「etching solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Wet etching for the polysilicon film is started with APM, containing a solution of aqueous ammonia and hydrogen peroxide at a prescribed mixture ratio, as chemical (step 100).例文帳に追加

アンモニア水と過酸化水素水と純水とを所定の混合比で含むＡＰＭを薬液として、ポリシリコン膜のウェットエッチングを開始する（ステップ１００）。 - 特許庁

The amount of cerium ammonium nitrate is controlled in such a manner that the weight ratio of tetravalent cerium to hexavalent chromium in an etching solution regulated to 40 to 60.例文帳に追加

エッチング液中の６価クロムに対する４価セリウムの重量比が、４０〜６０となるように、硝酸セリウムアンモニウムの補給量を制御する。 - 特許庁

The etching solution containing iron chloride (III) and the oxalic acid is added with a block copolymer in which a polyethylene oxide chain and a polypropylene oxide chain are combined with ethylenediamine.例文帳に追加

塩化鉄（III）及びシュウ酸を含有するエッチング液に、エチレンジアミンにポリエチレンオキサイド鎖及びポリプロピレンオキサイド鎖が結合したブロック共重合体を添加する。 - 特許庁

The etching liquid for an aluminum-containing material is composed of a solution containing ammonium hydrogen fluoride, hydrogen peroxide and water.例文帳に追加

アルミニウムを含む材料のエッチング液であって、 前記エッチング液は、フッ化水素アンモニウムと過酸化水素と水を含む溶液からなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a resist composition which is developable with an aqueous alkali solution, adaptable to a short-wavelength light source and superior in flatness, dry etching resistance, heat resistance, etc.例文帳に追加

アルカリ水溶液で現像可能で、短波長の光源が適用でき、平坦性、ドライエッチング耐性、耐熱性等に優れたレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

A substrate is subjected to ashing after etching through a photoresist pattern disposed on the substrate as a mask and then the substrate is treated by applying the solution.例文帳に追加

そして、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとして、該基板にエッチング、アッシング処理をした後、上記処理液組成物を適用して基板を処理する。 - 特許庁

The etching surface is rinsed with a solution of ammonium hydroxide or ammonium fluoride, so as to accelerate formation of a desired bonding chemical species on the surface (4).例文帳に追加

エッチング面は、水酸化アンモニウム、フッ化アンモニウムのような溶液でリンスされ、前記面上の望ましい結合化学種の形成を助長する（４）。 - 特許庁

The silicon substrate is subjected to a chemical etching treatment using an etchant containing an aqueous alkali solution and a surfactant to form the irregularities on the surface thereof.例文帳に追加

シリコン基板をアルカリ水溶液と界面活性剤とを含んだエッチング液を用いて化学エッチングをすることにより、表面に凹凸を形成する。 - 特許庁

Furthermore, corrosion resistant material is used as a magnetic component to permit the use of high concentration acid, and retainability of an etching solution is improved by forming porous structure.例文帳に追加

しかも、耐食性材料を磁性成分に用いて高濃度の酸などの使用が可能となり、しかも多孔質化してエッチング液の保持性を向上させた。 - 特許庁

A solution containing water content of ≥10 wt.% is used at a hydrofluoric acid solution for electrolyte etching using the p-type silicon substrate, which has an etching start groove and has ≥30 Ω cm substrate resistivity, as an anode by dipping the p-type silicon substrate in the hydrofluoric acid solution together with a counter electrode arranged opposite the surface where the groove is formed.例文帳に追加

エッチング開始用溝の形成された基板抵抗率が３０Ω・ｃｍ以上のｐ型シリコン基板を、該溝の形成された面に対向するように配置された対向電極とともにフッ化水素酸溶液に浸漬し、上記シリコン基板を陽極として電解エッチングする際に、上記フッ化水素酸溶液として溶媒中の水含有率が１０重量％以上である溶液を用いた。 - 特許庁

