「etching solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

In the surface treatment method for a lithium based magnesium alloy material, after degreasing, etching and surface control treatment, the surface of a lithium based magnesium alloy material is treated with a fluorine and aluminum-containing treatment solution.例文帳に追加

脱脂、エッチング及び表面調整処理を行った後に、リチウム系マグネシウム合金材の表面に、フッ素及びアルミニウム含有処理液で処理することを特徴とするリチウム系マグネシウム合金材の表面処理方法である。 - 特許庁

The aqueous solution containing an oxidizing agent consisting of a hydrogen salt consisting of potassium bisulfate, sodium hydrogenesulfide, ammonium hydrogensulfide, ammonium dihydrogenphosphate or ammonium monohydrogenphosphate and hydrogen peroxide is used as the etching agent for copper.例文帳に追加

銅のエッチング剤として硫酸水素カリウム、硫酸水素ナトリウム、硫酸水素アンモニウム、リン酸二水素アンモニウム、またはリン酸一水素二アンモニウムからなる水素塩と過酸化水素からなる酸化剤とを含有する水溶液を用いる。 - 特許庁

The polishing solution contains a compound including, at least, either of nitrogen molecules and sulfur molecules, and at least, one of the polishing friction, etching rate, polishing rate, and surface uniformity of the layer to be polished is controlled by the compound.例文帳に追加

窒素分子及び硫黄分子の少なくとも一方を含む化合物を含有し、該化合物が被研磨層の研磨摩擦、エッチング速度、研磨速度及び面内均一性の内の少なくとも一つを制御することを特徴とする研磨液。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor laser element having a ridge stripe 9, after the formation of the ridge stripe 9, an insulating mask 8 containing Si is oxidized using an etching solution containing hydrogen peroxide to inactivate the surface treatment.例文帳に追加

リッジストライプ９を有する半導体レーザ素子の製造方法において、リッジストライプ９を形成後、過酸化水素水を含むエッチング液を用いてＳｉを含む絶縁マスク８を酸化処理して、この表面処理を不活性化にする。 - 特許庁

A resist pattern is formed by usual photo-lithography or the like, then the indium tin oxide thin film is etched with an etching solution to form an indium tin oxide thin film pattern having a good tapered shape in the etched cross section.例文帳に追加

つぎに、通常のフォトリソグラフィー等の方法でレジストパターンを形成し、エッチング液により酸化インジウム錫薄膜をエッチングすると、エッチング断面に良好なテーパー形状を有する酸化インジウム錫薄膜パターンが形成される。 - 特許庁

To efficiently dice a semiconductor wafer into semiconductor chips without damaging the surface side of the semiconductor chips due to infiltration of an etching solution or gas from cut grooves in the case of dicing the semiconductor wafer into thin semiconductor chips.例文帳に追加

半導体ウェーハを薄い半導体チップに分割するに当たって、切削溝からエッチング液またはガスが回り込んで半導体チップの表面側を損傷させず、半導体チップを効率よく分割できるようにすること。 - 特許庁

It is preferable at hydrogen reduction treatment that they are heat-treated in a hydrogen containing air flow at temperature of 200-600°C, and it is preferable at etching treatment that they are come in contact with a mineral acid solution at temperature of 15-60°C for 10-60 minutes.例文帳に追加

水素還元処理では、水素含有気流中において温度２００〜６００℃で熱処理することが好ましく、エッチング処理では、温度１５〜６０℃の鉱酸溶液に１０〜６０分間接触させることが好ましい。 - 特許庁

Then, when an iron alloy is immersed in the supplied acid solution, the control part 4 maintains the temperature of the inside of the wet etching tank 111 at a predetermined temperature for a predetermined period of time by controlling a heat insulating part 420.例文帳に追加

そして、供給された酸溶液により鉄合金が浸漬されると、制御部４は、保温部４２０を制御してウェットエッチング槽１１１の内部の温度を、予め定めた時間に亘り予め定めた温度に維持する。 - 特許庁

