Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索
[go: Go Back, main page]

1153万例文収録!

「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > formation layerに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

formation layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4330



例文

To provide a laser dicing method capable of suppressing the formation failure of a modified layer appropriately when performing the laser dicing of a laminated SOI wafer.例文帳に追加

貼り合わせSOIウェハのレーザダイシングを行うにあたり、改質層の形成不良を好適に抑制することのできるレーザダイシング方法を提供する。 - 特許庁

The composition for adhesive layer formation comprising an amide resin and a polymer containing a hydroxy group and/or a carboxy group is provided.例文帳に追加

本発明は、アミド樹脂と、水酸基および/またはカルボキシル基を含有するポリマーと、を含むことを特徴とする接着層形成用組成物を提供する。 - 特許庁

When such recording materials are stacked, formation of a local component between each metallic base and each silver-containing layer is reliably prevented because of each back coating.例文帳に追加

背面コーティングの故に、記録材料を積重ねた時、金属性支持体と銀−含有層の間の局部成分の生成が確実に妨げられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which allows the formation of an oxide film and a charge storage layer without damage and control of the thicknesses thereof, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

損傷のない酸化膜及び電荷蓄積層の形成とその膜厚の制御を可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To cut a workpiece well while preventing the formation of burrs and high edges even in the case of cutting the workpiece with a metal layer on one side.例文帳に追加

片面に金属層を有するワークを切断する場合であっても、バリやハイエッジ等が生じるのを防止してワークの切断を良好に行うこと。 - 特許庁


例文

To prevent vapor of a solvent from being brought to a succeeding process after a thin film layer is made from a solution containing a film formation constituent and the solvent.例文帳に追加

膜形成成分と溶媒を含有する溶液から薄膜層を形成した後、この溶媒の蒸気を後工程に持ち込まないようにする - 特許庁

Thereby, a flaw of a light incident surface can be prevented and the drawing region on a label surface side can be expanded without interfering with formation of the cover layer.例文帳に追加

このため光入射面の傷つきを防止し、カバー層の形成の邪魔をすることなく、レーベル面側の描画領域を拡大することができる。 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING METAL-FILM-COATED MATERIAL, METAL-FILM-COATED MATERIAL, PROCESS FOR PRODUCING METALLIC-PATTERN MATERIAL, METALLIC-PATTERN MATERIAL AND COMPOSITION FOR POLYMER LAYER FORMATION例文帳に追加

表面金属膜材料の作製方法、表面金属膜材料、金属パターン材料の作製方法、金属パターン材料、及びポリマー層形成用組成物 - 特許庁

To provide a display device composed by forming a charge transport layer having a relatively uniform film thickness in a pixel formation area for each display pixel; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

表示画素の画素形成領域に膜厚が比較的均一な電荷輸送層を形成する表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

The overcoat layer 42 is provided in the display area V of the color filter substrate 5 and an area beyond a formation portion of the seal material 4 from the display area V.例文帳に追加

オーバーコート層42はカラーフィルタ基板5の表示領域Vと該表示領域Vからシール材4の形成部を越えた領域に設けられている。 - 特許庁

例文

To provide a coating film formation article prepared by forming a water-repellent resin layer having high adhesiveness on the surface of a stainless steel base material as a metal difficult to adhere.例文帳に追加

密着しにくい金属であるステンレス基材の表面に密着性の高い撥水性樹脂層が形成された塗膜形成品を提案する。 - 特許庁

To obtain extremely thin copper foil with a carrier which has excellent handling quality of copper foil when forming printed circuit boards, does not give rise to defective articles, such as wrinkles, does not require the formation of a peeling layer, allows the formation of the uniform and extremely thin film and is suitable for formation of high-density wiring and a copper foil product having excellent cost performance.例文帳に追加

プリント配線板を形成する際の銅箔のハンドリング性に優れ、しわ等の不良品が発生せず、また剥離層を形成する必要がなく、均一な極薄膜を形成することができ、高密度配線形成に適したキャリヤ付き極薄銅箔を得、コストパフォーマンスに優れた銅箔製品を得ることを課題とする。 - 特許庁

