「formation process」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing an NAND flash element, which reduces a plug forming process by overall etching and secures a process margin by reduction in thickness of an etching layer at the time of drain contact formation.例文帳に追加

全面エッチングによるプラグ形成工程を減らすことができ、ドレインコンタクト形成時にエッチング層の厚さ減少による工程マージンを確保することが可能なＮＡＮＤフラッシュ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an effective computation method for clarifying a dynamic process, not a conventional static computational result, in a quantum dot formation process expected to be a basis for development of next-generation optical semiconductor devices.例文帳に追加

次世代の光半導体デバイス開発の基礎になるものと期待されている、量子ドットの形成過程について、従来の静的な計算結果ではなく、動的過程を解明するための有効な計算方法を提供する。 - 特許庁

Also, from the transfer process to the printing medium to a fixing process, the surface temperature at least on the toner image formation surface side of the printing medium is held higher than the softening temperature of the toner solid content and lower than the melting temperature.例文帳に追加

また、印刷媒体への転写過程から定着過程への間に、印刷媒体の少なくともトナー画像形成面側の表面温度をトナー固形分の軟化温度以上で溶融温度以下に保持する。 - 特許庁

To prevent lowering of yield due to poor formation of a scintillator in production process, to improve work efficiency by simplifying the production process, and to manufacture high precision radiation image detectors.例文帳に追加

製造工程におけるシンチレータ部の形成不良による歩留まり低下を防止し、製造工程を簡素化して作業効率を向上させながら、高精度な放射線画像検出装置の製造を可能にする。 - 特許庁

On the job site for burial, a prescribed place on the ground is excavated for the formation of a burying pit H (an excavating process); and the pump unit A, which is conveyed from the factory, is housed and installed in the burying pit H so as to be made approximately horizontal (an installation process).例文帳に追加

埋設現場では地面の所定箇所を掘削して埋設坑Ｈを形成し（掘削工程）、ここに工場から搬送したポンプユニットＡを収容して、略水平になるように設置する（設置行程）。 - 特許庁

To provide a dry etching device exhaust electrode which makes uniform formation of plasma on a wafer and reduces a volume occupied by a process chamber, and the process chamber of a semiconductor device manufacturing dry etching device.例文帳に追加

ウェーハ上でのプラズマの形成を均一にし、また工程チャンバーが占める体積を減らす乾式エッチング装置用排気エレクトロード及び半導体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバーを提供する。 - 特許庁

To provide a nickel paste that is capable of preventing the occurrence of structural defects such as delamination during a debinder process and a subsequent firing process for a layered ceramic capacitor, and that is suitable for formation of an inner electrode of nickel.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサの脱バインダー工程及びその後の焼成工程において、層間剥離などの構造欠陥の発生を防止でき、ニッケル内部電極の形成に好適なニッケルペーストを提供する。 - 特許庁

A dry etching method has: a process for performing the pattern formation of resist on a member to be etched made of a substance containing zinc oxide; and a process for etching the member to be etched by gas containing reducing gas.例文帳に追加

酸化亜鉛を含む物質からなる被エッチング部材の上にレジストをパターニング形成する工程と、還元性ガスを含むガスを用いて前記被エッチング部材をエッチングする工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus, process cartridges, developing devices and an image formation method which prevent an erroneous exchange by a worker on the process cartridges or developing devices of a plurality of colors and which makes stock management and manufacture costs low.例文帳に追加

複数色のプロセスカートリッジ又は現像装置に対する作業者による交換ミスがなく、在庫管理コストや製造コストが低い画像形成装置、プロセスカートリッジ、現像装置、及び、画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of an electrodeposition grinding wheel, which achieves an automated unmanned masking process and high-efficient formation of a masking with a micro-complicated pattern, and which is sufficiently suitable for mass production.例文帳に追加

電着砥石の製造工程において、マスキング工程を自動化、無人化できるだけでなく、微細で複雑なパターンのマスキングでも高能率に形成でき、しかも量産に十分に対応可能なものを提供する。 - 特許庁

Further, the protection film 10 can be formed simultaneously in the same process as the pixel electrode 9, and thereby the protection film 10 can be formed without using a dedicated device and process for formation of the protection film 10.例文帳に追加

また、保護膜１０は、画素電極９と同一の工程で同時に形成することができるので、保護膜１０を形成するための専用の装置や工程を用いることなく、保護膜１０を形成することができる。 - 特許庁

