「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

At least, either dielectric material or magnetic material is dispersed into resin, a component layer which contains no glass cloth is provided, the component layer is as thick as 2 to 40 μm, and a conductor layer is transferred onto the component layer by a release sheet for the formation of a laminated electronic part.例文帳に追加

少なくとも誘電体、磁性体のいずれかが樹脂中に分散され、かつガラスクロスを含有しない構成層を有し、この構成層の厚みが２〜４０μmであり、この構成層は、剥離シートにより導電体層が転写されている構成の積層電子部品とした。 - 特許庁

Before forming a colored layer 38R, a rugged surface 32 is formed on a colored layer formation region 36, a droplet of a reflection layer solution is formed on the rugged surface 32 of a reflection region Rr and a reflection layer 37 having a shape corresponding to a rugged shape of the rugged surface 32 is formed.例文帳に追加

着色層３８Ｒを形成する前に、着色層形成領域３６に凹凸面３２を形成し、反射領域Ｒｒの凹凸面３２上に、反射層溶液の液滴を形成して凹凸面３２の凹凸形状に対応する形状の反射層３７を形成した。 - 特許庁

An insulating layer 3, a gate electrode 2 and an organic semiconductor layer 4 separated from each other by the insulating layer 3; and a source electrode 5 and a drain electrode 6 which are formed so as to come into contact with the organic semiconductor layer 4; are formed on an insulating support substrate 1 for the formation of the field effect transistor.例文帳に追加

絶縁体層３と、この絶縁体層３により隔離されたゲート電極２及び有機半導体層４と、この有機半導体層４に接するように設けられたソース電極５及びドレイン電極６を、絶縁性支持基板上１に有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method and a substrate treatment apparatus capable of inhibiting the formation of an insulating layer on a substrate surface where the insulating layer is not needed and selectively forming the layer in a non-through hole when forming the insulating layer in the non-through hole formed at the substrate by an electrodeposition method, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

電着法により基板に設けた非貫通穴内部に絶縁層を形成する際に、絶縁層を必要としない基板表面の絶縁層の形成を抑制し、非貫通穴内部に選択的に成膜できる基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

After the FSG layer 13 is formed to cover aluminum wirings 12 on a substrate 11 in a chamber of a plasma processing apparatus, an NSG layer 14 is continuously formed in the chamber subsequent to the formation of the FSG layer 13 on the condition of higher temperature when the FSG layer 13 is formed.例文帳に追加

基板１１上のアルミニウム配線１２を覆う状態で、プラズマ処理装置のチャンバ内においてＦＳＧ層１３を形成した後、このチャンバ内においてＦＳＧ層１３の形成に連続させてＦＳＧ層１３の形成温度よりも高い温度条件でＮＳＧ層１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium including a soft magnetic layer, a magnetic recording layer of a granular structure and a continuous layer having high perpendicular magnetic anisotropy, on a base body capable of easily enhancing a magnetic field for reverse magnetic domain nucleus formation in the magnetic recording layer.例文帳に追加

基体上に軟磁性層、グラニュラー構造を有する磁気記録層及び高い垂直磁気異方性を有する連続層を備える垂直磁気記録媒体について、磁気記録層の逆磁区核形成磁界を容易に高めることができる製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a high-quality radiation image conversion panel which is free not only from the unevenness of coating and pasting in the making of a protective layer for a stimulable phosphor layer caused by a manufacturing process of the protective layer but also but from the mixing of minute foreign matter (dust in the air and fiber) into the protective layer in the formation of it.例文帳に追加

輝尽性蛍光体層の保護層の製造工程中に起因する、保護層作製時の塗設ムラや貼り付けムラ、更に、保護層形成時に微細な異物（空気中のほこり、繊維）の混入の無い、高品質な放射線画像変換パネルを提供する。 - 特許庁

