例文 (777件) |
fabrication processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 777件
To obtain a stable thin film transistor (TFT element) having a high mobility and a small off-current, and to provide a fabrication process of thin film transistor exhibiting high productivity.例文帳に追加
本発明の目的は、移動度が高く、off電流が小さい安定な薄膜トランジスタ素子(TFT素子)を得ることにあり、また、生産性の高い薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which can raise the Vth at the lower portion of a fin and can constrain leak current by a sub-channel between the source region and the drain region, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
フィン下部でのVthの上昇が得られると共に、サブチャネルによるソース領域とドレイン領域との間のリーク電流を抑えることを可能とした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Since the fine particles 4 functioning as quantum dots are not oxidized during or after fabrication process to become an insulator, the semiconductor apparatus is fabricated with good yield while enhancing the reliability.例文帳に追加
量子ドットとして機能する微粒子4が製造工程中あるいは製造後に酸化されて絶縁体となることがないので、半導体装置は歩留まり良く製造され、且つ信頼性が向上している。 - 特許庁
To provide a metal oxide element where a metal oxide layer exhibiting ferroelectric characteristics is arranged on a semiconductor substrate in order to attain a memory ensuring more stable storage, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
より安定な記憶保持が行えるメモリを実現するため、強誘電特性を示す金属酸化物層を半導体基板上に配置した金属酸化物素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a durable uniform pressing apparatus for use in a micro-nano fabrication process, which can provide a sufficient pressure required for complete imprinting on a substrate and which can be made at a low cost.例文帳に追加
基板上における完全なインプリントに対して要求される十分な圧力を与え且つ低コストで、マイクロナノ製造工程において使用される耐久性のある均等プレス装置を提供する。 - 特許庁
To provide an adhesive sheet for fabricating a semiconductor substrate which can prevent electrification generating in a semiconductor fabrication process to prevent a semiconductor device from being destroyed and a product from being deteriorated.例文帳に追加
半導体製造工程中における帯電の発生を防止し、該帯電による半導体デバイスの破壊および製の劣化を防ぐことのできる半導体加工用粘着シートを提供する。 - 特許庁
Temperature distribution in the plate 31 stays uniform in the presence of a temperature rise in the plate 31 during the film fabrication process because the excess heat is transmitted from the plate 31 to other parts due to the convection of the material gas.例文帳に追加
従って、成膜中にプレート部31が昇温したとしても、原料ガスの対流によってプレート部31の熱が他の部分に伝わるので、プレート部31の温度分布が均一となる。 - 特許庁
To provide a fabrication process of a semiconductor device in which a highly reliable full silicide MOSFET and a silicide MOSFET can be formed on the same substrate easily as compared with prior art.例文帳に追加
信頼性の高いフルシリサイドMOSFETおよびシリサイドMOSFETを従来よりも簡単に同一基板上に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which increase of wiring resistance due to reaction of Cu and Al, or fall of reliability of Cu wiring due to rising of Cu can be suppressed, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
CuとAlが反応することによる配線抵抗の上昇や、Cuの隆起によるCu配線の信頼性の低下を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a filter medium of an air filter for filtering process gases in semiconductor device fabrication which has a low pressure loss (a high ventilation capacity), is compact in size and lightweight, and requires no seal material.例文帳に追加
半導体素子製造におけるプロセスガス濾過用エアフィルタ濾材であって、低圧力損失(高通気量)で、且つ小型、軽量化が可能であり、シール材を用いる必要がないエアフィルタ濾材を提供する。 - 特許庁
To improve fabrication efficiency and yield in a process forming a groove for cutting a scintillator attached to a photodiode 2 by preventing generation of cracks in the groove bottom and failure of the photodiode 2.例文帳に追加
フォトダイオード2へ接着されたシンチレータ1を切断する形成する工程において、溝底部分にクラックが生じフォトダイオード2が破損するため、加工能率、歩留まりの向上の隘路となっている。 - 特許庁
