「ion beam irradiation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, the ion beam irradiation device includes a beam shaping mechanism 70a for shaping an end of the ion beam 54a located on the dividing band 82, and a beam shaping mechanism 70b for shaping an end of the ion beam 54b located on the dividing band 82.例文帳に追加

更に、イオンビーム５４ａの、分割帯８２に位置する端部を整形するビーム整形機構７０ａと、イオンビーム５４ｂの、分割帯８２に位置する端部を整形するビーム整形機構７０ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide an ion beam distribution detection apparatus for electrically measuring the amount of irradiation of an ion beam irradiated to any location to be processed with the ion beam and detecting the divergence of the ion beam on the basis of measurement results and to provide an ion beam orientation processing apparatus.例文帳に追加

任意のイオンビーム処理位置に照射されるイオンビームの照射量を電気的に測定し、この測定結果をもとに、このイオンビームのダイバージェンスを検出するイオンビーム分布検出装置およびこれを用いたイオンビーム配向処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation method for applying favorable uniform ion beam irradiation to the whole surface of a large substrate while reducing the size of a device and eliminating the need for a divided zone to exist on the substrate, and to provide the ion beam irradiation device.例文帳に追加

大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、かつ装置をコンパクトなものにすることができ、しかも基板が分割帯を有していなくても良いイオンビーム照射方法および装置を提供する。 - 特許庁

With this, the filament is not affected by ion impact from the electron beam irradiation area.例文帳に追加

これにより，フィラメントは電子ビーム照射領域からのイオン衝撃を受けない。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device and an ion beam irradiation method which can remove an entire damaged layer while suppressing loss of a sample other than the damaged layer.例文帳に追加

ダメージ層以外の試料の消失を抑制してダメージ層を全て除去することができるイオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法を提供する。 - 特許庁

The ion beam device comprises a liquid metal ion beam irradiation device 1 forming a cross section by irradiating a prescribed liquid metal ion beam on a specified site of a specimen 6, and a gaseous ion beam irradiation device 7 removing a damaged layer on a prescribed region by scanning the prescribed region (observing region) of the cross section by the gaseous ion beam converged into a prescribed beam radius.例文帳に追加

試料６の特定部位に所定の液体金属イオンビームを照射して断面を形成する液体金属イオンビーム照射装置１と、所定のビーム径に集束した気体イオンビームで上記断面の所定の領域（観察領域）を走査して、該所定の領域上のダメージ層を除去する気体イオンビーム照射装置７とを有する。 - 特許庁

The present invention controls a substrate rotation mechanism 70 after one round trip of ion beam irradiation processing, inputs a substrate 2 into an ion beam irradiation device 100 again after rotating the substrate by 180 degrees, and irradiates a range where ion beam irradiation processing has not yet been completed with ion beams to irradiate the whole surface of the substrate with ion beams.例文帳に追加

イオンビーム照射処理を１往復行った後、基板回転機構７０を制御し、基板２を１８０度回転させた後、イオンビーム照射装置１００に再投入し、イオンビーム照射処理未完了の範囲をイオンビーム照射し、基板の全面にイオンビーム照射させることを特徴としたイオンビーム照射方法。 - 特許庁

To provide an ion beam position detection plate of an ion beam generation device capable of specifying an ion beam irradiation position without using a phosphor material nor deteriorating the level of vacuum, in relation to an ion beam position detection plate of an ion beam generation device.例文帳に追加

本発明はイオンビーム発生装置のイオンビーム位置検出板に関し、蛍光材を用いることなく、且つ真空度を低下させることのない、イオンのビーム照射位置を特定することができるイオンビーム発生装置のイオンビーム検出板を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a film removing device of a beam irradiation electrode capable of removing a film of a beam irradiation electrode while suppressing a damage in an ion source, an ion source equipped with this, and a member for removing a film of a beam irradiation electrode.例文帳に追加

イオン源内の損傷を抑えつつビーム照射電極の被膜を除去できるビーム照射電極の被膜除去装置、これを備えたイオン源、及びビーム照射電極の被膜除去用部材を提供することを課題とする。 - 特許庁