To suppress increase in roughness of an interface between a TiSix layer and an Si semiconductor substrate, which is caused at formation of the TiSix layer which is formed by reacting a Ti layer to the Si semiconductor substrate in the case where the Ti layer, which is a contact material, is deposited on the Si semiconductor substrate by a CVD method in the method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、コンタクト材であるＴｉをＣＶＤで堆積した場合、ＴｉとＳｉとが反応してＴｉＳｉ_x が生成され、それに起因して発生するＴｉＳｉ_x ／Ｓｉ界面のラフネス増大を抑制しようとする。 - 特許庁

The composition for adhesion prevention layer formation for use in the multilayer photosensitive printing original plate obtained by laminating at least a photosensitive resin layer, the adhesion prevention layer, and the protection layer on a support contains a binder resin soluble in an organic solvent and polyethyleneimine.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも感光性樹脂層、粘着防止層、及び保護層が積層されてなる多層感光性印刷用原版に用いられる粘着防止層形成用組成物であって、有機溶剤に可溶なバインダー樹脂、及びポリエチレンイミンを含有する粘着防止層形成用組成物。 - 特許庁

A low-transmittance layer 11 formed into a discontinuous pattern, and a high-transmittance multi-layer film 12 formed on the low-transmittance layer and a non-formation region of the low-transmittance layer are arranged on the outside surface of a front panel 1 having a phosphor screen 3 formed on its inside surface.例文帳に追加

内面に蛍光体スクリーン３が形成された前面パネル１の外面に、不連続な配置パターンに形成された低透過率層１１と、低透過率層上及び低透過率層の未形成領域に形成された高透過率多層膜１２とが設けられている。 - 特許庁

The method of fabricating a semiconductor device includes the steps of forming a first electrode, a light-emitting layer containing zinc sulfide and manganese on the first electrode, and forming a second electrode on the light-emitting layer; and after the formation of the light-emitting layer, applying thermal treatment to the light-emitting layer.例文帳に追加

第１の電極を形成し、前記第１の電極上に、硫化亜鉛及びマンガンを含む発光層を形成し、前記発光層上に第２の電極を形成し、前記発光層を形成後、前記発光層を加熱処理する工程を有する半導体装置の作製方法に関する。 - 特許庁

Accordingly a continuous grain boundary is formed in an interface between the magnetic recording layer 15 and the intermediate layer 14 and imperfect formation of the grain boundary in the initial growth layer of the magnetic recording layer 15 is prevented.例文帳に追加

磁気記録層15の下部に、磁気記録層と類似のグラニュラー構造を有する中間層14を形成することで、磁気記録層15と中間層14の界面において連続的な結晶粒界を形成し、磁気記録層15の初期成長層に見られる結晶粒界の不完全な形成を防止する。 - 特許庁

The base material for a semiconductor device comprises a substrate, a GaInNP buffer layer or a GaNP buffer layer deposited on the substrate, and a base layer for formation of a functional element deposited on the GaInNP buffer layer or the GaNP buffer layer, wherein the base layer for a functional element includes a high crystalline Al_xGa_1-xN semiconductor layer as the uppermost layer and also includes a low crystalline AlGaN semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置用基材は、基板と、この基板上に形成されたＧａＩｎＮＰバッファ層またはＧａＮＰバッファ層と、このＧａＩｎＮＰバッファ層またはＧａＮＰバッファ層上に形成された積層体である機能素子形成用下地層とよりなり、機能素子形成用下地層は、その最上層が高結晶性Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ半導体層よりなり、当該機能素子形成用下地層中には低結晶性ＡｌＧａＮ半導体層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The water W containing micro bubbles generated with a micro bubble generator is supplied to the internal space 15a of a lower part frame 15, micro bubbles k are supplied into the storage water layer formation chamber 18 from a communicating hole 15b to turn the bubbles in the storage water layer formation chamber 18 into a white turbidity state.例文帳に追加

マイクロバブル発生装置によって生成されたマイクロバブルを含む水Ｗを下部横枠１５の内部空間１５ａ内に供給し、連通孔１５ｂから前記貯水層形成室１８内にマイクロバブルｋを供給し、貯水層形成室１８内のダブルを白濁状態にする。 - 特許庁

