「etching solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The etching liquid or a solution of water, which contains at least one component chosen from NO, N_2O, NO_2, N_2O_3 and these ions, and an acid component, etches at least one metal chosen from Ni, Cr, Ni-Cr ally and Pd.例文帳に追加

本発明のエッチング液は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ合金及びＰｄから選ばれる少なくとも一つの金属をエッチングするエッチング液であって、ＮＯ、Ｎ_2Ｏ、ＮＯ_2、Ｎ_2Ｏ_3及びこれらのイオンから選ばれる少なくとも一の成分と、酸成分とを含む水溶液である。 - 特許庁

In preferable embodiments, the anodic oxide coating is formed after etching in an acid solution of ≤pH 5 and the film has 3 to 12 μm film thickness; and the photosensitive layer comprises a charge generating layer and a charge transport layer deposited on the charge generating layer.例文帳に追加

ｐＨ５以下の酸溶液によるエッチング処理後に陽極酸化被膜が形成され、かつ、該陽極酸化被膜の膜厚が３〜１２μｍである態様、感光層が、電荷発生層と、該電荷発生層上に積層された電荷輸送層とからなる態様が好ましい。 - 特許庁

A slant which is formed of a face (110) where a face (100) is set as a base and has an angle of 45° is formed in a recess 107 by wet etching using alkali solution to which ion system surfactant is added in a silicon substrate 100 with a silicone oxide film 101 as a mask.例文帳に追加

シリコン酸化膜１０１をマスクとして、シリコン基板１００をイオン系界面活性剤が添加したアルカリ溶液を用いたウエットエッチングによって、（１００）面を底面とした（１１０）面からなる４５°の角度を持った斜面を凹部１０７に形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a capacitor preventing that an electrode support film may be removed and fall off or be contracted to lead a lower electrode to collapse even when solution etching is used to form the lower electrode of a crown structure, involving simple processes, and suppressing an increase of a process cost.例文帳に追加

クラウン構造の下部電極形成に溶液エッチングを用いても電極支持膜が剥離脱落したり、収縮して下部電極が倒壊することを抑制し、工程が簡略であり、プロセスコストの増大を抑えたキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the developing step, part of the conductive layer 20 is exposed and a contact hole 27 is formed in the inorganic insulating layer 22 by removing an area exposed from the resist pattern 30B' within the inorganic insulating layer 23 using the developer as an etching solution.例文帳に追加

現像工程では、この現像液をエッチング液として用いて、無機絶縁層２３の内のレジストパターン３０Ｂ’から露出した領域を除去することによって導電層２０の一部を露出させて、無機絶縁層２２にコンタクトホール２７を形成する。 - 特許庁

The space 11 is formed by a method wherein, after forming the movable piece 10 for a switch, a film for forming a space consisting of a zinc oxide arranged in a region for forming the space 11 is removed by etching using an etchant consisting of a weak acid aqueous solution.例文帳に追加

この空間１１は、スイッチ用可動片１０形成した後に、空間１１形成領域に設けられた酸化亜鉛からなる空間形成用膜を弱酸水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングして除去することにより形成される。 - 特許庁

The etching solution composition for an indium oxide transparent conductive film comprises at least one member selected from oxalic acid, a naphthalene sulfonic acid condensate or a salt thereof, hydrochloric acid, sulfuric acid and a water-soluble amine, and water.例文帳に追加

シュウ酸、ナフタレンスルホン酸縮合物又はその塩、塩酸、硫酸及び水溶性アミン並びに水溶性アミンの塩酸塩、硫酸塩及び炭酸塩のうち少なくとも１種、並びに水を含有する酸化インジウム系透明導電膜用のエッチング液組成物である。 - 特許庁

In an immersion process, the surface of the reflection layer 7 having fine irregularity is melted to be smoothed by immersing the reflection layer 7 made of metal consisting mainly of aluminum in etching solution containing phosphoric acid within a range of 20-60wt%.例文帳に追加

浸漬工程において、アルミを主成分とした金属からなる反射層７を２０〜６０ｗｔ％の範囲内の燐酸を含むエッチング溶液中に浸漬することにより、微細な凹凸を有する反射層７の表面を溶かして滑らかにすることができる。 - 特許庁

