「fabrication process」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a fabrication process of a semiconductor light emitting device in which two substrates can be laminated with a predetermined pressure while preventing the substrate from breaking along the crystal direction and a semiconductor layer can be transferred to a substrate other than a growth substrate.例文帳に追加

結晶方向に沿って割れるのを防止しつつ、所定の圧力をもって２つ基板を貼り合わせることができ、成長基板とは異なる基板へ転写することのできる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which nonreaction bonds of silicon atom between a gate oxide and a semiconductor substrate are stabilized and damage on the gate oxide occurring on the fabrication process can be recovered sufficiently.例文帳に追加

ゲート酸化膜と半導体基板との間のシリコン原子未反応手を安定化させ、かつ製造プロセス上生じるゲート酸化膜の損傷を十分に回復させることが可能な、半導体装置製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a screening method of semiconductor laser element in which a semiconductor laser element having low COD (catastrophic optical damage) resistant characteristics can be eliminated surely by performing nondestructive inspection of the COD resistant characteristics, and to provide a fabrication process of optical head device.例文帳に追加

耐ＣＯＤ特性を非破壊で検査することにより、耐ＣＯＤ特性が低い半導体レーザ素子を確実に排除可能な半導体レーザ素子の選別方法、および光ヘッド装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for keeping each coating interface, constituting a TFT in a clean state which will not be contaminated with contaminating impurities during fabrication process and for adding impurities to a crystalline semiconductor film without causing destruction of crystal.例文帳に追加

製造工程中ＴＦＴを構成する各被膜界面を汚染不純物に汚染されることなく清浄な状態に保ち、また、結晶質半導体膜に結晶破壊を起さずに不純物を添加する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a superconducting element in which operational characteristics of Josephson junction are excellent, an insulator film has a fine surface and excellent flatness, and a superconducting layer has excellent flatness and crystallinity, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ジョセフソン接合の動作特性に優れ、かつ、絶縁体膜の表面が緻密で平坦性に優れると共に、超電体層の平坦性および結晶性に優れる超電導素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of machining a high precision gate electrode, in which cutting of a high dielectric gate insulating film and digging of a semiconductor substrate are prevented and dimensional conversion differences are reduced, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜削れ及び半導体基板掘れを防止し、かつ、寸法変換差が少ない高精度なゲート電極の加工を実現することができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a metal vapor deposited biaxially stretched polypropylene film, which is excellent in gas barrier performance and can maintain the gas barrier performance after fabrication, by using a biaxially stretched polypropylene film produced by a common length-width successive biaxial drawing process.例文帳に追加

汎用の縦−横逐次二軸延伸法で作製したい二軸延伸ポリプロピレンフィルムを用い、ガスバリア性能に優れ、かつ二次加工後もそのガスバリア性能を維持できる金属蒸着二軸延伸ポリプロピレンフィルムを提供すること。 - 特許庁

The related invention (Claim 2) is the gas phase etching medium by sputtering. It does not correspond to the "equipment," but it falls under "other products" directly used in working the process for fabrication of the specified invention (Claim 1). 例文帳に追加

（請求項２）は、スパッタリングによるエッチングを行うためのガス状エッチング媒体であり、特定発明（請求項１）の基板の製造方法の実施に直接使用する「装置類」には該当しないが、「その他の物」に該当する。 - 特許庁

The optical fiber preform therefore can be stacked during the optical fiber fabrication process, which is useful in drawing longer optical fibers with comparable outer diameter and core diameter to that used as the industry standard.例文帳に追加

したがって、光ファイバ・プリフォームを光ファイバ製作プロセス中にスタックすることができ、これは業界標準として使用されている値に匹敵する外直径およびコア直径をもつより長い光ファイバを線引きするのに有用である。 - 特許庁

A large number of holes 24 are made by etching in the central part of a transistor of a passivation film 22 on the drain electrode D and the source electrode S of an output transistor formed with an ordinary thickness by LSI fabrication process and a highly conductive metal film 25 of gold or aluminum is deposited on the entire surface thereof.例文帳に追加