On the top surface of a core substrate 100 where a first internal- layer wire 101 is formed, a first semiconductor chip 102 is mounted so that its circuit formation surface faces the top surface of the core substrate 100 and an electrode formed on the circuit formation surface is connected to the first internal-layer wire 101.例文帳に追加

第１の内層配線１０１が形成されたコア基板１００の上面に第１の半導体チップ１０２を、その回路形成面がコア基板１００の上面と対向すると共に該回路形成面に形成された電極が第１の内層配線１０１と接続するように搭載する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which emits low-coherence light having a center wavelength band of 0.90 to 1.15 μm, formation of a wide-band quantum well layer and formation of an upper clad layer of high crystal quality being compatibly achieved without removing a mask for selective growth.例文帳に追加

０．９０μm以上かつ１．１５μm以下の中心波長帯の低コヒーレンス光を射出する半導体発光素子において、選択成長用マスクを除去せずに、広帯域な量子井戸層の形成と結晶品質の高い上部クラッド層の形成とを両立する。 - 特許庁

As a means to solve the fence or the lift-off residue of the resist mask in a track formation process and an element height formation process, lift-off is performed by CMP by forming a 1st stopper layer 41 on the magnetoresistive effect film 3, and a 2nd stopper layer 42 on a refill film 6.例文帳に追加

トラック形成工程及び素子高さ形成工程における、フェンスやレジストマスクのリフトオフ残りを解決する手段として、磁気抵抗効果膜３の上に第一のストッパー層４１を、リフィル膜６の上に第二のストッパー層４２を配し、ＣＭＰによってリフトオフを行う。 - 特許庁

To provide an inspection method of a polarization plate for detecting, before the formation of an antireflection layer, a defect such as the streak unevenness, which is included in the polarization plate and can be conventionally detected after the formation of the antireflection layer, and to provide a manufacturing method of the polarization plate using the method.例文帳に追加

従来、反射防止層を形成した後でなければ検出できなかった、偏光板が有するスジムラ等の欠陥を、反射防止層を形成する前に検出可能な偏光板の検査方法および該方法を利用した偏光板の製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic electroluminescence element is configured 89 that a first electrode film 2 and film formation preventive layers 3a and 3b are formed on a board 1 and an organic light emission layer 4 and a second electrode film 5 are laminated one over another on that surface area of the first electrode film 2 where no film formation preventive layer is provided.例文帳に追加

基板１上に、第１の電極膜２と、成膜防止層３ａ，３ｂとが形成され、第１の電極膜２上の成膜防止層３ａ，３ｂ非形成面に有機発光層４及び第２の電極膜５が順次積層形成された有機電界発光素子。 - 特許庁

In this organic electroluminescent element, a first electrode film 2 and film formation prevention layers 3a, 3b are formed on a substrate 1, while an organic luminescent layer 4 and a second electrode film 5 are sequentially laminated and formed on a film formation prevention layer 3a, 3b non- formed surface on the first electrode film 2.例文帳に追加

基板１上に、第１の電極膜２と、成膜防止層３ａ，３ｂとが形成され、第１の電極膜２上の成膜防止層３ａ，３ｂ非形成面に有機発光層４及び第２の電極膜５が順次積層形成された有機電界発光素子。 - 特許庁

To provide an aqueous polyurethane resin composition for epidermal layer formation, which contains an organic solvent as little as possible or does not contain it absolutely, exhibits good film formation property, and can form an epidermal layer excellent in abrasion resistance and flex resistance.例文帳に追加

有機溶剤を極力或いは全く含まない水性ポリウレタン樹脂組成物であって、しかも成膜性が良好で、且つ耐摩耗性及び耐屈曲性に優れる表皮層を形成することが可能な表皮層形成用水性ポリウレタン樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor device provided with the NPN and PNP transistors on the same substrate, n^+ type buried layer 4 is formed on an NPN formation area forming the NPN transistor and an PNP formation area forming the PNP transistor, and a p^+ type buried layer is not formed.例文帳に追加

