「ion beam irradiation」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a grinding simulation method for producing a shape with high accuracy even if a range of projections existing on the surface of a workpiece is larger than the irradiation area of an ion beam.例文帳に追加

被加工物の表面に存在する突起の範囲がイオンビームの照射面積より大きい場合であっても、高い形状精度で形状を創成するための研磨加工シミュレーション方法を提供すること。 - 特許庁

In another method, the plural refractive index change parts 4 are formed inside the core part 3 by converging a beam diameter of an ion beam formed by accelerated ions below a width of the refractive index change part 4 for constituting the grating G, and intermittently irradiating the ion beam with shifting an irradiation position to a center axis direction to implant the ions into the core part 3.例文帳に追加

また、他の方法として、加速されたイオンにより形成されるイオンビームのビーム径を、グレーティングＧを構成すべき屈折率変化部４の幅以下に収束させ、光ファイバ１の中心軸方向に照射位置を移動しつつイオンビームを断続的に照射してイオンをコア部３内に注入することにより、コア部３内に当該屈折率変化部４を複数形成する。 - 特許庁

In the process for producing a thin film, a substrate 10 is irradiated with an ion beam while depositing a thin film on the substrate by electron beam deposition, and the crystal c-axis of the thin film formed on the substrate 10 is oriented in the in-plane direction of the substrate by setting a substantially right angle between the substrate 10 and the irradiation direction of the ion beam.例文帳に追加

本発明に係る薄膜製造方法は、電子ビーム蒸着法によって基板に薄膜を堆積させつつ基板１０に対してイオンビームを照射するとともに、基板１０とイオンビームの照射方向とのなす角度を略垂直とすることで、基板１０上に形成される薄膜の結晶ｃ軸を基板面内方向で一方向に配向させる。 - 特許庁

A driving means 31, a driving means 32 and a driving means 33 by which the angle of irradiation of an ion beam emitted from an ion gun 23 is fixed and by which a stage 3 used to hold a sample 4 is moved along the vertical direction (Z-direction) and the horizontal direction (X-direction and Y-direction) are installed.例文帳に追加

イオン銃２３から照射されるイオンビームの照射角を固定するとともに、鉛直方向（Ｚ方向）および水平方向（ＸおよびＹ方向）に沿って、試料４を保持するステージ３を移動させる駆動手段３１、３２、３３を設ける。 - 特許庁

By enabling the irradiation of different type ion beams generated by first and second ion sources 11, 12, a process irradiating a silicon wafer 10 with a polyatomic molecule ion beam for removing a surface oxide film and a process irradiating the silicon wafer 10 with an ion beam of the implanted ions for implanting ions are continuously carried out to the silicon wafer 10 attached to a platen in a chamber 18 without breaking a vacuum atmosphere during them.例文帳に追加

第１および第２のイオン源１１・１２で生成される、異なる種類のイオンビームの照射を可能とすることで、多原子分子のイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射して表面の酸化膜を除去する工程と、注入イオンのイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射してイオンを注入する工程とを、チャンバ１８内のプラテンに装着されたシリコンウェーハ１０に対し、その間の真空雰囲気を破ること無く連続して行う。 - 特許庁

This production method for the amorphous nanoscale carbon tube comprises performing an excitation treatment selected from a group consisting of light-, plasma-, electron beam- and ion beam-irradiation treatments of a specific halogen-containing or chalcogen-containing resin in the presence of a catalyst comprising a metal powder and/or a metal salt.例文帳に追加

特定のハロゲン含有樹脂又はカルコゲン含有樹脂を、金属粉および／または金属塩からなる触媒の存在下に、光照射処理、プラズマ照射処理、電子線照射処理及びイオンビーム照射処理からなる群から選ばれる励起処理に供する。 - 特許庁

This corpuscular beam irradiation controller incorporating beam orbit correcting computation processing in a treatment sequence, includes a storage device for updating and storing data of exciting current values to an electromagnet installed in a beam transport system, based on a corrected exciting current value after corrected after irradiation of ion beams for an irradiation object is completed, and a control device for controlling the exciting current for the electromagnet based on the exciting current value after updated.例文帳に追加

上記目的を達成するための手段として、本発明の粒子線照射制御装置は、治療シーケンスの中にビーム軌道補正計算処理を組み込み、照射対象へのイオンビームの照射が終了した後、ビーム輸送系に設置された電磁石への励磁電流値のデータを、補正後の補正励磁電流値に基づいて更新して記憶する記憶装置と、その後は、更新後の励磁電流値に基づいて電磁石の励磁電流を制御する制御装置を備える。 - 特許庁

The reflective mask blank substrate is obtained by polishing the principal surface of a light-transmitting substrate essentially comprising glass to a predetermined surface roughness and then subjecting the substrate to ion beam irradiation while the substrate is placed to allow the ion beam to be incident to the principal surface of the substrate at an incident angle of 20° or more and less than 90° and the substrate is rotated.例文帳に追加