To provide an ultraviolet-curing resin composition made of a polymerizable compound having an ester bond hardly to hydrolyze even in an acidic high-temperature water solution, and a manufacturing method of a shadow mask in which an etching can efficiently perform to produce the shadow mask with high quality.例文帳に追加

酸性高温水溶液中でも、エステル結合が加水分解し難い重合性化合物を含有する紫外線硬化型樹脂組成物、および効率的にエッチングでき且つ高品質のシャドウマスクを製造できるシャドウマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The second insulating film 16b consists of a material (silicon oxide (SiO_x), and silicon nitride (SiN_x) etc.) having excellent etching selectivity by same gas or solution to oxide semiconductor constituting the channel layer 15 and the first insulating material respectively.例文帳に追加

第２絶縁膜１６ｂはチャネル層１５を構成する酸化物半導体および第１絶縁材料それぞれに対して同一ガス（あるいは溶液）によるエッチング選択性の良好な材料（酸化シリコン（ＳｉＯ_x）、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）等）により構成されている。 - 特許庁

To provide a wafer-processing apparatus for manufacturing a semiconductor element, wherein uniformity in a process such as etching process or cleaning process is improved by minimizing changes in temperature of a wafer process solution supplied on a wafer attached stably to a spin chuck.例文帳に追加

スピンチャックに安着されたウェーハ上に供給されるウェーハ処理溶液の温度変化を最小化することでエッチング工程または洗浄工程等の処理工程の均一度を向上させる半導体素子製造用ウェーハ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an alicyclic acrylate compound used as a monomer for a photoresist which has high transparency to the far ultraviolet rays having a wave length of ≤248 μm, is excellent in dry-etching resistance, exhibits good adhesion to a substrate and good solubility in an alkaline developing solution, and further has high sensitivity and high resolving power.例文帳に追加

波長２４８ｎｍ以下の遠紫外線に対して高い透明性を有し、かつドイエッチング耐性に優れ、基板密着性、アルカリ現像液に対し良好な溶解性を示し、更に高感度、高解像度を有するフォトレジスト用モノマーの提供。 - 特許庁

To provide a resist stripping solution composition capable of thoroughly removing resist residue which remains after dry etching or ashing in a step for wiring a semiconductor device such as IC or LSI or a liquid crystal panel element at a low temperature in a short period of time and less liable to affect a low dielectric constant film.例文帳に追加

ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するレジスト残渣を低温、短時間で完全に除去でき、低誘電率膜への影響の少ないレジスト用剥離液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid treatment device capable of preventing a phenomenon or so called a loading effect, wherein the production amount of resolution products or the concentration of a developing solution becomes different locally and an etching speed or the like is changed, and capable of uniformly developing a photo mask such as a reticle or the like.例文帳に追加

溶解生成物の生成量や現像液の濃度が局所的に異なり、エッチング速度等が変化するローディング効果と呼ばれる現象を防止し、レチクル等のフォトマスクに対する均一な現像処理が可能な液処理装置を提供すること。 - 特許庁

While an etching solution is fed from an edge rinse nozzle 3 to the peripheral edge of the underside of the wafer W, nitrogen gas is discharged out from the center gas exhaust vent 531 and peripheral edge gas exhaust vents 532 of the underside 53 of the blocking board 5 to the top surface of the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷの下面周縁部にエッジリンスノズル３からエッチング液が供給されている間、遮断板５の下面５３の中央気体吐出口５３１および周縁気体吐出口５３２からウエハＷの上面に向けて窒素ガスが吐出される。 - 特許庁

In this stock, ≥1,500 pieces/mm2 of MnS inclusions of 50-1,000 nm diameter are contained; or, when rolling surface is mirror polished and immersed in the prescribed nitric acid-ethyl alcohol solution, etching holes of 0.5-10 μm diameter are allowed to appear in frequency of ≥2,000 pieces/mm2.例文帳に追加

本素材は直径が50-1000 nmのMnS介在物を1500個／mm^2以上含有すること若しくは圧延面を鏡面研磨後、所定の硝酸−エチルアルコール溶液中浸漬にて、直径が0.5μｍ〜10μｍのエッチング孔が2000個／mm^2以上の頻度で現出することを特徴とする。 - 特許庁

