例文 (999件) |
formation layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4330件
To provide a transfer sheet for easily manufacturing a catalyst layer-electrolyte membrane laminate, and to provide a paste composition for catalyst layer formation for manufacturing the transfer sheet.例文帳に追加
本発明は、触媒層−電解質膜積層体を容易に製造するための転写シート、及び該転写シートを製造するための触媒層形成用ペースト組成物を提供する。 - 特許庁
Methane gas 111 which is introduced into a film-formation chamber is introduced onto a catalyst metal layer 103 to expose the surface of the catalyst metal layer 103 to the methane gas 111.例文帳に追加
成膜室内にメタンガスを導入し、触媒金属層103の上にメタンガス111が導入され、触媒金属層103の表面がメタンガス111に晒された状態とする。 - 特許庁
The stress receiving layer includes silicon (Si), the stress inducing layer includes silicon-germanium (SiGe), and the material includes carbon given by doping both layers during the period of the formation of the device.例文帳に追加
応力受容層はシリコン(Si)であり、応力誘発層はシリコン・ゲルマニウム(SiGe)であり、材料は、デバイスを形成する間に両層をドープすることによって与えられるカーボンである。 - 特許庁
Then a resist layer 6 is formed on the capacitor prime body 15 and then the solid electrolyte layer 9 is formed by chemical oxidation polymerization in a cathode formation region 7b of the capacitor prime body 15.例文帳に追加
続いて、コンデンサ素体15にレジスト層6を形成した後、コンデンサ素体15の陰極形成領域7bに、化学酸化重合により固体電解質層9を形成する。 - 特許庁
And the substrate S flattened by the formation of the dummy layer R2 is sucked and fixed to a stage D of a grinding device, and a surface Sb of the substrate S to be ground is ground together with the dummy layer R2.例文帳に追加
そして、このダミー層R2の形成によって平坦化された基板Sを研削装置のステージDに吸引固定し、基板Sの被研削面Sbをダミー層R2ごと研削する。 - 特許庁
To provide foamed wall paper which can suitably be produced by an extrusion molding method, has the layer of a resin having a large mol.wt. on the front side of the foamed resin layer, and prevents the formation of curls.例文帳に追加
押出し成形により好適に製造できる、発泡樹脂層のおもて面に分子量の大きな樹脂層を有し、しかもカールの発生が抑制された発泡壁紙を提供する。 - 特許庁
The masking pin 30 prevents the plugging of the holes 11 perforated on the base material 12 in the formation of the coating layer to form holes 23 having the same diameter as the holes 11 on the coating layer.例文帳に追加
マスキングピン30は、コーティング層を形成する際に、基材12に穿設された孔11が閉塞されるのを防止すると共に、コーティング層にもこの孔11と同径の孔23を形成する。 - 特許庁
On the formation of the GaInP epitaxial layer, it is grown at or higher a critical growth rate which is the lower limit of the rate at which the GaInP epitaxial layer can grow in a mirror-finished state.例文帳に追加
GaInPエピタキシャル層の形成に際しては、GaInPエピタキシャル層が鏡面状態で成長しうる速度の下限である臨界成長速度以上で成長させる。 - 特許庁
After the formation of the coating layer 4, an inorganic type coating material 5 is injected into the inside of the pipe 1 and air is blown to the inside of the pipe 1 to apply the inorganic type coating material 5 to the surface of the coating layer 4.例文帳に追加
塗膜層4の形成後、無機系塗料5を管1の内部に注入し、管1の内部にエアを流すことによって、塗膜層4の表面に無機系塗料5を塗布する。 - 特許庁
A silicon oxide film is formed on a substrate, having a silicon layer 3 (SOI layer) in a thin-film thickness suitable for the formation of a fully depleted type MISFET, and then an opening 5 is formed.例文帳に追加
完全空乏型MISFETの形成に適した薄い膜厚のシリコン層3(SOI層)を有する基板にシリコン酸化膜を形成し、続いて開口5を形成する。 - 特許庁