To provide a heterojunction bipolar transistor in which an emitter electrode having a T-shaped cross-section can be micromachined while being ensured in high precision manufacturing, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
本発明は、上述の点に鑑み、断面T字型エミッタ電極の微細化を可能にし、且つ高精度の製造を可能にしたヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁
To realize the aligning in the excellent yield by enabling the setting of optimum scanning speed for the fabrication process condition such as wafer flatness and ensuring compatibility of high level aligning performance and productivity.例文帳に追加
ウェハ平坦度などの製造プロセス条件に対して最適なスキャン速度を設定することを可能とし、露光性能と生産性を高いレベルで両立させて歩留まりの良い露光を実現する。 - 特許庁
To provide a diode adapted for an optoelectronic device, which comprises a P-type semiconductor substrate and an N-type transparent amorphous oxide semiconductor layer, to simplify a fabrication process, and to decrease production costs.例文帳に追加
P型半導体基板とN型透明非結晶酸化物半導体層とを含む、光電デバイス用に採用されるダイオードを提供し、製作プロセスを簡単にするとともに、製造コストを低減する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having an electrode of such a structure as the problem of unnecessary alloying due to heat treatment in the fabrication process of the semiconductor device is avoided, and a method for forming the electrode.例文帳に追加
半導体デバイスの作成工程での熱処理による不要な合金化等の問題を回避した構造の電極を備えた半導体デバイスとその電極作成方法を提供すること。 - 特許庁
The disclosed selective etching process is sufficiently suitable for ferroelectric memory device fabrication using a conductive oxide/ferroelectric interface having silicon nitride as a material for encapsulating a ferroelectric substance.例文帳に追加
開示された選択的エッチングプロセスは、強誘電体の封じ込め材料として窒化シリコンを有する導電性酸化物/強誘電体界面を用いる強誘電体メモリデバイス製造に十分適している。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a multilayer wiring structure which is provided with an electrode pad exhibiting high reliability in external electric connection and is formed without increasing the fabrication process.例文帳に追加
多層配線構造を有する半導体装置において、製造工程を増加させることなく形成される、外部との電気接続信頼性の高い電極パッドを備える半導体装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which a leak electrode between a back electrode formed in a via hole and the electrode of an adjacent semiconductor element is reduced by ion implantation, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
バイアホール内に形成した裏面電極と隣接半導体素子の電極との間のリーク電極をイオン注入法により低減する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser device having a variable density filter which can enhance the yield by adjusting the optical output characteristics of a semiconductor laser element occurring in the fabrication process.例文帳に追加
製造工程で生じる半導体レーザ素子の光出力特性のバラツキを調節し、歩止まりを向上させることを可能にする可変濃度フィルタを有する半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a high-precision hole and trench fabrication process in organic siloxane insulating film that gives no damage by an asher to the organic siloxane insulating film and causes none of problems of shape deterioration or foreign matter.例文帳に追加
有機シロキサン系絶縁膜にアッシャによるダメージを与えることがなく、かつ形状劣化や異物の問題を起こすことのない、有機シロキサン系絶縁膜の高精度な孔溝加工プロセスを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device with a simple fabrication process, in which an ohmic contact is formed between a drain region of a vertical transistor and a buried bit line, and a method for fabricating the same.例文帳に追加
垂直型トランジスタのドレイン領域と埋め込みビットラインとの間に抵抗接点(ohmic contact)を形成しつつも、その製造工程が簡単な半導体メモリ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
(7) Within the meaning of paragraph (5) a process is specially adapted for the fabrication of the product, if said process leads directly to obtaining the claimed product; also, a device or a means is specially conceived for carrying out the process, if the device or means is suitable for carrying out the process, there existing a technical relationship, as defined under paragraph (2), between the device or means and the claimed process.例文帳に追加