The method for cleaning a semiconductor wafer has steps of cleaning with a cleaning solution of an organic alkaline group, having a slight etching function, and cleaning with a high-purity organic solvent, for example isopropyl alcohol, in order to remove Ca and Mg on the surface of the wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの洗浄方法において、極わずかなエッチング作用を持つ洗浄液である有機アルカリ系洗浄液で洗浄した後、ウェハ表面のＣａ、Ｍｇを除去することを目的として高純度有機溶剤、例えばイソプロピルアルコールで洗浄する。 - 特許庁

The etching agent for copper or copper alloy is an aqueous solution containing 0.01-20 mass% cupric ion, 0.1-30 mass% organic acid, 0.01-20 mass% halogen ion, 0.001-2 mass% azole and 0.001-2 mass% polyalkylene glycol.例文帳に追加

本発明の銅又は銅合金のエッチング剤は、第二銅イオン０．０１〜２０質量％、有機酸０．１〜３０質量％、ハロゲンイオン０．０１〜２０質量％、アゾール０．００１〜２質量％及びポリアルキレングリコール０．００１〜２質量％を含有する水溶液である。 - 特許庁

To recover alkali by a compact device while evading the precipitation of alumina (Al_2O_3) and the storage of NaCO_3 and heavy metals, and further, to recover alkali even in an alkali etching solution admixed with a hydrolysis preventive.例文帳に追加

この発明は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３)の析出並びにＮａＣＯ_３及び重金属の蓄積を回避しつつ小型な装置でアルカリを回収すること、更に加水分解防止剤が添加されたアルカリエッチング液においてもアルカリの回収を可能とすることを課題とするものである。 - 特許庁

This method includes a step of treating an anhydrous sulfide by using a disulfur dichloride solution between a step of forming a stripe-like mesa section by etching and a step of forming a current blocking layer.例文帳に追加

半導体レーザの製造方法において、 エッチングによってストライプ状メサ部を形成する工程と、電流ブロック層を形成する工程との間に、二塩化二硫黄液による無水系硫化物処理を行う工程を、含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having superior sensitivity and resolution and also having superior property of dry-to-touch, peelability and property of suppressing the contamination of a plating solution as a resist for etching and plating used in the manufacture of a printed wiring board and in the precision working of metal.例文帳に追加

プリント配線板の製造や金属の精密加工等に用いられるエッチングやめっき用のレジストとして、優れた感度、解像性を有し、かつ優れた指触乾燥性、剥離性、耐めっき液汚染性を合わせ持つ感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To directly recover valuable metals from a waste solution containing metal ions without generating chlorine by an electrochemical process, to provide an electrochemical process by which electric power is generated simultaneously with the recovery of valuable metals and to provide a process for simultaneously regenerating an etching solution.例文帳に追加

本発明の課題は、塩素の発生を伴わずに電気化学的プロセスによって、金属イオンを含む廃液から目的とする有価金属を直接回収すること、および有価金属の回収と同時に電気エネルギーを発生する電気化学プロセスを提案すること、ならびに廃液から有価金属を回収することで同時にエッチング液を再生する方法を提案することにある。 - 特許庁

In the method for treating a copper chloride-containing waste etching solution, the pH of the solution to be treated is adjusted to the range of 5-14 in the presence of (i) phosphate ions, (ii) calcium ions, (iii) iron ions and (iv) a carboxyl-containing hydrophilic high polymer and/or its hydrolyzate and dissolved copper ions are precipitated as a slightly soluble material.例文帳に追加

塩化銅含有エッチング廃液を処理する方法において、（ｉ）リン酸イオン、（ii）カルシウムイオン、（iii）鉄イオン及び（iv）カルボキシル基含有親水性高分子物質及び／又はその加水分解生成物の存在下で、該被処理液のｐＨを５〜１４の範囲に調整して、該溶存銅イオンを難溶性物質として沈殿させることを特徴とする塩化銅含有エッチング廃液の処理方法。 - 特許庁

To provide a recycling method that is capable of continuously and efficiently stripping nickel from a nickel-plated copper or copper alloy scrap without using any expensive, short-life stripping solution and without conducting etching after stripping, so as to use the nickel-stripped copper or copper alloy scrap as a material for producing copper or copper alloy, and capable of solving the problem of a waste treatment of the stripping solution.例文帳に追加

高価で寿命の短い剥離液を使用せず、剥離後のエッチングもすることなく、連続して効率良く、ニッケルめっきが施された銅又は銅合金屑からニッケルを剥離して、ニッケルめっきが剥離された銅又は銅合金屑を銅又は銅合金の製造用原料として使用し、しかも剥離液の廃液処理の問題も解消したリサイクル方法を提供する。 - 特許庁

