「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, the silicon etching liquid is supplied to the silicon substrate 2 via the protective layer non-formation area exposed by the removal of the metal sacrifice layer from a part where the metal sacrifice layer is removed.例文帳に追加

また、金属犠牲層が除去された部分から、金属犠牲層の除去によって露出した保護層非形成領域を介して、シリコン基板２にシリコンエッチング液が供給される。 - 特許庁

The photomask includes a patterned light-shielding relief layer and a surface protective layer formed by applying a composition for formation of a surface protective layer on a transparent substrate, wherein the composition contains a fluorine compound.例文帳に追加

透明基材上に、パターン状の遮光性レリーフ層と、フッ素化合物を含有する表面保護層形成用組成物を塗布してなる表面保護層と、を有するフォトマスクである。 - 特許庁

An N+-type buried guard layer 2 is formed which extends to both the N-type epitaxial layer 3 as a bottommost layer of the IGBT type formation region 50 and the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

該ＩＧＢＴ形成領域５０の最下層の前記Ｎ型エピタキシャル層３と前記Ｐ型半導体基板１の双方に延在するＮ＋型埋め込みガード層２を形成する。 - 特許庁

To reduce contact resistance by efficiently performing the suppression of a damage layer and the removal of a high resistance layer to be formed on a base silicon wafer or wiring layer in contact hole formation.例文帳に追加

コンタクトホール形成において、下地シリコン基板または配線層に形成されるダメージ層の抑制と高抵抗層の除去を効率的に行い、コンタクト抵抗の低減を実現する。 - 特許庁

A pillar-shaped bump 6 of copper is formed using electrolytic plating, which makes bundle formation possible in wafer unit via an adhesion layer 4 and a gluing layer 5 on the wiring layer 2 of a semiconductor chip 1.例文帳に追加

半導体チップ１の配線層２上に密着層４、接着層５を介して銅からなる柱状バンプ６をウェハ単位で一括形成可能な電解メッキにより形成する。 - 特許庁

When this sheet is used practically, the insulation layer 30 is lamined on the surface of a wiring board formation layer, and the carrier film 10 is peeled off from the coating layer 20.例文帳に追加

このシートの使用に際しては、その絶縁層３０を配線基板形成層の表面に接合して積層した後、そのキャリアフィルム１０をコーテング層２０部分から剥離する。 - 特許庁

Next, the insulating layer 30a for silicide block is formed on the etching stopper film 20 to process the insulating layer 30a and form the silicide block layer 30 in a region for preventing silicide formation.例文帳に追加

次に、エッチングストッパ膜２０上にシリサイドブロック用の絶縁層３０ａを形成し、絶縁層３０ａを加工して、シリサイド化を防止する領域にシリサイドブロック層３０を形成する。 - 特許庁

A black antireflection layer 94a can be formed simultaneously with the formation of the barrier ribs, by superposing a black rib forming material layer on the barrier rib forming material layer and by pressing and rolling the roller.例文帳に追加

バリアリブ形成材層に黒色リブ形成材層を重ねてロールを転圧することにより、バリアリブの形成と同時にバリアリブ上面に黒色反射防止層を形成することができる。 - 特許庁

The formation of the material layer 22, the volatilization of the highly volatile solvent and the irradiation of the optical beam L are repeated, thus each sintered layer 81 or melted layer is stacked on the plate 31 for molding.例文帳に追加

材料層２２の形成と高揮発性溶剤の揮発と光ビームＬの照射を繰り返して、焼結層８１又は溶解層を造形用プレート３１上に積層する。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet hardly having a scratch in a light diffusion layer, and provided with the light diffusion layer hardly causing uneven coating in the formation of the light diffusion layer and containing resin particles.例文帳に追加

光拡散層に傷がつき難く、光拡散層の形成時に塗工ムラが生じにくい樹脂粒子を含む光拡散層を備えた光拡散シートを提供することを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor substrate 22 is an SOI substrate, and comprises an insulating layer 34 and a silicon layer 36 that is provided on the insulating layer 34 and contains a circuit formation region A1.例文帳に追加

