「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

In other words, a metallization layer can be formed by an inspection mask on a silicon wafer and a semiconductor device can be inspected after formation.例文帳に追加

このように、シリコンウエハ上に検査用マスクにより金属配線層を配線し、半導体素子の形成後の検査をすることができる。 - 特許庁

To provide the number of layers and layer structure of a multilayer film in which the simulation result based on a design of an optical component matches the film formation result.例文帳に追加

光学部品の設計に基づくシミュレーション結果と成膜結果とがマッチングする多層膜の層数及び層構造と提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an organic semiconductor pattern which allows the formation of a fine pattern without damaging an organic semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体層にダメージを与えることなく微細なパターン形成が可能な有機半導体パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a plasma display panel which manufactures a plasma display panel having stable characteristics by formation of a favorable protective layer.例文帳に追加

良好な保護層の形成により安定した特性のプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device, an n-type epitaxial layer 3 is divided into a plurality of element formation areas by isolation areas 4 and 5.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｎ型のエピタキシャル層３は分離領域４、５により複数の素子形成領域に区画されている。 - 特許庁

SUBSTRATE FOR FORMATION, NITRIDE III-V COMPOUND LAYER, MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE III-V COMPOUND SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

形成用基板、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物基板の製造方法および半導体素子 - 特許庁

A trench groove 22 is formed in a diffusion layer formation region A2 and an epitaxial film 4 is formed to fill in the trench groove 22.例文帳に追加

次いで、拡散層形成領域Ａ２にトレンチ溝２２を形成し、このトレンチ溝２２を埋め込むかたちでエピタキシャル膜４を成膜する。 - 特許庁

Consequently, formation of an interference fringe formed by diffraction light and non-diffraction light of the return light from the non-target layer can be prevented.例文帳に追加

そのため、目的外層からの反射光の回折光と非回折光とで形成する干渉縞の形成を防ぐことができる。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes a silicon substrate 101, and an NiSi layer 110 provided on the element formation surface of the silicon substrate 101.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０１およびシリコン基板１０１の素子形成面に設けられたＮｉＳｉ層１１０を含む。 - 特許庁

A rectangular gate electrode 3 is subjected to pattern formation on a GaAs substrate 1 that is a compound semiconductor substrate with a channel layer 2.例文帳に追加

チャネル層２を有する化合物半導体基板であるＧａＡｓ基板１上に矩形状のゲート電極３をパターン形成する。 - 特許庁

Also, in the formation of the cover layer, the tubular stent is rotated with the eccentric position of an inner hole as a rotation center.例文帳に追加

また、被覆層の形成においては、管状ステントを、内孔の偏心位置を回転中心として回転することを特徴とする。 - 特許庁

A source and drain region 12SD and a formation region of the gate electrode 141 in the oxide semiconductor layer 12 are spaced apart from each other.例文帳に追加

酸化物半導体層１２におけるソース・ドレイン領域１２ＳＤとゲート電極１４１の形成領域とは、互いに離隔している。 - 特許庁

To provide a novel high-carbon hot rolled steel sheet prevented from the formation of a decarburized layer therein and its production method.例文帳に追加

熱延板における脱炭層の形成を抑制した、新規な高炭素熱延鋼板およびその製造方法について提案する。 - 特許庁

Because the formation of a γ-alumina coating layer is not required, the obtained NOx occlusion reduction catalyst has small heat capacity and low pressure loss.例文帳に追加

γ−アルミナのコート層を形成する必要がないので、熱容量および圧損の低いＮＯｘ吸蔵還元触媒が得られる。 - 特許庁

A antireflection film 27a, consisting of an oxynitride film, is formed on a conductive layer for gate electrode formation using plasma CVD method.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法を用いてゲート電極形成用の導電層上に酸化窒化膜からなる反射防止膜２７ａを形成する。 - 特許庁

To provide a forming method of a nitride semiconductor, which enables formation of a thin nitride semiconductor layer of low dislocation.例文帳に追加

薄い厚みで、かつ、低転位の窒化物系半導体層を形成することが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。 - 特許庁

Before formation of the upper electrode layer 104, the surface of high permittivity oxide film 103 is flattened.例文帳に追加

本発明においては、上部電極層１０４の形成に先立ち、高誘電率酸化膜１０３の表面に平坦化処理を行う。 - 特許庁

To provide a game machine which can restrict the useless formation of an electroconductive layer in a game board.例文帳に追加

遊技盤において形成される導電層について無用な形成を抑制することが可能となる遊技機を提供することである。 - 特許庁

To provide a conductive roller in which the elongation of a covering layer can be suppressed to prevent the failure of an image formation, and to provide an image forming apparatus.例文帳に追加