ガラスを主成分とする透光性基板の主表面を所定の表面粗さとなるように研磨した後、イオンビームが透光性基板の主表面に対して入射角度２０度以上９０度未満で入射するように配置し、且つ、透光性基板を回転させながらイオンビーム照射を行い、反射型マスクブランク用基板を得る。 - 特許庁

This charged particle beam irradiation system stops the supply of ion beams to an angle domain reaching a target dose out of a plurality of angle domains formed by dividing RMW (Range Modulation Wheel) in the rotating direction, and supplies the ion beams to another angle domain non-reaching the target dose.例文帳に追加

ＲＭＷを回転方向において分割して形成される複数の角度領域のうち目標線量に達した角度領域へのイオンビームの供給を停止しその目標線量に到達していない他の角度領域にイオンビームを供給することにある。 - 特許庁

This method can easily adjust the exposure radiation dose to each position inside a patient in the ion beam advancing direction to greatly reduce the probability of the erroneous irradiation causing excess/deficiency of the exposure radiation dose in each position in the ion advancing direction in the patient.例文帳に追加

このため、患部内のイオンビーム進行方向における各位置に対する照射線量を容易に調節することができ、患部内のイオン進行方向における各位置において照射線量の過不足が生じる誤照射の確率を著しく低減することができる。 - 特許庁

This method for producing the sterile plant is characterized in that the sterile plant in which only sterile characters are mutated is selected from plants subjected to the irradiation treatment of irradiating an organ or a tissue of the plant with a heavy ion beam.例文帳に追加

植物の器官又は組織に重イオンビームを照射し、当該照射処理をした植物の中から稔性形質のみ変異した不稔植物を選抜することを特徴とする不稔植物の作製方法。 - 特許庁

To provide a method capable of preparing a section of a soft sample, a sample easily affected by heat, a sample having water absorbing property, a sample having difficulty in being embedded into a resin, or the like by avoiding a heat damage caused by ion beam irradiation.例文帳に追加

イオンビーム照射による熱損傷を避けて、柔らかい試料、熱に弱い試料、吸水性の有る試料、樹脂埋め込みが困難な試料等の断面作製を行うことのできる方法を提供する。 - 特許庁

In the irradiation process, the second surface 10b upward directed by the rotation process of the sample 20 is irradiated with the converged ion beam, and a membrane region 20a is formed at the sample 20 in the extending direction of the contact.例文帳に追加

照射工程において、回転工程により上面を向いた第２面１０ｂに対して集束イオンビームを照射し、コンタクトの延在方向に沿うように試料２０に薄膜領域２０ａを形成する。 - 特許庁

By optimizing the quantity of the introduced gas and an irradiation condition of the primary ion beam, a matrix effect between the compound and the substrate is removed, and simultaneously the position of the compound film/substrate interface can be specified.例文帳に追加

導入するガス量および一次イオンビームの照射条件を最適化することにより、化合物と基板におけるマトリックス効果を解消すると同時に、化合物膜／基板界面の位置を特定することが可能となる。 - 特許庁

From the shape of a halo component 33 formed during deposition processing, such an ion beam irradiation profile (dose distribution) on a processing target as forms a sharp edge when the halo component 33 is removed is obtained.例文帳に追加

デポジション加工を行った際に形成されたハロー成分３３の形状から、当該ハロー成分３３を除去した時に急峻なエッジとなるような、加工目標のイオンビーム照射プロファイル（ドーズ分布）を得る。 - 特許庁

The method for creating the mutant of the cyclamen plant comprises irradiating a tuber of the cyclamen plant with heavy ion beam, raising the tuber in which irradiation treatment was carried out and selecting a cyclamen plant in which mutation was induced.例文帳に追加

シクラメン植物の塊茎に重イオンビームを照射し、当該照射処理をした塊茎を育成し、変異の生じたシクラメン植物を選抜することを特徴とする、シクラメン植物の突然変異株の作出方法。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device which is equipped with an electron source that can generate large amount of electrons of low energy by a drawing voltage lower than the conventional technology as an electron source for charge suppression of the treatment body.例文帳に追加

被処理体の帯電抑制用の電子源として、従来技術よりも低い引出し電圧で低エネルギーの電子を多量に発生させることができる電子源を備えるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

The system is so constituted that a tape target 3 irradiated with a high-intensity laser beam 4a to generate ions 2 and a capillary board 1, located directly behind the position where ions are generated to collimate the ions generated from the tape target, and emit them outside an ion beam irradiation head 7 are placed in the head.例文帳に追加

イオンビーム照射ヘッド７内に、高強度レーザー光４ａを照射してイオン２を発生させるテープターゲット３と、イオン発生位置の直後に位置するように設置され、テープターゲットから発生したイオンをコリメートしてヘッド外に発出させるキャピラリー基盤１を設けるように構成する。 - 特許庁

Thereafter, grooves 6 are formed on both sides of a center part of the protrusion 2 for sample part formation by drilling by irradiation of a focused ion beam, and a sample part 7 is formed by the protrusion 2 for sample part formation remained between both grooves 6.例文帳に追加

