「ion beam irradiation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the substrates 1 and 2 having the track width regulating grooves 10 and 10 formed therein are placed to face an ion beam irradiation device, subjected to etching by ion beams, and the width L of the width deciding wall 32 is formed to be equal to the desired track width.例文帳に追加

次に、トラック幅規制溝10、10を形成した基板1、2を、イオンビーム照射装置に対向させ、イオンビームにてエッチング処理し、幅決め壁32の幅Ｌを所望のトラック幅に形成する。 - 特許庁

Both permanent magnets 28A and 28B are arranged in opposed relation to each other in parallel to the irradiation axis of the ion beam 13 with a sample stage 32 and scattered ion measuring instruments 34 and 36 in between.例文帳に追加

両永久磁石２８Ａ，２８Ｂは、試料ステージ３２及び散乱イオン測定装置３４，３６を挟んでイオンビーム１３の照射軸と平行な方向に相対向するように配置される。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of forming a second insulation film on the wiring layer formed on the first insulation film after the defect is irradiated with the converged ion beam when irradiation of the converged ion beam is selected in the selection process.例文帳に追加

そして、選択工程において集束イオンビームを照射すると選択された場合には、欠陥に集束イオンビームを照射した後、第１の絶縁膜上に形成された配線層上に第２の絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of forming a second insulation film on the wiring layer formed on the first insulation film without irradiating the defect with the converged ion beam when the irradiation of the converged ion beam is not selected in the selection process.例文帳に追加

また、選択工程において集束イオンビームを照射しないと選択された場合には、欠陥に集束イオンビームを照射せずに第１の絶縁膜上に形成された配線層上に第２の絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

In carrying out a removal work of the three-dimensional shape by irradiating the ion beam, it is irradiated on the same point of the worked object by normal irradiation and bent and inclined irradiation, and by measuring secondary electrons emitted from a work point by the secondary detector, the shape of the ion beam worked part is measured.例文帳に追加

イオンビームを照射して３次元形状の除去加工を行う際にイオンビームを加工物の同一箇所に対して通常照射および屈曲傾斜させて照射し、加工点から放出される２次電子を２次検出器により計測することでイオンビーム加工された部分の形状を計測する。 - 特許庁

After setting of irradiation energy of a primary ion is implemented (S104) and then setting of an incident angle of the primary ion is implemented (S106), the primary ion beam is irradiated with a sample to measure intensity in the depth direction of main metallic elements (S108) using the secondary ion discharged over the depth direction of the sample.例文帳に追加

一次イオンの照射エネルギーを設定し（Ｓ１０４）、次いで、一次イオン入射角度を設定して（Ｓ１０６）、一次イオンビームを試料に照射し、試料の深さ方向に亘って放出された２次イオンにより主要金属元素の深さ方向の強度測定を行う（Ｓ１０８）。 - 特許庁

To provide a device for generating a large amount of electrons of low energy, reducing the charge-up of a base in accompany with the irradiation of ion beam, and free from the vacuum down of a beam line and the like.例文帳に追加

低エネルギーの電子を大量に発生させて、イオンビーム照射に伴う基板のチャージアップを小さく抑えることができ、しかもビームライン等の真空度悪化を惹き起こすことのない装置を提供する。 - 特許庁

The metal surface is directly phase-transformed into a modified layer containing more ceramic particles with the ion beam implantation, or high-speed electron beam irradiation as the pretreatment, and the plasma processing as the main processing.例文帳に追加

イオンビーム注入、或いは、高速電子線照射を前処理とし、プラズマプロセッシングを主加工として、金属直面を直接的にセラミックス粒子を多く含む改質層に相変態させる加工法。 - 特許庁

On the ion irradiation device, a plasma 12 is generated by arranging a cathode 18 extended in an X-direction in a plasma generation container 8 of an ion source 2 drawing out the sheet-shaped ion beam widely spread in the X-direction, and by releasing thermion 19 by heating the cathode with an electron beam 38 scanned in the X-direction from an electron beam source 30.例文帳に追加

このイオン照射装置では、Ｘ方向に幅広のシート状のイオンビーム４を引き出すイオン源２のプラズマ生成容器８内に、Ｘ方向に伸びているカソード１８を設け、それを電子ビーム源３０からのＸ方向に走査される電子ビーム３８によって加熱して熱電子１９を放出させて、プラズマ１２を生成する。 - 特許庁

In this manufacturing method for the micro space structure bio-nano tool, a beam irradiation position and an irradiation time are determined based on three-dimensional model data designed by using a computer and the front end of a glass capillary is cut by a focused ion beam.例文帳に追加