被覆層の伸びを抑制でき画像形成不良を防止できる導電性ローラー及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a good-looking ball by allowing formation of a nice-looking print layer on each previously curve-molded cover panel.例文帳に追加

予め湾曲成形されている表皮パネルにきれいな印刷層を形成できるようにすることで、見栄えの良好なボールを得る。 - 特許庁

External connection terminals 26 are joined to the terminal formation parts of the pattern 23 exposed from the openings of the insulating layer 25.例文帳に追加

外部接続端子２６は、絶縁層２５の開口部から露出している配線パターン２３の端子形成部分に接合されている。 - 特許庁

A p-type or n-type element to be added in the thin-film formation of an active layer is changed for every cell in correspondence with the change of the desorbed gas.例文帳に追加

脱離ガスの変化に対応して活性層製膜中に添加するｐ型あるいはｎ型の元素をセル毎に変化させる。 - 特許庁

The manufacturing method of the polarizing plate comprises (a) an inorganic oxide layer formation process of forming the inorganic oxide layer by blowing flame of organic metal compound-containing gas onto one side or both sides of the polarizer and (b) a cured material layer formation process of applying a resin composition containing the ionization radiation curable resin onto the inorganic oxide layer and then curing the composition by irradiation with ionization radiation.例文帳に追加

および、（ａ）偏光子の片面または両面に、有機金属化合物を含むガスの火炎を吹き付けることにより、無機酸化物層を形成する無機酸化物層形成工程と、（ｂ）該無機酸化物層上に電離放射線硬化性樹脂を含む樹脂組成物を塗布した後、電離放射線を照射して硬化させる硬化物層形成工程とを含む偏光板の製造方法。 - 特許庁

To provide an optical switching element having a photoconductive layer of a dual CGL structure, in which the upper charge generation layer has optical sensitivity equal to that of the lower charge generation layer even without adding a charge transport material upon formation of charge generation layer when performing lamination formation by using extrinsic charge generation material as a charge generation material.例文帳に追加

デュアルＣＧＬ構造の光導電層を有し、電荷発生材料としてエクストリンシック系電荷発生材料を用い積層形成した場合に、電荷発生層形成時に電荷輸送材料を添加しなくても、上部電荷発生層が下部電荷発生層と同等の光感度を有する光スイッチング素子および光書き込み型表示媒体を提供することである。 - 特許庁

The electrophotographic image forming member contains a substrate, charge generating layer, charge transfer layer and overcoat layer, and the overcoat layer is formed from a solution containing a first crosslinking binder containing no methoxymethyl groups for the formation of a polyamide coating film, and if necessary, a second crosslinking binder containing methoxymethyl groups for the formation of a polyamide coating film, catalyst for crosslinking, and hole transfer material.例文帳に追加

基板と、電荷発生層と、電荷輸送層と、オーバーコート層とを含み、前記オーバーコート層を、メトキシメチル基を含まない第１の架橋可能なポリアミド塗膜形成バインダと、必要に応じて、メトキシメチル基を含む第２の架橋可能なポリアミド塗膜形成バインダと、架橋用触媒と、正孔輸送材料とを含む溶液から形成する、電子写真用画像形成部材である。 - 特許庁

The fine porous layer is formed by preparing a plurality of cerium oxides differing in particle size or specific surface area, mixing the plurality of cerium oxides at a predetermined ratio to prepare a mixed cerium oxide, manufacturing a fine porous layer formation member including the mixed cerium oxide, a water-repellent member, and a conductive member, and coating the fine porous layer formation member on the diffusion base material layer.例文帳に追加

微多孔質層は、粒子径または比表面積が異なる複数の酸化セリウムを用意し、複数の酸化セリウムを所定の割合で混合して混合酸化セリウムを作製するとともに、混合酸化セリウムと撥水性部材と導電性部材とを含む微多孔質層形成部材を作製し、微多孔質層形成部材を拡散基材層上に塗工することにより形成される。 - 特許庁

A manufacturing method of a wiring board includes: a laminate formation step of forming a laminate containing an insulating layer or a conductive layer by laminating a plurality of layers formed by at least either of the insulating layer and the conductive layer; and a cutting step of cutting the laminate formed by the laminate formation step along a surface intersecting with the plurality of layers.例文帳に追加

絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層させて前記絶縁層および前記導電層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体形成工程において形成した前記積層体を、複数の前記層と交差する面に沿って切断する切断工程と、を含む配線基板の製造方法とした。 - 特許庁

To provide a method and device which can perform image formation without using a discharge phenomenon and carry out the image formation at a low voltage as a method and device for image formation which form an image on an image display medium having a display layer changing in optical characteristics by electric field application.例文帳に追加

電界印加により光学的特性が変化する表示層を有する画像表示媒体に画像形成するための画像形成方法及び装置であって、放電現象を利用せずに画像形成を行うことができ、低電圧で画像形成できる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

