「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a composition for a dielectric layer made by uniformly dispersing glass components or the like, a green sheet forming a dielectric layer with excellent voltage-withstanding characteristics even in a thick film formation, a dielectric layer forming substrate having a dielectric layer formed from the green sheet, and its manuracturing method.例文帳に追加

ガラス成分等が均一に分散してなる誘電体層用組成物、及び厚い膜厚で形成しても耐電圧特性に優れる誘電体層を形成できるグリーンシート、並びにこのグリーンシートから形成された誘電体層を有する誘電体層形成基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a process of forming the piezoelectric thin film layer 16, a compressive stress is applied to the piezoelectric thin film layer 16 when it is formed in order to reduce the tensile stress occurring in the piezoelectric thin film layer 16 due to a difference in shrinkage between the substrate 11 and the piezoelectric thin film layer 16 when the piezoelectric thin film 16 is cooled after formation.例文帳に追加

圧電体薄膜層１６を形成する工程において、成膜時における圧電体薄膜層１６に圧縮応力を付与することにより、成膜後の冷却時に基板１１と圧電体薄膜層１６との収縮量の差によって圧電体薄膜層１６に生じる引張応力を緩和する。 - 特許庁

An n-type channel diffusion layer 24, a p-type high density diffusion layer 26 for a source, an n-type high density diffusion layer 28, a gate oxide film 30, and a gate electrode 32 which constitute a p-channel DMOS transistor are formed in an area different from the CMOS formation area of the p-type low density epitaxial growth layer 4.例文帳に追加

Ｐ型低濃度エピタキシャル成長層４のＣＭＯＳ形成領域とは異なる領域に、ＰｃｈＤＭＯＳトランジスタを構成する、Ｎ型チャネル拡散層２４、ソース用のＰ型高濃度拡散層２６、Ｎ型高濃度拡散層２８、ゲート酸化膜３０及びゲート電極３２が形成されている。 - 特許庁

In this packaging material for batteries, the outer covering body made of at least a base material layer, an adhesive layer, aluminum, a formation treated layer and a polyethylene resin heat seal layer is formed, and a battery body comprising the lead wire is inserted into the armored body and then the periphery is heat-sealed for securing sealing.例文帳に追加

また、少なくとも基材層、接着層、アルミニウム、化成処理層、ポリエチレン系樹脂のヒートシール層から構成される外装体を形成し、該外装体に、前記の電池用リード線を備えた電池本体を挿入して、その周縁をヒートシールして密封し得ることを特徴とする電池用包装材料を含む。 - 特許庁

The third glass ceramic layer 14 is formed in a partial area including a formation area of the conductor pattern 13 between the first glass ceramic layer 11 and the second glass ceramic layer 12, and has a thermal expansion coefficient included in a range between the thermal expansion coefficient of the conductor pattern 13 and that of the second glass ceramic layer 12.例文帳に追加

第３ガラスセラミック層１４は、第１ガラスセラミック層１１と第２ガラスセラミック層１２との間において導体パターン１３の形成領域を含む部分的領域に形成されており、導体パターン１３の熱膨張率と第２ガラスセラミック層１２の熱膨張率との間の範囲に含まれる熱膨張率を有している。 - 特許庁

An image recording body is protected by transferring a transferring foil having an ionizing radiation cured layer onto an image receiving layer on a bead-containing card base material, which is formed by laminating a bead- containing layer and the image receiving layer onto a card base material after the formation of the recording of at least one selected from identifiable information and bibliographical information.例文帳に追加

画像記録体は、カード基材上に、ビーズ含有層、受像層をこの順に積層して構成してなるビーズ含有カード基材上の受像層に、識別情報及び書誌情報から選ばれる少なくとも１つを記録形成後、電離放射線硬化層を有する転写箔を転写して保護する。 - 特許庁

That is, when the electrophoresis is applied to formation for the solid electrolyte layer, since electric current concentrically flows to a part on the front surface in which the solid electrolyte layer is not formed, the electrophoresis is concentrated to the part, and a solid electrolyte layer is preferentially formed in a part on which the solid electrolyte layer is not formed.例文帳に追加

つまり、電気泳動法を固体電解質層の形成に応用すると、表面の固体電解質層が形成されていない部分に集中的に電流が流れるのでその部分に電気泳動が集中し、固体電解質層が形成されていない部分に優先的に固体電解質層が形成される。 - 特許庁