An ion beam irradiation system 1 and a gas inlet mechanism 21 are attached to an irradiated material chamber 2.例文帳に追加

被照射物チャンバー２にイオンビーム照射系１と、ガス導入機構２１を取り付ける。 - 特許庁

An ion beam from the charged particle beam generator 2 is applied to the affected part 62 from the irradiation field forming device 15.例文帳に追加

荷電粒子ビーム発生装置２からのイオンビームは照射野形成装置１５より患部６２に照射される。 - 特許庁

Alternatively, the first exposure unit 103 may be formed by irradiation of ion beam, and the second exposure unit 104 may be formed by irradiation of electron beam.例文帳に追加

なお、イオンビームの照射により第１露光部１０３を形成し、電子ビームの照射により第２露光部１０４を形成してもよい。 - 特許庁

The ion beam irradiation device is provided with a plasma generating device 24 and an ion beam current measurement device 30 fitted at its downstream side.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、プラズマ発生装置２４と、その下流側に設けられたイオンビーム電流測定装置３０とを備えている。 - 特許庁

Furthermore, the ion beam irradiation device includes beam current density distribution adjustment mechanisms 70a, 70b for respectively adjusting beam current density distributions in the vicinity of an end of ion beams 54a, 54b.例文帳に追加

更に、イオンビーム５４ａ、５４ｂの一端付近のビーム電流密度分布をそれぞれ調整するビーム電流密度分布調整機構７０ａ、７０ｂを備えている。 - 特許庁

An electron beam irradiation system with a different axial direction from an ion beam irradiation system are set up in the same sample room, and an observation is carried out with the electron beam irradiation system in the sample room under low-vacuum atmosphere.例文帳に追加

イオンビーム照射系と軸方向を異にした電子ビーム照射系を同一試料室内に設け、該試料室を低真空雰囲気にして該電子ビーム照射系で観察するようにした。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device capable of realizing various ion beam irradiation characteristics and suppressing increase in the device size, deterioration of through-put, and adhesion of particles on a substrate.例文帳に追加

多様なイオンビーム照射特性を実現することができ、しかも装置の大型化、スループットの低下および基板へのパーティクル付着を抑えることができるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

The ion beam irradiation device includes ion sources 2a, 2b, analysis electromagnets 6a, 6b, and a substrate driving device 14.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、イオン源２ａ、２ｂ、分析電磁石６ａ、６ｂおよび基板駆動装置１４を備えている。 - 特許庁

When ion irradiation is carried out onto the beam limit (GUN) aperture 2-3, Ga of the irradiation region 7-1 is melt to disperse Ga on the surface of the beam irradiation region of the W aperture.例文帳に追加

ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３にイオン照射すると、照射領域７−１のＧａが溶融してＷアパーチャのビーム照射領域の表面にＧａが拡散する。 - 特許庁

The ion beam emitted from the synchrotron 7 is emitted toward a patient from an irradiation device 12.例文帳に追加

シンクロトロン７から出射されたイオンビームは照射装置１２から患者に照射される。 - 特許庁

The strength of the weak coupling can be controlled by the strength of the irradiation of the focused ion beam.例文帳に追加

弱結合の強さは照射する集束イオンビームの強度によって制御することができる。 - 特許庁

The plasma for vapor deposition 10 is generated and maintained with the irradiation of the ion beam 9.例文帳に追加

イオンビーム９の照射によって蒸着用プラズマ１０の生成および維持が行われる。 - 特許庁

To provide a device capable of extracting in a large volume and in good parallelism even ion beam of low energy and capable of reconciling clean irradiation of ion and severe monitoring of ion beam.例文帳に追加

低エネルギーのイオンビームでも多量にかつ平行性良く取り出すと共に、クリーンなイオン照射とイオンビームの厳重なモニタとを両立させることができる装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion irradiation device capable of irradiating a sheet-shaped ion beam having large current and good uniformity on a target.例文帳に追加