When the piezoelectric layer 24b is formed by a sputtering method in manufacturing, the piezoelectric thin film is heteroepitaxially grown on one surface side of the substrate 20a for element formation while the substrate 20a for element formation is held at a specified temperature of500°C, and then the substrate 20a for element formation is rapidly cooled from the specified temperature.例文帳に追加

製造時、圧電層24bをスパッタ法により形成する際は、素子形成用基板20aの温度を500℃以上の規定温度として素子形成用基板20aの一表面側に圧電薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた後、素子形成用基板20aを規定温度から急速冷却する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing solar cell which can clear the process for formation of the inner electrode of the solar cell, formation of the outer electrode, and formation of an insulating layer between both electrodes with a single process, and is satisfactory in adhesion between a substrate and a spherical cell and high in reliability, and to provide the solar cell.例文帳に追加

太陽電池の内側電極の形成、外側電極の形成、および、両電極間の絶縁層形成するための工程を一工程で製造でき、基板と球体セルの固着性が良く信頼性の高い太陽電池の製造方法および太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an image formation method which enables image formation on a regular paper surface not having a coating layer by a preparatory treatment and ink-jet recording ink, and which is thereby excellent in ink image quality (image concentration, chroma saturation, collar bleed, character bleeding, and white dots) and excellent in smear fixing in an image section, and to provide an image formation recorded matter.例文帳に追加

塗工層を持たない普通紙表面へ前処理液による前処理及びインクジェット記録インクによる画像形成することにより、画像品質(画像濃度、彩度、カラーブリード、文字滲み及び白ポチ)に優れ、且つ画像部のスミア定着性に優れた画像形成方法および画像形成記録物を提供すること。 - 特許庁

In the color filter for the display device, having a color filter layer constituted by performing heat-treatment on the plastic film, the plastic film is made of crosslinking resin and heated at temperature of heat-processing temperature of the color filter layer or more, prior to the formation process of the color filter layer.例文帳に追加

プラスチックフィルム上に加熱処理してなるカラーフィルタ層を有する表示装置用カラーフィルタにおいて、プラスチックフィルムが架橋性樹脂からなり、かつカラーフィルタ層の形成工程より先にカラーフィルタ層の加熱処理温度以上の温度で加熱されている - 特許庁

A light detecting layer 12, a multilayered film semiconductor layer 13, and a p-type contact layer 14 are laminated in this sequence on an n-type semiconductor substrate 11 for the formation of a semiconductor photodetector 10, and the semiconductor photodetector is formed integrally with a surface-emission semiconductor laser 20.例文帳に追加

半導体光検出器10はn型半導体基板11上に、光検出層12、多層膜半導体層13およびp型コンタクト層14をこの順に積層して構成されており、面発光型半導体レーザ20と共に一体に形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a bonded silicon wafer, which stops polishing in thin film formation with sufficient accuracy, improves variation in the thickness of an active layer of the bonded silicon wafer, and prevents overetching of an oxygen ion implanted layer in the silicon wafer for the active layer.例文帳に追加

薄膜化の際の研磨ストップを精度よく行い、貼り合わせシリコンウェーハの活性層厚さのばらつきを改善し、活性層用シリコンウェーハ中の酸素イオン注入層がオーバーエッチングされることを防止する貼り合わせシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

By varying the hydrogen partial pressure in the film-forming atmosphere during formation of the hard carbon film by the vapor phase process, the hard carbon film is made a multi-layered structure composed at least of a soft-layer 1 on the outermost surface and a hard layer 2 under the soft layer 1.例文帳に追加

例えば、気相法による硬質炭素皮膜の成膜中に成膜雰囲気の水素分圧を変化させることによって、硬質炭素皮膜を少なくとも最表面の軟質層1と該軟質層2の下層側に位置する硬質層2から成る多層構造とする。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes: a film formation process of forming an epitaxial layer 2 on a semiconductor substrate 1 by an epitaxial growth method; a process of forming semiconductor elements 3 in the epitaxial layer 2; and a removal process of removing the semiconductor substrate 1 to leave only the epitaxial layer.例文帳に追加