According to a first aspect, a method of manufacturing the thin-film solar cell of the present invention comprises a step of using a difference in etching speed between an amorphous layer and a crystalline layer to etch part of a photoelectric conversion layer, and to create a texture during formation of a photoelectric conversion layer of a silicon thin-film solar cell.例文帳に追加

本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、第１の局面によれば、シリコン薄膜太陽電池の光電変換層形成時に、非晶質層と結晶層のエッチング速度の違いを利用して光電変換層の一部をエッチングし、テクスチャを作成する工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Furthermore, a lens forming layer 22 of photosensitive layer is formed, subject to patterning, and exposed to ultraviolet rays of wavelengths 350 to 400 nm to turn into a lens formation pattern layer 22a, the pattern layer 22a is made to flow by heating to turn into a microlens array 23 composed of microlenses 22b, and thus a solid-state image sensing device 100 is obtained.例文帳に追加

さらに、感光層からなるレンズ形成層２２を形成し、パターニング処理を行って、波長３５０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線を露光してレンズ形成パターン層２２ａを形成し、加熱フローさせてマイクロレンズ２２ｂ及びマイクロレンズアレイアレイ２３が形成された固体撮像素子１００を得る。 - 特許庁

The production method of a substrate for electric optical devices includes an amorphous layer formation process of forming an amorphous layer 9a on the base material 101, a crystalline nucleus production process of producing a crystalline nucleus in an amorphous layer 9a by heating treatment and a crystalline growth process of obtaining an electric conductive layer 9 by growing the produced crystalline nucleus by heating treatment.例文帳に追加

基材１０１上に非晶質層９ａを形成する非晶質層形成工程と、非晶質層９ａ中に加熱処理によって結晶核を生成させる結晶核生成工程と、生成した結晶核を加熱処理によって成長させて導電層９を得る結晶成長工程とを含む。 - 特許庁

In order to prevent non-uniformity of distance between the film material 20 and the adhesive layer 41, which is caused by a partial formation of the color print layers 31 and 32, a white color layer 51 is formed between the film material 20 and the adhesive layer 41 in a part where the color print layer 31 and 32 are not formed.例文帳に追加

カラー印刷層３１，３２が部分的に形成されることが要因となって生じるフィルム基材２０と接着剤層４１との間の層間距離の不均一を防止すべく、カラー印刷層３１，３２が形成されていない部分においてフィルム基材２０と接着剤層４１との間に白色層５１を形成する。 - 特許庁

This EL element 10 comprises a glass substrate 1, an ITO electrode 2 (which is a transparent electrode), preferably a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, preferably an exciplex-formation prevention layer 5, a luminescent layer 6, and an MgAg electrode 7 (which is a backside electrode) laminated in this order.例文帳に追加

本発明のＥＬ素子１０は、ガラス基板１と、透明電極であるＩＴＯ電極２と、好ましくは正孔注入層３と、正孔輸送層４と、好ましくはエキシプレックス形成防止層５と、発光層６と、背面電極であるＭｇＡｇ電極７とを具え、これらがこの順に積層されて構成されている。 - 特許庁

To provide a material for the formation of an optical waveguide with which an optical waveguide composed of a high refractive index layer (a core layer) and a low refractive index layer (a clad layer) with sufficient difference in the refractive indices can be formed by an easy method without requiring a plurality of materials or complicated processes and the obtained optical waveguide has high heat resistance.例文帳に追加

複数の材料や、複雑な工程を必要とせず、簡便な方法で充分な屈折率差を有する高屈折率層（コア層）と低屈折率層（グラッド層）からなる光導波路を形成でき、また得られた光導波路が高い耐熱性を有する光導波路形成用材料。 - 特許庁

Since the layer 12 is more excellent in solvent resistance than the base layer 11, the solvent at the time of formation of the pattern layer 2 is hard to remain in the substrate sheet 1 and the blocking of the printed substrate sheet 1 at the time of winding and preservation or the blistering of the laminating surface with the transparent thermoplastic resin layer 4 can be effectively prevented.例文帳に追加

