「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for measuring the thickness of the epitaxial layer in a manufacturing process of the epitaxial wafer includes formation of the epitaxial layer on the surface of a semiconductor wafer by subjecting the semiconductor wafer to an epitaxial growth process.例文帳に追加

半導体ウェーハをエピタキシャル成長工程に付すことにより、該半導体ウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することを含むエピタキシャルウェーハの製造工程におけるエピタキシャル層の膜厚測定方法。 - 特許庁

The porous semiconductor layer can be obtained by applying or printing a porous semiconductor formation composition, which contains a metal oxide semiconductor fine particle, a dispersant and a solvent, on a conductive layer and then firing the composition.例文帳に追加

多孔質半導体層は、金属酸化物半導体微粒子、分散剤および溶媒を含有する多孔質半導体形成用組成物を、導電層上に塗布または印刷して焼成することにより得られる。 - 特許庁

To obtain high reliability by suppressing the formation of an oxide film on an undercoat nickel layer due to dissolved oxygen in a gold plating solution at a displacement plating treatment and forming an excellent nickel solder layer.例文帳に追加

置換めっき処理時に、置換金めっき液中の溶存酸素により、下地ニッケル層の酸化膜が生成することを抑制し、良好なニッケルはんだ合金層を形成により、高い接続信頼性を得ること。 - 特許庁

To provide a process liquid for migration layer formation for forming a migration suppression layer capable of improving insulation reliability between electric wiring by suppressing migration of copper ions between electric wiring.例文帳に追加

本発明は、配線間の銅イオンのマイグレーションを抑制し、配線間の絶縁信頼性を向上させるマイグレーション抑制層を形成するためのマイグレーション層形成用処理液を提供することを目的とする。 - 特許庁

A self-organization formation film is formed on the gate insulation film, an organic semiconductor layer formed of, for instance, pentacene is laminated thereon, and a source electrode and a drain electrode are arranged separately above the organic semiconductor layer.例文帳に追加

このゲート絶縁膜の上に自己組織形成膜を成膜し、更に例えばペンタセンからなる有機半導体層を積層し、この有機半導体層の上にソース電極及びドレイン電極を離間して配置する。 - 特許庁

Preferably at least one step for previously producing a metal oxide layer and a metal or metal sulfide layer on the substrate is carried out before the formation of a metal silver film.例文帳に追加

好ましくは、金属銀膜を形成させる以前の工程において、あらかじめ基材に金属酸化物層、金属あるいは金属硫化物の層を作製する工程をすくなくとも一つ有する露光用マスクの加筆方法。 - 特許庁

To enable to restrain formation of pits in a quantum well active layer of a group III nitride semiconductor light emitting element and improve injection efficiency of electrons and holes in the quantum well active layer.例文帳に追加

III 族窒化物半導体発光素子の量子井戸活性層に生じるピットの生成を抑制できるようにすると共に、電子及びホールの量子井戸活性層への注入効率を向上させられるようにする。 - 特許庁

A non-volatile oil photosensitive material layer 2 and a volatile oil photosensitive material layer 3 applied onto the substrate 1 are developed corresponding to a bank formation region after exposed to a light of a single wavelength (I-beam) at the same time.例文帳に追加

基板１に塗布により形成された非撥油性感光材料層２と撥油性感光材料層３とをバンク形成領域に合わせて単一波長（Ｉ線）の光で同時に露光した後に現像する。 - 特許庁

An insulating coating 44 coating-formed on the back face 14 of the cathode layer 26 by a film formation technology is interposed between the cathode layer 26 of the EL display part 16 and the upper conductive film 36 of the depression input part 18.例文帳に追加

ＥＬ表示部１６の陰極層２６と押下入力部１８の上部導電膜３６との間には、陰極層２６の背面１４に成膜技術により被着形成される絶縁皮膜４４が介在する。 - 特許庁

To provide a dopant diffusion barrier of a double layer, where a barrier layer to block internal diffusion is provided, diffusion of a dopant is blocked, even in the if there is absence of p-n junction formation, and thin-type does not prevent flow of current.例文帳に追加

内部拡散を阻止するバリヤ層を備え、ｐｎ接合の形成がなくてもドーパントの拡散を阻止でき、薄型であるために電流の流れを妨げることのない２重層のドーパント拡散バリアを提供する。 - 特許庁