The photosensitive film for circuit formation has a cushion layer, a photosensitive layer of 0.1 to 50 μm in thickness, and a cover film in order on a base film and the surface which comes into contact with the pattern mask does not contaminate the mask.例文帳に追加
ベースフィルムの上に逐次クッション層、厚みが0.1〜50μmの感光層、カバーフィルムを有し、パターンマスクと密着する面がマスク汚染性のない回路形成用感光性フィルム。 - 特許庁
To enable formation of a semiconductor layer of crystal orientation (100) and a semiconductor layer of crystal orientation (110) on the same substrate while suppressing crystal defect, by forming an insulating film on a side wall of a second semiconductor layer and forming an epitaxial growth layer having the same crystal orientation as a first semiconductor layer.例文帳に追加
第2半導体層の側壁に絶縁膜を形成して、第1半導体層の結晶方位を引き継いだエピタキシャル成長層を形成することで、結晶方位(100)の半導体層と結晶方位(110)の半導体層を同一基板上に結晶欠陥を抑制して形成することを可能とする。 - 特許庁
The coating roll 1 for thin film formation comprises a core body 4, a sponge layer 5 formed on the outer circumference of the core body, a solid layer 6 formed on the outer circumference of the sponge layer, and a surface layer 7 formed on the outer circumference of the solid layer and having non-stikiness and non-adhesion properties to a coating liquid.例文帳に追加
芯体4と、この芯体の外周に設けられたスポンジ層5と、このスポンジ層の外周に設けられたソリッド層6と、このソリッド層の外周に設けられた,塗布液に対して非粘着性及び非接着性をもった表面層7とを具備することを特徴とする薄膜形成用塗布ロール1。 - 特許庁
The adhesive layer 20 consists of a hot melt layer 22 where alumina as a heat conductive filler in hot melt material to produce phase change by heating, and a heat resistant film 21 which facilitates the formation of the hot melt layer 22, and the layer 20 is bonded to the heat conductive layer 10 on the side of the heat resistant film 21.例文帳に追加
この接着層20は、加熱によって相変化を生じるホットメルト材料中に熱伝導フィラーとしてのアルミナを分散させたホットメルト層22及びこのホットメルト層22の形成を容易にする耐熱フィルム21からなり、耐熱フィルム21側で熱伝導層10に接着されている。 - 特許庁
The method for producing the oxide superconductive wire rod includes a process S3 of protective layer formation for forming the protective layer formed of a conductor by a vapor phase synthesis method on a side surface of a coil body made by winding the tape-like superconductive laminate provided by laminating a metal base, an intermediate layer, an oxide superconductive layer, and a stabilization layer.例文帳に追加
酸化物超電導線材の製造方法は、金属基材と中間層と酸化物超電導層と安定化層とを積層させて備えたテープ状の超電導積層体を巻回してなるコイル体の側面に、気相合成法により導電体からなる保護層を形成する保護層形成工程S3を備える。 - 特許庁
The transfer form includes a paper base for transfer which has, on a base paper surface, a slowly water-soluble remoistenable adhesive layer and a quickly water-soluble remoistenable adhesive layer, the pattern forming layer containing the conductive material, and an overcoat layer formed of a protective member, The Oken-type smoothness after overcoat layer formation is ≥1,000 seconds.例文帳に追加
本発明の転写用紙は、原紙面上に遅水性再湿糊層と速水溶性再湿糊層とを含む転写用紙基材と、導電性材料を含有するパターン形成層と、保護部材により形成されるオーバーコート層と、を有し、オーバーコート層形成後の王研式平滑度が1000秒以上である。 - 特許庁
The method in this invention comprises a step for forming the conductive circuit on a metal layer; a step for forming a functive on the metal layer and the conductive circuit; a step for forming the insulating layer on the conductive circuit of the metal layer and a functive formation surface; and a step for removing the metal layer.例文帳に追加