ＬＳＩ製造工程で通常の薄さに作成された出力トランジスタのドレインの電極Ｄとソースの電極Ｓの上のパシベーション膜２２のトランジスタの中央部位置にエッチングにより多数の孔２４を設ける。 - 特許庁

To obtain a light emitting element utilizing a fluorescent material in which the fabrication process is simplified, control of the quantity of fluorescent material to add is facilitated, and high luminance emission is attained by stimulating the fluorescent material efficiently.例文帳に追加

蛍光体を利用した発光素子において、製造工程を簡略化すること、蛍光体の添加量の制御を容易にすること、及び効率的に蛍光体を励起、発光させ高輝度の発光を得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a process for fabrication of a solid electrolytic capacitor which can raise a yield at the time of manufacturing and packaging by leaps and bounds by suppressing that leakage current increases in a manufacturing stage and a packaging stage.例文帳に追加

製造段階及び実装段階において漏れ電流が増大するのを抑制して、製造時と実装時とにおける歩留りを飛躍的に向上させることができる固体電解コンデンサの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for fabricating an ROM semiconductor device, in which the masking process related to ROM programming can be carried out in a part as close to the end of fabrication period as possible, and the period required for completion is shortened.例文帳に追加

製造期間中において、ＲＯＭプログラミング設定に関するマスク工程をなるべく後の方の製造工程にまわすことが可能で、完成までの期間を短縮するＲＯＭ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an impurity doping method and a fabrication method for memory device, insulated gate type semiconductor device and semiconductor device in a process for fabricating a semiconductor device such as semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路等の半導体装置を作製する工程における不純物ドープ方法、メモリ装置の作製方法、および絶縁ゲート型半導体装置の作製方法並びに半導体装置の作製方法に関する。 - 特許庁

In the fabrication process of a semiconductor device having a gate electrode, a gate insulation layer, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode, the gate insulation layer is formed by irradiating microwave.例文帳に追加

ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する半導体デバイスの製造方法において、前記ゲート絶縁層をマイクロ波を照射して形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 特許庁

Since the split capacity electrodes 24 and 25 are connected with adjacent diffusion layers 14 and 15 through a first interconnection layer directly above the capacity electrodes, charges generated in the fabrication process subsequent to the process for forming the first interconnection layer can be discharged to the diffusion layer and a capacitive oxidation layer can also be protected against breakdown.例文帳に追加

また、２分割された容量電極２４、２５を隣接する拡散層１４、１５に、容量電極すぐ上の第１配線層で接続する構成とするので、第１配線層形成工程以降の製造工程で発生するチャージを拡散層に放電することができ、容量酸化膜の破壊を防ぐことも可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an arrangement for suppressing occurrence of malfunction in the machining process as much as possible when a transistor provided with a memory cell area and a peripheral circuit area, such as a NAND flash, and having an LDD structure in the peripheral circuit area is fabricated; and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュ等のメモリセル領域および周辺回路領域を備え、周辺回路領域にＬＤＤ構造を有するトランジスタを形成する場合に、加工工程で不具合が発生するのを極力抑制することができる構成を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device fabrication method is provided with a process for introducing indium (In) into a channel region of a silicon substrate 1 and a subsequent process for forming a gate oxide film 5 on the silicon substrate 1 by implementing heat treatment at a higher temperature (about 1,000°C) than that at which a viscous flow of the silicon oxide film occurs.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１のチャネル領域に、インジウム（Ｉｎ）を導入する工程と、その後、シリコン酸化膜の粘性流動が起こる温度以上の温度（約１０００℃）で熱処理することによって、シリコン基板１の主表面上にゲート酸化膜５を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A method of manufacturing the pressure vessel includes: a liner fabrication process S104 to make a liner of hollow shape; a water absorption process S106 to make the liner absorb moisture; a filament winding process S108 to wind a fiber impregnated with a thermosetting resin, to the peripheral part of the liner having absorbed moisture; and a hardening process S110 to harden the thermosetting resin to form a fiber reinforced resin layer coating the liner.例文帳に追加