To provide a method for forming a positive metal oxide patterned thin film using a photosensitive sol-gel material containing a metal alkoxide and a chelate stabilizer and using an aqueous alkali solution as an etching solution and to provide a recessed film manufactured using the method for forming a positive metal oxide patterned thin film and a composition for forming a positive metal oxide patterned thin film.例文帳に追加

金属アルコキシドとキレート安定化剤とを含む感光性ゾルゲル材料を用いて、エッチング溶液としてアルカリ水溶液を用いたポジ型金属酸化物パターン薄膜の形成方法、該ポジ型金属酸化物パターン薄膜の形成方法を用いて作製された凹形状膜、並びにポジ型金属酸化物パターン薄膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of oxidating an aluminum foil in a boric acid solution to form a uniform-thickness oxide film, a step of partly etching the aluminum foil with the formed oxide film in a sodium chloride solution containing sulfuric acid ion, and a step of reoxidizing the etched aluminum foil to form an oxide film again.例文帳に追加

ホウ酸溶液内でアルミニウムフォイルを酸化して均一な厚さの酸化被膜を形成させる段階と、前記酸化被膜が形成されたアルミニウムフォイルを硫酸イオンが含まれた塩化ナトリウム溶液中で部分的にエッチングする段階と、及び前記エッチングされたアルミニウムフォイルを再酸化して再び酸化被膜を形成させる段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is thoroughly developed, has high sensitivity, high resolution, good adhesion to a substrate and excellent etching resistance, can be developed with a dilute aqueous alkali solution and makes stripped pieces small in stripping with an aqueous alkali solution and to provide a photosensitive resin laminate and a method for producing the same.例文帳に追加

現像残りがなく高感度、高解像度を有し、基板に対する密着性が良好で、かつ耐エッチング性に優れ、さらに希アルカリ水溶液を用いて現像可能で、アルカリ水溶液による剥離において剥離片形状が細片となる感光性樹脂組成物および感光性樹脂積層体とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The unetched sections are left on the surface of aluminum foil on which an electrically insulating shielding member exists by installing the shielding member closely to the partial surface of the aluminum foil in an electrolytic solution, such as the hydrochloric acid, etc., containing chlorine ions at the time of etching the foil, by dipping the foil in the electrolytic solution and impressing an AC voltage upon the foil.例文帳に追加

アルミニウム箔を塩酸等の塩素イオンを含有する電解液中に浸漬し交流電流を印加してエッチング処理する際に電解液中でアルミニウム箔表面の一部に近接して電気絶縁性の遮蔽部材を設置してエッチングを行うことにより遮蔽部材が存在する表面に未エッチング部分を残存させる。 - 特許庁

An auxiliary layer not dissolving in an electrolytic solution is arranged under an heating resistor arranged between a pair of electrodes on the substrate and the protective functional film constituted of Ir having a contact face with an ink arranged on the heating resistor via an insulation layer and the auxiliary layer is used as an electroconductive layer when electrolyzing and etching the protective functional layer in the electrolytic solution.例文帳に追加

基板上の一対の電極間に設けられた発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上に絶縁層を介して設けられたインクとの接触面を有するＩｒからなる保護機能膜の下に、電解液中で溶出しない補助層を設け、補助層を電解液中で保護機能層を電解エッチングする時の導電層として使用する。 - 特許庁

To provide a low cost film key sheet capable of selecting a free character color by forming a colorless region by removing dye with an etching solution, and enhancing a mass production capability by shortening the time of a decoloring process of a transparent colored layer.例文帳に追加

エッチング溶液による染料の除去により無色領域を形成することで自由な文字色が選定でき、さらに透明着色層の脱色工程が短時間とでき、量産性が向上した低コストのフィルムキーシートの提供 - 特許庁