To provide a cement raw material firing process by which the formation of carbon monoxide can efficiently be inhibited by using a small amount of oxygen and the throughput of combustible waste can be enhanced, and also to provide a firing equipment for the process.例文帳に追加

少ない酸素量で効率良く一酸化炭素の生成を抑制することができ、可燃性廃棄物の処理量を高めることができるセメント原料の焼成方法および焼成装置を提供する。 - 特許庁

This kind of electrolyte can be realized by superposing a formation process for an inorganic solid electrolyte film on at least a part of a process for etching a base material surface by irradiating inert gas ions on the base material surface.例文帳に追加

このような電解質は、基材表面に不活性ガスイオンを照射して基材表面をエッチングする工程の少なくとも一部に無機固体電解質膜の形成工程を重複させることで実現できる。 - 特許庁

The control part can detect that the process cartridge is mounted in the body and the toner cartridge is mounted in the body and determines whether or not the formation of the toner image by the process cartridge is permitted.例文帳に追加

制御部は、プロセスカートリッジが本体に装着されていること、及び、トナーカートリッジが本体に装着されていること、を検出可能であり、プロセスカートリッジによるトナー画像の形成を許可するか否かの判断を行う。 - 特許庁

Etching of a semiconductor layer and formation of contact holes for connecting pixel electrodes with drain electrodes are performed in the same photolithography process and etching process when forming an element region on a substrate via a release layer.例文帳に追加

剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。 - 特許庁

The method for measuring the thickness of the epitaxial layer in a manufacturing process of the epitaxial wafer includes formation of the epitaxial layer on the surface of a semiconductor wafer by subjecting the semiconductor wafer to an epitaxial growth process.例文帳に追加

半導体ウェーハをエピタキシャル成長工程に付すことにより、該半導体ウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することを含むエピタキシャルウェーハの製造工程におけるエピタキシャル層の膜厚測定方法。 - 特許庁

The heat treatment process removes a metal oxide produced by the selective oxidation process by a reducing a reaction or prevents the formation of whisker nuclei by making the metal oxide contain hydrogen atoms to suppress surface mobility.例文帳に追加

熱処理工程は選択的酸化工程による金属酸化物を還元反応によって除去したり、又は、金属酸化物の内部に水素原子を含ませて、ウィスカ核の形成を防止し、表面移動度を抑制する。 - 特許庁

When the prescribed condition ends in failure in the link determination process, this picture formation system executes the erasure process for erasing the set erased block from the game space.例文帳に追加

そして、この画像生成システムは、連鎖判定処理において所定の条件が不成立になった場合には、設定された消滅対象ブロックをゲーム空間から消滅させる消滅処理を行うようになっている。 - 特許庁

To provide a process for inhibiting the formation of a scum layer, which inhibits formation of a scum layer in a sewage treatment facilities, also to provide a spray nozzle for removing a scum layer or inhibiting a scum layer from being formed and further to provide a biological reaction vessel provided with the spray nozzle.例文帳に追加

下水処理設備におけるスカム層の発生を防止するスカム層発生防止方法、そのスカム層除去用或いはスカム層発生防止用のスプレーノズル、及びこのスプレーノズルを備えた生物反応槽に関するものである。 - 特許庁

In a process of a rise of the double-phase water level for a long time from the formation of an air pocket to the formation of a pressure syphon, an estimation formula (empirical formula) utilizing analogy of the amount of entrained air is used to evaluate the shape of the syphon pipeline.例文帳に追加

その後の空気溜り形成から圧力サイホン形成までの長時間の二相水位上昇過程においては、空気連行量の相似則を利用した予測式（経験式）を用いて、サイホン管路形状の評価をする。 - 特許庁

To provide an electrophotographic device which can suppress stripe type image defects even when the device is left to stand for a long time after an end of image formation to the next image formation, while achieving a high-speed process and a long service time of the electrophotographic device.例文帳に追加

電子写真装置や高速化、高寿命化を達成しつつ、画像形成終了時から次の画像形成まで長時間放置されてもスジ状の画像不良を抑制できる電子写真装置を提供することである。 - 特許庁

A first print frequency in acquiring the print object data from any image formation apparatus other than its own device, and printing the print object data in a print process is compared with a second print frequency in the other image formation apparatus of the data.例文帳に追加

印刷対象のデータを自装置以外の他の画像形成装置から取得して前記印刷工程で印刷した場合の第１印刷回数と、前記データの他の画像形成装置における第２印刷回数とを比較する。 - 特許庁

