「etching solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

In the etching apparatus to spray the etching solution from a spray nozzle on a surface of the printed circuit board carried by a carrying roll in the horizontal direction, flat spray nozzles are arranged in an inclined manner in the V-shape to the axis of the carrying roll.例文帳に追加

搬送ロールにより水平に搬送されるプリント回路基板の表面に、スプレーノズルによりエッチング液を噴霧するようにしてなるエッチング装置において、スプレーノズルとしてフラット状スプレーノズルを搬送ロール軸に対しハ字状に傾斜配置してなる。 - 特許庁

An etching method of an amorphous oxide semiconductor film containing at least either of gallium and zinc, and indium selectively etches the amorphous oxide semiconductor film by an alkaline etching solution.例文帳に追加

ガリウム又は亜鉛の少なくともいずれか一方とインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜のエッチング方法であって、アルカリ性のエッチング液によって前記アモルファス酸化物半導体膜の選択エッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

An acid cleaning step in which the substrate with the multilayer film of gold or the like/chromium or the like is cleaned with an aqueous solution having a nitric acid concentration of ≥35 wt.% and a cerium ammonium nitrate concentration lower than that in an etching liquid is provided between an etching step and the water washing step.例文帳に追加

エッチング工程と水洗工程の間に、金等／クロム等積層膜付き基板を、硝酸濃度３５重量％以上であって硝酸セリウムアンモニウム濃度がエッチング液より低い水溶液で洗浄する酸洗浄工程を設ける。 - 特許庁

The strong acid liquid consists of a sulfuric acid solution of 3 % or higher but 70 % or lower in weight, and the etching is conducted at 50-90°C for 1-15 minutes.例文帳に追加

強酸性液は３重量％以上７０重量％以下の濃度の硫酸水溶液から成り、エッチング処理を５０℃乃至９０℃で１分乃至１５分間行う。 - 特許庁

That is, after etching its ferroelectrics film by using a resist as a mask, it is subjected to the wet processings by using the aqueous solution of the phosphoric acid, after a resist ashing or both before and after the resist ashing.例文帳に追加

レジストをマスクとして強誘電体膜をエッチングしたあと、レジストアッシング後またはアッシング前後の両方に燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。 - 特許庁

A defect on a surface of the metallic silicide layer with the shallow groove is removed with a second etching solution to form a metallic silicide layer with a smooth surface.例文帳に追加

第２蝕刻液を使用して浅い溝が形成された金属シリサイド層表面に存在する欠陥を除去して滑らかな表面の金属シリサイド層を形成する。 - 特許庁

To reduce the fluctuation of the frequency of an etched wafer by holding the temperature of etching solution in an internal tank, and to completely exclude the influence of any external environment.例文帳に追加

内槽内のエッチング液の温度を保持して、エッチング上がりのウェハの周波数のバラツキを低減させるとともに、外部環境の影響を完全に排除する。 - 特許庁

The pattern on the upper layer is made smaller to expand the gap between the patterns, thereby preventing the flow of the developing solution or the etching liquid from being blocked.例文帳に追加

この際、各層のパターンを上層ほど小さく形成することによってマスクパターン同士の隙間を広げ、現像液やエッチング液の流れが阻害されないようにする。 - 特許庁

To provide a method for forming a silica-based washability working film, where a part that is worked and exposed by selective etching treatment has washability by an acid solution.例文帳に追加

選択的エッチング処理により加工され露出した部分が酸水溶液による洗浄耐性を有するシリカ系耐洗浄性加工被膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The surface of the active layer 10A is etched as far as 1 nm to 1 μm with an etching solution after a separation is made, and the final thickness of the active layer 10A is set at 200 nm or below.例文帳に追加

剥離後の活性層１０Ａの表面を、エッチング作用を有する溶液により１ｎｍ〜１μｍだけエッチングし、最終活性層厚を２００ｎｍ以下とする。 - 特許庁

Next, a hydrogen fluoride aqueous solution is introduced through the holes 22 for introducing the etching agent, thereby only the clad layer 212 is etched only in a specific area to form an air bridge cavity 23 ((c)).例文帳に追加

次に、エッチング剤導入用空孔２２からフッ化水素水溶液を導入してクラッド層２１２のみを一定の範囲だけエッチングし、エアブリッジ空洞２３を形成する((c))。 - 特許庁

The etchant of the compound semiconductor used for etching the Ga_xIn_1-xP semiconductor (0.9≤x≤1.0) is characterized in that it is composed of aqueous solution containing iodine, potassium iodide, and ammonia.例文帳に追加