半導体基板２２は、ＳＯＩ基板であり、絶縁層３４と、絶縁層３４上に設けられ、回路形成領域Ａ１を含むシリコン層３６とを有して構成されている。 - 特許庁

By feeding the inclined band gap layer 24, formation of a Schottky barrier generated when the electrode layer 23 is directly formed on the III-V group semiconductor layer 22 can be prevented.例文帳に追加

傾斜バンドギャップ層（２４）を供給することにより、電極層（２３）がＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）上に直接形成された場合に生じるショットキー障壁の形成を防ぐ。 - 特許庁

To stably and electrically connect a wiring layer to an electrode pad by reliably preventing a wiring layer from disappearing from an electrode pad formation region even if thinning the wiring layer.例文帳に追加

配線層を薄くした場合にも電極パッド形成領域で配線層がなくなることを確実に防止できるようにし、配線層と電極パッドとを安定して電気的に接続させる。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer or the oxide insulation layer in contact with the oxide semiconductor layer may be formed in a film-formation chamber with reduced impurity concentration by exhaustion using a cryopump.例文帳に追加

また、酸化物半導体層、又は酸化物半導体層に接する酸化物絶縁層を、クライオポンプを用いて排気して不純物濃度が低減された成膜室内で成膜すればよい。 - 特許庁

A printed wiring board (1) is provided with a conductive layer (13) having wiring patterns on the single side of an insulating layer (11) and a solder formation part (15) provided in a part of a conductive layer (13).例文帳に追加

プリント配線板（１）は、絶縁層（１１）の片面に配線パターンをなす導電層（１３）を備え、導電層（１３）の一部に実装用のハンダ形成部（１５）が設けられる。 - 特許庁

To obtain a low-defect, high-performance organic electroluminescent element allowing prevention of an abnormal electric discharge or abnormal sputter caused by charge-up in a film formation prevention layer with a high yield, by dissolving the charge-up in the film formation prevention layer.例文帳に追加

成膜防止層におけるチャージアップを解消することにより、成膜防止層のチャージアップによる異常放電や異常スパッタを防止し、欠陥の少ない高性有機電界発光素子を歩留り良く提供する。 - 特許庁

A gate insulation film 8 is formed, straddling the surface of a channel formation region 5 and the surface of the N-type epitaxial layer 3 adjacent to the surface of the channel formation region 5 on the N-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層３上には、ゲート絶縁膜８が、チャネル形成領域５の表面およびチャネル形成領域５の表面に隣接するＮ型エピタキシャル層３の表面に跨って形成されている。 - 特許庁

The heater layer 140C has an area along a coil formation region in which the conductor patterns 142B_1 are formed, and the heater 144 extending in the layer via an area along a non-coil formation region.例文帳に追加

ヒータ層１４０Ｃは、複数の導線パターン１４２Ｂ＿１が形成されたコイル形成領域に沿った箇所と、コイル非形成領域に沿った箇所とを経由して層中を延びたヒータ１４４を有するものである。 - 特許庁

A surface of a cylindrical soft magnetic metal thin film layer formation film laminated body 12 composed by stacking a plurality of annular soft magnetic metal thin film layer formation films 11 is coated with an insulator 13 and a cylindrical structure is attained.例文帳に追加

環状の軟磁性金属薄膜層形成フィルム１１を複数枚積層してなる筒状軟磁性金属薄膜層形成フィルム積層体１２の表面を、絶縁物１３で被覆し、筒状構造する。 - 特許庁

By forming a convex part or a trench (groove) in an insulation layer and providing a channel formation region of a semiconductor layer in contact with the convex part or the trench, the channel formation region is extended in a substrate vertical direction.例文帳に追加

絶縁層に凸状部またはトレンチ（溝部）を形成し、該凸状部またはトレンチに接して半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を基板垂直方向に延長させる。 - 特許庁

Since a non-formation part 44 is provided in a phosphor layer 42 on an inner surface 30, light of a path D or a path E is emitted from the non-formation part 44, and thus, not attenuated by the phosphor layer 42.例文帳に追加