エピタキシャル成長法により半導体基板1にエピタキシャル層2を設ける成膜工程と、前記エピタキシャル層2に半導体素子3を設ける工程と、前記半導体基板1を除去して、前記エピタキシャル層のみを残す除去工程とを備える。 - 特許庁

To provide a color filter low in the height of a projecting part of a colored layer which is produced by riding the end part of the colored layer on a black matrix (BM) or overlapping the end parts of the adjacent colored layers on the BM without passing through a polishing step or the formation of an over coat (OC) layer.例文帳に追加

研磨工程やOC層形成を経ずとも、着色層端部のBM上への乗り上げやBM上で隣接する着色層端部同士の重なりによって生じる着色層突起の高さが低いカラーフィルタを提供することを目的とする。 - 特許庁

A ferromagnetic semiconductor layer 1 formed of a semiconductor and magnetic elements added to it is laminated on an antiferromagnetic layer 2 having a Neel temperature of 0°C or above, and formed adjacent to the ferromagnetic semiconductor layer 1 for the formation of the ferromagnetic semiconductor exchange coupling film.例文帳に追加

半導体中に磁性元素が添加された強磁性半導体層1と、この強磁性半導体層1に隣接して形成され0℃以上のネール温度をもつ反強磁性層2とが積層されてなる強磁性半導体交換結合膜である。 - 特許庁

The photosensitive resin formation for a flexographic plate includes at least (A) a photosensitive resin layer and (B) a slip layer situated on the layer (A), containing a compound whose UV absorbing region is in the range of at least 320-420 nm and comprising one or more polymers.例文帳に追加

少なくとも(A)感光性樹脂層、(B)層(A)上にあり、少なくとも320nm〜420nmの範囲に紫外線吸収領域が存在する化合物を含有し、1種以上の重合体から成るスリップ層を含むフレキソ版用感光性樹脂構成体。 - 特許庁

The etching method includes: a layer formation process for forming an etching gas layer including an etching material activated chemically by irradiation of light on the body to be treated; and a light irradiation process for applying the light to an interface between the body to be treated and the etching gas layer.例文帳に追加

光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング材料を含んだエッチングガス層を被処理体上に形成する層形成工程と、前記被処理体と前記エッチングガス層との界面に前記光を照射する光照射工程とを含む。 - 特許庁

The through-hole wiring formation substrate 2 is configured by shifting the junction site with the first junction metal layer 19 for connection in the second junction metal layer 29 for connection from the connection site with a through-hole wiring 24 in the second junction metal layer 29 for connection.例文帳に追加

貫通孔配線形成基板2は、第2の接続用接合金属層29における第1の接続用接合金属層19との接合部位を、当該第2の接続用接合金属層29における貫通孔配線24との接続部位からずらしてある。 - 特許庁

The forming method of a nitride semiconductor has a process for performing selective transverse direction growth for a second GaN layer 5 on an upper surface of a first GaN layer 3, and a process for forming a quantum dot 6 on the second GaN layer 5 which is subjected to selective transverse direction formation.例文帳に追加

この窒化物系半導体の形成方法は、第1GaN層3の上面上に、第2GaN層5を選択横方向成長させる工程と、選択横方向成長された第2GaN層5上に、量子ドット6を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To manufacture a display device generally uniform in the thickness of a luminescent layer, with little emission unevenness, in a manufacturing device and a manufacturing method of forming a luminescent layer by using an application device applying a luminescent layer formation material-containing liquid by discharging droplets from a nozzle.例文帳に追加

ノズルから液滴を吐出して発光層形成材料含有液を塗布する塗布装置を用いて発光層を形成する製造装置および製造方法において、発光層の厚みが概ね均一な、発光ムラの少ない表示装置を製造する。 - 特許庁