With respect to the coated paper, a pretreatment means is brought near to a recording material, and the coated paper is introduced into a fixing process; and in the rear surface image formation of both side image formation, the pretreatment means is made to retreat, and the coated paper is introduced.例文帳に追加

塗工紙に対しては、前処理手段を記録材に接近させて定着工程に塗工紙を導入するが、両面画像形成における裏面画像形成では、前処理手段を後退させて塗工紙を導入する。 - 特許庁

To provide a method for simply and inexpensively suppressing the formation of cracks in gel without treating gel and using a reagent such as an organic solvent or a gas for suppressing the formation of cracks during a process for drying hydrous wet gel.例文帳に追加

含水湿潤ゲルを乾燥させる過程で、ゲルに手を加えず、かつ有機溶媒や気体など亀裂の発生を抑制するための試薬を使用することなく、ゲルの亀裂の発生を簡単、安価に抑制する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method by which the formation of cracks is inexpensively and easily suppressed in a drying process for water-containing wet gel without modifying the gel and without using reagents for suppressing the formation of cracks such as organic solvents and gas.例文帳に追加

含水湿潤ゲルを乾燥させる過程で、ゲルに手を加えず、かつ有機溶媒や気体など亀裂の発生を抑制するための試薬を使用することなく、ゲルの亀裂の発生を簡単、安価に抑制する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a formation method of a thin film capable of forming a thin film at a low cost without including a complicated process by using a liquid phase film formation method, and of accurately controlling a coating area; and to provide a spacer and an image display device.例文帳に追加

液相成膜法を用いローコストで、煩雑な工程を含まず成膜を行い、かつ精度よい被覆領域の制御を行うことができる薄膜の形成方法、スペーサ及び画像表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A deposition preparation process (step S1) for preparing an electrode member which functions as a fuel electrode or an air electrode as an object of deposition, a gel formation process (step S2) mixing metal salt and citric acid solution to form anhydrous citric acid complex gel, and a solution formation process (step S3) esterifying anhydrous citric acid complex gel and forming anhydrous citric acid complex solution are carried out.例文帳に追加

燃料極または空気極として機能する電極部材を成膜の対象として準備する成膜準備工程（ステップＳ１）と、金属塩とクエン酸水溶液とを混合し、無水クエン酸錯体ゲルを作製するゲル作製工程（ステップＳ２）と、無水クエン酸錯体ゲルをエステル化し、無水クエン酸錯体溶液を作製する溶液作製工程（ステップＳ３）とを行う。 - 特許庁

If a request for image formation processing at the image forming apparatus not having a function of process limitations is made, the management device compares the process history information of an image formation processing by a requesting user using the image forming apparatus with the permission information, and if the process history information exceeds the permission information, the permission information is changed according to the excess.例文帳に追加

処理制限機能を有さない画像形成装置での画像形成処理要求が行なわれると、管理装置において要求元のユーザによるその画像形成装置を用いた画像形成処理の処理履歴情報と許可情報とを比較し、処理履歴情報が許可情報を超えている場合には超過分に基づいて許可情報を変更する。 - 特許庁

This probe pin manufacturing method for manufacturing the probe pin for supplying a signal to an electronic device is provided with a mask layer formation process for forming a mask layer having a predetermined pattern on a substrate, a groove part formation process for forming a groove part on the substrate by etching the substrate, and an accumulation process for accumulating a metal material in the groove part by using the mask layer as a mask.例文帳に追加

電子デバイスに信号を供給するためのプローブピンを製造するプローブピン製造方法であって、基板に所定のパターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層をマスクとして、基板をエッチングし、前記基板に溝部を形成する溝部形成工程と、マスク層をマスクとして、溝部に金属材料を堆積する堆積工程とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method of the low dielectric insulating film comprises a siloxane resin film formation process for forming a siloxane resin film by applying a low dielectric insulating film formation material containing a siloxane resin on a substrate, a surface treatment process for making the surface of the siloxane resin film hydrophilic by means of surface treatment liquid and a baking process for baking the siloxane resin film which is subjected to surface treatment.例文帳に追加

シロキサン樹脂を含有する低誘電率絶縁膜形成材料を基板上に塗布してシロキサン樹脂被膜を形成するシロキサン樹脂被膜形成工程と、該シロキサン樹脂被膜の表面を表面処理液で親水性化する表面処理工程と、該表面処理されたシロキサン樹脂被膜を焼成する焼成工程とを含む低誘電率絶縁膜の製造方法である。 - 特許庁