内面３０上の蛍光体層４２に非形成部分４４が設けられていることから、経路Ｄや経路Ｅの光は非形成部分４４から射出されるので蛍光体層４２で減衰させられない。 - 特許庁

A luminous layer formation material contains a luminous material capable of emitting light from a triplet exciton, and an electron transport layer formation material has a compound containing a repetition unit of (arylenfluorene having a specific structure).例文帳に追加

発光層形成材料が、三重項励起子からの発光が可能な発光材料を含み、かつ、電子輸送層形成材料が（特定の構造を有するアリーレンフルオレン）繰り返し単位を含む化合物を有する。 - 特許庁

When a semiconductor light-emitting device is to be constituted lamination is successively made so that a light emission layer formation part for pinching an active layer with smaller band gap than a clad layer is composed of an n-type cladding layer consisting of, for example, the ZnO compound semiconductor layer and a p-type cladding layer.例文帳に追加

半導体発光素子を構成する場合には、たとえばＺｎＯ系化合物半導体層からなるｎ形クラッド層とｐ形クラッド層とで、クラッド層よりバンドギャップの小さい活性層を挟持する発光層形成部を構成するように順次積層される。 - 特許庁

A step of forming emission layers 5a, 5b and 5c includes a step of forming the emission layer 5c where emission position in the emission layer is located near an interface with an electron transport layer 6 after formation of the emission layer 5a whose emission position is located near the interface with the hole transport layer 4 in the emission layer.例文帳に追加

発光層５ａ，５ｂ，５ｃを形成する工程は、発光層内の発光位置が電子輸送層６との界面近傍にある発光層５ｃを、発光層内の発光位置が正孔輸送層４との界面近傍にある発光層５ａよりも後に形成する工程を有している。 - 特許庁

For the inorganic EL element provided with a first electrode, a first insulating layer, a light-emitting layer, a second insulating layer, and a second electrode on a substrate, a barrier layer is formed between the second insulating layer and the second electrode, and damage of the second insulating layer is restrained in formation of the second transparent electrode.例文帳に追加

基板上に、第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層、および第２電極を備えた無機ＥＬ素子であって、第２絶縁層と第２電極との間にバリア層を形成し、第２透明電極の形成時における第２絶縁層のダメージを抑制した無機ＥＬ素子。 - 特許庁

The diffusion prevention layer 15 is formed between the ferroelectric oxide layer 14 and the upper electrode layer 16, so that diffusion of Pb atoms of the ferroelectric oxide layer 14 to the upper electrode layer 16 is prevented, and the formation of Pb atom deficiency in the ferroelectric oxide layer 14 is inhibited.例文帳に追加

強誘電体酸化物層１４と上部電極層１６との間に拡散防止層１５を設けることにより、強誘電体酸化物層１４のＰｂ原子の上部電極層１６への拡散を防止し、強誘電体酸化物層１４中のＰｂ原子欠損の形成を防止する。 - 特許庁

This plating sheet 1 has an elastic layer 20 of an open-cell foamed sponge as a center, a thin film plating layer 10 formed by a sputtering method on one skin layer 20a created during the formation process of the elastic layer 20 and a film layer 30 of PET film that is bonded to the other skin layer 20a.例文帳に追加

メッキシート１は、連続発泡スポンジである弾性層２０を中心に、弾性層２０の形成過程で生成される一方のスキン層２０ａにスパッタリング法によって薄膜のメッキ層１０を形成し、他方のスキン層２０ａにＰＥＴフィルムであるフィルム層３０を接着した。 - 特許庁

A white luminescent layer (G+B+R) is formed in a region of a white pixel concurrently with the formation of the chromatic luminescent layers by stacking and forming luminescent layers of three colors such as a green luminescent (G luminescent layer), a blue luminescent layer (B luminescent layer), and a red luminescent layer (R luminescent layer).例文帳に追加