To provide a conductive layer-laminated material which abates or eliminates the adverse effects to be caused by the formation of a brittle alloy layer in a joint interface following a high temperature process or a significant residual stress resulting from a high rolling rate joining process and the parts using the conductive layer-laminated material.例文帳に追加

高温プロセスに伴う接合界面での脆弱合金層の形成や、高圧延率接合に伴う大きな残留応力などの悪影響を軽減もしくは排除しうる導電層積層材および導電層積層材を用いた部品の提供。 - 特許庁

A leak guard 17 covering an upper layer electrode layer 10 is formed between the upper electrode 10 and a reflection preventing film 12 to prevent the formation of an area, where the upper electrode layer 10 is directly brought into contact with the reflection preventing film 12.例文帳に追加

上層電極層10と反射防止膜12との間には、上層電極層10を覆うリークガード17が設けられているため、上層電極層10と反射防止膜12とが直接的に接触する領域が形成されることはない。 - 特許庁

Then, a pattern layer 20 is formed, and according to the pattern, an etch-stopping ion implantation layer 6, whose formation depth position from the first main surface of the second substrate 1 varies, is formed at a position shallower than that of the ion implantation layer 4 for peeling.例文帳に追加

その後、パターン層20を形成するとともに、そのパターンに応じた形で、第二基板1の第一主表面Jからの形成深さ位置がそれぞれ異なるエッチストップ用イオン注入層6を、剥離用イオン注入層4よりも浅い位置に形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device in which a first alignment layer is formed without using a mask for layer formation causing the adhesion of foreign substances and the adhesion of the first alignment layer to the surfaces of bonding pad parts causing defective wiring can be consequently prevented as much as possible.例文帳に追加

異物付着の原因となる成膜時のマスクを用いることなく第1配向膜を形成し、配線不良の原因となるボンディングパッド部上への第1配向膜の付着を極力防止することが可能な液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The texture formation layer 2, the metal gas filling layer 3 and the first electrode 4 are separated by an isolation groove G1 at the predetermined spacing, and the photoelectric conversion layer 6 and the second electrode 7 are separated by isolation grooves G2 and G3 at the predetermined spacing, respectively.例文帳に追加

テクスチャ形成層2、金属ガス封入層3および第1の電極4は所定の間隔で分離溝G1により分離され、光電変換層6および第2の電極7は所定の間隔でそれぞれ分離溝G2,G3により分離されている。 - 特許庁

To flatten the surface of a thick film dielectric layer of an EL element without involving, in contrast to existing techniques, the formation of a flattening layer, the addition of hydrostatic press and other processes for the thick film dielectric layer, and an increase in materials used.例文帳に追加

EL素子の厚膜誘電体層の表面の平坦化を、従来技術におけるように、平坦化層の形成や、厚膜誘電体層への静水圧プレス等の工程の増加や使用する材料の増加を伴なうことなく、達成することを課題とする。 - 特許庁

Boards each equipped with at least an insulating layer and a conductor wiring layer are laminated through an adhesive layer for the formation of a multilayer wiring board, and a protective member preventing matter from penetrating from outside is provided to the interfaces of the outer peripheral part of the multilayer wiring board.例文帳に追加

少なくとも絶縁層と導体配線層を有する基板を、接着層を介して積層してなる多層配線基板において、前記多層配線基板の外周部の層の界面に外部からの物質の侵入を防止する保護部材を形成する。 - 特許庁

The method for producing the resin layer glass layer laminate comprises the steps of coating a glass formation liquid substantially comprising the glass-like substance containing the alkyl group and/or the aryl group, Si and O, and an organic solvent on the resin layer, and next drying.例文帳に追加

アルキル基および/またはアリール基とSiおよびOとを含有するガラス状物質と、有機溶媒とから実質的になるガラス形成液を樹脂層の上に塗布し、次いで乾燥させることを特徴とする樹脂層ガラス層積層体の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor substrate related to a first aspect includes: a chromium layer film formation process for film-forming a chromium layer on a base substrate at not less than 50°C temperature; and a nitriding process for nitriding the chromium layer for forming a chromium nitride film.例文帳に追加

