヘッドのキャビティプレートなどにインク圧力室用凹部、インクリザーバ用凹部などを形成するためのエッチング工程において用いるエッチング液として、ＫＯＨなどのアルカリ溶液にカルシウムを例えば５００ｐｐｂ以上含むものを用いる。 - 特許庁

By forming the furnace tube 5 of quartz and etching the surface layer portion of the furnace tube with a hydrogen fluoride (HF) solution or carrying out gas phase etching with a highly reactive gas to quartz, the average weight concentration is set to be 2 ppm or less, then dehydration and sintering are carried out.例文帳に追加

また、炉心管５を石英で形成し、炉心管表層部をフッ化水素（ＨＦ）溶液によりエッチング、または、石英と反応性の高いガスにより気相エッチングすることにより、平均重量濃度を２ｐｐｍ以下にして脱水、焼結を行なう。 - 特許庁

To provide an etching post-treatment liquid and an etching method, wherein in etching using an iron chloride (III) aqueous solution to which oxalic acid has been added, the crystals of a water-insoluble copper salt formed on the surface of copper at the side face of a pattern are swiftly removed without deteriorating a work environment and without requiring special devices.例文帳に追加

本発明は、シュウ酸を添加した塩化鉄（III）水溶液を用いたエッチングにおいて、作業環境を悪化させたり、特別な装置を必要としたりすることなく、パターン側面の銅の表面に形成された水不溶性銅塩の結晶を迅速に除去するエッチング後処理液およびエッチング方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the circuit board using the laminate of the metal layer and the polyimide film has a process for cleaning and removing, after a treatment with a chemical etching agent, an altered layer generated by the chemical etching agent and performing treatment with an acid aqueous solution when the polyimide film is subjected to an etching processing.例文帳に追加

金属層とポリイミドフィルムとの積層体を使用しての回路基板の製造方法において、ポリイミドフィルムをエッチング加工する際に、化学エッチング剤での処理後に化学エッチング剤による変性層を洗浄除去し、さらに酸性水溶液で処理するプロセスを有する回路基板の製造方法とこの方法によって得られる回路基板。 - 特許庁

To provide a selective etching method capable of evaluating a crystal defect of an ultra-low resistant silicon single crystal substrate having electric resistivity of <10 mΩ cm, especially BMD (bulk micro defects) properties, which can not be easily detected by conventional methods, by selectively etching using a chromium-less etching solution which does not contain harmful chromium and utilizing the silicon single crystal substrate.例文帳に追加

従来容易には検出することができなかった電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満である超低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥、特にＢＭＤの特性を、有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて選択エッチングすることにより評価し、利用することを可能にする、選択エッチング方法を提供する。 - 特許庁

To this structure, a mask material is buried in the lower part of the overhang, and a region that is not covered with the mask material is etched by solution for etching the GaAs, thus forming the ledge structure.例文帳に追加

この構造に対し、庇部分の下部にマスク材を埋め込み、ＧａＡｓをエッチングする溶液によりマスク材に覆われていない領域をエッチングすることによりレッジ構造を形成する。 - 特許庁

To provide a copolymer having easily processable etching rate to a developing solution without light exposure, a molecular resin composition, a method for forming a pattern by using the composition and a method for producing a capacitor.例文帳に追加

露光工程なしで現象溶液に対して容易なエッチング速度を有する共重合体、分子樹脂組成物及びそれを用いたパターン及びキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate surface processing apparatus capable of suppressing degradation of an etching speed due to stay of a low-concentration medical solution, in a substrate surface processing apparatus of a horizontal transport method.例文帳に追加

水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。 - 特許庁

The etching solution for a silver-based thin film deposited on a substrate contains, by weight, 3 to 30% iodine and 10 to 50% iodide in a water base medium.例文帳に追加

沃素３〜３０重量％と沃化物１０〜５０重量％とを水性媒体中に含有することを特徴とする基板上に形成された銀系薄膜用エッチング液。 - 特許庁

The planarizing solution which is highly aqueous and strongly basic has a pH of 12 or more and contains water, at least one kind of strong base, and at least one kind of etching speed controlling agent.例文帳に追加