The film formation method of the nanoparticle sintered film, includes: an application step of applying a metal particle contained paste to a surface of the base material 10 to form an application layer 20; and a sintered film formation step of forming a sintered film 25 from the application layer 20 through a heating step of heating the base material 10 and an energy irradiation step of locally adding an energy to the application layer 20.例文帳に追加

本発明に係るナノ粒子焼結膜の成膜方法は、金属粒子を含むペーストを基材１０表面に塗布し、塗布層２０を形成する塗布工程と、基材１０を加熱する加熱工程、及び塗布層２０に局所的にエネルギーを加えるエネルギー照射工程とにより塗布層２０から燒結膜２５を形成する焼結膜形成工程とを備える。 - 特許庁

When a polysilicon film 21 is doped with a dopant that diffuses into the junction layer of the transistor, dopant diffused into a polysilicon film spreads into a junction layer 12 in a subsequent process, whereby a reduction in depth of the junction layer caused by overetching at the formation of a contact hole and a junction leakage current caused by misalignment at the formation of a contact hole can be compensated.例文帳に追加

また、トランジスタの接合層コンタクトで接合層にドーピングされたドーパントをポリシリコン膜２１にドーピングさせて使用する場合、後続の工程時にポリシリコン膜内にドーピングされたドーパントが接合層１２に広がってコンタクトホール形成時の過度蝕刻にともなう接合層の深さの減少、コンタクトホールの形成時の誤整列等による接合漏洩電流問題を補償できる。 - 特許庁

This probe pin manufacturing method for manufacturing the probe pin for supplying a signal to an electronic device is provided with a mask layer formation process for forming a mask layer having a predetermined pattern on a substrate, a groove part formation process for forming a groove part on the substrate by etching the substrate, and an accumulation process for accumulating a metal material in the groove part by using the mask layer as a mask.例文帳に追加

電子デバイスに信号を供給するためのプローブピンを製造するプローブピン製造方法であって、基板に所定のパターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層をマスクとして、基板をエッチングし、前記基板に溝部を形成する溝部形成工程と、マスク層をマスクとして、溝部に金属材料を堆積する堆積工程とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method includes processes of forming a coating film on a heat-resistant substrate by applying coating liquid for platinum catalyst layer formation made by containing platinic acid, platinum complex or the like, forming a platinum catalyst layer by baking the coating film, forming a conductive layer on the platinum catalyst layer, laminating a resin film base material on the conductive layer, and peeling the heat-resistant substrate off the platinum catalyst layer.例文帳に追加

耐熱基板上に、白金酸類または白金錯体類を含んでなる白金触媒層形成用塗工液を塗布して、塗膜を形成すること、前記塗膜を焼成して白金触媒層を形成すること、前記白金触媒層上に、導電層を形成すること、前記導電層上に、樹脂フィルム基材を積層すること、および前記白金触媒層から、耐熱基板を剥離すること、を含む。 - 特許庁

To provide an optical information recording medium which has a structure to be irradiated with recording light or reproducing light from a light transmission layer 5 side and which prevents an optical recording layer 4 from dissolving and from obstructing the formation of the layer 4 in deposition of the layer 5 by a spin coating process using a UV curing resin and has high reliability by adequately performing deposition of the layer 4 and the layer 5.例文帳に追加

光透過層５側から記録光あるいは再生光を照射する構造の光情報記録媒体であって、紫外線硬化樹脂を用いたスピンコート法による光透過層５の成膜時に光記録層４が溶解して光記録層４の形成を阻害されることを防止し、光記録層４および光透過層５の成膜を適正に行って信頼性が高い光情報記録媒体を提供すること。 - 特許庁

Plasma is produced over a semiconductor layer 3a by using raw material gas containing impurity elements and compensating gas containing an element as large as or larger than elements constituting the semiconductor device 3a to introduce impurity ions into the semiconductor layer 3a, and also introduce ions for defect formation composed of the element as large as or larger than the elements constituting the semiconductor layer into the semiconductor layer 3a for defect formation.例文帳に追加