In a wet etching process, the quantity of a wet etching solution penetrated between a layer insulation film and a resist film varies depending on the impurity concentration ratio of boron to phosphorus, B/P, and it is controlled to reduce the proportion of the boron impurity concentration to the phosphorous impurity concentration since the penetration quantity tends to increase with the increase of the B/P ratio.例文帳に追加

ウェットエッチング工程においてウェットエッチング液が層間絶縁膜とレジスト膜との間に染み込む量である染み込み量は、硼素の不純物濃度と燐の不純物濃度との比によって変化し、Ｂ／Ｐ（硼素の不純物濃度／燐の不純物濃度）の値が大きいほど染み込み量が増加する傾向があるため、燐の不純物濃度に対する硼素の不純物濃度の割合を低く抑えるようにコントロールする。 - 特許庁

Disclosed is an etching liquid which is composed of an acid solution comprising a permanganate of 0.05 to 10 wt.% and acetic acidof 0.05 to 20 wt.%, and selectively dissolves an Ni alloy, a Cr alloy, an Ni-Cr alloy or a Cr simple substance without dissolving a copper alloy or a copper simple substance, and is used in an etching stage for a wiring board provided with conductive copper wiring.例文帳に追加

過マンガン酸塩と酢酸を含む酸性溶液からなり、銅合金又は銅単体を溶解することなく、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金或いはＣｒ単体を選択的に溶解するエッチング液で、０．０５〜１０重量％の過マンガン酸塩、０．０５〜２０重量％の酢酸を含有する酸性溶液で、導電性の銅配線を備える配線板のエッチング工程で用いられるものである。 - 特許庁

Disclosed is the etching liquid which is composed of an acidic solution containing a permanganate of 0.05 to 10 wt.% and hydrochloric acid of 0.005 to 2 wt.%, and selectively dissolves an Ni alloy, a Cr alloy, an Ni-Cr alloy or a Cr simple substance without dissolving a copper alloy or a copper simple substance, and is used in an etching stage for a wiring board provided with conductive copper wiring.例文帳に追加

過マンガン酸塩と塩酸を含む酸性溶液からなり、銅合金又は銅単体を溶解することなく、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金或いはＣｒ単体を選択的に溶解するエッチング液で、０．０５〜１０重量％の過マンガン酸塩、０．００５〜２重量％の塩酸を含有する酸性溶液で、導電性の銅配線を備える配線板のエッチング工程で用いられるものである。 - 特許庁

Time variation (interferogram) of light intensity of primary diffracted light is obtained from the intensity of laser beams incident on a surface of a wafer 2 and the intensity of the detected primary diffracted light, thereby calculating an etching rate of an n-type aluminum-gallium (AlGaAs) layer in a chemical solution 4 (S105).例文帳に追加

ウエハ表面に入射するレーザ光の光強度と、検出された１次回折光の光強度とより、１次回折光の光強度の時間変化（干渉波形）が得られ、薬液４におけるｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチングレートが算出される（Ｓ１０５）。 - 特許庁

This collecting method comprises the steps of: removing the insoluble In compound from the filter having trapped the insoluble In compound in the oxalic etching solution containing oxalic acid and In by dissolving the insoluble In compound into an inorganic acid; and collecting the In, In alloy or In compound, which has dissolved in the inorganic acid.例文帳に追加

シュウ酸とＩｎとを含有するシュウ酸エッチング液中の不溶性Ｉｎ化合物を捕捉したフィルターから、無機酸によって前記不溶性Ｉｎ化合物を溶解させて除去し、無機酸に溶解したＩｎ若しくはＩｎ合金、又はＩｎ化合物を回収することである。 - 特許庁

This etching composition for an aluminum-containing material is composed of an aqueous solution containing, as essential components, (a) phosphoric acid of 15 to 30 wt.% on dry basis, (b) hydrogen chloride of 10 to 25 wt.% on dry basis and (c) a surfactant of 0.001 to 0.05 wt.%.例文帳に追加

必須成分として、（ａ）無水分換算で１５〜３０重量％のリン酸、（ｂ）無水分換算で１０〜２５重量％の塩化水素及び（ｃ）０．００１〜０．０５重量％の界面活性剤を含有する水溶液からなるアルミニウム含有材料用エッチング組成物。 - 特許庁