層１２は基層１１よりも耐溶剤性に優れているので、絵柄層２の印刷形成時の溶剤が基材シート１中に残留しにくく、印刷済の基材シート１の巻取り保存時のブロッキングや、透明熱可塑性樹脂層４との積層面のフクレ等を、効果的に防止することができる。 - 特許庁

Since the SiN film 21 can suppress cutting-through of the fluorine, starting from the fluorine added carbon film 20 to the hard mask layer and the SiCN film 22 can suppress oxidation of the fluorine added carbon film 20, when film formation process of the hard mask layer, the film exfoliation of the hard mark layer and the barrier layer, after heat treatment can be suppressed.例文帳に追加

ＳｉＮ膜２１によりフッ素添加カーボン膜からハードマスク層へのフッ素の突き抜けが抑えられ、ＳｉＣＮ膜２２によりハードマスク層の成膜プロセス時のフッ素添加カーボン膜２０の酸化を抑えることができるので、熱処理後のハードマスク層やバリア層の膜剥がれを抑えることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor substrate related to a first aspect includes: a chromium layer film formation process for film-forming a chromium layer having average layer thickness of not less than 7 nm and less than 45 nm on a base substrate; and a nitriding process for nitriding the chromium layer at not less than 1,000°C temperature for forming a chromium nitride film.例文帳に追加

本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を７ｎｍ以上４５ｎｍ未満の平均層厚で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を１０００℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In a formation process of an absorption layer pattern of the method of manufacturing the laminated feedthrough capacitor 1, precursors of a step absorption layer 22 for grounding and a step absorption layer 24 for grounding are formed on an electrode pattern 43 for grounding, and a precursor of a step absorption layer 32 for grounding is formed on an electrode pattern 44 for grounding.例文帳に追加

積層貫通コンデンサ１の製造方法では、吸収層パターンの形成工程において、接地用電極パターン４３上に接地用段差吸収層２２及び接地用段差吸収層２４の前駆体を形成し、また、接地用電極パターン４４上に接地用段差吸収層３２の前駆体を形成する。 - 特許庁

To prevent an operation failure of a piezoelectric actuator 21 resulting from void parts 22b, 23b and 24b generated to a piezoelectric layer 23, etc., in a thin film formation process when the piezoelectric layer 23, an upper electrode layer 24 and a lower electrode layer 22 of the piezoelectric actuator 21 are formed into a thin film to make an ink jet head H small.例文帳に追加

圧電アクチュエータ２１の圧電層２３、上部電極層２４及び下部電極層２２を薄膜化してインクジェットヘッドＨを小型化する場合に、その薄膜形成過程で圧電層２３等に生じる空乏部２２ｂ，２３ｂ，２４ｂに起因する圧電アクチュエータ２１の作動不良の発生を、簡単な方法で防止する。 - 特許庁

To lower the manufacturing cost of a silicon solar cell while enhancing photoelectric conversion efficiency of the silicon solar cell by inventing a glass composition for electrode formation and an electrode forming material, in which a blister and the aggregation of Al is hard to occur, and which are suitable for formation of an Al-Si alloy layer and a p+ electrolysis layer.例文帳に追加

ブリスターやＡｌの凝集が生じ難く、且つＡｌ−Ｓｉ合金層およびｐ＋電解層の形成に好適な電極形成用ガラス組成物および電極形成材料を創案することにより、シリコン太陽電池の光電変換効率を高めつつ、シリコン太陽電池の製造コストを低廉化すること。 - 特許庁

Next, in addition to a polysilicon nitride film mask 9a covering the element formation region 1, a polysilicon side spacer 12b and a nitride film side spacer 13 are formed to cover side walls and a bottom face of the polysilicon nitride film mask 9a, the side walls 5, 5a of the element formation semiconductor layer 4, and a part of the semiconductor layer 11.例文帳に追加

次に、前記素子形成領域１を被覆するポリシリ窒化膜マスク９ａに加えて、前記ポリシリ窒化膜マスク９ａの側壁及び底面、前記素子形成半導体層４の側壁５、５ａ及び前記半導体層１１の一部を被覆するポリシリコンサイドスペーサ１２ｂ及び窒化膜サイドスペーサ１３を形成する。 - 特許庁

A seal material is formed on a first substrate formed with an element formation layer so as to surround the element formation layer, gas is sprayed to an area surrounded by the seal material, at least the surface of the seal material is dried, liquid crystal is dropped to the area surrounded by the seal material, and then a second substrate is stuck to the first substrate.例文帳に追加