The method for producing glass 10 on the surface of which unevenness 10b is formed includes a process for etching the surface 10a of the glass 10 with an etching solution in such a state that a net 20 is brought into contact with the surface 10a of the glass 10.例文帳に追加

ガラス１０の表面１０ａに網２０を接触させた状態で、ガラス１０の表面１０ａをエッチング液によりエッチングする工程を備える、表面に凹凸１０ｂが形成されたガラス１０の製造方法である。 - 特許庁

The etching liquid contains an alkaline solution being used at the time of wet etching a silicon substrate, especially a silicon substrate having an (100) face, and at least one kind of metal selected from Ca, Cu, Mg, Ni, Zn and Sn.例文帳に追加

シリコン基板、特に表面が（１００）面であるシリコン基板をウェットエッチングする際に用いられるアルカリ性溶液を含有すると共に、Ｃａ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚｎ又はＳｎの少なくとも１種の金属を含有したエッチング液とする。 - 特許庁

For a wet etching liquid for selective etching of a semiconductor layer, containing Al in a multilayer film of AlGaInP-based compound semiconductor, a mixed solution composed of hydrochloric acid as the main component and a dicarboxylic acid or an optically-inactive oxycarboxylic acid is used.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体多層膜のうち、Ａｌを含む半導体層を選択エッチングする湿式エッチング液として、主成分が塩酸と、ジカルボン酸または光学不活性のオキシカルボン酸との混合溶液を用いる。 - 特許庁

This etching method comprises a process of fruorinating the surface of a silicon wafer, and a process of etching the silicon by treating the surface of the silicon wafer using an alkali compound aqueous solution containing a methyl group having a concentration of 10-30%.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、シリコンウェーハの表面をフッ素化処理する工程と、濃度１０〜３０％のメチル基含有アルカリ化合物水溶液を用いて前記シリコンウェーハ表面を処理してシリコンをエッチングするものである。 - 特許庁

To provide an etchant with which an etching aqueous solution is prevented from changing in composition and a low reflectivity is effectively obtained inexpensively when pyramidal unevenness is formed on the surface of a silicon substrate for a solar cell by a wet etching process.例文帳に追加

湿式エッチングで太陽電池用シリコン基板の表面にピラミッド状の凹凸を形成するに際し、エッチング水溶液の組成変化を防止し安価かつ効果的に低反射率化することが可能なエッチング液を提供する。 - 特許庁

Therefore, when the silicon oxidation film 6 of the peripheral area, the first gate material 5 and the gate oxidation film 4 are removed by wet etching, the etching solution is prevented from entering between the silicon oxidation film 10 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

したがって、周辺領域のシリコン窒化膜６、第１のゲート材５、ゲート酸化膜４をウェットエッチングにより除去する際、エッチング溶液がシリコン酸化膜１０と半導体基板１との間に入り込むことを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a cleaning solution and a cleaning method for semiconductor substrates wherein impurity-doped insulating films are not damaged and wherein etching-derived by-products and silicon films damaged by etching can be selectively removed.例文帳に追加

不純物のドープされた絶縁膜を損傷させず、エッチング副産物またはエッチングにより損傷されたシリコン膜などを選択的に除去することが可能な半導体基板用洗浄液及び洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rinsing solution used particularly for rinsing a substrate after the treatment of residue on ashing with a removing solution in the treatment of the substrate subjected to ashing after dry etching through a photoresist pattern formed on the substrate as a mask and a method for treating a substrate with the rinsing solution.例文帳に追加

特に、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとしてドライエッチング、アッシングが施された基板の処理において、該アッシング後の残渣物を剥離液で処理した後の基板の洗浄（リンス）に用いられるリンス液およびこれを用いた基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

The waste solution used for etching and/or washing the electronic parts is used and adjusted to respective concentrations of 50-150 g/liter nitric acid, 10-75 g/liter hexafluoro silicic acid and ≤1 g/liter hydrogen fluoride to make the pickling solution, and the stainless steel is pickled by using this pickling solution.例文帳に追加