To provide a dental composition which realizes the excellent adhesive strength of a repairing material to dentin and adhesion durability without needing an etching treatment with an acid aqueous solution or the like, when teeth are repaired in a dental treatment field or the like.例文帳に追加

本発明は歯科医療分野等における歯の修復に際し、酸水溶液などによるエッチング処理を必要としないで且つ修復材料と歯質との優れた接着強度および接着耐久性を実現する為の歯科用組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

After a silicon wafer is heat-treated in a wet oxygen atmosphere, the wafer surface is etched in a mixture acid solution of hydrofluoric acid and nitric acid to remove defects precipitated by the heat treatment in the wet oxygen atmosphere, and subsequently, the wafer is subjected to selective etching to determine the OSF.例文帳に追加

シリコンウェーハをウェット酸素雰囲気下で熱処理した後、前記ウェーハ表面をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングを行って前記ウェット酸素雰囲気下での熱処理により析出する欠陥を除去し、続いて、選択エッチングを行い、ＯＳＦを判別する。 - 特許庁

The etching solution is applied to a top portion of the sheet 13 from (i) one or more non-contact bearings 3 located above the top edge of the sheet 13, (ii) a top shower or (iii) one or more non-contact bearings 3 located above the top edge of the sheet 13 and a top shower.例文帳に追加

（ｉ）板１３の上縁より上に位置する１つ以上の非接触ベアリング３から、（ｉｉ）上部シャワーから、または（ｉｉｉ）板１３の上縁より上に位置する１つ以上の非接触ベアリング３と上部シャワーから、板１３の上部にエッチング溶液を塗布する。 - 特許庁

The method for producing langasite based single crystal substrate comprises a step for polishing one major surface of langasite based single crystal substrate, and a step for wet etching the polished major surface of the substrate and the backside thereof using a solution containing at least one kind of phosphoric acid, acetic acid and nitric acid.例文帳に追加

ランガサイト系単結晶基板の一方の主面を研磨する工程と、研磨した基板の主面およびその裏面を、リン酸、酢酸、硝酸の少なくとも一種と塩酸とを含む溶液で湿式エッチングする工程と、を備えるランガサイト系単結晶基板の製造方法。 - 特許庁

The aluminum foil can be manufactured in such a way that an aluminum original foil is dipped into a sodium hydroxide solution of concentration of 1-8% to execute pre-processing, thermal processing is applied at a temperature of about 400°C after the pre-processing, and constant current etching is executed in a mixed liquid of a hydorchloric acid and a sulfuric acid.例文帳に追加

そのアルミニウム箔の製造方法は、アルミニウム原箔を１〜８％濃度の水酸化ナトリウム溶液に浸漬して前処理し、その前処理後４００℃前後の温度で熱処理し、その熱処理後、塩酸と硫酸の混合液中で、定電流エッチングを行うことで製造できる。 - 特許庁

In this joining method of a silicon base material, a base material 11 formed of silicon is prepared, Si-H bonds are imparted to a surface of the base material 11 by applying etching by a hydrofluoric acid-containing solution to the surface of the base material 11, whereby a first silicon base material 1 is provided.例文帳に追加

本発明のシリコン基材の接合方法は、シリコンで構成された基材１１を用意し、この基材１１の表面にフッ酸含有液によるエッチングを施すことにより、基材１１の表面にＳｉ−Ｈ結合を付与し、第１のシリコン基材１を得る。 - 特許庁

A plurality of electron emission elements are arranged in the substrate 1 for forming the electron source, a layer 7 containing SiO_2 as a principle component is formed on the substrate 1, and an etching rate of the SiO_2 layer 2 with a 0.4 wt.% hydrogen fluoride ammonium aqueous solution (NH_4-HF_2) is specified to 150 nm/min or less at room temperature.例文帳に追加

複数の電子放出素子が配される電子源形成用基板であって、基板１上にＳｉＯ_2を主成分とする層７を有し、このＳｉＯ_2層７の室温における０．４ｗｔ％フッ化水素アンモニウム水溶液（ＮＨ_4−ＨＦ_2）でのエッチングレートを１５０ｎｍ／ｍｉｎ以下とする。 - 特許庁