素子形成層が設けられた第１の基板上に、素子形成層を囲むようにシール材を形成し、シール材で囲まれた領域に気体を吹き付け、少なくともシール材の表面を乾燥させ、シール材で囲まれた領域に液晶を滴下し、第２の基板を第１の基板と貼り合わせる。 - 特許庁

To simultaneously enable the formation of an accurate recording layer in a base formation process, to simplify a medium manufacturing process, to achieve the effect on performance, such as reinforcement in the adherence strength between the base and the recording layer by passing through the process, and to provide high-performance recording.例文帳に追加

本発明は、基材成形過程で、同時に高精度な記録層の形成を可能としており、上記の媒体作製プロセスがより簡便となることはもちろん、該プロセスを経ることで基材と記録層との密着強度が強化されるなどの性能上の効果もあり、高性能な記録を提供することを目的とする。 - 特許庁

The stacked common mode choke coil comprises a coil formation layer 20 where a first coil 21 and a second coil 22 are formed by bifilar winding on the circumferential surface of a magnetic body in the lateral winding direction orthogonal to the thickness t of the magnetic body, and insulator layers 12 formed on the upper and lower surfaces of the coil formation layer 20.例文帳に追加

磁性体の周面に形成された第１コイル２１及び第２コイル２２が磁性体の厚さｔと直交する横巻方向のバイファイラー巻きに形成されているコイル形成層２０と、該コイル形成層２０の上下両面にそれぞれ形成された絶縁体層１２とを備えている。 - 特許庁

Since the electron beam shielding area 12 is stuck close to the pattern formation layer 2 by the slight adhesive effect of the slight adhesive layers 15 stuck close to the pattern formation layer 2, the incidence of electron beams on the area for shielding electron beams from oblique directions can be prevented even if a general and inexpensive electron beam irradiation apparatus is used.例文帳に追加

パターン形成層２に密着する微粘着層１５の微粘着効果により、パターン形成層２に電子線遮蔽領域１２が密着するので、汎用型の安価な電子線照射装置を使用しても、電子線を遮蔽する領域に電子線が斜め方向から入射することがない。 - 特許庁

A series of processes is performed by using the bit line work mask 22, i.e., the removal of the charge trap layer 3 exposed in the opening, the formation of a bit line insulating film 10 on a substrate surface with the charge trap layer 3 removed therefrom, and the formation of the embedded bit line 5 by ion implantation to the substrate 1 via the bit line insulating film 10.例文帳に追加

このビット線加工マスク２２を用いて、開口部に露出した電荷トラップ層３の除去、電荷トラップ層３が除去された基板表面へのビット線絶縁膜１０の形成、及びビット線絶縁膜１０を介しての基板１中へのイオン注入による埋め込みビット線５の形成の一連の工程を行う。 - 特許庁

The semiconductor device has an element formation layer including a transistor provided on a substrate, an insulating film provided on the element formation layer, and conductive films provided on the insulating film and adapted to function as an antenna, wherein the transistor and the conductive films are electrically connected and the insulating film has grooves, the conductive films being provided along the surface and grooves of the insulating film.例文帳に追加

基板上にトランジスタを含む素子形成層と、素子形成層上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられたアンテナとして機能する導電膜とを有し、トランジスタと導電膜は電気的に接続され、絶縁膜は溝を有し、絶縁膜の表面および溝に沿って導電膜を設ける。 - 特許庁

A substrate (101) having an electrode (102) is coated with liquid (110) for partition wall formation to form a liquid layer (40), and the fluid (44) for display which substantially separates from the liquid (110) for partition wall formation is injected into the liquid layer (40) at a plurality of positions to form a plurality of mutually separated fluid cells for display (103).例文帳に追加

電極（１０２）を有する基板（１０１）上に隔壁形成用液体（１１０）を塗布して液層（４０）を形成し、隔壁形成用液体（１１０）と実質的に分離する表示用流動体（４４）を液層（４０）の複数箇所に注入し、互いに分離された複数の表示用流動体セル（１０３）を形成する。 - 特許庁