大電流でしかも均一性の良いシート状のイオンビームをターゲットに照射することができるイオン照射装置を提供する。 - 特許庁

And when viewing the ion beam outlet 14 along the gravity direction G, a dust-proof plate 11 is provided to cover the lower surface of the ion beam outlet 14 without interfering with irradiation of the ion beam 2 to the substrate 4.例文帳に追加

そして、重力方向Ｇに沿ってイオンビーム引出し口１４を見たときに、イオンビーム引出し口１４の下面を覆うとともに、基板４へのイオンビーム２の照射を妨げない防塵板１１を備えている。 - 特許庁

A part of the ion beam reached the interior of the irradiation field forming device 18 irradiates a patient 61 through the beam passage 35.例文帳に追加

照射野形成装置１８内に到達したイオンビームの一部はビーム通路３５を通過して患者６１に照射される。 - 特許庁

The method includes a step of irradiating the sample with a neutral atomic beam or ion beam, and a step of irradiating the sample with radiation after the irradiation of the sample with the neutral atomic beam or ion beam and analyzing the electrons from the sample.例文帳に追加

試料に中性原子線又はイオン線を照射する過程と、中性原子線又はイオン線の照射後に、試料に対して放射線を照射し、試料からの電子を分析する過程とを含む。 - 特許庁

A carbon nanotube 3 other than the one held in the space is removed by the irradiation of gallium ion beam.例文帳に追加

空間に保持したカーボンナノチューブ３以外のカーボンナノチューブ３を、ガリウムイオンビームの照射により除去する。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device capable of performing ion irradiation by removing neutral particles.例文帳に追加

本発明は集束イオンビーム装置に関し、中性粒子を除去してイオン照射が可能なようにした集束イオンビーム装置に関する。 - 特許庁

The ion beam irradiation device has an electrode 20a installed at a position opposed to the side on X direction side of the ion beams 2.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、イオンビーム２のＸ方向側の側面に対向する位置に設けられた電極２０ａを備えている。 - 特許庁

The fine particle 2 is irradiated with a converged ion beam, and secondary ions discharged by the irradiation of the converged ion beam are detected so as to perform the component analysis of the fine particle 2.例文帳に追加

また、微粒子２に集束イオンビームを照射し、この集束イオンビームの照射により放出される二次イオンを検出して微粒子２の成分分析を行う。 - 特許庁

The laser irradiation may be either in an atmosphere or under a vacuum, but when the laser irradiation is carried out in an atmosphere, the substrate is carried in a vacuum tank for the ion beam irradiation.例文帳に追加

レーザ照射は大気中及び真空中のいずれでも良いが、大気中でレーザ照射した場合は、イオンビームを照射するために、基板を真空槽内に搬送する。 - 特許庁

Then, based on the detected quantity of the secondary electrons detected by the secondary-electron detecting sensor, irradiation control of the ion beam is carried out, and at the same time, ion injection into the semiconductor board by ion beam is carried out.例文帳に追加

また、２次電子検出センサで検出した２次電子の検出量に基づいてイオンビームの照射制御を行ないながら半導体基板へのイオンビームによるイオン注入を行なう。 - 特許庁

This ion beam irradiation device is provided with the plasma generating device 10 provided on the upstream side of a holder 6 holding a substrate 4 to generate plasma 18 to be supplied to a route of an ion beam 2, so that electrification of the substrate surface following ion beam irradiation is restricted.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、基板４を保持するホルダ６の上流側に設けられていて、プラズマ１８を発生させてそれをイオンビーム２の経路に供給して、イオンビーム照射に伴う基板表面の帯電を抑制するプラズマ発生装置１０を備えている。 - 特許庁

A sample machining method includes a process for machining one portion of a sample 14 into a micro sample 6 by irradiating it with a first ion beam radiated from a first ion source for scanning; a process for separating the micro sample machined by the first ion beam from the sample; and a process for machining the micro sample 6 by using the second ion beam through irradiation with an ion beam from a second ion beam machining apparatus 17.例文帳に追加

