「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

FORMATION PROCESS OF QUANTUM WIRE OR QUANTUM WELL LAYER, AND DISTRIBUTED FEEDBACK LASER例文帳に追加

量子細線または量子井戸層の形成方法、及び該形成方法により形成された量子細線または量子井戸層を用いた分布帰還半導体レーザ - 特許庁

To provide an electrode for p-type SiC wherein surface morphology is superior and thermal damage to a semiconductor crystal layer which is caused by formation of an electrode is little.例文帳に追加

表面モホロジーが良好で、電極の形成に伴う半導体結晶層への熱的損傷が少ないｐ型ＳｉＣ用電極を提供する。 - 特許庁

To suppress variations of light emitting wavelength, in a method for manufacturing a group-III nitride semiconductor light emitting element, by reducing warpage of a wafer in formation of a light emitting layer.例文帳に追加

III 族窒化物半導体発光素子の製造方法において、発光層形成時のウェハの反りを低減し、発光波長のばらつきを抑えること。 - 特許庁

A groove 5 for reducing the thickness is formed on the surface at a semiconductor layer formation side of a semiconductor wafer 1 and a scribe line 6 as a division groove is formed.例文帳に追加

半導体ウエハー１の半導体層形成側の表面に減厚用溝５を形成するとともに分割用溝としてのスクライブライン６を形成する。 - 特許庁

To suppress increase in the wiring capacitance due to the formation of a damage layer, when a low dielectric constant film is used as an interlayer dielectric to form a wiring trench.例文帳に追加

層間絶縁膜として低誘電率膜を用いて配線溝を形成する際のダメージ層の形成による配線間容量の増加を抑制する。 - 特許庁

In the formation process of the as-grown-p-type active group III-V nitride compound layer, a board is introduced into a reaction chamber, and is heated.例文帳に追加

ａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物層の形成工程において、反応チャンバ内に基板を導入し、加熱する。 - 特許庁

A decrease in aperture ratio due to vapor deposition for formation of a luminescent layer can be controlled, and a high-definition panel with high strength and a high aperture ratio can be provided.例文帳に追加

発光層を形成するための蒸着起因の開口率の低下を抑制でき、高精細パネルにて、高強度で高開口率が達成できる。 - 特許庁

To realize an air-permeable substrate layer formation without aggregate separation by agitation and kneading for sufficient bubble mixing by a foaming agent at a low cost and an air-entraining agent.例文帳に追加

安価な起泡剤、空気連行剤で充分な気泡混入のための攪拌、混練で、骨材分離を伴うことなくして通気性下地層形成を実現する。 - 特許庁

To provide a multifunctional and reliable semiconductor device by preventing a stress relaxation layer material from entering a first bonding pad formation region.例文帳に追加

第１ボンディングパッド形成領域への応力緩和層材料の侵入を防止して多機能かつ信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

Indexes of amounts of recorded data are printed in advance on an index formation layer, such as "STAGE 1", "STAGE 2", "STAGE 3" and "STAGE 4".例文帳に追加

指標形成層には、「ＳＴＡＧＥ１」，「ＳＴＡＧＥ２」，「ＳＴＡＧＥ３」，「ＳＴＡＧＥ４」のように、記録したデータ量の指標が予め印刷されている。 - 特許庁

The composition for resist lower-layer film formation contains (A) a polymer having an aryl group, (B) a surfactant having an acethylene group, and (C) a solvent.例文帳に追加

本レジスト下層膜形成用組成物は、（Ａ）アリール基を有する重合体、（Ｂ）アセチレン基を有する界面活性剤、及び、（Ｃ）溶剤を含有する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING AMINE COMPOUND, ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR HAVING PHOTOSENSITIVE LAYER CONTAINING THE AMINE COMPOUND, CARTRIDGE HAVING THE PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMATION APPARATUS例文帳に追加

アミン化合物の製造方法、該アミン化合物を含有する感光層を有する電子写真感光体、該感光体を有するカートリッジ、及び画像形成装置 - 特許庁

Next, an electrode including an Al electrode and a bonding electrode is formed on the ion irradiation layer to obtain the n-side electrode (an electrode formation step, a step S60).例文帳に追加

次に、イオン照射層上に、Ａｌ電極とボンディング電極とを含む電極を形成してｎ側電極とする（電極形成工程、ステップＳ６０）。 - 特許庁

This semiconductor layer formation method provides a substrate with organic semiconductor materials melted at a temperature higher than a melting point.例文帳に追加

有機半導体材料を、融点以上の温度において溶融状態で基板上に供給することを特徴とする半導体層の形成方法。 - 特許庁

To provide a hydrogen separation film capable of restraining the formation of a carbon-containing layer, and a manufacturing method for hydrogen separation film-electrolyte film conjugant.例文帳に追加