Ｇａ_xＩｎ_1-xＰ半導体（0.9≦ｘ≦1.0）をエッチングするために用いられる化合物半導体のエッチング液であって、ヨウ素、ヨウ化カリウム及びアンモニアを含む水溶液からなること。 - 特許庁

Then, by etching the SiGe layer via the groove using a nitrohydrofluoric solution, a cavity 25 is formed between the Si substrate 1 and the Si layer 5.例文帳に追加

次に、フッ硝酸溶液を用いて上記溝を介してＳｉＧｅ層をエッチングすることによって、Ｓｉ基板１とＳｉ層５との間に空洞部２５を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the heated substrate is immersed in the plating solution for plating nickel/iron alloy during a prescribed time and the oxide film on the surface of seed is removed by etching (oxide film removing process).例文帳に追加

次に、加温された基板を、ニッケル／鉄合金をメッキするためのメッキ液に所定時間浸漬し、シード表面の酸化膜をエッチング除去する（酸化膜除去工程）。 - 特許庁

The etchant of low reaction rate where sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed, is used in the etching device so as to etch the printed circuit board etc., of a fine pitch over a long time.例文帳に追加

エッチング装置に硫酸と過酸化水素水とを混合した反応速度の遅いエッチング液を用いており、ファインピッチのプリント配線基板等を時間をかけてエッチングする。 - 特許庁

The etching solution for structure observation of copper or the copper alloy contains nitric acid, sulfuric acid, a copper sulfate salt, sodium hydroxide, and hydrogen peroxide as an initial composition for injecting into a bath.例文帳に追加

建浴組成として、硝酸、硫酸、硫酸銅塩、水酸化ナトリウム及び過酸化水素を含有する銅または銅合金の組織観察用エッチング液とする。 - 特許庁

The etching solution contains anmonium ceric nitrate of 16 to 30 wt.% and nitric acid of 2 to <5 wt.%.例文帳に追加

硝酸第２セリウムアンモニウムの１６重量％〜３０重量％と、硝酸の２重量％以上５重量％未満を含有することを特徴とするエッチング液。 - 特許庁

To provide a method for regenerating an etching solution by which productivity is improved, the equipment cost and running cost are reduced, and further, waste matter is eliminated to prevent environmental disruption.例文帳に追加

生産性を向上させ、設備費やランニングコストを低減するとともに、廃棄物のなくすことで環境破壊を起こさないエッチング液の再生方法を提供する。 - 特許庁

A natural oxide film formed on the surface of a silicon 1 is removed by etching the silicon 1 with a hydrofluoric acid-based solution (e.g. HF) to expose the cleaned silicon surface.例文帳に追加

シリコン１をフッ酸系溶液(例えばＨＦ)を用いてエッチングして表面に形成された自然酸化膜を除去し、清浄なシリコン表面を露出させる。 - 特許庁

To provide a wet etching solution capable of removing a silicon oxide film without forming a large step between a metal silicide region and a silicon region.例文帳に追加

金属シリサイド領域とシリコン領域との間に大きな段差を形成することなくシリコン酸化膜を除去することのできる湿式エッチング溶液を提供する。 - 特許庁

Then opening part processing is carried out for a flattening film 64 and a protective insulating film 62, and surface products of titanium as an upper most layer is removed with a surface etching solution.例文帳に追加

その後に平坦化膜６４と保護絶縁膜６２の開口部処理が行われ、表面エッチング液によって最上層のチタンの表面生成物が除去される。 - 特許庁

An etching composition for ruthenium is used which contains (a) carboxylic acid and/or ammonia, (b) hydrogen peroxide, and (c) water and a solution thereof is acid.例文帳に追加

（ａ）カルボン酸及び／又はアンモニア，（ｂ）過酸化水素，（ｃ）水を含んでなり、その水溶液が酸性であることを特徴とするルテニウムのエッチング用組成物を用いる。 - 特許庁

This etching stopper film is obtained by coating and baking a solution that contains (A) aromatic poly arylene and/or aromatic poly arylene ether, (B) an organic solvent.例文帳に追加

（Ａ）芳香族ポリアリーレンおよび／または芳香族ポリアリーレンエーテル、（Ｂ）有機溶剤を含有する溶液を塗布並びに焼成することにより得られるエッチングストッパー膜。 - 特許庁

The wiring board 11 is manufactured by first softly etching the copper marks 24 by using an etchant consisting of an aqueous solution consisting essentially of hydrogen peroxide and sulfuric acid.例文帳に追加