圧力容器の製造方法は、中空形状のライナを作製するライナ作製工程Ｓ１０４と、ライナに水分を吸収させる水分吸収工程Ｓ１０６と、水分を吸収させたライナの外周部分に、熱硬化性樹脂を含浸させた繊維を巻きつけるフィラメントワインディング工程Ｓ１０８と、熱硬化性樹脂を硬化させ、ライナを被覆する繊維強化樹脂層を形成する硬化工程Ｓ１１０と、を含む。 - 特許庁

To provide an organic thin-film transistor which can be fabricated by a solution process with a high production efficiency, exhibiting high solution resistance after formation and having a gate insulating film formed with a uniform film thickness, and to provide its fabrication method.例文帳に追加

生産効率が高い溶液プロセスによって製造することが可能で、形成後は高い耐溶剤性を有し、しかも均一な膜厚で形成されたゲート絶縁層を有する有機薄膜トランジスタ、及び有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a long light-emitting device in which a plurality of light-emitting diode units consisting of upper/lower electrode type light-emitting diodes are provided on a long metal die having a substantially U-shaped cross-section, and also to provide its fabrication process.例文帳に追加

本発明は、長尺の断面ほぼコ字状金属製型上に上下電極型発光ダイオード等からなる複数の発光ダイオードユニットが設けられている長尺発光装置および長尺発光装置の製造方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which the number of fabrication steps is decreased as compared with prior art by performing a patterning step and a recess step of a substrate region connected with a storage node contact plug, which had been performed in two chambers, in one chamber.例文帳に追加

２つのチャンバ内で行っていた、パターニング工程とストレージノードコンタクトプラグが接続される基板領域のリセス工程とを１つのチャンバ内で行い、従来よりも工程数が減少した半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an electronic device in which connection reliability is enhanced by preventing disconnection at the joint of interconnect lines when an interconnect line is formed to be connected with a substrate on which an interconnect line is formed through a level difference, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

基板上に形成された配線と、この基板に段差を介して接続するような配線を形成する際に、これら配線の接続部分の断線を防止し、その接続信頼性を向上した電子装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor capable of minimizing the occurrence of defect due to impurity ion implantation at the boundary of an active region and an isolation film beneath the gate electrode of a transistor constituting a CMOS image sensor, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサを構成するトランジスタのゲート電極の下のアクティブ領域と素子分離膜間の境界で不純物イオン注入による欠陥発生を最小化できるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive, large storage capacity, low-crosstalk nonvolatile memory being driven with low power consumption and especially optimal as the memory of a portable apparatus by providing a metal oxide having variable electric resistance between opposing electrodes, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

対向する電極間に電気抵抗値が変化する金属酸化物を設け、低消費電力で駆動する低コスト、大記憶容量の低クロストークの特に携帯用機器のメモリとして最適な不揮発性メモリとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor in which the dead zone and the dark current characteristics can be enhanced simultaneously by forming an impurity ion region in a semiconductor substrate and forming a path capable of transmitting optical charges, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

半導体基板内に不純物イオン領域を形成し、光電荷を伝送できる通路を形成することで、デッドゾーンと暗電流の特性とを同時に向上させることのできるＣＭＯＳイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the fabrication process of an organic thin filter transistor, a water repellent pattern is formed on a source electrode and a drain electrode, organic semiconductor solution is introduced between the source electrode and the drain electrode and then the solvent is removed thus forming an organic semiconductor layer.例文帳に追加

ソース電極、ドレイン電極上に撥水パターンを形成した後に、ソース電極、ドレイン電極間に有機半導体溶液を導入し、溶媒を除去して有機半導体層を形成する、ことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device employing a trench isolation structure in which reliability is enhanced by forming a cavity selectively, thereby suppressing troubles due to crystal defect effectively; and to provide its fabrication process.例文帳に追加

トレンチ分離構造を採用する半導体装置において、選択的に空洞部を形成することにより、結晶欠陥による弊害を効果的に抑制して、信用性の向上が図られた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal-ceramics composite material having a low thermal expansion coefficient, and optimum as the material for various devices such as an exposure device used in a semiconductor fabrication process, parts and fixtures, and to provide its production method.例文帳に追加