炭素含有層の形成を抑制することができる水素分離膜、および、水素分離膜−電解質膜接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The single-crystal semiconductor is separated from the single-crystal semiconductor substrate by irradiation with accelerated ions, formation of a fragile layer by the ion irradiation, and heat treatment.例文帳に追加

単結晶半導体基板は、加速されたイオンの照射とそれに伴う脆化層の形成、及び熱処理により、単結晶半導体を分離する。 - 特許庁

In addition, the source electrode 4 and the drain electrode 5 are made of AZO semiconductor, they can be manufactured by the same film formation apparatus as the channel layer 6.例文帳に追加

ソース電極４及びドレイン電極５がＡＺＯ半導体よりなるため、チャネル層６と同一の成膜装置で製造することが可能である。 - 特許庁

Indium ions are implanted using the gate electrode 102 as a mask for the formation of an amorphous layer, and arsenic ions are implanted using the gate electrode 102 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極１０２をマスクとしてインジウムをイオン注入してアモルファス層を形成した後、ゲート電極１０２をマスクとしてヒ素イオンをイオン注入する。 - 特許庁

More specifically, the solder resist layer formation resin contains a photopolymerization constituent and a photopolymerization starting agent, and the resin filler in a through hole further contains a thermopolymerization starting agent.例文帳に追加

すなわち、ソルダーレジスト層形成樹脂は光重合成分と光重合開始剤を含み、スルーホール内樹脂充填材はさらに熱重合開始剤をも含む。 - 特許庁

On the wall face forming the PCV chamber R2, the sludge suppressing layer SL is formed of substances to neutralize acid substances which accelerate the formation of sludge.例文帳に追加

ＰＣＶ室Ｒ２を形成する壁面には、スラッジの生成を促進する酸性物質を中和する物質からなるスラッジ抑制層ＳＬが形成されている。 - 特許庁

The discharge starting auxiliary electrode 5 triggers the discharge in a short time by the formation of a carbon nano tube layer 10 on a discharge starting auxiliary electrode plate 7.例文帳に追加

放電開始補助電極５は、放電開始補助電極板７にカーボンナノチューブ層１０を形成することによって短時間で放電を誘発する。 - 特許庁

An etching resistant mask TiN film 42a for upper electrode formation is formed on the upper surface of the Ir layer 40a and a first dry etching process is carried out.例文帳に追加

このＩｒ層４０ａの上面に上部電極形成のための耐エッチングマスクＴｉＮ膜４２ａを形成して、第１のドライエッチング工程を実施する。 - 特許庁

To improve magnetic characteristics of a product by making the formation of an oxidized layer compatible with decarburization in the surface of a steel sheet in a decarburizing annealing stage for a grain oriented silicon steel sheet.例文帳に追加

方向性珪素鋼板の脱炭焼鈍工程において、鋼板表面の酸化層形成と脱炭を両立させ、製品の磁気特性を改善する。 - 特許庁

A first insulating layer 2 is formed and bonded on a circuit formation surface of a semiconductor element 1, on which a first circuit pattern 3 is formed.例文帳に追加

半導体素子１上の回路形成面に、第１の絶縁層２が形成・接着され、その上面に第１の回路パターン３が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method involves manufacturing at least one of wring layers on a semiconductor substrate by using the wiring layer formation method.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板と配線層とを有し、上記配線層の形成方法を用いて配線層の少なくとも１つを製造する。 - 特許庁

To enable a formation of a group III nitride compound semiconductor layer of a good crystal structure by using an industrially easily acquirable raw material.例文帳に追加

工業的に容易に入手可能な原材料を用いて良好な結晶構造のIII族窒化物系化合物半導体層を形成できるようにする。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element having high light emitting efficiency as to an organic electroluminescent element having an organic layer formed by a wet film formation method.例文帳に追加

湿式成膜法で形成された有機層を有する有機電界発光素子であって、発光効率の高い有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide parts comprising a silicon-containing substrate having a barrier layer to prevent formation of gaseous species of Si when exposed to a high temperature aqueous environment.例文帳に追加

高温の水性環境に曝されたときにガス状Ｓｉ類の形成を防止するバリヤ層を有する、珪素含有基材からなる部品を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element including a formation of a gettering layer for capturing and fixing an impurity element of an SiC semiconductor substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a ferrite core 260 is inserted for the formation of the sheet transformer, and a silicone resin layer 240 is formed on all the surface of the sheet transformer by applying silicone resin on the sheet transformer in the air.例文帳に追加