半導体層３ａの上方で、不純物元素を含む原料ガス、及び半導体層３ａを構成する元素と同等以上の大きさの元素を含む補償ガスを用いてプラズマを生成することにより、半導体層３ａに不純物イオンを導入すると同時に、半導体層３ａに該半導体層を構成する元素と同等以上の大きさの元素からなる欠陥形成用イオンを導入して欠陥を生じさせる。 - 特許庁

Also, parts between the adjacent second fins 4n in the nMIS formation region are completely filled by the gate electrode 6, and the parts between the adjacent first fins 4p of the pMIS formation region are filled by the gate electrode 6 and an insulating film formed in the upper layer.例文帳に追加

また、ゲート電極６でｎＭＩＳ形成領域の隣接する第２フィン４ｎ間を完全に埋め込み、ゲート電極６およびその上層に形成される絶縁膜でｐＭＩＳ形成領域の隣接する第１フィン４ｐ間を埋め込む。 - 特許庁

The image forming method uses toner for image formation and clear toner for clear toner layer formation, wherein a ratio of storage elasticity of the toner and the clear toner at 60°C and a ratio of viscosity coefficients of the toner and the clear toner at 130°C are 0.7 to 1.3.例文帳に追加

画像形成用のトナーとクリアトナー層形成用のクリアトナーの６０℃における貯蔵弾性率の比率と１３０℃における粘性率の比率が、それぞれ０．７以上１．３以下となるトナーとクリアトナーを用いる画像形成方法。 - 特許庁

To provide a polyurethane foam roller freed from defects caused by the exudation of a remaining silicone foam stabilizer from an elastic layer made from a polyurethane foam and being desirable for an image formation apparatus and to provide an image formation apparatus provided with the polyurethane roller.例文帳に追加

ポリウレタンフォームからなる弾性層中に残存するシリコーン整泡剤の染み出しに起因する不具合を解消した、画像形成装置に好適なポリウレタンフォームローラ及びこのポリウレタンフォームローラを装着した画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

An example method of identifying a layer boundary of a subterranean formation includes transmitting an acoustic signal from a transmitter into a borehole of the subterranean formation and receiving the acoustic signal at a receiver coupled to the downhole tool and spaced from the transmitter.例文帳に追加

地下層の層境界を識別する例示的な方法は、地下層のボアホール内に送信機から音響信号を発信する段階と、ダウンホールツールに結合され、かつ送信機から離間した受信機で音響信号を受信する段階とを含む。 - 特許庁

In a Schottky electrode formation region on a nitride semiconductor, the total length of a borderline where a Schottky electrode is in contact with a surface of a nitride semiconductor layer is formed to be longer than the outer periphery length of the Schottky electrode formation region.例文帳に追加

窒化物半導体上のショットキー電極形成領域において、ショットキー電極と窒化物半導体層の表面とが接する境界の長さの合計が、前記ショットキー電極形成領域の外周長よりも長くなるように形成する。 - 特許庁

To provide a label for in-mold formation which is a label formed by using an unstretched plastic film to lessen the deformation of a bottle at the time of bottle formation, is free from the problem of the drop-out of printing at the time of forming a printing layer and curls less.例文帳に追加

ボトル成形時にボトルの変形が少ない未延伸プラスチックフィルムを用いたラベルにおいて、印刷層を形成する際の印刷の抜けの問題がなく、しかもカールの発生の小さいインモールド成形用ラベルを提供することを目的とする。 - 特許庁

Especially, overheat of the piston body can be reduced, formation of oxide film and alloy can be reduced, and formation of the large gap can be inhibited in principal by adopting spraying, cold spraying an/or plating as a method for forming the high thermal conductivity layer.例文帳に追加

特に、高熱伝導層の形成方法としては、溶射、コールドスプレー及び／又はめっきを採用することで、ピストン本体部の過熱を少なくでき、酸化被膜、合金の形成を少なくできる上に、原理的に大きな隙間の形成が抑制できる。 - 特許庁

A method of manufacturing the solar cell element 10 has a substrate preparation step for preparing a semiconductor substrate 1 having a p-type semiconductor layer, a surface treatment step for exposing the surface of the p-type semiconductor layer to plasma which is formed by using gas containing nitrogen atoms, and a layer formation step for forming a passivation layer 7 on the p-type semiconductor layer exposed to the plasma.例文帳に追加