Seal material is formed on a first substrate formed with an element formation layer so as to surround the element formation layer, gas is sprayed to an area surrounded by the seal material, at least a surface of the seal material is dried, liquid crystal is dropped to the area surrounded by the seal material, and then a second substrate is stuck to the first substrate.例文帳に追加

素子形成層が設けられた第１の基板上に、素子形成層を囲むようにシール材を形成し、シール材で囲まれた領域に気体を吹き付け、少なくともシール材の表面を乾燥させ、シール材で囲まれた領域に液晶を滴下し、第２の基板を第１の基板と貼り合わせる。 - 特許庁

A complete depletion-type high-speed MOS transistor 210 is formed in a single-crystal silicon device formation layer 103, and a high breakdown strength-type MOS transistor and an ESD preventive element 310 are formed on a silicon substrate from which the formation layer 103 on an SOI substrate and a buried oxide film 102 have been removed.例文帳に追加

完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタ２１０は、単結晶シリコンデバイス形成層１０３に形成されており、高耐圧型ＭＯＳトランジスタ及びＥＳＤ保護素子３１０は、ＳＯＩ基板上の単結晶シリコンデバイス形成層１０３及び埋め込み酸化膜１０２の除去されたシリコン基板上に形成されている。 - 特許庁

An array substrate 1 has a structure having a drive circuit formation region 24 where the driver circuit of a signal line 9, an electrostatic shield member 19, etc., are formed, a flattening layer 23 formed on the drive circuit formation region 24, and the pixel electrode 15 and common electrode 18 forme don the flattening layer 23.例文帳に追加

アレイ基板１は、信号線９、静電遮蔽部材１９等の駆動回路が形成された駆動回路形成領域２４と、駆動回路形成領域２４上に形成された平坦化層２３と、平坦化層２３上に形成された画素電極１５および共通電極１８とを備えた構造を有する。 - 特許庁

Therefore, this manufacturing method of the microstructure 1 is an imprint method which hardens the pattern formation layer 2a by the ionization radiation R which is completely different from a thermal imprint method and an optical imprint method, and can transfer the irregular pattern of the mold 5 by curing the pattern formation layer 2a by the novel technique which has not been employed hitherto.例文帳に追加

かくして、本発明の微細構造体１の製造方法では、熱インプリント方式や、光インプリント方式とは全く異なる電離放射線Rによりパターン形成層2aを硬化させるインプリント方式であり、従来にない新規な手法によりパターン形成層2aを硬化させ、モールド５の凹凸パターンを転写し得る。 - 特許庁

A plated steel sheet in which a hot dip galvannealing layer comprising 0.1 to 1 mass% Al is formed is used as the stock, and free-Al concentrated on the surface of the plating layer is consumed as a phosphate by the formation of a phosphate-containing film.例文帳に追加

Al：0.1〜1質量%の溶融亜鉛合金めっき層が形成されためっき鋼板を素材とし、リン酸塩含有皮膜の形成によりめっき層表面に濃化しているフリーのAlをリン酸塩として消費する。 - 特許庁

To provide a dry film which is useful for pattern formation of a radiation-sensitive resin composition layer, which requires high-accuracy fine working, and which gives a radiation-sensitive resin composition layer excellent in surface smoothness and resolution.例文帳に追加

高精度の微細加工が要求される感放射線性樹脂組成物層のパターン形成に有用な、表面平滑性、解像度に優れる感放射線性樹脂組成物層を与えるドライフィルムの提供。 - 特許庁

To obtain a semiconductor element which uses a novel substrate whose latice constant very much coincides with that of a GaN single crystal not only at a normal temperature but during heating in layer formation as well and also has a GaN single crystal layer having an extremely low through- dislocation.例文帳に追加

GaN単結晶と常温のみならず層形成時の加熱時においても格子定数が極めて一致する新規な基板を用い、貫通転位の極めて少ないGaN単結晶層を有する半導体素子を得る。 - 特許庁

Further, at the time when primary inspection is performed before the formation of the electroconductive GL layer as the outermost surface layer, the generation of pinholes can be inspected by a discharge test, thus the quality of its quality control can be improved as well.例文帳に追加

さらに、最表層の導電性ＧＬ層を形成する前に一次検査を行えば、ピンホールの発生を放電試験により検査することが可能なため、品質管理の質を向上させることも可能である。 - 特許庁