The method includes a reaction process for formation of (meth) acrylic acid by oxidizing a raw material, a distillation process of a crude (meth) acrylic acid separating light fractions from the reaction mixture, a recovering process for (meth)acrylic acid by thermally decomposing the by-products and a process for supplying the recovered (meth)acrylic acid to the distillation process.例文帳に追加

（メタ）アクリル酸製造原料化合物を酸化反応させる（メタ）アクリル酸生成反応工程と、該（メタ）アクリル酸生成反応工程からの反応液から軽質分を分離して粗（メタ）アクリル酸とする蒸留工程と、製造工程で生じる副生物を熱分解して（メタ）アクリル酸を回収する工程と、この回収された（メタ）アクリル酸を前記蒸留工程に供給する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a surface-treated cold-rolled steel plate, by which a cleaning process before an annealing process and/or a cleaning process after the annealing process and before a surface treatment process can be stably performed by immersion cleaning without causing excess foam formation so that a surface treatment failure is not caused on an obtained cold-rolled steel plate.例文帳に追加

焼鈍工程の前の洗浄工程、及び／又は、前記焼鈍工程の後で表面処理工程の前の洗浄工程を、過剰な発泡を伴うことなく安定に、かつ、得られる冷間圧延鋼板に表面処理不良が生じないように、浸漬洗浄により行うことができる、表面処理された冷間圧延鋼板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A manufacturing method of a display device includes: a lamination process for forming a laminated substrate base material 34 by laminating a first substrate base material 31 to a second substrate base material on each of which terminal portions are formed in each panel formation area 40; and a division process for dividing the laminated substrate base material 34 in each panel formation area.例文帳に追加

パネル形成領域４０毎に端子部がそれぞれ形成された第１基板母材３１と、第２基板母材３２とを貼り合わせて貼合せ基板母材３４を形成する貼り合わせ工程と、貼合せ基板母材３４をパネル形成領域４０毎に分断する分断工程とを備える。 - 特許庁

This manufacturing method of a reflection plate has a projecting part formation process for discharging a resin material from an ink-jet head 50 to form plural resin projecting parts 17 on a substrate, and a reflection film formation process for coating the substrate formed with the plural resin projecting parts 17 with a reflection film 16'.例文帳に追加

本発明に係る反射板の製造方法は、インクジェットヘッド５０から吐出される樹脂材料によって、基板上に複数の樹脂凸部１７を形成する凸部形成工程と、前記複数の樹脂凸部１７が形成された基板の表面を、反射膜１６’で覆う反射膜形成工程とを有している。 - 特許庁

A thick film having through-holes 10h is formed by an aperture formation process for forming a thick film 11 which has temporary apertures 11h containing one or more portions for forming through-holes, and by a through-hole formation process for forming a thick film 12 while leaving through-holes 12h in the inside of the temporary apertures 11h.例文帳に追加

貫通孔１０ｈを有する厚膜を、貫通孔を形成する部分を１か所以上含む仮の開口部１１ｈを有する厚膜１１を形成する開口部形成工程と、仮の開口部１１ｈの内部に、貫通孔１２ｈを残して厚膜１２を形成する貫通孔形成工程とにより作製する。 - 特許庁

To provide a method of forming contact plug of a semiconductor element which can suppress formation of voids in a metal layer forming process subsequent to a contact plug forming process by selectively etching a subsequent interlayer insulation film formation of a contact plug so that the surface of the uppermost portion of the contact plug is higher than the surface of the uppermost portion of the interlayer insulation film.例文帳に追加

コンタクトプラグの形成後、コンタクトプラグの最上部の表面が層間絶縁膜の最上部の表面より高くなるように層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、後続の金属層形成工程の際にボイドの生成を抑制する、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the following problems: the conventional dicing device which divides semiconductor chips at an element formation portion cannot be used since a thick peripheral portion is left in a final process in a process of manufacturing a semiconductor wafer in which only the element formation portion is made thin and the peripheral portion still has the initial thickness of a semiconductor substrate, and a new facility investment is necessary.例文帳に追加

素子形成部のみ薄化し周辺部は初期の半導体基板の厚みを残した半導体ウエハの製造工程においては、最終工程で厚い周辺部が残るため、素子形成部の半導体チップを分割する従来のダイシング装置を用いることができず、新たな設備投資が必要となる。 - 特許庁

To solve such a problem that an error rate is increased with the enlargement of the succeeding recoding mark or the deviation of the center position to the front side for time-wise continuously formed recording marks adjacent to each other by the generation of the thermal interference due to the remaining heat in the formation process of the preceding recording mark affecting the formation process of the succeeding recording mark.例文帳に追加