金属層上に導体回路を形成する工程と、前記金属層および導体回路上に機能体を形成する工程と、前記金属層の導体回路および機能体形成面に絶縁層を形成する工程と、前記金属層を除去する工程を含んでなることを特徴とする配線板の製造方法。 - 特許庁
To provide a defect correction method of a color filter substrate, which is free from exfoliation of a transparent conductive layer-correcting layer from a base and requires a short time for repair even when defect repair processing for a color layer and a transparent conductive layer of a color filter substrate is performed in the stage where formation of the transparent conductive layer has been finished.例文帳に追加
カラーフィルタ基板の透明導電層の形成が終えた段階で、着色層と透明導電層の欠陥修復処理を施しても、透明導電層修正層の下地からの剥離がなく、修復に要する時間が短いカラーフィルタ基板の修正方法を提供することである。 - 特許庁
The catalyst layer-electrolyte membrane layered product is manufactured by bending the catalyst formation sheet in the middle part between the cathode catalyst layer and the anode catalyst layer to bring the electrolyte membranes into contact mutually, overlapping the cathode catalyst layer and the anode catalyst layer to each other via the electrolyte membranes, and then, applying pressure.例文帳に追加
本発明の触媒層−電解質膜積層体は、上記触媒層形成シートのカソード触媒層とアノード触媒層との中間部で、電解質膜同士が接するように折り曲げ、カソード触媒層及びアノード触媒層が電解質膜を介して重なり合うように配置し、次いで加圧することにより製造される。 - 特許庁
A film forming a channel protection layer is formed on an oxide semiconductor layer having a light-transmitting property, a positive photoresist is formed on the film forming the channel protection layer, and a channel protection layer is selectively formed on a channel formation region in the oxide semiconductor layer by using a back surface light exposure method.例文帳に追加
チャネル保護層を形成する膜を透光性を有する酸化物半導体層上に形成し、チャネル保護層を形成する膜上にポジ型のフォトレジストを形成し、裏面露光法を用いて酸化物半導体層中のチャネル形成領域上に選択的にチャネル保護層を形成することを要旨とするものである。 - 特許庁
In this formation method of an insulation film, a two-layer structure of silicon and metal is formed by sequentially forming a silicon layer and a metal layer on a substrate; a reaction temperature at which the silicon and the metal produce a metal silicide in targeted composition is selected; and a metal silicide layer is formed by heating the two-layer structure.例文帳に追加
絶縁膜の形成方法において、基板上にシリコン層と金属層を順次形成してシリコンと金属の2層構造を形成し、前記シリコンと前記金属とが目標とする組成で金属珪化物を生成する反応温度を選択し、前記2層構造を加熱して金属珪化物層を形成する。 - 特許庁
In a multilayer printed wiring substrate wherein a plurality of conductor layers are laminated via an insulation layer, a conductor layer, which is one layer of inner layers, is a conductor layer (hereinafter referred to as a land formation layer) wherein only a through hole connecting conductor layers is formed, and a through hole is terminated by the land.例文帳に追加
絶縁層を介して複数の導体層が積層された多層プリント配線基板において、内層の1層の導体層は、導体層間を接続するスルーホールのランドのみが形成されている導体層(以下、ランド形成層という。)であり、このランドによりスルーホールが終端されていることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁
The intermediate layer for oxide superconducting thin film layer formation is formed between an orientated metal base and an oxide superconducting thin film layer in providing the oxide superconducting thin film layer on the orientated metal base, and has a crystal domain size of 25 nm or below in its surface layer.例文帳に追加
配向金属基材上に酸化物超電導薄膜層を設ける際に、配向金属基材と酸化物超電導薄膜層の中間に形成される酸化物超電導薄膜層形成用の中間層であって、表層の結晶ドメインサイズが25nm以下である酸化物超電導薄膜層形成用の中間層。 - 特許庁