微小立体構造バイオナノツールの製造方法において、電子計算機を利用して設計した微小立体構造物の三次元モデルデータに基づき、ビームの照射位置、照射時間を決定し、集束イオンビームによりガラスキャピラリーの先端部の切断加工を行う。 - 特許庁

A motor 14a for setting irradiation angle holds a holder 4, and the holder 4 sets irradiation angle θ of the ion beam 58 by making it rotate around a central axis 60 parallel to the X-axis as the center.例文帳に追加

照射角度設定用モータ１４ａは、ホルダ４を支持していて、このホルダ４を、Ｘ軸に平行な中心軸６０を中心に回転させることによって、イオンビーム５８の照射角度θを設定する。 - 特許庁

The fine processing is carried out by ion irradiation using the stencil mask comprising the self-assembled monolayer constitution body provided with the self-assembled monolayer in which tensile stress is generated on the solid surface by irradiation with corpuscular beam.例文帳に追加

粒子線照射により固体表面に引張り応力を生じさせる自己組織単分子膜を備えている自己組織単分子膜構成体からなるステンシルマスクを用いてイオン照射により微細加工する。 - 特許庁

To execute ion beam machining by allowing a reference object to be always recognized in process of the machining to carry out accurate drift correction even when a minute hole or a minute pattern is used as the reference object in correcting the drift of an irradiation position of an ion beam using the reference object.例文帳に追加

参照対象を用いてイオンビームの照射位置のドリフトを補正する際に、参照対象として微細穴や微細パターンを用いた場合でも、加工途中で参照対象を常に認識できるようにし、高精度のドリフト補正をし、イオンビーム加工を行なう。 - 特許庁

To provide a method of producing a diffraction grating by direct plotting using charged particle beam such as electron beam or ion beam and in detail, a method of precisely plotting the diffraction grating having an optional spatial frequency without depending on beam irradiation position control resolution of the plotting device.例文帳に追加

本発明は、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子ビームを用いた、直接描画による回折格子の形成方法に係り、さらに詳しくは、描画装置のビーム照射位置制御分解能によらず、任意の空間周波数の回折格子を精度良く描画する方法に関するものである。 - 特許庁

The retardation compensation element includes a layer 62 having a plurality of holes 62b formed by obliquely irradiating an inorganic film 62a with at least one of an ion beam, atomic beam, molecular beam and plasma beam, the holes having a longitudinal direction obliquely intersecting the surface 62s of the inorganic film 62a and along the irradiation direction D of the beam.例文帳に追加

無機膜６２ａに対して、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、プラズマビームのうち少なくとも一つのビームを斜めから照射することで、無機膜６２ａの表面６２ｓに対して斜めに交差しかつビームの照射方向Ｄに沿った長手を有する複数の空孔６２ｂが形成された層６２を含む。 - 特許庁

To provide an in-line type ion irradiation device, irradiating the upper half and the lower half of a substrate with ions using two ion beam supply devices, which is structured so that a desired dosage can be injected over the whole surface of the substrate even when one ion beam supply device stops or abnormally completes its operation in the course of processing.例文帳に追加

２台のイオンビーム供給装置により基板の上半分と下半分にイオン照射するインライン式のイオン照射装置において、１台のイオンビーム供給装置が停止又は処理途中で異常終了した場合であっても、基板全面に所望のドーズ量が注入できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for analyzing secondary ion masses, capable of specifying an analyzing position, even with respect to a sample, where the hole formed by the irradiation with ion beam is difficult to be discriminated, because the optical surface reflectivity is low, by irradiating the surface of the sample with a laser beam through the route of a secondary ion optical system.例文帳に追加

二次イオン光学系の経路を通して試料表面にレーザを照射することにより、表面の光学的な反射率が低いため、イオンビームを照射して形成された穴が判別しにくい試料であっても分析位置を特定することができる二次イオン質量分析方法を提供する。 - 特許庁

A magnetic field generation part 4 for generating a magnetic field to change the direction of an ion beam IB and a magnetic field control part 5 for controlling the direction and strength of the magnetic field to irradiate an optional irradiation area IBA of a material source 6 with the ion beam IB are arranged between an ion gun 3 and the material source (a target 6).例文帳に追加

イオンガン３と材料源（ターゲット６）との間には、イオンビームＩＢの方向を変化させる磁界を発生する磁界発生部４が設けられ、磁界の向き及び強さを制御してイオンビームＩＢを材料源６の任意の照射領域ＩＢＡに照射させる磁界制御部５を備える。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a liquid crystal display device in which light leakage caused by defective rubbing is prevented and of which the contrast ratio is improved by conducting a rubbing step concurrently with ion beam irradiation, light irradiation or plasma irradiation or the like as an aligning step.例文帳に追加