電子部品のエッチングおよび／または洗浄に使用された廃液を用いて、硝酸濃度が５０〜１５０ｇ／リットル、ヘキサフルオロケイ酸濃度が１０〜７５ｇ／リットルおよびフッ化水素濃度が１ｇ／リットル以下に濃度調整して酸洗液とし、この酸洗液を用いてステンレス鋼を酸洗する。 - 特許庁

This method for etching a nitride silicon layer on the surface of a substrate includes a fist step S1 of exposing the substrate surface to a oxidizing solution, to form an oxide film on the surface of the nitride silicon layer and a second step S2 of exposing the substrate surface to a fluorine- containing solution for etching the oxide film.例文帳に追加

基板表面の窒化シリコン層をエッチングする方法であって、基板表面を酸化性溶液に晒すことによって、前記窒化シリコン層表面に酸化膜を形成する第１ステップＳ１と、基板表面をフッ素含有溶液に晒すことによって、酸化膜をエッチングする第２ステップＳ２とを行うことを特徴としている。 - 特許庁

To provide an etching method using a hexavalent iron ion solution with less environmental load instead of an etching treatment agent such as harmful chromic acid conventionally used for improving adhesion property between a nonconductive member such as a resin, and a plating layer, and to provide a method for manufacturing a hexavalent iron ion solution.例文帳に追加

本発明は、従来樹脂等の非導電性部材をメッキ被覆層との密着性向上のために用いられていた、有害なクロム酸などによるエッチング処理剤に代わり、環境負荷の少ない六価鉄イオン溶液によるエッチング方法および六価鉄イオン溶液の製造方法を提供する。 - 特許庁

By this setup, the etching solution is prevented from flowing into a device forming a region located at the center of the wafer W, and a metal thin film formed on the under peripheral edge, end face, and upper peripheral edge of the wafer W is removed by the etching solution flowing from the undersurface to the top surface of the wafer W at the same time.例文帳に追加

これにより、ウエハＷの上面中央部のデバイス形成領域にエッチング液が流れ込むのを防止しつつ、ウエハＷの下面から上面に回り込むエッチング液により、ウエハＷの下面周縁部、端面および上面周縁部に形成された金属薄膜を除去することができる。 - 特許庁

The present invention also provides: a wet etching solution that comprises ammonium fluoride at a specific concentration, an organic acid compound having one or more carboxyl groups, and water; and a wet etching solution that comprises hydrogen fluoride in a specific amount, ammonium fluoride in a specific amount, an organic acid compound having one or more carboxyl groups, alcohol, and water.例文帳に追加

本発明は、特定濃度の、フッ化アンモニウム、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、及び水を含む湿式エッチング溶液、並びに、特定量の、フッ化水素、フッ化アンモニウム、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、アルコール、及び水を含む湿式エッチング溶液をもそれぞれ構成する。 - 特許庁

A p-type doped silicon wafer 50 is employed as a semiconductor substrate, an aqueous solution 20 of potassium hydroxide is employed as an etching liquid and etching is performed by conditioning the concentration of KOH in the aqueous solution 20 of potassium hydroxide in the range of 40-50 wt% and the liquid temperature at 110°C or above.例文帳に追加

半導体基板としてｐ型にドープされたシリコンウェハ５０を用い、エッチング液として水酸化カリウム水溶液２０を用い、水酸化カリウム水溶液２０のＫＯＨ濃度を４０重量％以上５０重量％以下の範囲とし、液温度を１１０℃以上にて調整することにより、エッチング処理を行う。 - 特許庁

In the manufacture of copper wiring substrate formation by a semi additive method, an etching solution containing a hydrogen peroxide of 0.1 to 10 wt.% and a phosphoric acid of 0.5 to 50 wt.% is used as an etching solution of a metal thin film layer (seed layer), whose weight ratio of a hydrogen peroxide/phosphoric acid is 0.02-0.2.例文帳に追加