ｐＨ１２以上を有し、水、少なくとも１種の強塩基および少なくとも１種のエッチング速度制御剤を含む、水性の高い強塩基性の平坦化溶液を提供する。 - 特許庁

After the cells are pulled out of the etching liquid and are washed, they are immersed in an alkaline solution to cause elution of the alkali soluble resin film 10 protecting the terminal part 7 and expose the terminal part 7.例文帳に追加

セルをエッチング液から引き上げて洗浄した後、アルカリ溶液に浸漬して端子部７を保護していたアルカリ可溶性樹脂膜１０を溶出して端子部７を露出させる。 - 特許庁

Further, in order to form three-stepped ends, it is similarly applied with a third resist applied with the etching with the iron chloride solution, and a circuit having the ends made of solder at the lowermost step.例文帳に追加

更に、端部を３段とするために、上記と同様に３回目のレジストを塗布して塩化鉄溶液でエッチング処理を施し、最下段にろう材が端部となる回路を形成した。 - 特許庁

A flattening solution which is highly aqueous and strongly basic has a pH of 12 or higher and contains water, at least one kind of a strong base, and at least one kind of an etching speed control agent.例文帳に追加

ｐＨ１２以上を有し、水、少なくとも１種の強塩基および少なくとも１種のエッチング速度制御剤を含む、水性の高い強塩基性の平坦化溶液を提供する。 - 特許庁

To provide a laminate for a wire grid polarizer which prevents separation of a dry film resist even in wet etching using an alkaline solution, and provides a proper metal grid.例文帳に追加

アルカリ性溶液を用いたウェットエッチングの際においてもドライフィルムレジストの剥離を抑制でき、適切な金属格子が得られるワイヤグリッド偏光子用積層体を提供すること。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in flexibility and resistance to the heat of soldering, developable with a dilute alkali solution and suitable for an etching resist and a cover lay and a photosensitive film using the composition.例文帳に追加

可撓性、はんだ耐熱性に優れ、希アルカリ溶液で現像ができ、エッチングレジストやカバーレイ用に適する感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性フイルムを提供する。 - 特許庁

To attain a rear-surface cleaning method of etching ruthenium deposited on a bevel portion and on the rear surface of a substrate with a simple device arrangement, enabling chemical solution treatment without using a shield plate.例文帳に追加

遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。 - 特許庁

Next, the etching treated component is taken out of the solution, and the presence or absence of a dark-colored region which becomes an index of the adhered aluminum-based material is checked by comparing it with a light-colored region to conduct visual inspection.例文帳に追加

次いで、エッチング処理部品を溶液から取り出し、付着アルミニウム系材料の指標となる暗色領域の有無を淡色領域と対比して目視検査すればよい。 - 特許庁

In the method for producing a non-magnetic garnet substrate, only the bevel face of a single crystal wafer is coated with an etching solution to selectively etch the bevel face.例文帳に追加

単結晶ウエハのベベル面のみにエッチング液を塗布することによって、該ベベル面を選択的にエッチングすることを特徴とする非磁性ガーネット基板の製造方法などによって提供する。 - 特許庁

The etching treatment method for copper has: a step in which copper is subjected to oxidation treatment to be copper oxide; and a step in which the copper oxide is thereafter dissolved with an acidic solution.例文帳に追加

銅をエッチング処理する方法であって、銅を酸化処理して酸化銅とする工程、その後、前記酸化銅を酸性溶液で溶解する工程を有する、銅のエッチング処理方法。 - 特許庁

When the color of the wafer peripheral area changes from the copper color to the silicon color, the supply of the etching solution to the wafer W is stopped after a period of a prescribed time.例文帳に追加

そして、ウエハ周縁領域の色が銅色からシリコン色に変化すると、その後、予め定める時間が経過した時点でウエハＷへのエッチング液の供給が停止される。 - 特許庁

To obtain a radiation-sensitive resin composition having excellent solubility in an alkali development solution and excellent etching resistance and a copolymer useful for the radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