To obtain a resist removing solution composition which can thoroughly remove the residue of a resist at a low temperature in a short time after etching or ashing in a wiring step for a semiconductor device or a liquid crystal panel device and does not corrode a wiring material in rinsing.例文帳に追加

半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるエッチングまたはアッシング後に残存するレジスト残渣物を、低温、短時間で完全に除去でき、且つ配線材料をリンス時に腐食しないレジスト剥離液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an electrooptical device and a manufacturing method thereof, which avoids pervasion into a reflective electrode due to permeation of an etching solution, expands the reflective electrode up to an edge of a transparent conductive layer, and improves the productivity, and also to provide electronic equipment.例文帳に追加

エッチング液の浸透による反射電極の侵食を回避でき、反射電極を透明導電層の縁まで拡大することができ、かつ生産性を向上することができる電気光学装置とその製造方法および電子機器を提供する。 - 特許庁

In the metal surface treatment method of the copper or copper alloy in the etching amount within the limit of 0.1-30 μm, a metal surface treatment solution including (a) hydrogen peroxide, (b) an inorganic acid or organic acid, (c) azoles (d) a halogen ion, and (e) a silver ion, is used.例文帳に追加

（ａ）過酸化水素、（ｂ）無機酸、有機酸、（ｃ）アゾール類（ｄ）ハロゲンイオン、および（ｅ）銀イオンから成る金属表面処理液を用いて、０．１μｍ〜３０μｍの範囲内でのエッチング量における銅または銅合金の金属表面処理方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode foil for an aluminum electrolytic capacitor in which by allowing a phosphorous acid-containing acqueous solution to securely penetrate an etching opening, a defective portion is efficiently removed, and the reliability of the aluminum electrolytic capacitor can be improved.例文帳に追加

リン酸含有水溶液をエンチング孔の内部まで確実に浸透させることにより、欠陥部を効果的に除去し、アルミニウム電解コンデンサの信頼性を向上可能なアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

When such a cut 25 is formed in the substrate layer 22, the surface protection tape can be stuck up to the peripheral portion of the semiconductor wafer 24 having a curvature and the semiconductor wafer can be prevented from being smeared due to leakage of solution such as etching liquid.例文帳に追加

このような切込部２５が基材層２２に形成されると、曲率を有する半導体ウェハ２４の周縁部にまで表面保護テープを粘着させることができ、エッチング液などの溶液の回り込みによる半導体ウェハの汚染を防止できる。 - 特許庁

To obtain a positive type resist composition having high sensitivity and high resolving power, giving a rectangular photoresist, having good wettability with a developing solution, nearly free from development defects and ensuring a slight dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

高感度及び高解像力で、矩形形状を有するフォトレジストを与え、現像液への濡れ性が良好で現像欠陥が少なく、更に酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写時に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which reduces the penetration of a wet etching solution between a BPSG film and a resist film, thus eliminating the float-up of the resist from even portions densely formed with contact holes.例文帳に追加

本発明は、ＢＰＳＧ膜とレジスト膜との間へのウェットエッチング液の染み込みを減少させることができ、接続孔が密集している部分においてもレジスト浮きが発生することない半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

When the multilayer metal layer comprising layers 31, 33 containing Ni and a layer 32 containing Cu are etched, a substance capable of forming an anti-corrosive coating film on the surface of the layer 32 containing Cu and an etching solution containing ferrous chloride and ferric chloride are used.例文帳に追加

Ｎｉを含む層３１，３３とＣｕを含む層３２とからなる多層金属層をエッチングするに当たり、Ｃｕを含む層３２の表面に防食性被膜を形成する物質と、塩化第１鉄と、塩化第２鉄と、からなるエッチング液を使用する。 - 特許庁

Then the protective film 18 and wiring layer 18 are dry-etched and, successively, the polymer, etc., which adhere to the protective film 24 and wiring layer 18 at the dry etching is removed with an amine-based alkaline solution, etc.例文帳に追加