Plating is carried out, while closing a first pin fastening hole 51 by means of a closing body 55, and a conductor layer formation process for selectively forming a conductor layer 36 on the insulating layers 33, 34, 35, 40, 41, 42 is carried out.例文帳に追加

次に、閉塞体５５にて第１ピン止め用孔５１を閉塞した状態でめっきを行い、絶縁層３３，３４，３５，４０，４１，４２上に導体層３６を選択的に形成する導体層形成工程を行う。 - 特許庁

A stress relaxation layer material B flowing out of the second bonding pad arrangement region is allowed to stay in the recessed groove 12, thus preventing the stress relaxation layer material B from entering the first bonding pad formation region.例文帳に追加

凹溝１２内に第２ボンディングパッド配列領域より流出した応力緩和層材料Ｂを溜めることができ、第１ボンディングパッド形成領域への応力緩和層材料Ｂの侵入を防止することができる。 - 特許庁

To provide a three layer liquid composition in which the boundary portion of a formed layer clearly and distinctly appears in a linear form and the formation and maintenance of three layers is easy even if the component ratio is varied and which is unsurpassed in respect of a sense of beauty.例文帳に追加

形成層の境界部が直線状にはっきりと鮮明に現れ、成分比率が変化しても三層の形成及び維持が容易であり、美感の点で非常に優れた三層液体組成物を提供する。 - 特許庁

Formation of a semiconductor layer, measurement of the film thickness of the semiconductor layer, and crystallization thereof by light irradiation are carried out continuously, without being exposed to atmosphere, and the crystallization is carried out with an optimum light irradiation energy density found from the film thickness.例文帳に追加

半導体層形成、半導体層の膜厚測定および光照射による結晶化を大気に曝すことなく連続で行い、膜厚より求めた最適な光照射エネルギー密度によって結晶化を行う。 - 特許庁

The condition of electrostatic latent image formation is changed by a control means 21 based on the layer thickness of the photoreceptor drum 1 detected by a layer thickness detecting means 19 and the humidity detected by the temp. humidity sensor 20.例文帳に追加

膜厚検知手段１９が検知する感光ドラム１の膜厚と、温湿度センサ２０が検知する湿度との検知結果に基づいて制御手段２１によって静電潜像の形成条件を変更する。 - 特許庁

The sequential formation of the first n+a-Si layer 104 on the semiconductor layer 103 can increase ON-current of the TFT and can reduce variation in the ON-current.例文帳に追加

半導体層１０３の上に連続して１層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０４を形成することによってＴＦＴのＯＮ電流を増大させることが出来るとともに、ＯＮ電流のばらつきを小さくすることが出来る。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent apparatus obtaining a long service life, by preventing formation of a mixed layer at the interface of a hole-injecting layer and a positive electrode, and to provide a manufacturing method for the organic electroluminescent apparatus.例文帳に追加

正孔注入層及び陽極の界面に混合層が形成されるのを防止し、長寿命化が図られた、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, the materials of a non-magnetic base layer or an intermediate layer are used, which suppresses residual stress in a film as much as possible and gives the uniaxial magnetic anisotropy, and which induces formation of the closed magnetic circuit and antiferromagnetism combination between the magnetic layers.例文帳に追加

そのため、膜中の残留応力を極力抑え、一軸磁気異方性を付与する非磁性下地層あるいは中間層で、かつ磁性層間の閉磁路化および反強磁性結合を誘発する物質にする。 - 特許庁

Each small region of a liquid crystal slit layer 300 is provided under the light emitting layer 200, has two states; a light shield state and a transparent state, and a slit processing control section 122 controls formation of a slit 310.例文帳に追加

液晶スリット層３００は発光層２００の下に設けられ各小領域が遮光状態と透明状態の２状態を備え、スリット処理制御部１２２の制御によりスリット３１０を形成する。 - 特許庁

Furthermore, when the step is formed on the hard mask layer, by making the hard mask layer remain so as to cover the surface of the substrate, the charging (charge up) of the substrate can be suppressed in the plurality of stages of pattern formation.例文帳に追加

また、ハードマスク層に段差を形成するにあたり、ハードマスク層を基板表面を覆うように残存させることにより、複数段のパターン形成において、基板の帯電（チャージアップ）を抑制することが出来る。 - 特許庁