例えば半導体製造工程で使用される露光装置等の各種装置、部品及び治具の材料として最適なものであって、低い熱膨張係数を有する金属−セラミックス複合材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a curing method and system for simplifying printed electronics fabrication, increasing throughput, reducing equipment cost and size, lowering curing energy requirements, and decreasing volatile organic compounds given off in a curing process.例文帳に追加

印刷したエレクトロニクスの簡略化した製造、処理量、装置のコスト及び寸法の軽減、必要な硬化エネルギの量の減少、硬化過程中に放出される揮発性有機化合物減少を実現する硬化方法及びシステムを提供する。 - 特許庁

Alternatively, the data collected via the PDVs can be fed forward in the fabrication processes, so that later process steps performed on a PV cell substrate can be modified to compensate for issues detected on the PV cell substrate via the PDVs.例文帳に追加

或いは又、ＰＤＶを経て収集されたデータは、製造プロセスにおいてフィードフォワードされ、ＰＶセル基板上でその後に遂行されるプロセスステップを、ＰＤＶを経てＰＶセル基板上で検出された問題を補償するように、変更することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device employing an oxide semiconductor in a semiconductor active layer in which variation in hysteresis, shift of threshold, and increase in off current do not take place even if the semiconductor device is operated in the atmosphere, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

本発明は、酸化物半導体を半導体活性層に用い、大気中動作を行っても、ヒステリシスの変化、閾値のシフト、およびオフ電流が大きくなることのない半導体デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the fabrication process of semiconductor device having a multilayer interconnection layer, hydrogenation heat treatment is performed at least after formation of an insulation layer 107 covering a first interconnection layer 106 and an insulation layer 113 covering a last interconnection layer 112.例文帳に追加

多層配線層を有する半導体装置の製造工程において、少なくとも第一配線層１０６を覆う絶縁層１０７の形成後及び最終配線層１１２を覆う絶縁層１１３の形成後に水素化熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a mobile terminal having a camera in which one support member fixes a camera and supports a sub-printed board thereby to reduce the number of components, simplify the assembling process, reduce the fabrication cost, and minimize the terminal.例文帳に追加

１つの支持部材がカメラを固定すると共にサブプリント基板を支持することにより、部品点数を減らして組立工程を単純化して製造コストを低減すると共に、端末機を小型化できる、カメラを有する携帯端末機を提供すること。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter which is fabricated inexpensively by a convenient and simple process, and in which photoelectric conversion efficiency is enhanced while reducing surface recombination on the periphery of an electrode by ensuring the cross-sectional area of the electrode while reducing the occupation area thereof by reducing the width of the electrode depending on the structure and fabrication process of the electrode, and also to provide its fabricating process.例文帳に追加

電極の構造及びその製造方法によって、電極幅を低減して電極占有面積を縮小しながら、電極断面積を確保して、光電変換効率を向上させるとともに、電極周辺の表面再結合を低減することができ、さらに、簡便かつ容易な方法により安価に製造することができる光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a technology of solving such a problem that there is the case that no acceptable product chips are present on an entire wafer at an early stage of developing a semiconductor since a margin of a process decreases accompanied by the micro-fabrication of the semiconductor and the complexity of the process, it becomes difficult to satisfy conditions in the process, and when fixed point inspection is executed, a suitable reference image for relative inspection cannot be imaged.例文帳に追加

半導体の微細化、プロセスの複雑化に伴いプロセスのマージンは減り、プロセスの条件出しが難しくなっているため半導体の開発初期においてはウェーハ全面において良品チップが存在しない場合があり、定点検査を実行する場合において、比較検査のための適切な基準画像を撮像することができないという課題を解決する技術を提供する。 - 特許庁

Fabrication process is simplified by forming a Co silicide layer 20 simultaneously on the surface of the gate electrode 7B, source, and drain (n^+-type semiconductor region 16) of an MISFET constituting a logic LSI, and on the surface of a polysilicon film 7 becoming the gate electrode of an MISFET for selecting the memory cell of a DRAM in a subsequent process.例文帳に追加