The conductive roll 10 is constituted by laminating an elastic layer 12, an intermediate layer 14 including roughness formation particles 18, and a surface layer 16 on the outer periphery of a shaft body in this order.例文帳に追加
軸体の外周に、弾性層12と、粗さ形成用粒子18を含む中間層14と、表層16とが順に積層され、φ≦20、t1≧3、t1+t2<1/2×φ、2≦Ap/φ≦3.5を満たす導電性ロール10とする。 - 特許庁
The medium for determining authenticity has a light selective reflection layer having such light selective reflectivity that either of left-handed circularly polarized light or right-handed circularly polarized light in incident light beams is reflected, a hologram formation layer and a reflection layer in this order.例文帳に追加
入射光のうち左円偏光および右円偏光のいずれか一方を反射する光選択反射性を有する光選択反射層、ホログラム形成層および反射層をこの順に有する真偽判定用媒体。 - 特許庁
To obtain a vertical magnetic recording medium at high productivity by forming a soft magnetic layer to be provided between a substrate and vertical magnetic recording layer of the recording medium in such a manner that rapid formation of thick films is possible and spike noise and soft magnetic layer noise are reduced.例文帳に追加
記録媒体の基板と垂直磁気記録層の間に設ける軟磁性層を、短時間で厚く皮膜形成が可能で、且つスパイクノイズや軟磁性層ノイズが低減された垂直磁気記録媒体を高生産性で得る。 - 特許庁
Then, the sample layer 4 including the mask 5 and the upper surface side of the glass substrate 1 are removed as much as about 2 μm by argon ion etching, and a protrusion 2 for sample part formation comprising a glass layer 3, the sample layer 4 and the mask 5 is formed.例文帳に追加
次に、マスク5を含む試料層4およびガラス基板1の上面側をアルゴンイオンエッチングにより2μm程度除去し、ガラス層3、試料層4およびマスク5からなる試料部形成用凸部2を形成する。 - 特許庁
Such a digital photoreceptor drum is used as an image carrier 2, that is an exposure source/latent image formation integrated type digital photoreceptor drum including a light emitting element matrix layer and a photoreceptor layer layered on the light emitting element matrix layer, and charged by a charging means.例文帳に追加
像担持体2として、発光素子マトリックス層と、発光素子マトリックス層に積層されていて、帯電手段で帯電される感光体層と、を有する露光源−潜像形成一体型のデジタル感光体ドラムを用いる。 - 特許庁
To provide a pressure-sensitive adhesive composition that does not require ageing after formation of a pressure-sensitive adhesive layer, permits reduction of the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer, and exhibits excellent stress relaxation properties of the pressure-sensitive adhesive layer and excellent reworkability, a pressure-sensitive adhesive and a pressure-sensitive adhesive sheet.例文帳に追加
粘着剤層形成後のエージングが不要で、粘着剤層の薄膜化が可能であり、粘着剤層の応力緩和性に富み、かつリワーク性に優れた粘着性組成物、粘着剤および粘着シートを提供する。 - 特許庁
The photosensitive film for permanent pattern formation has a support, a cushion layer and a photosensitive layer in this order, wherein the photosensitive layer comprises a photosensitive composition containing (A) a binder, (B) a polymerizable compound, (C) a photopolymerization initiator and (D) an extender.例文帳に追加
永久パターン形成用感光性フィルムが、支持体と、クッション層と、(A)バインダー、(B)重合性化合物、(C)光重合開始剤及び(D)体質顔料を含有する感光性組成物からなる感光層とをこの順に備えてなる。 - 特許庁
At least at part of a circuit formation surface of the insulating layer 10, a 2nd insulator layer 20 which is thick enough to bury the circuit pattern 13 is formed by using a material which is not dissolved with a solution for etching the insulator layer 10.例文帳に追加