アルカリ性現像液への溶解性に優れ、エッチング耐性に優れた感放射線性樹脂組成物およびこの感放射線性樹脂組成物に有用な共重合体を提供する。 - 特許庁

Before performing this etching process, projecting portions of the electrodes 15' are removed or decreased in order to prevent sticking to the electrodes of air bubbles 27 contained in the chemical solution.例文帳に追加

このエッチング工程を行う前に、化学溶液に含まれている気泡２７の電極への付着を防止するために電極１５’の突出部分を除去するか減少させる。 - 特許庁

A nickel plating layer is peeled from copper or copper alloy scrap applied with nickel plating with a nickel plating peeling solution, and after that, the surface of the copper or copper alloy scrap is subjected to etching by 0.2 to 200 μm.例文帳に追加

ニッケルめっきが施された銅又は銅合金屑からニッケルめっき剥離液でニッケルめっき層を剥離した後、銅又は銅合金屑の表面を０．２〜２００μｍエッチングする。 - 特許庁

The method for treating the phosphor comprises etching the phosphor composed of a II-VI compound semiconductor as a principal component with an acid and then cleaning the phosphor with a chelating agent or a chelating agent solution.例文帳に追加

II-VI族化合物半導体を主成分として構成される蛍光体を酸でエッチングした後に、キレート剤またはキレート剤溶液で洗浄する蛍光体の処理方法。 - 特許庁

Subsequently, the first silicon insulation film 28 in that specified region is removed by etching liquid of aqueous solution containing hydrofluoric acid through a removing part 29W of the photoresist layer.例文帳に追加

その後、このフォトレジスト層の除去部２９Ｗを通じてその特定領域の第１のシリコン絶縁膜２８を弗化水素酸を含む水溶液によるエッチング液によって除去する。 - 特許庁

A SOI wafer provided with a silicon thin film which deposits oxygen little is prepared through an SIMOX method or a lamination method, the SOI wafer is cleaned with an alkaline solution such as SCI or TMAH, and a silicon ultra-thin film SOI is manufactured by the etching action of the alkaline solution.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ法や貼り合せ法により、酸素析出物の少ないシリコン薄膜を有するＳＯＩウェハーを用意し、これをＳＣ１やＴＭＡＨなどのアルカリ溶液で洗浄し、この洗浄液のエッチング作用により、シリコン超薄膜ＳＯＩを製造する。 - 特許庁

To provide a method for regenerating an etching solution for a printed circuit board capable of contributing to the reduction in the production cost of a printed circuit board and environmental protection by utilizing ozone produced in a UV ink hardening furnace as an oxidizer instead of an oxidizer such as a hydrogen peroxide aqueous solution.例文帳に追加

過酸化水素水などの酸化剤に代えてＵＶインク硬化炉で生成されるオゾンを酸化剤として利用することにより、プリント配線板の製造コストの低減と環境保護とに寄与させ得るプリント配線板用エッチング液の再生方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the present invention includes a step (S104) for eliminating the surface oxide film by cleaning the surface of the silicon core wire with a hydrofluoric acid solution following the step for eliminating processing strain of the surface by etching the silicon core wire using a mixed acid solution of hydrofluoric acid and nitric acid.例文帳に追加

そこで、本発明では、シリコン芯線をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングして表面の加工歪みを除去する工程に続いて、シリコン芯線の表面をフッ酸溶液で洗浄して表面酸化膜を除去する工程（Ｓ１０４）を備える。 - 特許庁

This method for manufacturing such a porous polyimide body, related to the method for improving an air permeation rate, as is obtained by use of a polyimide solution or a polymic acid solution and by means of a solvent substitution induced-phase separation method or a thermally induced-phase separation method, is characterized by dry-etching treatment.例文帳に追加

ポリイミド溶液若しくはポリミック酸溶液を用いて溶媒置換誘起相分離法若しくは熱誘起相分離法により得られるポリイミド多孔質体をドライエッチング処理することを特徴とするポリイミド多孔質体の通気速度向上方法に関する。 - 特許庁