これらの有彩色の発光層の形成と同時に白色画素の領域に緑色発光層（Ｇ発光層）、青色発光層（Ｂ発光層）、赤色発光層（Ｒ発光層）の３色の発光層が積層形成されて白色発光層（Ｇ+Ｂ+Ｒ）が形成される。 - 特許庁

The Ag thin-film layer 15 contributes to improvement of connection strength between the Cu wiring layer 11 and the Ag connection layer 14 in forming the Cu wiring layer 11 by non-electrolytic plating, and formation of the Cu wiring layer 11 having a sufficient thickness on the ceramic layer 12.例文帳に追加

こうしたＡｇ薄膜層１５は、無電解メッキによるＣｕ配線層１１形成時において、Ｃｕ配線層１１とＡｇ接続層１４との接続強度を高め、またセラミック層１２上に十分な厚みのＣｕ配線層１１を形成することに寄与する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetic recording medium which enables formation of a mask having a high aspect ratio and formation of a fine pattern by dry etching of a magnetic recording layer.例文帳に追加

アスペクト比の高いマスクの形成を可能にし、磁気記録層のドライエッチングにて微細なパターンの形成を可能にする磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a non-volatile memory in which a channel formation region, a tunnel insulating film, and a floating gate are stacked in this order, the channel formation region is formed using an oxide semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル形成領域、トンネル絶縁膜及び浮遊ゲートを順に積層した不揮発性メモリにおいて、チャネル形成領域を酸化物半導体層により構成する。 - 特許庁

To provide an electrode formation method using an electrode transfer film with high reliability without using a release layer which is used for electrode formation of laminated ceramic capacitor.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサの電極形成に使用される離型層を必要としない転写信頼性の高い電極転写フィルムを用いた電極形成方法を提供する。 - 特許庁

The precoat aluminium alloy sheet is composed of a substrate 2 comprising an aluminum alloy sheet, a chemical formation film 3 formed on one side face or both faces of the substrate 2 and a precoat layer 4 formed on the chemical formation film 3.例文帳に追加

アルミニウム合金板よりなる基板２と，基板２の片面又は両面に形成した化成皮膜３と，化成皮膜３上に形成したプレコート層４とよりなる。 - 特許庁

A formation interval of the first thin film coil 5 is selected, the flatness of the upper face of a first insulating layer 6 is improved and in addition, the formation position of the second thin film coil 8 is selected.例文帳に追加

第１薄膜コイル５の形成間隔を選定し、第１絶縁層６上面の平坦性を向上させ、さらに第２薄膜コイル８の形成位置を選定する。 - 特許庁

If the formation is not good, the step is not advanced to the wafer level burning-in, but only when the non-conductor layer 10 is certainly formed, the formation is advanced to the wafer level burn-in, and the contact is performed.例文帳に追加

形成不良であればウェーハレベルバーンインには進まず、不導体層１０が確実に形成された場合にのみウェーハレベルバーンインに進んでコンタクトを実施する。 - 特許庁

To provide a molecule formation simulation method and program that automatically simulate the formation of a molecule having a layer structure involving van der Waals potential.例文帳に追加

分子形成シミュレーション方法及びプログラムに関し、ファンデルワールスポテンシャルが介在する層構造を有する分子の形成のシミュレーションを自動的に行う手段を提供する。 - 特許庁

Furthermore, ions are implanted into the epitaxial layer formed in the device formation area 2 and a silicon substrate in the PCM formation area 3, at the same timing and under the same condition.例文帳に追加

ついで、デバイス形成領域２に形成されたエピタキシャル層と、ＰＣＭ形成領域３におけるシリコン基板とに、同条件で、同時期に、イオンを注入する。 - 特許庁

The N+-type silicon layer 2 is formed over the entire formation region Z2 of a lateral element and is formed selectively in the formation region Z1 of an IGBT.例文帳に追加