セミアディティブ法における銅配線基板製造において、金属薄膜層（シード層）のエッチング液として、過酸化水素 ０．１〜１０重量％とリン酸 ０．５〜５０重量％を含有し、かつ過酸化水素／リン酸の重量比が ０．０２〜０．２であるエッチング液を使用する銅配線基板製造方法。 - 特許庁

The phase contrast of a phase shift mask 10 in which a transparent substrate 11 and a phase shifter film 12 comprise the combination of synthetic quartz glass and the oxide or oxynitride of molybdenum silicide is adjusted by etching the mask 10 with an etching solution comprising an aqueous solution of a strong alkali such as sodium hydroxide or potassium hydroxide.例文帳に追加

透明基板１１と位相シフタ膜１２が合成石英ガラスとモリブデンシリサイドの酸化物あるいはモリブデンシリサイドの酸化窒化物の組み合わせからなる位相シフトマスク１０を水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の強アルカリの水溶液からなるエッチング薬液を用いてエッチングして位相差調整を行う。 - 特許庁

To provide an environmentally-friendly etching solution which prevents corrosion of a base metal, improves a yield and is excellent in safety compared to an aqueous solution comprising a cyanide or a lead compound when etching a noble metal on a semiconductor material comprising both the noble metal and the base metal.例文帳に追加

貴金属と卑金属が共存する半導体材料上の貴金属をエッチングする際、卑金属が腐蝕する問題を抑制し、歩留まりを上げることにあり、さらに、シアン化物や鉛化合物を成分とした水溶液に比べて安全性に優れ、環境への影響が少ないエッチング液を提供する。 - 特許庁

The method for surface-treating a fluororesin molding includes: a step (S11) of applying an etching treatment to the surface to be treated of the fluororesin molding with a solution containing an alkali metal; and after the step of applying etching treatment, a step (S14) of applying a modifying treatment to the surface to be treated with a solution containing a carboxylic acid.例文帳に追加

フッ素樹脂成形体の表面処理方法は、フッ素樹脂成形体の被処理面に対し、アルカリ金属を含有する溶液でエッチング処理を施すステップ（Ｓ１１）と、エッチング処理を施すステップの後に、被処理面に対し、カルボン酸を含有する溶液による改質処理を施すステップ（Ｓ１４）とを有する。 - 特許庁

To provide a method for circulating an etchant, which solves unevenness in an etching rate due to dispersion of a temperature of a chemical solution without upsizing or pluralizing a tank, performs a rapid and uniform stirring in a circulation tank, uniformly keeps concentration of the chemical solution in the circulation tank, and performs stable etching, and to provide the circulation tank.例文帳に追加

槽を大型、複数化することなく、薬液温度のばらつきにより発生するエッチング速度のむらを解消し、また循環槽内の撹拌を迅速且つむらなく行い槽内の薬液濃度を均一に保持し、安定したエッチングを可能にするエッチング循環方法および循環槽を提供する。 - 特許庁

Non-flat etching defective peripheral portions of a wafer due to deviation of inner and outer peripheral portions of the wafer in etching and the etching quantity difference, caused by the etching solution feed rate difference or non-flat polishing defective peripheral portions of the wafer, due to its biting into the polishing cloth in mirror-surface working are ground off mechanically, to leave only the inner portion of the wafer superior in flatness.例文帳に追加

エッチング加工時のウエハ内外周の偏り及びエッチング液供給の相違に伴って生じるエッチング量の差が原因のウエハ外周の非平坦な「エッチングダレ」部分、或いは鏡面加工時の研磨クロスへの食い込みに伴って生じるウエハ外周の非平坦な「研磨周辺ダレ」部分を機械的に研削除去することにより平坦度に優れたウエハの内部のみが残る。 - 特許庁

After a polishing process ends, a top surface of the glass substrate is observed using an optical microscope after a pit defect which has an easy-to-observe size is obtained through 5 μm etching using an acid etching solution including hydrogen fluoride, nitric acid, etc., and then isotropic etching of a processing deformed layer (a flaw etc.) remaining at a chamfer part.例文帳に追加