また、ｐ型半導体層を有する半導体基体１を準備する基体準備工程と、前記ｐ型半導体層の表面を、窒素原子を含むガスを用いて形成されるプラズマに曝す表面処理工程と、前記プラズマに曝した前記ｐ型半導体層の上にパッシベーション層７を形成する層形成工程とを有する太陽電池素子１０の製造方法。 - 特許庁

In an electrolytic-plating-start-metal-layer formation process 102', a metal layer having an opening is formed on a semiconductor layer; in a metal-support-electrolytic-plating process 103', a metal support is formed on the metal layer having the opening; and, in an element division process 107', a part of the metal support exposed to the opening of the metal layer is removed by an electrolytic etching method.例文帳に追加

電解めっき開始金属層形成工程１０２’において、開口を有する金属層を半導体層上に形成し、金属支持体電解めっき工程１０３’において、開口を有する金属層上に金属支持体を形成し、素子分割工程１０７’において、金属支持体の金属層の開口に露出する部分を電解エッチング法によって除去した。 - 特許庁

A manufacturing method of a wiring board formed by laminating at least one conductor layer and one resin insulation layer includes a groove formation process in which a groove is formed on a main surface side of the resin insulation layer and Cu paste supply process in which a Cu paste is supplied on the groove and the main surface of the resin insulation layer and the conductor layer is formed with the Cu paste.例文帳に追加

導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されてなる配線基板の製造方法であって、前記樹脂絶縁層の主面側に溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部及び前記樹脂絶縁層の主面上にＣｕペーストを供給し、このＣｕペーストから前記導体層を形成するＣｕペースト供給工程と、を備える。 - 特許庁

A first electronic supply layer 5 is formed thinly with AlN, and further, an inclined composition layer is formed as a second electronic supply layer 6, resulting in alleviating stress generated in an interface by the inclined composition layer irrespective of the formation of a hetero interface with GaN and AlN having a large lattice constant difference, and the generation of cracks in the electronic supply layer is restrained.例文帳に追加

第１電子供給層５をＡｌＮによって薄く形成し、さらに第２電子供給層６として傾斜組成層を設けることにより、ヘテロ界面が格子定数差が大きいＧａＮとＡｌＮとによって形成されているにも関わらず、該界面で生じる応力が傾斜組成層によって緩和され、電子供給層におけるクラックの発生が抑制される。 - 特許庁

The formation method of an oxide layer includes a step for forming a layer of reaction inhibitory action group on the surface of a substrate, a step for forming a layer of a metal precursor or a semiconductor precursor on the layer of reaction inhibitory action group, and a step for oxidizing the metal precursor or semiconductor precursor in order to obtain a layer of a metal oxide or a semiconductor oxide.例文帳に追加

基板の表面に反応抑制作用基の層を形成する段階と、反応抑制作用基の層上に金属前駆体または半導体前駆体の層を形成する段階と、金属酸化物または半導体酸化物の層を得るために金属前駆体または半導体前駆体を酸化させる段階と、を含む酸化物層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an extremely easy method of manufacturing a substrate for pattern formation, which does not contaminate a processing apparatus, the substrate for pattern formation which is manufactured by the manufacturing method, has superior adhesion to a photosensitive composition layer, and suppresses pattern collapse, and a pattern formation method which uses the substrate for pattern formation and forms a fine photosensitive composition pattern of <100 nm.例文帳に追加

処理装置を汚染するなどの影響がなく、極めて簡便なパターン形成用基板の製造方法、及び当該製造方法により製造される、感光性組成物層との密着性に優れ、且つパターン倒れを抑制できる新規なパターン形成用基板、並びに、当該パターン形成用基板を用いた、１００ｎｍ未満の微細な感光性組成物パターンを形成し得るパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an element isolation film 200 provided to a semiconductor layer to section an element formation region, a gate electrode 130 formed on the element formation region and having both ends extended onto the element isolation film 200 respectively, and an impurity region 110 formed in the element formation region to become a source region and a drain region disposed across a channel formation region positioned right below the gate electrode 130.例文帳に追加