配向工程をラビング工程とイオンビーム照射、光照射、又はプラズマ照射などを並行して行うことで、ラビング不良による光漏れを防止しかつコントラスト比を向上させることのできる液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a collimater for charged particle beam which can be set even in a small setting space and compactly constitute a sample analyzer or ion/electron irradiation equipment itself.例文帳に追加

設置スペースが小さくても設置が可能である他、試料分析装置やイオン・電子照射装置自体をコンパクトに構成し得る荷電粒子ビーム用コリメータを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method to make the alignment direction of a liquid crystal alignment layer uniform when the alignment layer is formed by ion beam irradiation.例文帳に追加

本発明の目的は、イオンビーム照射による液晶配向層を形成するときに、配向層の配向方向を均一にする装置および方法を提供することにある。 - 特許庁

Next, a sample 11 is sliced by irradiation with an ion beam B1 to form a next measuring surface S2 inside by predetermined distance L from the measuring surface S1.例文帳に追加

次に、イオンビームＢ１の照射によって試料１１をスライス加工することにより、測定面Ｓ１から所定距離Ｌだけ内側に、次の測定面Ｓ２を作成する。 - 特許庁

Namely, by the high adhesion by the ion beam irradiation and a high film forming speed by plasma 5, the hard carbon nitride film high in adhesion with the substrate 2 can be obtd.例文帳に追加

すなわち、イオンビーム照射による高い密着力と、プラズマ５による速い成膜速度とで基板２との密着性の高い硬質の窒化炭素膜が得られる。 - 特許庁

A mark based on a deposition film is formed by irradiating an electron beam 12 onto a defect of a wafer 31 which is detected by the irradiation of the electron beam 12 while supplying deposition gas 52, a sample piece is processed by a projection ion beam 22 generated from a gas ion source 21 on the basis of the mark, and the processed sample piece is extracted.例文帳に追加

電子ビーム１２の照射により検出したウェーハ３１の欠陥部にデポガス５２を供給しながら電子ビーム１２を照射することでデポジション膜によるマークを形成し、そのマークを基準に、ガスイオン源２１で発生させたプロジェクションイオンビーム２２により、試料片に加工して取り出す。 - 特許庁

In the manufacturing method of a magnetic material thin film, the magnetic material thin film is deposited to be a specimen 3, and then the specimen 3 is irradiated with an ion beam 2 at a current density in a value range at which a perpendicular magnetic anisotropy coefficient value becomes positive by the irradiation of the ion beam 2.例文帳に追加

磁性材料薄膜の製造方法は、磁性材料薄膜を成膜した後、それを試料３として、垂直磁気異方性定数の値がイオンビーム２の照射によって正となるような数値範囲の電流密度でイオンビーム２を試料３に照射する。 - 特許庁

To provide a device and a method wherein change of an incident angle of an ion beam is easy, and wherein deviation of an irradiation position and spread of an irradiation area can be suppressed to be small even in the case of making the incident angle small.例文帳に追加

イオンビームの入射角度の変更が容易であり、しかも入射角度を小さくする場合でも照射位置のずれおよび照射領域の広がりを小さく抑えることができる装置および方法を提供する。 - 特許庁

The frequency adjusting apparatus is provided with a shutter 14 in which ion beams B are applied to a wafer 10 through a mask hole 15a of a pattern mask 15 and ion beam irradiation time of a target element is adjusted by selectively opening/closing the predetermined mask hole.例文帳に追加

パターンマスク１５のマスク穴１５ａを介してウエハ１０に対してイオンビームＢを照射すると共に、所定のマスク穴を選択的に開閉し、ねらいの素子のイオンビーム照射時間を調整するシャッタ１４を設ける。 - 特許庁

To provide an ion beam processing device and method capable of accurately specifying a processing site on the surface of a sample, and grasping a processing progress, in case of cross-section processing through irradiation of ion beams from a rear side of the sample.例文帳に追加

試料の裏面からイオンビームを照射して断面加工する場合に、試料の表面における加工場所を正確に特定し、さらに加工進行状況を把握することのできるイオンビーム加工装置及び方法を提供する。 - 特許庁

A helium gas atmosphere is formed in a small space enclosed by three parts, namely, a sample S, the head of the beam introduction pipe 2 and the head of the X-ray introduction sleeve 3a, and ion beam irradiation and introduction of a characteristic X-ray are executed in the atmosphere.例文帳に追加