本発明の第1側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を50℃以上の温度で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

It is preferable that, after the formation of a coating layer composed essentially of silicon metal powder or silicone resin on the surface of the substrate, a vapor growth process is applied to the substrate and the coating layer to convert the coating layer into the silicon-metal containing film.例文帳に追加

好ましくは、珪素金属の粉末あるいは珪素樹脂を主成分とするコーティング層を基体の表面に形成した後で、基体およびコーティング層を気相成長プロセスに供することによって、コーティング層を珪素金属含有被膜に変化させる。 - 特許庁

The thermal transfer sheet is provided with a dye layer in one side surface of a substrate and a heat-resistant sliding layer provided on the other side surface, and a film coating formation resin made of a silicone modified resin and a heat cross linking agent, a metallic soap and a filer component are contained in the heat-resistant sliding layer.例文帳に追加

基材の一方の面に染料層を設け、他方の面に耐熱滑性層を設けてなる熱転写シートにおいて、耐熱滑性層に、シリコーン変性樹脂と熱架橋剤とから成る塗膜形成樹脂と、金属石鹸とフィラー成分を含有させる。 - 特許庁

To facilitate formation of a conductor layer having a thickness of <9 μm, to enhance the adhesive strength of the conductor layer with a sheet at normal temperatures and after heating retention, and to flatten the interface of the conductor layer and sheet.例文帳に追加

導体層の厚みを9μm未満に容易に形成でき、導体層とシートとの常温時及び加熱保持後の接着強度が高く、かつ、導体層とシートとの接合界面が平坦である導体被覆ポリイミド基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In such a way, a gate insulating film and a semiconductor layer are continuously formed in a low-temperature deposition process and a heat treatment subsequent to the formation of the gate insulating film and the semiconductor layer is substituted for the first heating treatment at the time of the above crystal growth to contrive a reduction in defects in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

こうして、ゲート絶縁膜と半導体層とを低温デポ工程で連続的に形成し、ゲート絶縁膜/半導体層形成後の熱処理を上記結晶成長時の第1の加熱処理で代行させ、界面欠陥の低減を図る。 - 特許庁

Since the ceramic chip 11 is oxidized after the Ag layer 12b is formed on the surface of the first base metal layer 12a made of Ni, the formation of an oxide film can be prevented on the surface of the first base metal layer 12a made of Ni during the oxidizing treatment.例文帳に追加

Ni製の第1卑金属層12aの表面にAg層12bを形成してからセラミックチップ11を酸化処理することにより、酸化処理時にNi製の第1卑金属層12aの表面に酸化膜が形成されることを防止できる。 - 特許庁

By forming successively overlapped layer that follows the external structure of the underlaying layer through forming of the concavo-convex structure at the lowest layer, formation of the emitting layer with the concavo-convex structure results, and accordingly, an emitting region that causes exciton recombination therein is increased, and long durability in the electroluminescent device is realized.例文帳に追加

最低一層に凹凸構造を形成することにより、その上に形成される層が下層の表面構造を追随し、凹凸構造を有する発光層が形成されることで、励起子の再結合が起こる発光領域を増やし、高輝度時の長寿命化を実現した有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To provide a substrate for wiring circuit formation capable of improving the adhesiveness between an insulating layer and a conductive pattern and preventing delamination in metal thin layer, and to provide a wiring circuit substrate for which the substrate is employed and a method of forming a metal thin layer for forming the metal thin layer.例文帳に追加

絶縁層と導体パターンとの間の密着性の向上を図ることができ、しかも、金属薄層における層間剥離を防止することのできる、配線回路形成用基板、それが用いられる配線回路基板、その金属薄層を形成するための金属薄層の形成方法を提供すること。 - 特許庁

Then, a base plating layer 4 is formed so as to cover the resistor 2 and the insulator layer 3, a resist pattern is formed in the non-electrode forming region of the base plating layer 4, and the surface of the base plating layer 4 exposed from the resist is electroplated with an electrode material for the formation of a pair of electrodes 5.例文帳に追加