ロジックＬＳＩを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極７Ｂ、ソース、ドレイン（ｎ^＋型半導体領域１６）のそれぞれの表面と、後の工程でＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜７の表面とにＣｏシリサイド層２０を同時に形成することによって、製造プロセスの簡略化を実現する。 - 特許庁

The method for producing the photo-fabrication product includes a process for producing the photo-fabricated cured body 2 by irradiating a photo-curable resin and a process in which an absorption body 4 having a property to absorb liquid by a capillary phenomenon is contacted with the photo-fabricated cured body 2 to make an uncured resin liquid 3 be absorbed by the absorption body 4.例文帳に追加

光硬化性樹脂に光を照射することにより、光造形硬化体２を生成する工程と、前記光造形硬化体２に対し、毛細管現象により液体を吸収する性質を有する吸収体４を接触させ、当該吸収体に未硬化樹脂液３を吸収させる工程とを有する光造形物の製造方法。 - 特許庁

To provide an organic thin film transistor which can operate with low voltage and which is easy to commercialize by forming a gate dielectric layer on a plastic or glass substrate, in a low-temperature process with a thickness of several nanometers, and to provide a fabrication method thereof.例文帳に追加

プラスチック基板やガラス基板などに低温工程で形成するものの、数ｎｍの厚みでゲート絶縁膜を形成することによって、低電圧で動作が可能であり、且つ商用化が容易な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition having enhanced resolving power and improved process admissibility such as an improved margin for exposure and an improved depth of a focus in lithography using a short- wavelength light source for exposure capable of ultramicro-fabrication and a positive type chemical amplification type resist.例文帳に追加

超微細加工が可能な短波長の露光光源及びポジ型化学増幅レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、解像力が向上し、露光マージンや焦点深度等のプロセス許容性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an optical element in which refractive index difference can be ensured between a member at the lower portion of a photonic crystal layer and the crystal layer without using a conventional sticking technology, and to provide a fabrication process of the optical element, and a semiconductor laser device employing the optical element.例文帳に追加

従来例のような貼り合わせ技術を用いずに、フォトニック結晶層下部の部材と、該結晶層との屈折率差を確保することが可能となる光学素子、光学素子の製造方法及び該光学素子を用いた半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrolytic copper coating film that develops plasticity and flexibility equal to or greater than those of a rolled copper foil after applying the heat history in the circuit board fabrication process, especially a heat history that is equivalent to the heat history applied when adhering a polyimide film.例文帳に追加

配線板の製造工程における熱履歴、特にポリイミドフィルムと接着する際にかかる熱履歴と同程度の熱履歴が施された後に、圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性と屈曲性を発現する電解銅皮膜を提供すること。 - 特許庁

The cylindrical (pipe-shaped) discharge electrode comparatively easy to fabricate can be formed into the concave (for instance, cup-shaped) electrode, by applying the header process to the rod-shaped lead-in wire, and inserting and jointing a partial header-processed part of the lead-in wire, to realize an easy fabrication.例文帳に追加

加工成形の比較的簡単な筒状（パイプ状）放電電極から、棒状の導入線をヘッダ加工し、導入線の部分的なヘッダ加工部を挿入し接合することにより、凹状（例えばカップ状）電極にでき、加工成形が容易となる。 - 特許庁

To provide polyethylene that has excellent process fitness to slurry polymerization, good morphology and excellent properties, namely the fabrication properties of low density polyethylene together with mechanical strength and melt-drawing properties of high-density polyethylene and straight-chain low-density polyethylene and provide the method for the polyethylene.例文帳に追加

スラリー重合に対するプロセス適性に優れ、モルフォロジーが良好な、低密度ポリエチレンの成形加工性と、高密度ポリエチレンおよび直鎖状低密度ポリエチレンの機械強度、溶融延伸性を併せ持つポリエチレンおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable nitride based compound semiconductor light emitting element having good characteristics by eliminating occurrence of stripping at the time of dicing into chips and eliminating occurrence of short circuit in a semiconductor layer in the fabrication process of a nitride based compound semiconductor.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体の製造プロセスにおいて、チップ分割する際に剥がれなどを発生させず、また、半導体層において短絡が発生せず、良好な特性および高い信頼性を有する窒化物系化合物半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