この配線基板１１を製造する場合には、まず、過酸化水素と硫酸とを主成分とする水溶液からなるエッチング液を用いて銅マーク２４をソフトエッチングする。 - 特許庁

Control signals 8 are sent to a hydrogen peroxide feed pump 3 corresponding to the concentration of nitrous ion, by which the etching solution 2 can be kept constant in nitrous ion concentration.例文帳に追加

過酸化水素供給ポンプ３に亜硝酸イオン濃度に応ずる制御信号８が送れることによりエッチング液２の亜硝酸イオン濃度を一定にコントロールする。 - 特許庁

A plating method using a plating solution containing no brightener, or a method wherein surface is roughened by etching is performed in order to form the roughened surface of the copper bump 3.例文帳に追加

銅バンプ３の粗面３ａを形成するには、光沢剤を含まないメッキ液を用いてメッキを行なう方法、または表面をエッチングにより粗面化する方法が採られる。 - 特許庁

Thereafter, by peeling off a second dry film 8 and using cupric chloride as an etching solution, the part of the copper foil 1 not protected by the tin plating 7 is dissolved.例文帳に追加

その後に、第二ドライフィルム８を剥離し、塩化第二銅をエッチング溶液として使用することにより、錫メッキ７によって保護されていない銅箔１部分を溶解させる。 - 特許庁

To provide an image fiber scope having excellent resistance to a corrosive solution and corrosive gaseous atmosphere in order to allow the observation on the spot in etching or electrolytic processing.例文帳に追加

エッチングや電解加工におけるその場観察を可能とするため、腐食性溶液や腐食性ガス雰囲気に対する耐性に優れたイメージファイバスコープを提供することにある。 - 特許庁

Prior to etching treatment, an aluminum material comprising Al-Ni based precipitates on the surface is subjected to immersion treatment in an aqueous solution containing hydrophosphoric acid and/or hydrophosphite.例文帳に追加

エッチング処理に先立って、表面にＡｌ−Ｎｉ系析出物を有するアルミニウム材を次亜リン酸または／および次亜リン酸塩を含む水溶液中で浸漬処理する。 - 特許庁

To provide a semiconductor sensor device capable of forming a diaphragm structure without performing any etching using an alkali solution and realizing microfabrication, and a method of manufacturing the semiconductor sensor device.例文帳に追加

アルカリ溶液を用いたエッチングを行なうことなくダイヤフラム構造を形成でき、微細化を実現できる半導体センサ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The SOG film in the groove 50A is selectively removed by wet-etching using a dilute hydrofluoric acid water solution to form a groove 50 composed of the grooves 50A and 50B.例文帳に追加

その後、希フッ酸水溶液を用いたウェットエッチングにより、溝５０Ａ内のＳＯＧ膜を選択的に除去することによって、溝５０Ａ、５０Ｂからなる溝５０を形成する。 - 特許庁

The electrolytic etching solution for a titanium based metallic material comprises a compound(s) expressed by formula and an alkali metal chloride(s) and/or an alkaline-earth metal chloride(s).例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）で表される化合物ならびにアルカリ金属塩化物および／またはアルカリ土類金属塩化物を含むチタン系金属材料用電解エッチング液。 - 特許庁

Thereafter, anisotropic wet etching is performed to the crystal orientation with a KOH solution for approximately 10 minutes to obtain a flat crystal face (100) on the side wall face of a mirror 4.例文帳に追加

その後、ＫＯＨ溶液により結晶方位に対し異方性のウエットエッチングを１０分程度行って、ミラー４の側壁面を平滑な結晶面（１００）とする。 - 特許庁

To provide a fluorine-containing resist composition developable with an aqueous alkali solution, capable of adopting a short-wavelength light source and excellent in flatness, dry etching resistance, heat resistance, etc.例文帳に追加

アルカリ水溶液で現像可能で、短波長の光源が適用でき、平坦性、ドライエッチング耐性および耐熱性等に優れた含フッ素レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

Consequently, an increase in the concentration of the siloxane in the aqueous phosphoric acid solution is suppressed to maintain an initial etching rate for both the silicon nitride film and a silicon oxide film.例文帳に追加

その結果、リン酸水溶液中のシロキサン濃度上昇が抑制され、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜の双方について初期のエッチングレートを維持することができる。 - 特許庁

To provide a fluorine-containing photoresist composition developable with an aqueous alkali solution, capable of adopting a short-wavelength light source and capable of retaining flatness, dry etching resistance, heat resistance, etc.例文帳に追加

アルカリ水溶液で現像可能で短波長の光源が適用でき、平坦性、ドライエッチング耐性、耐熱性等が保持できる含フッ素光レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