この絶縁体層10の回路形成面の少なくとも一部に、絶縁体層10をエッチングする溶液では溶解しない材料を用いて、回路パターン13を埋め尽くす厚さの第2絶縁体層20を形成する。 - 特許庁
The surface of a base layer 16 for the formation of magnetic pole layers 15 (upper magnetic pole layer and lower magnetic pole layer) of a thin film magnetic head has different surface levels by alternately forming projections 17 and recesses 18 parallel to a sliding face 19 for a magnetic medium.例文帳に追加
薄膜磁気ヘッドの磁極層15(上部磁極層,下部磁極層)を形成する際の下地層16の表面に、記録媒体摺動面19と平行に凸部17,凹部18を交互に形成した段差を設ける。 - 特許庁
The dot marks 21 of the upper layer are formed in a self-alignment manner with the dot marks 11 of the lower layer by a rear surface exposure technique with the dot marks 11 of the lower layer as a mask at the time of formation of a channel protective film 22 of TFTs(thin-film transistors) 45.例文帳に追加
上層のドットマーク21は、TFT45のチャネル保護膜22を作成する際、下層のドットマーク11をマスクとした裏面露光技術により、下層のドットマーク11に対して自己整合(セルフアライメント)的に作成される。 - 特許庁
To provide a bubble detector for a linear body, that can smoothly detect bubbles in a film layer while the film layer is formed at high speed for the linear body, and provide film formation device and method for forming the film layer for the linear body.例文帳に追加
線条体に対して高速で被膜層を形成しつつ、その被膜層における気泡を円滑に検出することが可能な線条体の気泡検出装置、線条体の被膜形成装置及び被膜形成方法を提供する。 - 特許庁
In a predetermined conductor layer of the intermediate product 10, a conductor layer 11 for products corresponding to a plurality of products is formed in the product formation region R1, and a dummy conductor layer is formed in the region R2 outside products.例文帳に追加
中間製品10の所定の導体層においては、製品形成領域R1には複数の製品に対応する製品用導体層11が形成され、製品外領域R2にはダミー導体層が形成される。 - 特許庁
Under an atmosphere containing an extremely small amount of phosphine gas, a substrate formed at the gate insulating film is exposed before the amorphous semiconductor layer is film-formed, thus forming an amorphous semiconductor layer containing phosphorus in an early stage of the film formation of the amorphous semiconductor layer.例文帳に追加
ホスフィンガスを微量に含む雰囲気下に、ゲート絶縁膜まで形成した基板を曝した後、非晶質半導体層を成膜することで、非晶質半導体層の成膜初期にリンを含む非晶質半導体層を形成する。 - 特許庁
Next, physical wiring is determined between the cells by a metal wiring layer mask layout preparation means 170 by using the first limited circuit connection information and the transistor formation layer mask layout, and the mask layout of a metal wiring layer is prepared.例文帳に追加
次に金属配線層マスクレイアウト作成手段170により、上記第1の限定回路接続情報及びトランジスタ形成層マスクレイアウトを用いてセル間の物理的な配線を決定し、金属配線層のマスクレイアウトを作成する。 - 特許庁
The grain boundary phase has new constitution including an amorphous layer part covering the surface of the main phase and a nonmagnetic crystal layer part present in an area sandwiched between amorphous layer parts and suppresses the formation of a reverse magnetic domain.例文帳に追加
粒界相は、主相の表面を薄く覆う非晶質層部分と、非晶質層部分によって挟まれた領域に存在する非磁性結晶層部分とを含む新規な構成を有し、逆磁区の発生を抑制する。 - 特許庁
To provide an electroplating liquid which suppresses the occurrence of defect of a copper plated layer caused by the dissolution of a seed layer serving as an electrode in the formation of a copper wiring layer by electroplating method, and an electroplating method using the plating liquid.例文帳に追加
銅配線層を電解メッキ法で形成する際に電極となるシード層の溶解に起因する銅メッキ層の欠陥の発生を抑制する電解メッキ液及び該メッキ液を用いた電解メッキ方法を提供する。 - 特許庁