(7) (5)の意味においては,ある方法によって,クレームされた製品が直接に取得される場合は,その方法はその物を製造するために特別に改作されているとみなされる。また,装置又は手段がその方法を実行するのに適しており,装置又は手段とクレームされている方法の間に(2)に定義されている技術的関係がある場合は,その装置又は手段はその方法を実行するために特別に考案されているとみなされる。 - 特許庁
To provide a fabrication method by which a fine wiring structure is formable without using dry etching or ashing process of a wiring trench for a multiple layer fine wiring in a semiconductor device, at the same time the simplification of wiring process, the improvement of wiring reliability, and cost reduction are achieved.例文帳に追加
半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する製造方法を提供する。 - 特許庁
To solve yield reduction problem due to electrostatic discharge failure by impressing electrostatic in a later fabrication process, because of existence of gate wire, signal wire and bias wire at the end of effective region as open terminals in a photoelectric conversion substrate manufactured on a glass substrate by a thin film semiconductor process.例文帳に追加
ガラス基板上に薄膜半導体プロセスによって製作された光電変換基板は、ゲート線や信号線バイアス線が有効領域の端部で開放端子として存在し、その後の加工工程で静電気等の印加で静電気破壊により歩留まりが懸念される。 - 特許庁
To provide a melt-inpregnated process for producing a CMC shaped article in a short time, in which a continuous matrix phase is distributed uniformly, the dimension of the article is substantially kept throughout a fabrication process and a further machining is substantially unnecessary for the final article.例文帳に追加
連続マトリックス相が均一に分布したCMC成型品を短時間で製造でき、製造プロセス全体を通して製品の寸法が実質的に保たれ、しかも最終緻密化製品のそれ以上の機械加工を実質的に要しない液相含浸プロセスを提供する。 - 特許庁
To provide an optical semiconductor element which can enhance electrostatic breakdown voltage of a surface emission semiconductor laser, and to provide a process for fabricating such an optical semiconductor element as the electrostatic breakdown voltage is enhanced without complicating the fabrication process.例文帳に追加
面発光型半導体レーザの静電破壊耐圧を向上させることができる光半導体素子、及び製造プロセスを複雑にすることなく静電破壊耐圧が向上した光半導体素子を製造することができる光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a new fabrication method for a new wafer-level package that can effectively prevent and/or remove the absorption of moisture generated in adhesives in a dicing process and moisture latent in the initial adhesives, in the process for fabricating the wafer-level package.例文帳に追加
本発明は、ウエハーレベルパッケージの製造工程において、ダイシング工程中に発生する接着剤への水分吸湿、又は、接着剤の初期に潜在されている水分を効果的に防止・除去することができる、新しいウエハーレベルパッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an MEMS (Micro-Electro Mechanical Systems, hereinafter referred to as "MEMS") device employing such an SOI (Silicon on Insulator) wafer as the ground hole of the device and a handle wafer are coupled electrically through a simple process without requiring any extra step, and also to provide its fabrication process and grounding method.例文帳に追加
SOI(Silicon on Insulator)ウェーハを用いるMEMS(Micro-Electro Mechanical Systems, 以下「MEMS」と略す)デバイスにおいて、特別な工程を追加せずとも簡単な工程によりデバイスの接地孔とハンドルウェーハ(handle wafer)とを電気的に連結させるSOIウェーハを用いたMEMSデバイス, その製造及び接地方法を提供する。 - 特許庁
To provide an interference type near IR cut filter with little variance of fabrication in the manufacturing process in which gradually decreased transmission property in the region from the visible ray region to near IR rays can be stably obtained.例文帳に追加
可視光線領域から近赤外線にかけての領域のなだらかに減衰する透過特性が安定して得られ製造時の加工ばらつきが少ない干渉タイプの近赤外線カットフィルタを提供すること。 - 特許庁
To provide process and equipment for fabricating an electrooptic element in which poor fabrication of an optical member can be reduced when the optical member such as a lens is formed by a liquid drop ejection method.例文帳に追加
液滴吐出方法でレンズ等の光学部材を形成する場合に、光学部材の製造不良を低減することができる電気光学素子の製造方法、及び電気光学素子の製造装置を提供する。 - 特許庁