同一基板上にＮＰＮ及びＰＮＰトランジスタが備えられた半導体装置において、ＮＰＮトランジスタが形成されるＮＰＮ形成領域とＰＮＰトランジスタが形成されるＰＮＰ形成領域とにｎ^+型埋込み層４を形成し、ｐ^+型埋込み層は形成しない。 - 特許庁

An n-type well layer 21 for relaxing an electric field is formed deeper than the trench 14 under the channel formation region 10 and the offset layer 20 in the separated region Z1, and, what is more, so as to be joined to the channel formation region 10 while covering the lower end of the trench 14.例文帳に追加

ｎ型の電界緩和用ウエル層２１が、素子間分離された領域Ｚ１においてチャネル形成領域１０およびオフセット層２０の下にトレンチ１４よりも深く、かつ、チャネル形成領域１０につながるとともにトレンチ１４の下端を覆うように形成されている。 - 特許庁

To provide a composition for optical material which can more increase recording density, especially to provide a photocurable composition which is suitable for the formation of a surface protection layer of a high density recording optical disk or the formation of a condenser lens.例文帳に追加

記録密度をより高めることができる光学材料用組成物、特に、高密度記録光ディスクの表面保護層の形成や集光レンズの形成に好適な光硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a rolling member and a rolling bearing that can reduce a manufacturing cost while avoiding a problem caused by formation of a decarburized layer and a problem caused by formation of scales at the same time.例文帳に追加

脱炭層の形成に起因した問題点およびスケールの形成に起因した問題点を同時に回避しつつ、製造コストの低減が可能な転動部材および転がり軸受の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for colored layer formation which allows formation of a color filter not causing "burn-in" in a high product yield, and has high solubility in a cleaning solvent even after drying.例文帳に追加

“焼きつき”を生じないカラーフィルタを高い製品歩留まりで形成することができ、また乾燥後でも洗浄溶剤に対する溶解性の高い着色層形成用感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

For example, in a semiconductor element, formation of a channel (current path) in vicinity of a bottom surface (first surface) of the oxide semiconductor layer and formation of a channel in vicinity of a top surface (second surface) are independently controlled.例文帳に追加

例えば、当該半導体素子は、当該酸化物半導体層の下面（第１の面）近傍におけるチャネル（電流経路）の形成と、上面（第２の面）近傍におけるチャネルの形成とを独立して制御する。 - 特許庁

A height h2 of a gate electrode 11 on an isolation film 6 is made smaller than a height h1 of the gate electrode 11 on an element formation region by leaving a first silicon layer 3 in an element formation region without removing it.例文帳に追加

第１のシリコン層（３）を除去せずに素子形成領域に残すことで、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）の高さｈ２を素子形成領域上のゲート電極（１１）の高さｈ２に比べて低くする。 - 特許庁

To provide an manufacturing method of an organic electroluminescent display without defects and/or unevenness in the formation of an organic luminescent layer by performing film formation which is uniform in in-plane film thickness by a letterpress printing technique.例文帳に追加

凸版印刷法による有機発光層の形成において、面内膜厚が均一な膜形成を行ない、欠陥やムラのない有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A silicon epitaxial layer of the SOS substrate is provided with a channel formation part 121 which is of p-type and has hexahedron structure, and a gate oxide film 125 and a gate electrode 131 are provided on both sides of the channel formation part 121.例文帳に追加

ＳＯＳ基板のシリコンエピタキシャル層にｐ型で六面体構造のチャネル形成部１２１を設けるとともに、このチャネル形成部１２１の両側面にゲート酸化膜１２５とゲート電極１３１とを設ける。 - 特許庁

To prevent characteristics from changing at the time of start and finish of cell formation, which is caused by the change of the amount of impurities in an active layer attendant on the change of desorbed gas in a continuous cell-formation by a plasma enhanced CVD.例文帳に追加

プラズマＣＶＤによるセル連続形成において、脱離ガスの変化に伴って活性層中の不純物量が変化し、セル形成開始時と終了時とで特性が変動するのを防止する。 - 特許庁

To provide an image formation device that prevents both formation of a filming layer on an intermediate transcription and occurrence of faulty cleaning of contact parts between the intermediate transcription and cleaning means.例文帳に追加