時間的に引き続いて形成される隣合う記録マーク同士が、先行する記録マークの形成過程における余熱が後続する記録マークの形成過程に影響し熱干渉が生じて、後続する記録マークが大きくなったり、その中心位置が前方にずれることにより、エラーレートが増加する。 - 特許庁

For an ion source using an arc chamber containing at least one oxidizable metal, the method includes a process of supplying gaseous H_2O to an arc chamber, and a process of making the arc chamber operate within a range of temperature at which, the free energy for formation of gaseous H_2O is lower than the free energy for formation of oxidizable metal oxide.例文帳に追加

本発明の方法は，少なくとも一つの酸化可能な金属を含むアークチェンバーを使用するイオンソースにおいて，ガス状のH_2Oをアークチェンバーに供給する工程と，ガス状のH_2Oの生成自由エネルギーが酸化可能な金属の酸化物の生成自由エネルギーよりも低い温度範囲で，アークチェンバーを動作させる工程と，を含む。 - 特許庁

The method for producing a composite powder comprising silicon powder and a formation auxiliary includes: a process of introducing a silicon-generating gas into the first oven in a nonoxidative-gas atmosphere to deposit silicon; and a process of introducing the deposited silicon into the second oven and solidifying the vapor of a formation auxiliary.例文帳に追加

非酸化性ガス雰囲気の第１の炉内にシリコン生成ガスを導入してシリコンを析出する工程、及び第２の炉内に前記析出したシリコンを導入するとともに、成形助剤の蒸気を固化することにより、シリコン粉末と成形助剤の複合粉を生成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The method includes a process of receiving data indicating the number and arrangement of devices on the board W, and a process of using the data to determine the position of devices following the data reception and using a flip-chip mounting bump processor to carry out bump arrangement specification or bump formation, or both bump arrangement specification and bump formation on the devices.例文帳に追加

この方法は、基板Ｗ上のデバイス数及び配置を示すデータを受け取ることと、受取後に該データを使用してデバイス位置を決定して該デバイスにおけるバンプの配置特定、バンプの形成、または配置特定及び形成を行うようフリップチップ実装用バンプ処理装置を使用すること、とを含む。 - 特許庁

In the case of forming a lower electrode of a wire or a non-linear element by a tantalum pattern 13x containing nitrogen, a nitrogen-contained resist pattern 60 having an inverted pattern of the tantalum pattern is formed on a substrate 20x in a resist pattern formation process, and then a tantalum film 13 is formed on the substrate 20x in a film formation process.例文帳に追加

配線や非線形素子の下電極を窒素含有のタンタルパターン１３ｘにより形成するにあたって、レジストパターン形成工程において、タンタルパターンの反転パターンを有する窒素含有のレジストパターン６０を基板２０ｘ上に形成した後、成膜工程において、基板２０ｘ上にタンタル膜１３を成膜する。 - 特許庁

This forming method of a thin film comprises: a first process for disposing a substrate so as to set a film forming surface upper-side and for mounting a film forming mask on the film formation surface; and a second process for depositing an evaporant of a film forming material to the film formation surface through the film forming mask from the upper side of the film forming mask.例文帳に追加

薄膜の成膜方法を、基体を被成膜面が上面となるように配置し、成膜用マスクを被成膜面上に載置する第１の工程と、成膜材料の蒸発物を成膜用マスクの上方より成膜用マスクをとおして被成膜面に蒸着させる第２の工程と、より構成する。 - 特許庁

Subsequently, a slope connected to the active surface of the electronic element from the surface of the wiring substrate is formed (a slope formation process), a metal wiring connecting an electrode terminal on the active surface to a wiring pattern on the wiring substrate is formed (a metal wiring formation process).例文帳に追加

続いて、電子素子の周囲に、配線基板の表面から電子素子の能動面に繋がる斜面を形成し（スロープ形成工程）、この斜面の表面に液滴吐出法により能動面上の電極端子と配線基板上の配線パターンとを接続する金属配線を形成する（金属配線形成工程）。 - 特許庁

To provide a fabrication process of a semiconductor device which forms a tensile stress film and a compressive stress film, respectively, in an NMOS formation region and a PMOS formation region without causing such a problem as formation of a recess in an isolation portion or etching residue, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

素子分離部への凹部の形成やエッチング残りなどの問題を生じることなく、ＮＭＯＳ形成領域およびＰＭＯＳ形成領域にそれぞれ引張り応力膜および圧縮応力膜を選択的に形成することができる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