An artificial object, which contains a tissue body formation-promoting component at least at a part of the surface, and is provided with a tissue body formation-promoting component-containing layer for discharging the tissue body formation-promoting component, is implanted in a living body, and the tissue body is formed around the artifact.例文帳に追加

表面の少なくとも一部に組織体形成促進成分を含有し、組織体形成促進成分を放出させる組織体形成促進成分含有層が設けられている人工物を生体内へ埋入し、該人工物の周辺に組織体を形成させる。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device eliminates ion implantation of impurities for channel formation on a field oxide film 30, in the method of ion implantation of impurities for channel formation of conductivity type reverse to that of a well diffusion layer after gate electrode formation.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、ゲート電極形成後にウェル拡散層とは逆導電型のチャネル形成用の不純物をイオン注入する製造方法において、フィールド酸化膜３０にチャネル形成用の不純物をイオン注入しない製造方法である。 - 特許庁

To extend the lifetime of a photoreceptor sheet by preventing peeling and breakage of a photosensitive layer of the photoreceptor sheet obtained by disposing a conductive layer and the photosensitive layer on a substrate layer, and to achieve price-reduction of an image forming apparatus by achieving stable high-quality image formation over a prolonged period of time.例文帳に追加

基体層上に導電層と感光層をもうけてなる感光体シートの感光層の剥がれや破損を防止して、感光体シートの長寿命化をはかり、長期に亘り安定した高画質の画像形成を得ることにより画像形成装置の低価格化を得る - 特許庁

As shown in Fig. (a), a wiring film forming metal layer 102 is formed on a releasing sheet 100, and a bump forming metal layer 104 is formed on the wiring film forming metal layer 102 through the intermediary of an etching stop layer 103 for the formation of a multilayer metal plate.例文帳に追加

図１（ａ）に示すように、剥離性シート１００の上に、配線膜形成用金属層１０２が形成され、さらにその配線膜形成用金属層の上にエッチングストッパー層１０３を介してバンプ形成用金属層１０４が形成された多層金属板を用意する。 - 特許庁

By using non-selective epitaxial growth, a polycrystalline silicon layer is formed on a field oxide film simultaneously to formation of a single crystal silicon layer on an active region, a source/drain region is formed on a polycrystalline silicon layer is formed on the field oxide film 3, and a source/drain region is formed on the polycrystalline silicon layer formed on the field oxide film 3.例文帳に追加

非選択エピタキシャル成長を用いることで、アクティブ領域上に単結晶シリコン層を形成するのと同時に、フィールド酸化膜３上に多結晶シリコン層を形成し、フィールド酸化膜３上に形成された多結晶シリコン層にソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

Further, a nitride semiconductor layer 20 formed on the n-type GaN substrate 10 includes a layer thickness slope region 5 which gradually decreases in layer thickness toward the recessed portion 2 (dug region 3), and a light emission formation region 6 wherein variation in layer thickness is very small.例文帳に追加

また、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成された窒化物半導体層２０は、凹部２（掘り込み領域３）に近づくにしたがって層厚が傾斜的に減少する層厚傾斜領域５と、層厚変動の非常に小さい発光部形成領域６とを有している。 - 特許庁

In the method of manufacturing a top contact type field effect transistor 10 of this embodiment, after a protection layer 22 is formed on an active layer 18 formed in a semiconductor layer formation step, a photoresist film is formed on the protection layer 22 and it is exposed to a pattern shape in an exposure step.例文帳に追加

本実施の形態のトップコンタクト型の電界効果型トランジスタ１０の製造方法によれば、半導体層形成工程で形成した活性層１８上に、防護層２２を形成した後に、該防護層２２上にフォトレジスト膜を形成して露光工程においてパターン状に露光する。 - 特許庁

Therefore, the relationship of the thickness of the buffer layer 30, the position of the bottom surface 42L of the tunnel barrier layer and the position of the top surface 60U of the TaO layer 60 formed around the magnetic tunnel junction element is previously calculated, and the film formation thickness of the buffer layer 30 is determined based on the relationship.例文帳に追加

そのために、バッファ層３０の膜厚と、トンネルバリア層下面位置４２Ｌと、磁気トンネル接合素子周辺に形成されたＴａＯ層６０の上面６０Ｕと、の関係をあらかじめ求めておき、当該関係に基づき、バッファ層３０の成膜膜厚を決定する。 - 特許庁

To provide a pavement structure preventing slipping and shortening a braking distance on a sloping road by hardly allowing formation of a snow ice layer or an ice layer (Eisbahn) in winter in the same pavement, at the same time, enabling crushing of the formed snow ice layer or ice layer into pieces and draining rain water in other seasons.例文帳に追加