次に、塗布したフォトレジストをマスクとして、金属配線層保護膜２４と金属配線層１８とをドライエッチングし、続けて、エッチング時に金属配線層保護膜２４と金属配線層１８とに付着したポリマー等をアミン系アルカリ溶液等により剥離する。 - 特許庁

To provide a polishing solution which is capable of improving a polishing rate, reducing an etching rate and polishing friction, improving a polished layer in uniformity through its surface, and forming a very reliable buried pattern made of a metal film by controlling the physical properties of the layer to be polished.例文帳に追加

被研磨層の物性を制御することにより、研磨速度の向上、エッチング速度の低下、研磨摩擦の低下、面内均一性の向上が達成でき、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターン形成を可能とする研磨液を提供する。 - 特許庁

To provide a method for recovering hydrofluoric acid from a hydrofluoric acid waste solution exhausted, e.g., from an etching stage for a glass substrate where scaling is not generated, and refined hydrofluoric acid in which impurities are further reduced can be recovered at a high yield.例文帳に追加

ガラス基板のエッチング工程などから排出されたフッ酸廃液からフッ酸を回収する方法であって、スケーリングの発生がなく、不純物の一層少ない精製フッ酸を高い収率で回収できるフッ酸の回収方法を提供する。 - 特許庁

A heat diffusion layer 7 is formed from a surface 2 of a wafer 1, a tapered trench 12 reaching the heat diffusion layer 7 is formed from a back surface 3 by anisotropic etching with an alkali solution, and a diffusion layer 21 within a trench is formed on a sidewall surface 13 of the trench 12.例文帳に追加

ウェハ１の表面２から熱拡散層７を形成し、裏面３からアルカリ溶液による異方性エッチングで熱拡散層７に達するテーパー状の溝１２を形成し、この溝１２の側壁面１３に溝内拡散層２１を形成する。 - 特許庁

A fitting for feeding and draining water made of a lead- containing copper alloy is dipped into an acid or neutral etching elution treating solution, lead and lead alloys precipitated on the surface are selectively removed, and the elution of lead into water in the case of using the fitting is prevented.例文帳に追加

鉛含有銅合金製の給排水用金具を、酸性又は中性のエッチング溶出処理液に浸漬し、表面に析出せる鉛及び鉛化合物を選択的に除去し、金具使用時に水中への鉛の溶出を防止する。 - 特許庁

In the method, since metal copper is not reduced from an etching waste liquid, there is no need of using an extraction solution easily contaminating chemicals and an expensive ion selective membrane, and there is no need of using high temperature molten copper and purification which extremely consumes electric power.例文帳に追加

本発明の方法はエッチング廃液から金属銅を還元しないため、容易に薬品を汚染する抽出溶液や高価なイオン選択膜を使用する必要も、高温溶銅と非常に電力を消費する純化を用いる必要もない。 - 特許庁

Before cleaning the silicon wafer 11 after implanting the oxygen ion into the silicon wafer 11, a step for etching an SiO_2 film formed on the surface of the silicon wafer 11 by dipping the silicon wafer 11 in the hydrofluoric acid solution 12 is further included.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１に酸素イオンを注入した後であってシリコンウェーハ１１を洗浄する前に、シリコンウェーハ１１をフッ酸水溶液１２に浸漬してシリコンウェーハ１１の表面に形成されたＳｉＯ_2膜をエッチング処理する工程を更に含む。 - 特許庁

To lower the concentration of the chlorine contained in the treated sludge obtained by treating an iron chloride-containing solution containing ferrous ions, for example, a waste etching acid to a sufficiently lower level at which the recycling of the treated sludge is made possible in a cement factory or iron works.例文帳に追加

第一鉄イオンを含む塩化鉄含有溶液、たとえばエッチング廃酸を処理して得られた処理汚泥中の含有塩素濃度をセメント工業又は製鉄所で処理汚泥を再利用することを可能とする十分に低いレベルにする。 - 特許庁