To provide process and equipment for fabricating an electrooptic element in which poor fabrication of an optical member can be reduced when the optical member such as a lens is formed by a liquid drop ejection method.例文帳に追加
液滴吐出法でレンズ等の光学部材を形成する場合に、光学部材の製造不良を低減することができる電気光学素子の製造方法、及び電気光学素子の製造装置を提供する。 - 特許庁
Since the upper surface of the ridge protective layer 10 is lower than the upper surface of the waveguide 11, the ridge waveguide 11 is protected against damage during fabrication process of element and chipping of crystal is reduced significantly.例文帳に追加
このリッジ保護層10の上面の高さは、導波路11の上面の高さよりも低いので、素子作製工程でリッジ状の導波路11を傷つけることが無くなり、結晶カケなどが大幅に低減される。 - 特許庁
To provide an organic EL element of long lifetime in which enhancement of emission efficiency and such element characteristics as emission luminance and emission efficiency can be sustained at high level over a long term, and to provide its fabrication process, and an organic EL display.例文帳に追加
発光効率の向上及び発光輝度、発光効率などの素子特性を長期間にわたって高水準に維持することが可能な長寿命の有機EL素子及び有機ELディスプレイを提供すること。 - 特許庁
To provide a multilayer wiring board for providing a very small resistance value of a via hole, assuring excellent moisture absorbing and heat resistance property, connection reliability, bonding strength of conductor and applicability to fabrication process, and providing a small environmental load.例文帳に追加
ビアホールの抵抗値を非常に小さくすることができ、吸湿耐熱性、接続信頼性、導体接着強度、および製造プロセス適性に優れ、環境負荷が小さい多層配線基板を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which increase in sheet resistance of a gate electrode incident to heat treatment, and increase in junction current level due to junction breakdown can be suppressed; and to provide its fabrication process.例文帳に追加
熱処理に伴うゲート電極のシート抵抗値の上昇と、接合破壊により生じる接合リーク電流値上昇を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a pressure fitting method for bearings of a small motor capable of eliminating a secondary processing after pressure fitting for facilitating the fabrication process and suppressing the cost and of being established with a mitigated dimensional accuracy (dispersion) of the bearing hole inside diameter of a housing.例文帳に追加
製作工程を容易にしてコストダウンを図るため、圧入後の二次加工を不要とし、ハウジングの軸受け孔内径の寸法精度(バラツキ)を緩和できる小形モータの軸受圧入方法を提供する - 特許庁
To provide a semiconductor device which fully controls interference between adjacent nodes at the opposite ends of trench isolation by reducing the routing resistance of a buried conductive layer in a trench, and to provide a fabrication process therefor.例文帳に追加
トレンチ内の埋め込み導電層の引き回し配線抵抗を低減することにより、トレンチ分離の両端にある隣接ノード間の干渉を充分に抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Edge bonds are chemically, mechanically, acoustically, or thermally softened, dissolved, or disrupted to allow the wafers to be easily separated with very low forces and at or near room temperature at the appropriate stage in the fabrication process.例文帳に追加
エッジボンドは化学的、機械的、音響学的、または熱的に軟化、熔解、または破壊されウェーハーを非常に低い力で、かつ室温またはその付近で製造処理工程中の適切な段階で容易に分離できる。 - 特許庁
The fabrication process involves braiding the hinged legs on a mandrel while retaining loops of filament between the hinged leg portions for subsequent braiding of the trunk portion of the stent or graft.例文帳に追加
この製造過程は、続いて起こるステント又は人工血管の幹部分の編組のために蝶番式脚部分の間にフィラメントのループを保持しながら、マンドレルの上で蝶番式脚部を編組することを伴う。 - 特許庁
To provide a liquid crystal display device having a simplified manufacturing process and an reduced fabrication time by forming a pixel electrode without using an additional photoresist pattern, and to provide a method for manufacturing the liquid crystal display device.例文帳に追加