Ｎ^+ 型シリコン層２は、ラテラル素子の形成領域Ｚ２においては全面に形成されるとともに、ＩＧＢＴの形成領域Ｚ１においては選択的に形成されている。 - 特許庁

This device comprises an epitaxial layer formed on a P-type silicon substrate, a P+ diffusion layer 3 that insolates the epitaxial layer into an N- epi-layer 4 of an element formation region and an N- epi-layer 2 of an ineffective region, and an aluminum wiring 6 that electrically connects the N- epi-layer 2 of the ineffective region and the P+ diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層と、エピタキシャル層を素子形成領域のＮ−エピ層４と無効領域のＮ−エピ層２とに分離するＰ＋拡散層３と、無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３とを電気的に接続するアルミ配線６とを備える。 - 特許庁

The image formation sheet used for forming the image on the surface of the cementitious cured body includes an outer layer sheet and a print layer having an image formation surface on which the image is formed and mounted on the outer layer sheet wherein at least the print layer is composed of a material enabling image forming liquid or toner to permeate from the image formation surface side and reach the surface opposite to the image formation surface.例文帳に追加

セメント質硬化体の表面に画像を形成するために用いられる画像形成用シートであって、外層シートと、画像が形成される画像形成面を有し、外層シート上に設けられている印字層とを備え、少なくとも印字層が、画像を形成するための液体又はトナーが画像形成面側から当該画像形成面と反対側の面にまで達するように浸透し得る材料により構成されている。 - 特許庁

The packaging material for forming the armor body of the battery for inserting a battery body to seal a peripheral edge by a heat seal is a layered body constituted of at least a base material layer, an adhesive layer 1, aluminum, a formation-treated layer, an adhesive layer 2, a PE sealant layer, wherein the sealant layer is multi-layer construction including high density polyethylene layer.例文帳に追加

電池本体を挿入し周縁部をヒートシールにより密封する電池の外装体を形成する包装材料が、少なくとも基材層、接着層１、アルミニウム、化成処理層、接着層２、ＰＥ系シーラント層から構成される積層体であって、少なくとも、シーラント層が高密度ポリエチレン層を含む多層構成とする。 - 特許庁

Thus, ion components are prevented from being spread from the side of the optical absorbing layer 19 to the side of the liquid crystal layer 17 in layer formation from the side of the optical absorbing layer 19 to the side of the liquid crystal layer 17 or of the optical absorbing layer 19, and behaviors of the liquid crystal layer 17 by the ion contamination of the liquid crystal layer 17 are prevented from becoming unstable.例文帳に追加

このため、光吸収層１９側から液晶層１７側へ、または光吸収層１９の層形成のときに、イオン成分が光吸収層１９側から液晶層１７へ拡散することが抑制され、液晶層１７のイオン汚染による液晶層１７の挙動が不安定となることが抑制される。 - 特許庁

The printer 19 forms a basic image color material layer on the screen by the basic image formation signal and arranges a correction image color material layer being formed by the image formation signal for correction at a position substantially different from that of the basic image color material layer at image display.例文帳に追加

プリンタ１９にて基本画像形成信号により基本画像色材層をスクリーンに形成するとともに、補正用画像形成信号により形成される補正画像色材層を画像表示時に基本画像色材層と実質的に重なる位置に配する。 - 特許庁

The pressure of a film formation chamber is reduced, a plate is rapidly heated by heat conduction or heat radiation by using a heat source, a material layer on a plate is vaporized in a short period of time to be evaporated to a substrate on which the material layer is formed, and then the material layer is formed on the formation substrate.例文帳に追加

成膜室内を減圧下とし、熱源の熱を熱伝導または熱輻射によって、プレートを急速に加熱し、プレート上の材料層を短時間に蒸発させ、被成膜基板に蒸着し、被成膜基板上に材料層を成膜する。 - 特許庁

After the laminated products 4 and 5 have been laminated on the substrate 1, the laser beam 10 is irradiated in a secondary modified layer formation step to a partitioning planned line 2 where a modified layer has not been formed at least in the primary modified layer formation step.例文帳に追加

基板１上に積層物４、５を積層した後に、第２改質層形成工程で、少なくとも第１改質層形成工程で改質層が形成されていない分割予定ライン２にレーザ光線１０を照射して改質層を形成する。 - 特許庁