Thereafter, at the time of using the laminated film side wall as an injection mask for forming the source/drain of an MIS transistor and then selectively removing the second oxide film, wet etching is performed with a solution mixture containing hydrofluoric acid and inorganic acid (hydrochloric acid or sulfuric acid or the like).例文帳に追加

その後、積層膜サイドウォールをＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン形成用注入マスクとして使用した後、第２酸化膜を選択的に除去する際、フッ酸と無機酸（塩酸，硫酸など）とを含む混合水溶液でウェットエッチングする。 - 特許庁

Thereby, the cleaning chemical solution shows drastically high cleaning power against cerium oxide by the synergistic effect of the actions of the three components, and foreign matters present on the surface of the glass base material can be removed with a slight etching amount such that a latent flaw is not caused.例文帳に追加

このため、３成分の作用の相乗効果により、該洗浄薬液は酸化セリウムに対して極めて高い洗浄力を有し、潜傷を発生させない程度の極僅かなエッチング量でガラス素材の表面の異物が除去される。 - 特許庁

To provide an environmental response-type etching solution which satisfies surface smoothness, rust preventive properties of a metal or the like and preservation stability, antiseptic properties and roller strip properties required for dampening water, in newspaper offset rotary printing and commercial printing, and is made environmentally friendly.例文帳に追加

新聞オフセット輪転印刷や商業印刷において湿し水に要求される整面性、金属等の防錆性、保存安定性、防腐性、ローラーストリップ適性を満足し、かつ、環境にも配慮した環境対応型のエッチ液を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid jetting head which can surely prevent a wiring cable etc. formed in a second substrate such as a reservoir forming substrate from being broken with an etching solution that wet-etches a first substrate such as a channel forming substrate.例文帳に追加

リザーバ形成基板等の第２の基板に形成された配線等が流路形成基板等の第１の基板をウェットエッチングするエッチング液により破壊されるのを確実に防止することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive composition having a chemical structure transparent to ArF excimer laser beams having a wavelength of 193 nm and high in resistance to dry etching, and a method for forming a negative pattern free from swelling and high in resolution and superior in developability by using an aqueous developing solution of widely used tetramethylammonium hydroxide.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザの波長１９３nmに透明かつドライエッチング耐性が高い化学構造を持ち、汎用のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液による現像で膨潤のない、解像性に優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。 - 特許庁

The member is obtained by subjecting the surface of a dense ceramics base material having a purity of ≥95 wt.% and a mean particle diameter of 10 to 70 μm to corrosion treatment with an acid etching solution, and removing broken layers in the ceramics- worked face.例文帳に追加

このような部材は、純度が９５重量％以上で、平均粒径１０〜７０μｍの緻密質セラミックス基材の表面を、酸性エッチング液中で侵食処理し、セラミックス加工面の破砕層を除去することによって得られる。 - 特許庁

To provide a method for producing high-purity cupric oxide also usable as a plating raw material from a waste copper etching solution, which is discharged at a step of manufacturing a printed wiring board and contains degraded hydrochloric acid and copper chloride as principal components, by a simple process.例文帳に追加

プリントの配線板の製造工程等において排出される、劣化した塩酸及び塩化銅を主成分とするエッチング廃液からメッキ原料としても使用可能な高純度の酸化第２銅を簡単なプロセスで製造する方法の提供。 - 特許庁

After that, after the laminated film sidewall has been used as an injection mask for source and drain formation of a MIS transistor, the sidewall is subjected to wet etching with a water solution containing a hydrofluoric acid and an acetic acid or an isopropyl alcohol, when the second oxide film is selectively removed.例文帳に追加

その後、積層膜サイドウォールをＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン形成用注入マスクとして使用した後、第２酸化膜を選択的に除去する際、フッ酸と酢酸あるいはイソプロピルアルコールとを含む水溶液でウェットエッチングする。 - 特許庁