別途のフォトレジストパターンを使用せずに画素電極を形成することで、工程を単純化するとともに、工程時間を短縮することのできる液晶表示素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a laser diode chip outputting laser light of a plurality of different wavelengths in which the yield can be enhanced while reducing the fabrication cost, and to provide a laser diode comprising the laser diode chip, and a process for fabricating a laser diode chip.例文帳に追加
歩留まりの向上、製造コストの低減をすることができ、複数の異なる波長のレーザ光を出力するレーザダイオードチップ、該レーザダイオードチップを備えたレーザダイオード及びレーザダイオードチップの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device comprising a thin film transistor and a resistive element formed using a polysilicon film in which the resistance of the resistive element can be stabilized, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
ポリシリコン膜を用いて薄膜トランジスタと抵抗素子とが形成された半導体装置において、抵抗素子の抵抗値の安定化を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming a fine pattern in a hyperfine fabrication process using a coating agent by which coating property of the coating agent and uniformity in film thickness are improved and the use amount of the coating agent can be decreased.例文帳に追加
被覆形成剤を用いた極微細加工プロセスにおいて、被覆形成剤の塗布性、膜厚均一性の向上、被覆形成剤使用量の少量化を図った微細パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁
The fabrication process involves braiding the hinged legs on a mandrel while retaining loops of filament between the hinged leg portions for subsequent braiding of the trunk portion of the stent or graft.例文帳に追加
この製造過程は、続いて起こるステント又は人工血管の幹部分の編組のために蝶番式脚部分の間にフィラメントのループを保持しながら、マンドレルの上で蝶番式脚部を編組することを伴う。 - 特許庁
To fabricate a semiconductor device satisfying the demand of reduction in size and weight with high reliability while eliminating generation of leakage current or variations in the resistance or characteristics without causing any increase in the fabrication process.例文帳に追加
小型化、軽量化の要請に応じた半導体装置を、リーク電流の発生、抵抗値や特性のばらつきのない高い信頼性で、かつ製造工程の増加を招くことなく製造することを目的とする。 - 特許庁
To provide a dispenser for a liquid crystal display panel which can deal with fabrication of the liquid crystal display panel of a large area and can make a dispensing process in-line and a dispensing method utilizing the same.例文帳に追加
大面積の液晶表示パネルの製作に対応することができ、ディスペンシング工程のインライン化を可能にした液晶表示パネルのディスペンサ及びこれを利用したディスペンシング方法を提供しようとする。 - 特許庁
To provide an InGaAs light-receiving element array which has photosensitivity in a wavelength region exceeding 1.7 μm, and a low dark current, and to provide its fabrication process and a detection apparatus using the InGaAs light-receiving element array.例文帳に追加
1.7μmを超える波長域に受光感度をもち、暗電流の低いInGaAs受光素子アレイ、その製造方法およびそのInGaAs受光素子アレイを用いた検出装置を提供する。 - 特許庁
To provide a multi-domain liquid crystal display device having high contrast and excellent in a visual angle characteristic, without increasing complex processes such as micro-fabrication process of a common electrode, and requiring a high degree of sticking technology.例文帳に追加
共通電極の微細加工工程等の煩雑な工程を増加させたり、高度な貼り合わせ技術を要求することなく、高コントラストで、視角特性の優れたマルチドメイン液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
To provide a fabrication process of an MIM capacitor excellent in dielectric breakdown voltage and reliability and applicable to a microprocess in which focus margin or processing margin such as the thickness of resist film is ensured while reducing level difference at the time of processing.例文帳に追加
絶縁破壊耐圧および信頼性に優れ、加工時に段差が少なくフォーカスマージンやレジスト膜厚等の加工マージンを確保した微細プロセスに搭載可能なMIM容量の製造方法を提供する。 - 特許庁
When fixed side holding portions 21, 22 of a fixed portion 20 and a movable side holding portion 31 of a movable portion 30 are moulded with a nonmagnetic material such as a synthetic resin material, this fabrication method includes a process of integrally incorporating a magnetic material.例文帳に追加
固定部20の固定側保持部21,22及び可動部30の可動側保持部31を合成樹脂材料等の非磁性材料から成形する際に、磁性材料を一体的に組み込む工程を有する。 - 特許庁
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