試料Ｓ、ビーム導入管２の先端、Ｘ線導入用スリーブ３ａの先端の三者に囲まれた小空間にヘリウムガス雰囲気を形成し、この雰囲気内でイオンビーム照射、特性Ｘ線の導入を行う。 - 特許庁

To reduce electric charges on the surface of a substrate accompanying ion beam irradiation, without deteriorating the vacuum level in a beam line or a substrate processing chamber, by generating a large number of low energy electrons and utilizing them for neutralization.例文帳に追加

ビームラインや基板処理室の真空度悪化を惹き起こすことなく、低エネルギーの電子を大量に発生させてそれを中和に利用して、イオンビーム照射に伴う基板表面の帯電を小さく抑えることができるようにする。 - 特許庁

The rotary irradiation apparatus has a rotary gantry 3 in which a beam conveying device 11 for conveying the ion beam employed for corpuscular beam treatment and an irradiation apparatus 4 are formed, radial supporting devices 61A and 61B which support the front ring 19 of the rotary gantry 3, and radial supporting devices 61A and 61B which support the rear ring 20 of the rotary gantry 3.例文帳に追加

回転照射装置は、粒子線治療に使用されるイオンビームを輸送するビーム送装置１１及び照射装置４が設けられる回転ガントリー３，回転ガントリー３のフロントリング１９を支持するラジアル支持装置６１Ａ，６１Ｂ、及び回転ガントリー３のリアリング２０を支持するラジアル支持装置６１Ａ，６１Ｂを備えている。 - 特許庁

The method of imparting anti-thrombotic properties to the surface of a polymeric material comprises ionizing a nitrogen and oxygen- containing compound having a decomposition temperature of ≥140°C by irradiation with an ion beam cluster to accelerate and bond it to the surface of a polymeric material.例文帳に追加

イオンビームクラスター照射法により、窒素および硫黄を含む分解温度１４０℃以上の化合物をイオン化して加速し、高分子材料表面に結合させる。 - 特許庁

Then, a beam irradiation angle θ when performing the ion milling of the magnetic material layer is determined according to the etching amount (shifting amount S) in the width direction of the hard mask and the side wall inclination α of the hard mask.例文帳に追加

そして、磁性材料層をイオンミリングする際のビーム照射角θを、ハードマスクの幅方向のエッチング量（シフト量Ｓ）と、ハードマスクの側壁傾斜角αとに応じて決定する。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device which utilizes a dividing band on a substrate and can improve a throughput without requiring a large-scaled device for driving a substrate.例文帳に追加

基板上の分割帯を利用する装置であって、基板駆動に大掛かりな装置を必要とせず、しかもスループットを向上させることができるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

To provide an X-ray tube capable of uniformizing temperature distribution of a coil-like filament in a length direction and prolonging its life by preventing it from ion impact from an electron beam irradiation area.例文帳に追加

コイル状のフィラメントの長手方向の温度分布を均一にできて，かつ，フィラメントが電子ビーム照射領域からのイオン衝撃を受けないようにして，フィラメントの寿命を長くする。 - 特許庁

This electrification suppressing device 30 suppresses the electrification of the wafer when treating the wafer by irradiation by scanning the ion beam back and forth over a specific range.例文帳に追加

本帯電抑制装置３０は、イオンビームを特定範囲にわたって往復スキャンさせながらウエハに照射して処理を行うに際し、ウエハへの帯電を抑制するためのものである。 - 特許庁

To improve a throughput and avoid problems caused by a mechanical shutter, in an apparatus and a method for forming a compound thin-film, by keeping an ion-beam irradiation time constant.例文帳に追加

化合物薄膜成膜装置及び化合物薄膜成膜方法に関し、イオンビーム照射時間を一定にしてスループットを向上するとともに、機械的シャッターに起因する問題を回避する。 - 特許庁

To provide a processing device having a compact stage structure that can irradiate respective surfaces of an object to be processed which has a three-dimensional structure with a gas cluster ion beam and can measure a beam current value and a beam current distribution at an irradiation position on a surface of the object to be processed even during the process.例文帳に追加

３次元構造をもつ加工対象物の各面にガスクラスターイオンビームを照射することができ、かつ各加工対象面の照射位置におけるビーム電流値やビーム電流分布をプロセス中にも計測可能なコンパクトなステージ構造を有する加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide an energy beam machining device and an energy beam machining method capable of maintaining the condensing state of energy beams such as ion beams, the irradiation direction of energy beams on a work, and simplifying the work of converting the energy of the energy beam with which the work is irradiated according to a machining condition or the like such as the machining depth of the work.例文帳に追加