研磨工程終了後、ガラス基板の表面を、フッ酸や硝酸等を含む酸性のエッチング溶液を用いて５μｍエッチングし、面取り部に残留する加工変質層（キズなど）を等方的にエッチングして観察しやすい大きさのピット欠陥にした後、光学顕微鏡を用いて観察する。 - 特許庁

By this forming method, the fine hole can be formed in the printed board speedily at a low cost by etching other materials (e.g. glass fibers) of the printed board 10 which can not be removed with plasma by using a chemical solution after etching for the fine hole is carried out by mainly using plasma technology and plasma etching is performed.例文帳に追加

主にプラズマ技術を利用して微小穴のエッチングを行い、且つプラズマエッチングした後、化学溶液を利用してプラズマで除去できないプリントボード１０のその他の材料（例えば、ガラス繊維）をエッチングさせ、迅速且つ低コストで行うことができるプリントボードの微小穴の形成方法である。 - 特許庁

Next, the via hole forming region of the copper foil 1 is selectively removed by etching to form an opening 9, Then, the insulating resin layer 2 exposed in the opening 9 is removed by etching by using an alkaline etching solution until the conductive layer 4 positioned at the lower part is exposed, to form a via hole 10.例文帳に追加

次いで、銅箔１のビアホール形成部位を選択的にエッチング除去して開口部９を形成した後、この開口部９に露出する絶縁樹脂層２を、その下部に位置する導体層４が露出するまでアルカリ性エッチング液を用いてエッチング除去してビアホール用穴１０を形成する。 - 特許庁

A step of peeling the etching resist having been used for etching the magnetic layer includes: a step of radiating excimer VUV laser under a reduced pressure onto the etching resist on the magnetic layer or a protection layer; and a step of cleaning and removing the resist remaining on the magnetic layer or the protection layer by soaking the resist in a release agent solution.例文帳に追加

磁性層のエッチングに用いたエッチングレジストの剥離工程が、磁性層または保護層上のエッチングレジストに、減圧下にエキシマＶＵＶレーザを照射する工程、および磁性層または保護層上に残存するレジストをレジスト剥離剤溶液に浸漬して洗浄除去する工程、からなることを特徴とする。 - 特許庁

This method comprises the surface of a substrate to a plating treatment of forming a plating film on this surface by bringing the surface into contact with a plating solution and an etching treatment of etching portions of the plating film formed on the surface of the substrate by bringing the substrate after the plating into contact with an etchant and subjecting the surface again to the plating treatment after the etching treatment.例文帳に追加

めっき液に接触させて基板の表面にめっき膜を形成するめっき処理と、めっき後の基板をエッチング液に接触させて基板の表面に形成しためっき膜の一部をエッチングするエッチング処理を行い、エッチング処理後に再度めっき処理を行うことを特徴とする。 - 特許庁

In an etching process for forming a diaphragm, an etching device having an etching solution stirring mechanism (stirrer) 8 and a circulating mechanism (pump) 7 is used, and cleaning of the diaphragm using warm water is executed, whereby dispersion in the thicknesses of the diaphragm is lessened and an electrostatic capacity type pressure sensor, which has little dispersion in its sensor sensitivity characteristics, is obtained.例文帳に追加

ダイアフラムを形成するエッチング工程において、エッチング溶液の攪拌機構（スターラ）８と循環機構（ポンプ）７を有するエッチング装置を用い、また、温水による洗浄を実施することにより、ダイヤフラム部の厚みのばらつきを小さくし、センサ感度特性のばらつきの小さい静電容量型圧力センサを得る。 - 特許庁

In the method for manufacturing the MEMS device, at the anisotropic etching step of anisotropic etching a part of a silicon substrate 1 for forming the cavity part 11, a TMAH solution dissolving Si is used as an alkali solution; and in the course of anisotropic etching the silicon substrate 1a down to a given depth dp, a cleaning step is carried out at least once, without drying the silicon substrate 1a.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 - 特許庁