Since the cleaning solution selectively removes etching-derived by-products remaining on a source/ drain region 40 and the damaged surface of a silicon substrate 10 while minimizing damages to an impurity-doped interlayer insulating film 60, a predetermined distance A can be maintained between adjacent SACs 70.例文帳に追加

洗浄液は、不純物のドープされた層間絶縁膜６０に対する損傷は最小化しながら、ソース／ドレイン領域４０上に残留するエッチング副産物及び損傷されたシリコン基板１０の表面を選択的に除去するため、ＳＡＣ７０間に一定の距離Ａ'を保つことができる。 - 特許庁

In the method, a semiconductor substrate is cleaned by a silicon etching alkali or acid solution, a surface of the cleaned semiconductor substrate is oxidized by an oxidizing composition including one or more oxidizing agent and having a pH of higher than 7, and the oxidized semiconductor substrate is textured by a texturing composition.例文帳に追加

半導体基体をケイ素エッチングアルカリもしくは酸溶液で清浄化し、清浄化された半導体基体の表面を、１種以上の酸化剤を含み、７を超えるｐＨを有する酸化性組成物で酸化し、酸化された半導体基体をテクスチャ化組成物でテクスチャ化する。 - 特許庁

In an electroless plating method to a polystyrene-based resin in which the polystyrene-based resin is subjected to the resin plating, the polystyrene-based resin or the polystyrene-based resin mainly consisting of styrene component is subjected to the ozone water treatment using ozone aqueous solution to the polystyrene-based resin as the etching treatment.例文帳に追加

ポリスチレン系樹脂に、樹脂めっき処理するポリスチレン系樹脂の無電解めっき処理方法であって、ポリスチレン樹脂もしくはスチレン成分が主構成成分となるポリスチレン系樹脂について、エッチング処理として、ポリスチレン系樹脂にオゾン水溶液を用いたオゾン水処理を施す。 - 特許庁

To provide a method for forming a negative pattern which is transparent in the far UV region including 193 nm wavelength of ArF excimer laser light, which has a chemical structure with high durability against dry etching and shows excellent resolution without swelling in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution as a standard developer.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーの波長１９３ｎｍを含む遠紫外線領域で透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、標準現像液である２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で、膨潤のない解像性能の優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。 - 特許庁

Electroless etching is performed on a foil containing 50-500 ppm of Ni by mass ratio and the remainder of aluminum and unavoidable impurities with hydrochloric acid or solution of hydrochloric acid mixed with one kind or more of phosphoric acid, sulphuric acid, nitric acid and oxalic acid.例文帳に追加

質量比で、Ｎｉを５０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍ未満含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からなる箔を、塩酸単独、または該塩酸に加えて、燐酸、硫酸、硝酸、シュウ酸のうち、一種、または２種以上の酸を混合した溶液にて無電解エッチングを行う。 - 特許庁

This method submerges a crystal silicon substrate in an alkaline solution and provides anisotropic etching on a surface of the substrate to form a projection-recess structure on the surface for concave-convex substrate fabrication.例文帳に追加

アルカリ性溶液中に結晶系シリコン基板を浸漬し、該基板の表面を異方性エッチングすることにより、該基板の表面に凹凸構造を形成して凹凸基板を製造する方法であって、アルカリ性溶液に、以下の一般式（１）で表わされる添加剤が含有されている。 - 特許庁

A metal patterning method includes a step for forming a photocrosslinking resin layer on a substrate, a step for thinning the photocrosslinking resin layer with an alkaline aqueous solution containing an organic alkaline compound, and exposure, development and etching steps of a circuit pattern in this order.例文帳に追加

基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、有機アルカリ性化合物を含有してなるアルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理する工程、回路パターンの露光、現像、エッチング処理をこの順に含むことを特徴とする金属パターンの作製方法。 - 特許庁

A word line structure 124 is formed by patterning the electrically conductive film 108, and a blocking film pattern 126 and a charge trapping film pattern 128 are formed by etching the blocking film 106 and the charge trapping film 104 respectively using an acidic solution as an etchant.例文帳に追加

ワードライン構造物１２４は、導電膜１０８をパターニングすることによって形成され、ブロッキング膜パターン１２６及び電荷トラッピング膜パターン１２８は、酸性溶液をエッチング液に用いてブロッキング膜１０６及び電荷トラッピング膜１０４をエッチングすることによって形成される。 - 特許庁