An insulating layer 2 and an SOI(semiconductor-on-insulator) layer 3 are formed on a silicon substrate 1 for the formation of an SOI substrate, where a channel region 19, LDD(lightly-doped drain) regions 15a, and source/drain junction regions 17 and 18 are formed on the SOI layer 3.例文帳に追加
シリコン基板1上に絶縁層2,SOI層3が形成されたSOI基板において、SOI層3にチャネル領域19,LDD領域15aおよびソース/ドレイン接合領域17,18とを形成する。 - 特許庁
Deteriorating of crystallizability of the epitaxial base layer or spreading of the base due to diffusion of a dopant of the base layer caused by heating the base layer by the heat treatment in association with the formation of the graft base like prior art is prevented.例文帳に追加
従来のようにグラフトベースの形成に伴う熱処理によってエピタキシャルベース層も加熱され、エピタキシャルベース層の結晶性が劣化したり、エピタキシャルベース層のドーパントが拡散してベース幅が広がってしまうことは防止される。 - 特許庁
Since the gettering layer 12 formed of the carbon diffusion layer is formed on a surface of a silicon wafer W, formation of the gettering layer 12 in contact with the epitaxial film 11 which is difficult by a conventional carbon ion implantation method is facilitated.例文帳に追加
シリコンウェーハWの表面には、炭素拡散層からなるゲッタリング層12が形成されているので、従来の炭素イオン注入法では困難であった、エピタキシャル膜11に接してのゲッタリング層12の形成が容易となる。 - 特許庁
In this solar cell, an insulation resin layer, a back electrode layer, a sealing resin layer and the like are colored to be made similar to color formation in a region of a component part occupying a majority area of the solar cell by including pigments and the like therein.例文帳に追加
本発明において、太陽電池の大部分の面積を占める構成部分の領域の発色と類似なものになるように、絶縁樹脂層、裏面電極層、封止樹脂層などを、顔料などを含ませて着色させる。 - 特許庁
The formation of the Al electrode layer 4 by the low temperature film forming can prevent inter-diffusion between the Al and Ti or the like included in the underlying electrode layer 5 and prevent the deterioration in the crystallinity of the Al electrode layer 4.例文帳に追加
Al電極層4を低温成膜によって形成することにより、Alと下地電極層5に含まれるTi等との相互拡散が防止され、Al電極層4における結晶配向性が阻害されることを防止する。 - 特許庁
During formation of a silicon epitaxial layer, flow rate of the raw gas, which is made to flow along a substrate surface, is made to vary for parts on a wafer.例文帳に追加
シリコンエピタキシャル層の成長時には、基板表面に沿って流す原料ガスの流量をウェーハ上の場所によって異ならせる。 - 特許庁
Water is stored in a storage water layer formation chamber 18 between an outside glass 16 and an inner side glass 17 mounted on a frame 11.例文帳に追加
枠体11に装着された外側ガラス16及び内側ガラス17の間の貯水層形成室18に水を貯留する。 - 特許庁
The P^+ source layer 9 is provided in the center part on the left side of the element formation region 20 so that its end part overlaps a gate insulating film.例文帳に追加
P^+ソース層9は、端部がゲート絶縁膜とオーバーラップするように、素子形成領域20の左側中央部に設けられる。 - 特許庁
Even giving high temperature during formation of a coating for an insulating layer, a condition of generating bubbles and vaporizing moisture in the tension members can be prevented.例文帳に追加
絶縁層の被覆形成時に高熱を加えても、テンションメンバー内の水分が蒸発して気泡が発生する事態を防止できる。 - 特許庁
To provide a method of producing a rod-shaped high purity polycrystalline silicon by which the formation of defects in a newly depositing silicon layer can be prevented.例文帳に追加
新たに析出するシリコン層に発生する欠陥を防止できる棒状高純度多結晶シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁
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