To provide a printed circuit board which has high etching nature in formation of conductor wiring lines, specifically, has less etching residue of ground metal layer components remaining between conductor wiring lines when etching is performed by aqueous ferric chloride solution or aqueous hydrochloric acid acidic cupric chloride solution, has high insulation reliability and corrosion resistance when high voltage is applied between the conductor wirings, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

導体配線の形成時における高いエッチング性、具体的には塩化第２鉄水溶液又は塩酸酸性塩化第２銅水溶液でエッチングした際に導体配線間に残留する下地金属層成分のエッチング残渣が少なく、導体配線間に高電圧を印加した場合に高い絶縁信頼性及び耐食性を兼ね備えたプリント配線基板およびその製造方法の提供。 - 特許庁

This oxide layer and other foreign substances are removed by chemical polishing with immersion in an etching solution or electrolytic polishing, for instance, and then a transparent protective layer 12 is formed on the surface 10a by application and drying of a glass coating solution, for instance.例文帳に追加

この酸化物層やその他の異物を、例えばエッチング処理液への浸漬による化学研磨や電解研磨により除去し、その後、表面１０ａ上に、例えばガラスコーティング液の塗布、乾燥により透明保護層１２を形成する。 - 特許庁

To obtain an admixture for giving an etching solution, a polishing solution, or suspension that can be easily removed by rinsing by using high wetting force to a surface to be treated in a semiconductor industry.例文帳に追加

半導体産業において処理するための表面に対する高い湿潤力を用い、次いで水洗により容易に除去し得るエッチングまたはポリッシング溶液または懸濁液を与え得る添加物を入手可能とすること。 - 特許庁

Namely, the partial liquid replacement is performed based upon the treatment number of substrates W corresponding to the substrate W having thick-film large in degree of deterioration of a phosphoric acid solution, so the etching rate of the phosphoric acid solution is kept within the constant range.例文帳に追加

つまり、燐酸溶液の劣化度合いが大きな厚膜のものに相当する基板Ｗの処理枚数を基準にして部分液交換を実施するので、燐酸溶液のエッチングレートを一定の範囲に保持することができる。 - 特許庁

To uniformize and stabilize cleaning treatment and reduce the consumption of chemicals for preparing a cleaning solution in the wet cleaning of a substrate by etching using the cleaning solution in which hydrofluoric acid as an effective component is dissolved in water.例文帳に追加

有効成分としてフッ化水素酸を水に溶解した洗浄液を使用する、エッチングによる基板の湿式洗浄技術において、洗浄処理を均一・安定化とともに、洗浄液調製用薬品の消費量を低減する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is sensitive to visible ray, enables a process in which problems such as ensuring of etching solution and plating solution resistances and lowering of productivity are solved and can form a fine high density pattern.例文帳に追加

可視光感光性で、エッチング液耐性とメッキ液耐性の確保の問題や生産性低下などの問題を解決するプロセスを可能にし、微細かつ高密度なパターンを形成することができる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The selective etching removes the damaged substrate material which exists adjacent to the laser cut region by dipping the die 30 in an ethylene diamine pyrocatechol(EDP) solution or a potassium hydroxide (KOH) solution.例文帳に追加

損傷した基板材料の選択性エッチングは、ダイをエチレン ジアミン ピロカテコール（ethylene diaminepyrocatechol：ＥＤＰ）、あるいは水酸化カリウム（ＫＯＨ）の溶液の中に浸し、レーザ切断領域に隣接して存在する損傷した基板材料を除去するものである。 - 特許庁

The etching liquid contains an alkaline solution being used at the time of wet etching a silicon substrate, especially a silicon substrate having an (100) face, and at least one kind of metal selected from Pb, Al, Ca, Cu, Ni, Zn and Sn.例文帳に追加

シリコン基板、特に表面が（１００）面であるシリコン基板をウェットエッチングする際に用いられるアルカリ性溶液を含有すると共に、Ｐｂ、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ又はＳｎの少なくとも１種の金属を含有したエッチング液とする。 - 特許庁