第１のイオン源から放出される第１のイオンビームを照射し走査して試料１４の一部をマイクロサンプル６に加工する手段と、前記第１のイオンビームにより加工された前記マイクロサンプルを前記試料から分離するプローブと、第２のイオンビーム加工装置１７から照射し、前記マイクロサンプル６を前記第２のイオンビームを用いて加工する方法。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device capable of uniformly irradiating ion beams to the whole surface of a large-scaled substrate and restraining upsizing of an ion beam supply device and upsizing of a processing chamber while making a dimension of the ion beam smaller than a dimension of the substrate.例文帳に追加

大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、しかもイオンビーム寸法を基板寸法よりも小さくしてイオンビーム供給装置の大型化、処理室の大型化等を抑えることができるようにする。 - 特許庁

A gas cluster ion beam irradiation part 20 ionizes and accelerated the gas cluster generated, and gas cluster ion beams G are irradiated on the surface of a substrate W.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビーム照射部２０は、生成したガスクラスターをイオン化して加速し、ガスクラスターイオンビームＧを基板Ｗの表面に照射する。 - 特許庁

The ion beam irradiation device is of a structure in which ion beams 100 scanned in an X direction are irradiated on the substrate 90 held by a holder 2.例文帳に追加

Ｘ方向に走査されるイオンビーム１００をホルダ２に保持された基板９０に照射する構成のイオンビーム照射装置に関する。 - 特許庁

Using the dose distribution per ion beam irradiation in etching, an irradiation position and a dose distribution of ion beams are calculated so that approximation to the processing target dose distribution is obtained.例文帳に追加

そして、エッチングを行う際のイオンビーム１照射当りのドーズ分布を用いて、加工の目標とするドーズ分布に近似するよう、イオンビームの照射位置及びドーズ分布を算出する。 - 特許庁

To attain trapping of electrons inside a magnet without causing any trouble on productivity of an ion beam irradiation apparatus.例文帳に追加

イオンビーム照射装置の生産性に支障をきたすことなく、磁石内部での電子の閉じ込めを達成する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVING ELECTROCONDUCTIVITY AND MECHANICAL PROPERTY OF POLYMER SURFACE BY LOW- ENERGY ION BEAM IRRADIATION例文帳に追加

低エネルギーイオンビーム照射によるポリマー表面の電気伝導性及び機械的物性の向上方法とその装置 - 特許庁

To provide a charged particle beam emitting method and a particle beam irradiation system capable of controlling the intensity of an ion beam to be emitted with a simple device constitution.例文帳に追加

出射されるイオンビームの強度制御を簡素な装置構成で実現できる荷電粒子ビーム出射方法及び粒子線照射システムを提供することを課題とする。 - 特許庁

On the basis of the coordinated information found, it is decided whether the irradiation range of the energy beam satisfies a positional relationship allowable for a predetermined irradiation point of the ion beam.例文帳に追加

この求めた座標情報に基づいて、中和用エネルギー線の照射範囲がイオンビームの予め定めた照射点に対し許容される位置関係にあるかを判定する。 - 特許庁

The negative resist composition for ion beam writing comprises (A) a resin which has a polymer unit of formula (1), a polymer unit prepared by ring opening polymerization and hydrogenation of a cyclic olefin, or a vinyl ether polymer unit, and is made slightly soluble or insoluble in a developer upon ion beam irradiation, and (B) at least one organic solvent which dissolves the resin (A).例文帳に追加

次の成分（Ａ）および（Ｂ）を含有するイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物並びに上記のネガ型レジスト組成物を利用するパターン形成方法。 - 特許庁

(c) Irradiation of the upside of the layer, with at least one ion beam (9), is performed at least once so that the layer (7) is locally etched at the place of the ion beam according to the removal characteristics.例文帳に追加

ｃ）層（７）がイオンビームの場所において除去特性に応じて、局部的にエッチングされるように、少なくとも１本のイオンビーム（９）を層の上に少なくとも１度行う。 - 特許庁

While executing etching work by scanning and irradiating the vicinity of a sample cross section region with a focused ion beam 1, secondary ions 2 generated by the irradiation of the focused ion beam 1 are detected.例文帳に追加

試料断面領域近傍に集束イオンビーム１を走査照射してエッチング加工しながら、集束イオンビーム１を照射することにより発生する二次電子２を検出する。 - 特許庁