In the object to be plated having a nickel plating film as an outermost layer, the surface of the nickel plating film is pickled with an organic carboxylic acid solution, and is subjected to etching.例文帳に追加

最外層としてニッケルめっき被膜を有する被めっき物の当該ニッケルめっき被膜の表面を有機カルボン酸溶液で酸洗してエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a fluorine-containing photoresist composition developable with an aqueous alkali solution, capable of adopting a short-wavelength light source and excellent in flatness, dry etching resistance, heat resistance, etc.例文帳に追加

アルカリ水溶液で現像可能で短波長の光源が適用でき、平坦性、ドライエッチング耐性、耐熱性等が優れた含フッ素光レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a new method for processing a substrate surface by which an etching solution can be reused, and the contamination of the surface to be processed caused by the intrusion of impurities can be suppressed.例文帳に追加

エッチング溶液の再利用が可能であり、また、不純物の混入による加工表面の汚染を抑制できる、新たな基板表面の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a preparation method of an etching liquid which can easily and speedily dissolve the desired quantity of silicon in a flowing phosphoric acid solution.例文帳に追加

流動する燐酸溶液中に所望の量の珪素を簡単且つ、迅速に溶解させるエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, the gate insulating film 11 is etched with an etching solution that hardly dissolves the laser-irradiated region 100A and dissolves the laser non-irradiated region 100B.例文帳に追加

その後、光照射領域１００Ａに対しては難溶で且つ未照射領域１００Ｂに対しては可溶なエッチング液によりゲート絶縁膜１１をエッチングする。 - 特許庁

The method of manufacturing the multilayer printed wiring board includes the steps of forming, by laser irradiation, a via hole 5 in an insulating layer 4 formed by a prepreg 3 comprised of a glass cloth 1 impregnated with a thermosetting resin composition 2, subjecting the via hole 5 to a glass etching processing with a glass etching solution, and then subjecting the via hole to a desmear processing with an oxidizing agent solution.例文帳に追加

本発明の多層プリント配線板の製造方法は、ガラスクロス１に熱硬化性樹脂組成物２を含浸させたプリプレグ３により形成された絶縁層４に、レーザー照射によりビアホール５を形成し、該ビアホール５にガラスエッチング溶液によるガラスエッチング処理を施した後、酸化剤溶液によるデスミア処理を施す。 - 特許庁

By utilizing the selection etching characteristics of the GaAs and InGaAs of etching solution where hydrogen peroxide water is mixed with alkaline solution, and at the same time the pH of the mixed liquid is equal to 9.5 or more and 11.5 or less, an InGaAs layer is set to an overhang, and the undercut structure is formed in a shape where a GaAs layer is engraved.例文帳に追加

過酸化水素水とアルカリ性水溶液を混合し、かつ、その混合液のｐＨが９．５以上１１．５以下であるエッチング溶液が持つＧａＡｓとＩｎＧａＡｓの選択エッチング特性を利用することにより、ＩｎＧａＡｓ層を庇としＧａＡｓ層が掘り込まれた形状のアンダーカット構造を形成することができる。 - 特許庁

A chemical etching solution 5 is brought into contact with an inorganic material thin film 1 deposited by fine crystal grains 2 composed of intergranular regions easy to be dissolved into the chemical etching solution 5 and intragranular regions 3 hard to be dissolved therewith to dissolve the intergranular regions 4, and fine ruggedness is formed on the surface of the inorganic material thin film 1, by which the above problem is solved.例文帳に追加

化学エッチング液５に溶解し易い粒界領域４と溶解し難い粒内領域３とからなる微結晶粒２によって形成された無機材料薄膜１に、化学エッチング液５を接触させて粒界領域４を溶解し、無機材料薄膜１の表面に微小な凹凸を形成することによって、上記課題を解決する。 - 特許庁

The method of manufacturing the piezoelectric vibrator includes: a first etching process of processing a surface of the piezoelectric vibration piece 2 using a first etchant consisting of a potassium hydroxide aqueous solution prior to a process of mounting the piezoelectric vibration piece 2; and a second etching process of processing the surface of the piezoelectric vibration piece 2 using a second etchant consisting of a solution of potassium ferricyanide and potassium hydroxide.例文帳に追加

圧電振動片２をマウントする工程の前に、水酸化カリウム水溶液からなる第１エッチャントを用いて圧電振動片２の表面を処理する第１エッチング工程と、フェリシアン化カリウム及び水酸化カリウムの水溶液からなる第２エッチャントを用いて圧電振動片２の表面を処理する第２エッチング工程とを有することを特徴とする - 特許庁