中間転写体上におけるフィルミング層の形成を防止するとともに、中間転写体とクリーニング手段との接触部におけるクリーニング不良の発生を防止する画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a liquid ejector which can wipe by contacting a nozzle formation face under a uniform pressure distribution with the use of a contact force of a level not to damage a water repellency processing layer on the nozzle formation face.例文帳に追加

ノズル形成面上の撥水処理層を傷つけない程度の当接力を用いて、ノズル形成面に均一な圧力分布で当接して払拭可能とする液体噴射装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a field effect transistor having a structure that facilitates semiconductor formation and uses a bank layer so that the semiconductor formation does not cause any problem to application of a voltage to an upper pixel electrode.例文帳に追加

電界効果型トランジスタにおいて、半導体形成が簡便であり、かつ半導体形成によって前記上部画素電極への電圧の印加に問題が生じないようにバンク層を用いた構造を提供すること。 - 特許庁

The third conductive layer 23 has: a circuit formation part 28 for forming an electric circuit 6; and an outer side part 29 insulated from the circuit formation part 28 and disposed on the side of an outer peripheral part 3c of the board main body 3.例文帳に追加

第３導電層２３は、電気回路６を形成するための回路形成部２８と、この回路形成部２８とは絶縁され基板本体３の外周縁部３ｃ側に配置された外側部２９とを有する。 - 特許庁

A reference hole in a layer lower than wiring formation layers 5 and 6 is filled with magnetic substances 4, and register with a lamination matter is performed by visualizing the reference hole on the wiring formation layers 5 and 6 by magnetic particles.例文帳に追加

予め配線形成層５，６よりも下層の基準孔に磁性体４を充填し、磁性体粒子１１によって配線形成層５，６上に該基準孔を可視化させて、積層物との位置合わせを行う。 - 特許庁

When a metal wiring layer connected with a gate layer is formed above the gate layer in order to transmit an electric signal to the gate layer of a MOS transistor formed in a functional circuit region adjacent to the cell formation region of an SRAM memory cell, the metal wiring layer is arranged in a layer different from a wordline layer formed above the gate layer at a metal damascene process using a second metal damascene process.例文帳に追加

ＳＲＡＭメモリセルのセル形成領域に隣接した機能回路領域に形成されるＭＯＳトランジスタのゲート層に電気的信号を伝達するために前記ゲート層と接続される金属配線層を前記ゲート層の上方に形成する場合に、前記ゲート層の上方に金属ダマシン工程で形成されるワードライン層とは互いに異なる層で第２の金属ダマシン工程を用いて前記金属配線層を配置する。 - 特許庁

The semiconductor apparatus 10 has the semiconductor substrate 12 having an element formation region 14 around which a scribe region 34 is arranged, at least one wiring layer formed on the semiconductor substrate 12 via the insulating layer, a seal ring 36 formed so as to surround the element formation region 14, a rewiring 48 connected with a pad consisting of the top-layer wiring layer, and a second resin layer 32 covering the rewiring 48.例文帳に追加

半導体装置１０は、スクライブ領域３４が周囲に配置される素子形成領域１４を有する半導体基板１２と、絶縁層を介して半導体基板１２上に形成される少なくとも１層の配線層と、素子形成領域１４を囲むように形成されるシールリング３６と、最上層の配線層から成るパッドと接続された再配線４８と、再配線４８を被覆する第２樹脂層３２とを備えている。 - 特許庁

Furthermore, the method comprises definition of a first zone and a second zone in the surface of a substrate, formation of a seed crystal in the first zone, formation of an amorphous silicon layer to cover the first zone and the second zone and melting of the amorphous silicon layer by irradiating the amorphous silicon layer with laser.例文帳に追加

また、本発明に係る多結晶シリコン層の結晶方法は、基板の表面に第一区域および第二区域を定義することと、第一区域に種晶を形成することと、第一区域および第二区域を覆うように非晶質シリコン層を形成することと、レーザで非晶質シリコン層を照射して非晶質シリコン層を溶融させることとを含んでいる。 - 特許庁