This method for producing a langasite-based single crystal substrate comprises a step for polishing at least either one main face of a raw material substrate and a step for carrying out wet etching of main face of the polished substrate in a solution containing H3PO4, HNO3 and CH3COOH.例文帳に追加

ランガサイト系単結晶基板の製造方法は、原料基板の少なくとも一方の主面を研磨する工程と、この研磨した基板の主面をＨ_3ＰＯ_4、ＨＮＯ_3およびＣＨ_3ＣＯＯＨを含む溶液で湿式エッチングする工程とを備える。 - 特許庁

The composition for etching a resin molding formed of resin elements containing styrene-based resin and polyamide-based resin consists of aqueous solution containing 0.1-10 g/l surfactant, 20-600 g/l inorganic acid and 0.1-50 g/l organic acid.例文帳に追加

界面活性剤０．１〜１０ｇ／ｌ、無機酸２０〜６００ｇ／ｌ及び有機酸０．１〜５０ｇ／ｌを含有する水溶液からなる、スチレン系樹脂及びポリアミド系樹脂を含む樹脂成分から形成される樹脂成形体用のエッチング処理用組成物。 - 特許庁

To provide a recovery device of oxalate ions from an indium oxalate aqueous solution for effectively recovering oxalate ions included in oxalic acid etching waste liquid, which is used for processing indium-containing materials to be etched, and reducing a renewal frequency of an oxalic acid liquid.例文帳に追加

インジウム含有被エッチング材を処理したシュウ酸エッチング廃液中に含まれるシュウ酸イオンを効果的に回収し、シュウ酸液の更新頻度を低減させることの可能なシュウ酸インジウム水溶液からのシュウ酸イオンの回収装置を提供する。 - 特許庁

Then wet etching is applied to the lower face of the silicon substrate 1 by uniformly spraying a solution of hydrofluoric acid dissolvable of silicon to the lower face to remove the burrs 23 and the silicon trashes 24, resulting in making the lower face of the silicon substrate 1 other than the recess 22 flat.例文帳に追加

そこで、次に、シリコン基板１の下面にシリコン溶解可能なフッ酸等の溶液を均等に吹き付けてウェットエッチングを行なうと、バリ２３及びシリコン屑２４が除去され、シリコン基板１の凹部２２以外の下面が平坦化される。 - 特許庁

On the cut surface of the bar including the medium opposing surface 30, a resist solution is applied to form a resist layer 21, a mask is formed by patterning this resist layer 21, and a magnetic pole part is machined and formed by etching using this mask.例文帳に追加

そして、バーにおける媒体対向面３０を含む切断面に、レジスト溶液を塗布してレジスト層２１を形成し、このレジスト層２１をパターニングしてマスクを形成し、このマスクを用いたエッチングによって磁極部分を加工、形成する。 - 特許庁

The coating solution contains, at least, a first coating formation component and a second coating formation component which has a molecular polarity higher than that of the first coating formation component and has an etching resistance smaller than that of the first coating formation component during formation of the coating.例文帳に追加

塗布液が、第１の被膜形成成分と、前記第１の被膜形成成分と比較して、分子の極性が大きくかつ成膜時にエッチング耐性が小さくなる第２の被膜形成成分とを少なくとも含んでなるように構成する。 - 特許庁

Electrode active material can be fixed firmly by performing chemical etching on the aluminum foil while immersing into solution containing nitric acid of 0.5-6 M at 40-80°C for 30-300 sec and a collector stable for electrolyte can be obtained at a low cost.例文帳に追加

該アルミニウム箔に対し、４０〜８０℃で０．５〜６Ｍの硝酸を含む溶液に３０〜３００秒浸漬して化学エッチングを行うことで電極活物質を強固に固定でき、電解液に対しても安定な集電体を低コストで得られる。 - 特許庁