半導体層に設けられ、素子形成領域を区画する素子分離膜２００と、素子形成領域上に形成され、両端がそれぞれ素子分離膜２００上に延伸するゲート電極１３０と、素子形成領域内に形成され、ゲート電極１３０の直下に位置するチャネル形成領域を挟んで配置されるソース領域およびドレイン領域となる不純物領域１１０とを備える。 - 特許庁

The method further comprises the steps of forming the coating to become a front surface after the formation of the layer of a material having a high laser absorptivity and easily removable by laser irradiating, and forming the coating of the inner layer of the coating layer of a material hard to be removed and having a low laser absorptivity.例文帳に追加

また、層の形成後に表面になるコーティングをレーザー吸収率の高く、レーザー照射により材料除去し易い材料で形成し、コーティング層の内層のコーティングをレーザー吸収率が低く材料除去し難い材料で形成するようにした。 - 特許庁

Because the heat-treatment of the light emitting layer 4 and formation of the electron injection electrode 5 are carried out inside the same chamber 11, adhesion of an impure material onto the surface of the light emitting layer 4 can be reduced, and adhesiveness of the light emitting layer 4 and the electron injection electrode 5 can be enhanced.例文帳に追加

発光層４の加熱処理と、電子注入電極５の形成を同一チャンバー１１内で行うことにより、発光層４の表面に不純物が付着することを低減することができ、発光層４と電子注入電極５との密着力を高めることができる。 - 特許庁

When the seed layer is formed by an ionization PVD process, the power for plasma formation and RF bias are adjusted, and an initial seed layer where the bottom of the opening is formed is resputtered for depositing onto the side wall of the opening, thus forming the seed layer with the superior side-wall step coverage characteristics.例文帳に追加

イオン化ＰＶＤ工程によるシード層の形成の時、プラズマ形成用の電力およびＲＦバイアスを調節してオープニングの底の形成される初期シード層をリスパッタリングしてオープニングの側壁に再蒸着して、側壁ステップカバレージ特性が優秀なシード層を形成できる。 - 特許庁

To prevent generation of short circuit caused by protrusion of a metallic cap layer formed on a narrow copper wiring from the width of the wiring which occurs when time to form the metallic cap layer is prolonged for fully covering the surface of a wide copper wiring in formation of the metallic cap layer on copper wirings of different widths.例文帳に追加

幅の異なる銅配線上に金属キャップ層を形成する際に、幅の広い銅配線の表面を十分覆うために、金属キャップ層を形成にかける時間を長くすると、幅の細い銅配線上に形成される金属キャップ層が、配線の幅からはみ出し、ショートを引き起こす。 - 特許庁

In the manufacturing method of the film, the electrode, and the gas diffusion layer junction, a catalyst-ink coated electrolyte film having catalyst ink for catalyst electrode layer formation coated on either face of a polymer electrolyte film, and two catalyst-ink coated gas diffusion layers with catalyst ink coated on one of the faces of each gas diffusion layer, are provided.例文帳に追加

高分子電解質膜の両面上に触媒電極層形成用の触媒インクを塗布した触媒インク塗布済み電解質膜、２つのガス拡散層のそれぞれの一方の面上に触媒インクを塗布した２つの触媒インク塗布済みガス拡散層を用意する。 - 特許庁

To provide a printer which forms a color image on color thermal recording paper, wherein the printer can detect locations of both side edges of the recording paper without being influenced by ultraviolet rays for settling a magenta layer, when a step of settling the magenta layer and a step of image formation of a cyan layer are sequentially carried out.例文帳に追加

カラー感熱記録紙上にカラー画像を形成するプリンタにおいて、マゼンタ層の定着とシアン層の画像形成を連続的に行う場合に、マゼンタ層の定着のための紫外線の影響を受けることなく、記録紙の両側辺の位置検出を可能にする。 - 特許庁

To provide a laminate having a continuous metal oxide layer, having sufficient barrier properties, and reduced in the deterioration due to the contact of the hard coad layer of the laminate with the metal oxide layer of another laminate generated at continuous formation of a film due to a roll-to-roll process.例文帳に追加

連続した金属酸化物層を有し、十分なバリア性があり、かつＲｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌによる連続成膜時に起こる積層体のハードコート層と他の積層体の金属酸化物層の接触による劣化の低減された積層体を提供することを目的とする。 - 特許庁