同一の舗装道路において、冬季には雪氷層又は氷層（アイスバーン）が発生しにくくするとともに、発生した雪氷層又は氷層を破砕することができるようにし、他の季節においては雨水を排水することでスリップ防止や坂道での制動距離の短縮化を図る。 - 特許庁

In this manufacturing method, an aqueous solution containing ammonia ions, copper ions and chlorine ions is used for etching liquid at formation of a photoresist layer 16 patterned on the surface of a substrate, where a polyimide layer 14 and a copper layer 13 are formed in the order on a steel plate 11 and etching the copper foil layer 13.例文帳に追加

鋼板１１上に、ポリイミド層１４と銅箔層１３とがこの順序で形成された基板表面にパターニングされたフォトレジスト層１６を形成し、銅箔層１３をエッチング処理する際、エッチング液に、アンモニアイオンと、銅イオンと、塩素イオンとを含有する水溶液を用いる。 - 特許庁

To provide a liquid medium for forming a metal-protecting layer enabling the formation of a desired coating state surely on the metal by improving a fact that the protecting layer becomes not uniform by pinholes, etc., developed in forming the metal-protecting layer, and a method for forming the metal-protecting layer.例文帳に追加

金属保護層を形成する際に発生してしまうピンホール等によって保護層が不均一となることを改善し、金属上に、確実に所望のコーティング状態を形成することが可能となる、金属保護層形成用液媒体及び金属保護層の形成方法を提供すること。 - 特許庁

The upper layer after the pattern formation is used as a mask for the optical ozone ashing of the lower layer and then a peeling process for the upper layer, a conductive film forming process, an electroforming process, a peeling process for an electroformed film (stamper layer 12), and a specific postprocess for the electroformed film are carried out to obtain a desired original disk.例文帳に追加

パターン形成後の上層をマスクとして下層を光オゾンアッシングし、その後、上層の剥離工程、導電膜形成工程、電鋳工程、電鋳膜（スタンパ層１２）の剥離工程および、この電鋳膜に対する所定の後処理工程を経て所望の原盤を得る。 - 特許庁

An insulating layer 3, a gate electrode 2 and an organic semiconductor layer 4 which are separated from each other by the insulating layer 3, and a source electrode 5 and a drain electrode 6 which are both formed so as to come into contact with the organic semiconductor layer 4, are formed on an insulating support substrate 1 for the formation of the field effect transistor.例文帳に追加

絶縁体層３と、この絶縁体層３により隔離されたゲート電極２及び有機半導体層４と、この有機半導体層４に接するように設けられたソース電極５及びドレイン電極６を、絶縁性支持基板上１に有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide a snow-layer formation device capable of easily forming a snow-layer in a part of a vertical wall surface in a snow-board artificial sliding-course and a part of a down slope continued to the vertical wall surface and easily forming a thick snow-layer to repair even when the snow-layer is cut off.例文帳に追加

スノーボード用人工滑走路の垂直壁面の一部とこの垂直壁面に続くダウンスロープの一部に容易に雪層を形成でき、かつ雪層が削り落とされた場合でも容易に厚い雪層を形成して補修できる雪層形成装置を提供すること。 - 特許庁

In this method of manufacturing the hard coat film 1, the formation of the TAC layer 11 is executed after a hard coat layer 12 is formed on a release film under the condition that the thickness of the hard coat layer 12 is 5-20 μm and the thickness of the TAC layer 11 is 0.1-20 μm.例文帳に追加

剥離フィルムの上にハードコート層を形成した後にトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）層を形成することを特徴とするハードコートフィルムの製造方法で製造された、５〜２０μｍのハードコート層および０．１〜２０ μｍのＴＡＣ層を有することを特徴とするハードコートフィルム。 - 特許庁

The P^+ source layer 11 is provided on both sides of the P^+ source layer 9 so as to come into contact with the P^+ source layer 9 between the element isolation region and the P^+ source layer 9, and the end part is provided at the center end part of the element formation region 20 so as to overlap the gate insulating film.例文帳に追加

Ｐ^＋ソース層１１は、素子分離領域とＰ^＋ソース層９の間にＰ^＋ソース層９と接するように、Ｐ^＋ソース層９の両側に設けられ、端部がゲート絶縁膜とオーバーラップするように素子形成領域２０の中央端部に設けられる。 - 特許庁

A porous layer is partially formed in a silicon substrate, and a silicon layer is formed on that substrate, and the formation of a porous layer in that silicon layer is repeated to manufacture the three dimensional porous structure having a plurality of porous regions having different three dimensional structures respectively.例文帳に追加

シリコン基板中に部分的に多孔質層を形成し、その基板上にシリコン層を形成し、そのシリコン層に多孔質層を形成することを繰り返すことによって三次元構造の異なる複数の多孔質領域を有する三次元多孔質構造体を作製する。 - 特許庁