イオンビーム等のエネルギービームの収束状態や被加工物への照射方向等を維持すると共に，被加工物の加工深さなどの加工条件等に応じて被加工物へ照射するエネルギービームのエネルギーを変更する際の作業を簡略化すること。 - 特許庁

Cleaning by ion beam irradiation is performed to eliminate conductive smear after grinding a row bar or a floating plane of a magnetic head slider 10, oxygen exposure is performed to recover a damage region 14a formed at an end plane of an intermediate layer 14 of a magneto-resistance effect film 5 by ion beam irradiation , after that, floating plane protection films 7, 8 are formed, successively, rail processing is performed.例文帳に追加

ローバー５０あるいは磁気ヘッドスライダ１０の浮上面機械研磨後に、導電性スメアを除去するためにイオンビーム照射によるクリーニングを行い、イオンビーム照射により磁気抵抗効果膜５の中間層１４の端面に形成されている損傷領域１４ａを回復させるために酸素曝露を行い、この後、浮上面保護膜７，８を形成し、続いてレール加工を行う。 - 特許庁

The magnet 1 used in the ion beam irradiation apparatus includes a pair of magnetic poles 2 oppositely arranged across an ion beam 8, a plurality of magnetic field concentration members 3 arranged on respective opposite faces of the pair of magnetic poles 2 and creating trapping actions of electrons between the magnetic poles 2, and the protective member 4 for covering the faces respectively faced each other across the ion beam 8 on at least the plurality of magnetic field concentration members 3.例文帳に追加

イオンビーム照射装置で用いられる磁石１は、イオンビーム８を挟むように対向して配置された一対の磁極２と、一対の磁極２の各対向面に設けられ、磁極２間における電子の閉じ込め作用を発生させる複数の磁場集中部材３と、少なくとも複数の磁場集中部材３におけるイオンビーム８を挟んで相対向している面を覆う保護部材４とを備えている。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device, capable of widely supplying low-energy electrons to ion beams having large dimensions in the Y direction than the dimensions in the X direction, thereby uniformly controlling charges of a substrate.例文帳に追加

Ｘ方向の寸法よりもＹ方向の寸法が大きいイオンビームに対して低エネルギーの電子を広範囲に供給することができ、それによって基板の帯電を均一性良く抑制することができるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

The method for making cross-sectional observation samples includes covering a top of a work piece with a shield plate, and etching an unshielded part with ion beam irradiation to form a mirror polished part, in which the work piece includes two samples, and ion beam-irradiated portions of the two samples are placed in contact with or close to each other and arranged perpendicularly to or in parallel with the irradiation direction of the ion beam.例文帳に追加

被加工物の上部を遮蔽板で覆い、非遮蔽部をイオンビーム照射によりエッチングして鏡面研磨部を形成する断面観察試料の作製方法であって、前記被加工物が、２個の試料よりなり、前記２個の試料のイオンビーム照射される部分が、互いに密着又は近接して配置されており、かつ、イオンビームの照射方向に直交する方向、又は、イオンビームの照射方向に平行な方向に並べられていることを特徴とする断面観察試料の作製方法。 - 特許庁

First, the relationship between the angle of incidence of an ion beam and an etching rate distribution in a shaping surface 12 is calculated beforehand each for tungsten carbide (WC) composing a substrate, chromium (Cr) composing an intermediate layer and chromium nitride (CrN) composing a surface layer, under the irradiation conditions identical to those applied at the time of surface treatment except the angle of incidence of the ion beam.例文帳に追加

まず、予め基材、中間層及び表面層を構成するタングステンカーバイド（ＷＣ）、クロム（Ｃｒ）及び窒化クロム（ＣｒＮ）のそれぞれに対して、イオンビームの入射角度以外は表面処理時と同一の照射条件にして、イオンビームの入射角度と成形面１２内のエッチングレート分布との関係を求める。 - 特許庁

As those protection layer, capable of forming by a thermal CVD method, a plasma CVD method, or an evaporation method with irradiation of ion beam or electron beam, has high sputtering resistant property and big dielectric glass protection effect, the life of the panel is prolonged.例文帳に追加

このような保護層は、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、或はイオンビームや電子ビームを照射しながら蒸着する方法で形成することができ、耐スパッタリング性が高く、誘電体ガラス層の保護効果が大きいのでパネル寿命が向上する。 - 特許庁