Therefore, section of the mesa structure is uniformized, using bromine water and hydrobromic acid or aqueous solution containing hydrobromic acid and peroxyhydrate acid (Br group etching solution) (third step), and an electrode is formed on the surface of the mesa structure (fourth step).例文帳に追加

しかる後、臭素水および臭化水素酸、若しくは臭化水素酸および過酸化水素水を含む水溶液（Ｂr系エッチング液）を用いてメサの断面形状を滑らかに成型した後（第３の工程）、メサの表面に電極を形成する（第４の工程）。 - 特許庁

To provide a photoresists removing solution excellent in ability to remove residue such as a degenerated photoresist film produced after ashing and residue on etching (metal deposition) and excellent in property of preventing the corrosion of a substrate in rising with water and to provide a method for removing a photoresist using the removing solution.例文帳に追加

アッシング処理後に生じるホトレジスト変質膜、エッチング残渣物（金属デポジション）等の残渣物の剥離性に優れ、かつ、水でのリンス処理時、基板の防食性に優れるホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises adding metallic iron in the existence of Ni ion resulting in the deposition of cobalt ion which is contained as an impurity in the ferrous chloride and/or ferric chloride aqueous solution or is generated in the ferrous chloride and/or ferric chloride aqueous solution through an etching treatment or the like.例文帳に追加

塩化鉄水溶液に不純物として含まれるコバルトイオン、又はエッチング処理などによって塩化鉄水溶液中に生成されたコバルトイオンを、ニッケルイオンの存在下に金属鉄を加え、塩化鉄水溶液中に含まれるコバルトイオンを析出させる。 - 特許庁

The heat exchanger substrate made of the Al alloy is subjected to pretreatment with an aqueous solution for pretreatment having a pH value of <9.0, is thereafter subjected to etching treatment with an alkaline aqueous solution having a pH value of ≥9.0, and is further subjected to chemical conversion treatment/and hydrophilicity application treatment.例文帳に追加

Ａｌ合金製熱交換器基体にｐＨ値が９．０未満の前処理用水溶液による前処理を施し、その後にｐＨ値が９．０以上のアルカリ性水溶液によるエッチング処理を施し、さらに化成処理及び／又は親水性付与処理を施す。 - 特許庁

The manufacturing method of etching foil for aluminum electrolytic capacitor has the aluminum foil dipped in a pretreatment solution of 4.0 to 12.0 wt% phosphoric acid and 2.0 to 6.0 wt% hexafluorosilicic acid, and then has the aluminum foil dried at 100 to 250°C, as a preprocess of performing the etching treatment of an aluminum foil.例文帳に追加

アルミニウム箔のエッチング処理を行う前工程として、リン酸４．０〜１２．０ｗｔ％とヘキサフルオロケイ酸２．０〜６．０ｗｔ％との前処理液にアルミニウム箔を浸漬した後、１００〜２５０℃で乾燥することを特徴とするアルミニウム電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法である。 - 特許庁

Etching rate in gas-phase etching by the vapor of hydrofluoric acid water solution is very high in temperature dependence and, therefore the oxide of the polymer on the wafer W can be removed neatly and selectively, without damaging the copper wiring film and the insulating film by optimally controlling the temperature of the wafer W.例文帳に追加

ふっ酸水溶液の蒸気による気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、銅配線膜および絶縁膜に損傷を与えることなく、ウエハＷ上のポリマーの酸化物を良好に選択除去できる。 - 特許庁

To provide an etching solution which does not damage polycrystal Si(poly-Si) and a Si oxide film (SiO_2), has a highly selective etching rate to a hafnium oxide film of a hardly-soluble high-dielectric material used as a gate insulation film, and does not include hydrofluoric acid.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、Ｓｉ酸化膜（ＳｉＯ_２）などにダメージを与えることなく、ゲート絶縁膜として用いられる難溶性の高誘電体材料であるハフニウム酸化膜等に対する選択エッチチングレートが大きく、なおかつフッ酸を含まないエッチング液を提供する。 - 特許庁