Further, the fine porous layer may be formed by manufacturing a granulation body as a substantially spherical assembly of respective particles of a plurality of different materials including the cerium oxide, water-repellent member, and conductive member, manufacturing a fine porous layer formation member including the granulation body, water-repellent member, and conductive member, and coating the fine porous formation member on the diffusion base material layer.例文帳に追加

また、酸化セリウムと撥水性部材と導電性部材とを含む複数の異なる物質の各粒子が略球状にまとまった造粒体を作製するとともに、造粒体と撥水性部材と導電性部材とを含む微多孔質層形成部材を作製し、微多孔質形成部材を拡散基材層上に塗工するようにしてもよい。 - 特許庁

The manufacturing method of an electro-optical apparatus includes a semiconductor layer formation process of forming a semiconductor layer (1a) of a transistor on a substrate (10); an impurity introduction process introducing impurities into a channel portion (1a') of the semiconductor layer; and a gate electrode formation process forming a gate electrode (3b) so as to overlap with the channel portion in plan view of the substrate.例文帳に追加

電気光学装置の製造方法は、基板（１０）に、トランジスタの半導体層（１ａ）を形成する半導体層形成工程と、半導体層のチャネル部（１ａ’）に不純物を導入する不純物導入工程と、基板を平面的に見て、チャネル部に重なるようにゲート電極（３ｂ）を形成するゲート電極形成工程とを備える。 - 特許庁

A plurality of pixel electrodes 22 of a liquid crystal operation structure and a plurality of contact electrodes 26a and 28a of a touch position detection structure are formed of a first conductive layer FL formed before formation of height adjustment parts 30b of the bases and a second conductive layer SL formed over the first layer after formation of the height adjustment parts.例文帳に追加

液晶操作構造の複数の画素電極２２及びタッチ位置検出構造の複数の接点電極２６ａ，２８ａが、土台の高さ調整部３０ｂの形成前に形成された導電性の第１層ＦＬと高さ調整部の形成後に第１層に重複して形成された導電性の第２層ＳＬとで形成されている。 - 特許庁

Particles stable to an electrolyte and a binder are mixed to form a paste for electrolyte layer formation, the viscosity of paste is adjusted within a given viscosity range by applying an electric field to the paste for the electrolyte layer formation, then the paste whose viscosity is adjusted is applied on a fuel electrode and/or an air electrode to form an electrolyte layer.例文帳に追加

電解質に対して安定な粒子と、バインダーと、を混合して電解質層形成用ペーストを調製し、該電解質層形成用ペーストに電場をかけて粘度を所定粘度範囲に調整し、粘度調整された前記電解質層形成用ペーストを、前記燃料極及び／又は前記空気極に塗布して電解質層を形成する。 - 特許庁

To prevent a supporting material from being carelessly peeled off in a manufacturing processes, to easily peel off the supporting material from a metal layer and to improve the formability of electric wirings when manufacturing a photoelectric wiring consolidated board by using a laminated material in which the supporting material, the metal layer for electric wiring formation and a resin layer for optical wiring formation are laminated.例文帳に追加

支持材、電気配線形成用の金属層及び光配線形成用の樹脂層を積層した積層材を用いて光電気配線混載基板を製造するにあたり、製造プロセスにおける支持材の不用意な剥離を防止、金属層からの支持材の剥離時における容易な剥離、電気配線の成形性向上を達成する。 - 特許庁

The electronic component, where an internal electrode layer 3 and a dielectric layer 2 are laminated alternately, is a laminated ceramic capacitor in which the internal electrode layer 3 has an electrode non-formation section 12, a needle-like crystal 8 penetrates the electrode non-formation section 12, and the needle-like crystal 8 is arranged, bridging the dielectric layers 2.例文帳に追加

内部電極層３と誘電体層２とが交互に積層された電子部品であって、前記内部電極層３は電極途切れ部１２を有し、前記電極途切れ部１２を針状結晶８が貫通し、前記針状結晶８が誘電体層２にブリッジをかけるように配置されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 特許庁