次いで、抵抗体2と絶縁体層3を覆うように下地めっき層4を形成し、この下地めっき層4の非電極形成領域にレジストパターンを形成した後、このレジストから露出する下地めっき層4の表面に電極材料を電解めっきして一対の電極5を形成する。 - 特許庁

Since a diffusion layer 13 formed during film formation between the Si layer 11 and the Mo layer 12 has a property reducing a reflectivity of the multilayered film mirror 10, a film thickness distribution is provided in the in-plane direction of the diffusion layer 13 to correspond to a mirror peripheral part and a center part having each different incident angle of a soft X-ray R1.例文帳に追加

Si層11とMo層12の間に成膜中に形成される拡散層13は、多層膜ミラー10の反射率を低下させる性質があるため、軟X線R1の入射角度が異なるミラー周辺部分と中央部に対応するように、拡散層13の面内方向に膜厚分布を設ける。 - 特許庁

A micro coil is formed on an insulation layer, a conductive layer is formed on a magnetic electrode film, and a coil formation step where the insulation layer is formed on the micro coil is repeated for corresponding times to the number of coil windings, then the conductive layer on the magnetic electrode film is removed, and a magnetic material is applied thereto so as to form a coil.例文帳に追加

絶縁層上に微細コイルを形成し、磁性電極膜上に導電層を形成し、微細コイル上に絶縁層を形成するコイル形成工程をコイル巻回数に応じた回数だけ繰り返し、磁性電極膜上の導電層を除去してそこに磁性材を充填してコイルを形成する。 - 特許庁

When in the formation, after each layer of the work function control layer 5, the intermediate layer 6, and the low resistance layer 7 are laminated on the gate insulating film 4, gate processing is performed, an LDD region 9, a sidewall 8, and a source drain region 10 are formed sequentially, active annealing of impurities introduced in the semiconductor substrate 2 is performed.例文帳に追加

その形成時には、ゲート絶縁膜4上に仕事関数制御層5、中間層6および低抵抗層7の各層の積層後、ゲート加工を行い、LDD領域9、サイドウォール8およびソース・ドレイン領域10を順に形成して、半導体基板2に導入した不純物の活性化アニールを行う。 - 特許庁

The positive electrode plate for nonaqueous secondary battery has an electrode active material layer installed on a current collector by jointing active materials containing lithium and iron without using a resin binder, and the electrode active material layer is provided with a dense layer which is positioned on the current collector side and does not have voids substantially and a void formation layer.例文帳に追加

樹脂製結着材を用いずに、リチウムと鉄とを含む活物質同士が接合することにより集電体上に電極活物質層が設けられており、該電極活物質層は、上記集電体側に位置する実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層とを備えて構成される。 - 特許庁

Silicon-containing particles 25 are formed in an inside or an upper face of the intermediate layer 23, by restarting plasma during or after formation of the intermediate layer 23, and irregularities 21 are formed on an upper face of the surface layer 24, by forming the surface layer 24 using the silicon-containing particles 25 as nuclei.例文帳に追加

中間層23の形成中または形成後にプラズマを停止したのち再開することにより、中間層23の内部または上面にシリコン含有粒子25を形成し、このシリコン含有粒子25を核として表面層24を形成することにより、表面層24の上面に凹凸21を形成する。 - 特許庁

例文

To provide a method and device for manufacturing a magnetic recording medium which can suppress an orientation defect and deterioration of magnetic transducing characteristics of a magnetic layer caused by infiltration of a solvent of a magnetic application liquid into a dried non-magnetic layer upon formation of a magnetic layer on the non-magnetic layer, and to provide the magnetic recording medium.例文帳に追加

非磁性層上に磁性層を形成する際に、磁性塗布液の溶媒が乾燥した非磁性層に浸透してしまうことに起因する、磁性層の配向不良や電磁変換特性の劣化を抑えられる磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造装置、磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2025 GRAS Group, Inc.RSS