その後、フェライトコア２６０を挿入して完成させたシート型トランスの全面を空気中で塗布等によりシリコン樹脂層２４０を形成する。 - 特許庁

The composition for formation of an adhesive layer contains (a) a carboxylic group-containing polymer and (b) a carbodiimide group-containing polymer.例文帳に追加

本発明の接着層形成用組成物は、（ａ）カルボキシル基含有ポリマー、及び（ｂ）カルボジイミド基含有ポリマーを含有する接着層形成用組成物である。 - 特許庁

A trench pattern is formed in the element formation area 3 on the surface layer part of the semiconductor substrate 2, so as to isolate areas for forming the respective elements.例文帳に追加

素子形成領域３において、半導体基板２の表層部には、各素子が形成される領域を分離するためのトレンチパターンが形成されている。 - 特許庁

Then, as the formation depth from the first main surface J of the ion implantation layer 4 for peeling becomes small, a dose rate in ion implantation is set small.例文帳に追加

そして、剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さが小さくなるほど、イオン注入のドーズ量を小さく設定する。 - 特許庁

In this method, formation of the degenerated layer is suppressed by irradiation of UV rays or immersion in an alkali solution as a pretreatment, and this makes stripping of the resist easy.例文帳に追加

本発明では、前処理として紫外線照射またはアルカリ溶液浸漬を行うことにより、変質層の形成を抑制し、レジスト除去を容易にする。 - 特許庁

The semiconductor structure which has a continuous buried oxide layer 24 and multiple trench separate structures 33 and 35 and its formation are disclosed.例文帳に追加

連続的な埋め込み酸化物層２４及び複数のトレンチ分離構造３３、３５を有する半導体構造、及びその形成方法を開示する。 - 特許庁

A capacitor formation region 14 includes a wiring layer 13 in other vias and wiring regions formed in the same process as a lower electrode 131.例文帳に追加

容量形成領域１４は、同一工程で形成される他のビアや配線領域における配線層１３を下部電極１３１として含む。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of a semiconductor laser element capable of preventing formation of a reactive current path in which current flows from a mesa to a buried layer.例文帳に追加

メサから埋込層へ電流が流れる無効電流経路が形成されるのを防ぐことができる半導体レーザ素子の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method to manufacture a diffraction structure formation body in which the pattern by the diffraction structure and the pattern by a metal layer are in agreement without positioning.例文帳に追加

位置合わせなしに回折構造による絵柄と金属層による絵柄の位置が合った回折構造形成体を製造できる方法を提供する。 - 特許庁

Further, the method includes heat-treating the secondarily fired substrate at a firing temperature or higher than that in the formation of the electrode layer before arranging the electrode material.例文帳に追加

二次焼成基板を、電極材料を配設する前に、電極層を形成する際の焼成温度以上の温度で加熱処理することを更に含む。 - 特許庁

The semiconductor device 40 is formed within a device formation area 50 enclosed by a separation area 4 separating the n^--type semiconductor layer 3 in islands.例文帳に追加

半導体素子４０は、Ｎ^−型半導体層３を島状に分離する分離領域４によって囲まれる素子形成領域５０内に形成される。 - 特許庁

Decrease in the stripping property of the resist is a result of formation of a degenerated layer which is hardened by crosslink of the resist resin with implanted ions such as phosphorus.例文帳に追加

レジストの除去能力低下は、レジスト樹脂が注入イオンである例えばリンと架橋することにより硬化した変質層が形成されるためである。 - 特許庁

To enable the stable formation of a p-type ohmic electrode having a sufficiently low contact resistance on a boron phosphide based semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素系半導体層上に接触抵抗の充分に低いｐ形オーミック電極を安定して形成することができるようにする。 - 特許庁

By using the lithium layer containing the organic sulfur compound as the negative electrode, the problem of shortening of service life due to formation of dendrite during charging can be solved.例文帳に追加

有機硫黄化合物が存在するリチウム金属を負極として用いれば、充電時のデンドライトの形成による寿命短縮の問題が解決されうる。 - 特許庁

The partition walls are arranged on the upper layer part UL to overlap the regions including the contact hole CON unsuited to the formation of the organic EL device OLED.例文帳に追加

隔壁６は、有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤの形成に適さないコンタクトホールＣＯＮを含む領域と重なるように上層部ＵＬに配されている。 - 特許庁

In addition, the fuse element for laser trimming is formed by the polycrystalline silicon film, and a bleeder resistor is formed by a single crystal silicon device formation layer on the SOI substrate.例文帳に追加

さらに、レーザトリミング用ヒューズ素子は多結晶シリコン膜で形成し、ブリーダー抵抗はＳＯＩ基板上の単結晶シリコンデバイス形成層で形成する。 - 特許庁