A laminate molding apparatus successively repeats formation of a unit molding layer by forming a thin layer of a molding material based on data for molding and selectively curing of this thin layer, and performs molding of a three-dimensional article by laminating the unit molding layers repeatedly formed.例文帳に追加

積層造形装置は、造形用データに基づいた造形材料の薄層形成とこの薄層の選択的硬化による単位造形層の形成を順次繰り返し、この繰り返し形成の単位造形層の積層により立体物の造形をなすようになっている。 - 特許庁

The film formation method for forming a VC film on the substrate by an ion plating method includes: forming a TiN film or TiCN film on the surface of the substrate as the intermediate layer; and forming the VC film as an outermost surface layer on the substrate via the intermediate layer.例文帳に追加

ＶＣ膜をイオンプレーティング法によって基材に成膜するための成膜方法であって、前記基材の表面にＴｉＮ膜又はＴｉＣＮ膜を中間層として成膜し、前記基材に前記中間層を介して前記ＶＣ膜を最表面層として成膜する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a defect of a barrier metal film having a multilayer wiring structure is interpolated with a diffused barrier film by self-formation reaction between Mn of a CuMn layer and an interlayer insulating film, the specific resistance of a Cu layer on the CuMn layer being reduced.例文帳に追加

多層配線構造のバリアメタル膜の欠陥を、ＣｕＭｎ層のＭｎと層間絶縁膜との自己形成反応による拡散バリア膜で補間する半導体装置の製造方法において、ＣｕＭｎ層上のＣｕ層の比抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Ground surface layers consisting of single or a plurality of layers and magnetic domain control layers designed to control the magnetic domains of a soft magnetic backing layer are imparted between a nonmagnetic substrate and the soft magnetic backing layer, by which the spike noise occurring in the formation the domain wall of the soft magnetic backing layer can be suppressed.例文帳に追加

また、非磁性基体と軟磁性裏打ち層の間に、１層あるいは複数層からなる下地層、及び、軟磁性裏打ち層の磁区制御を目的とした磁区制御層を付与したことにより、軟磁性裏打ち層の磁壁形成に起因するスパイクノイズを抑制することが可能となる。 - 特許庁

A wire 502 is wrapped up in or covered with a first inner coating layer 520, and the first inner coating layer 520 is coated with a second outer coating layer 522 for the formation of a wire stem 530.例文帳に追加

各種の電子コンポーネントに対して復元性、又は従順性を示す接触構造が、基板にワイヤの自由端をボンディングし、弾力のある形状を有するワイヤステムへと、ワイヤを構成し、ワイヤステムを切断して、ワイヤステムに、ある材料の少なくとも１つの層で保護膜を施すことにより形成される。 - 特許庁

A formation method of an insulation resin rough surface includes at least a process (a) where an insulation resin layer is vertically sandwiched by planar molds having fine shapes, a process (b) where the insulation resin layer is pressurized and cured, and a process (c) the molds are peeled off from the insulation resin layer.例文帳に追加

少なくとも（ａ）微細形状を有した面状の金型により前記絶縁樹脂層を上下から挟む工程と、（ｂ）前記絶縁樹脂層を加圧及び硬化させる工程と、（ｃ）前記金型及び前記絶縁樹脂層を引き剥がす工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The active material is firmly fixed to the surface of the collector by connecting active materials without using the binder, and the electrode active material layer made of at least two layers of an accurate layer formed by the active material and substantially having no gap and a gap formation layer is formed.例文帳に追加

結着材を用いずに活物質同士を接合させることにより該活物質を集電体表面に固着させるとともに、当該活物質から構成される実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層の少なくとも２層から電極活物質層を構成する。 - 特許庁

To provide a resin composition which, while maintaining a low coefficient of thermal expansion, ensures low surface roughness of an insulating layer obtained by curing, enables a conductor layer having high peel strength to be formed, and can be suitably used in the formation of an insulating layer of a circuit board excellent in soldering heat resistance.例文帳に追加

低熱膨張率を維持しながら、硬化して得られる絶縁層表面の粗度が低く、高いピール強度を有する導体層の形成を可能にし、半田耐熱性に優れた、回路基板の絶縁層形成に好適に使用することができる樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