次に、試料部形成用凸部２の中央部両側に、集束イオンビームの照射による掘削加工により、溝６を形成し、両溝６間に残存された試料部形成用凸部２により試料部７を形成する。 - 特許庁

The surface of a high melting metallic material is simultaneously subjected to irradiation with an ion beam of a high energy/high particle flux and heating, thereby the microporous layer ( nano porous layers of the porous diameter below 1μm) is formed on the surface.例文帳に追加

高融点金属材料表面の高エネルギー・高粒子束のイオンビームによる照射と加熱を同時に行うことにより、その表面に微細多孔質層（１μｍ以下の孔径のナノ多孔質層）を形成するものである。 - 特許庁

The vacuum container for the beam deflection electromagnet comprises the distribution ion pump 1 keeping vacuum inside the container 2 and the absorber 8 receiving radiated light and protecting the generation of the high-temperature part inside the container caused by the irradiation of radiated light.例文帳に追加

容器２内部を真空に保つための分布イオンポンプ１と、放射光の照射により容器内に高温部が発生するのを防ぐよう放射光を受光するアブソーバ８とを有するビーム偏向電磁石用真空容器である。 - 特許庁

The method for creating the mutant filamentous fungi comprises irradiating conidium of filamentous fungi with heavy ion beam and selecting mutated filamentous fungi from among filamentous fungi formed by culturing the conidium subjected to irradiation treatment.例文帳に追加

糸状菌の分生子に重イオンビームを照射し、当該照射処理をした分生子を培養して形成した糸状菌の中から変異の生じた糸状菌を選抜することを特徴とする、突然変異糸状菌の作出方法。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device and an operating method related to it in a high frequency discharge plasma generator for the charge suppression of a substrate, which are capable of certainly igniting a plasma with ease and without introducing such problems as metal contamination.例文帳に追加

基板の帯電抑制用の高周波放電型のプラズマ発生装置において、簡単で、かつ金属汚染等の諸問題を惹き起こすことがなく、しかも確実にプラズマを点火することのできる方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma generating device and a film-forming device in which a stable film-formation is made possible from immediately after start of ion beam irradiation, and a manufacturing method of a liquid crystal device used in the film-forming device, and an electronic equipment equipped with the liquid crystal device.例文帳に追加

イオンビーム照射開始直後から、安定した成膜を可能にした、プラズマ発生装置、成膜装置、該成膜装置に用いた液晶装置の製造方法、及ぶ該液晶装置を備えた電子機器を提供する。 - 特許庁

The level of capture center is revealed by measuring the peak of intensity and wavelength of emitting light, because if ion beam 21 is irradiated on sample 15, the light of wavelength accoding to the difference of energy level of valence band and capture center is emitted, when holes excited by ion irradiation move to the capture center.例文帳に追加

試料１５にイオンビーム２１を照射すると、イオン照射によって励起した正孔が捕獲中心に遷移するとき、価電子帯と捕獲中心のエネルギー準位の差に応じた波長の光を放出するので、放出光の強度のピークとその波長を測定すると、捕獲中心の準位が分かる。 - 特許庁

To reduce lowering of detecting accuracy caused by sputter particles adhering again to a specimen and remaining gas in a specimen compartment adhering to the sputter particles, in a secondary ion mass spectrometer to detect only a desired element in the specimen by irradiating the specimen with a primary ion beam and analyzing a secondary ion generated by the irradiation by a mass spectrometer.例文帳に追加

試料３５に１次イオンビーム３２を照射し、それによって発生した２次イオン３６を質量分析計４０で分析して、試料３５中の所望とする元素のみを検出するようにした２次イオン質量分析装置において、スパッタ粒子の試料３５への再付着や、試料室内の残留ガスのスパッタ粒子への付着などによる検出精度の低下を低減する。 - 特許庁

The magnetic structure analyzer is composed of a spin polarized ion producing part for producing spin polarized ions, a spin polarized ion beam line for throwing the spin polarized ions from the spin polarized ion producing part on the surface of the sample by desired energy, a vacuum tank for holding the sample and the measuring instrument positioned in the vacuum tank to measure the spin polarized ions scattered by the irradiation of the sample.例文帳に追加

スピン偏極イオンを発生させるスピン偏極イオン発生部と、前記スピン偏極イオン発生部からのスピン偏極イオンを所望のエネルギーで試料表面に入射させるスピン偏極イオンビームラインと、試料を保持する真空槽と、前記真空槽内に位置して、前記試料に照射されて散乱したスピン偏極イオンを計測する計測器よりなる。 - 特許庁

The projection structure is grown and formed by irradiating the surface of the zinc substrate in vacuum with an Ar ion beam at an irradiation angle of 15 to 90 degrees and at an acceleration voltage of 2 to 10 kV to excite and diffuse zinc atoms on the surface.例文帳に追加

そして、これらの突起構造体は、真空中で亜鉛基板の表面上に、１５〜９０ｄｅｇの照射角にて加速電圧２〜１０ｋＶのＡｒイオンビームを照射し、励起した亜鉛原子の表面拡散で成長・形成させる。 - 特許庁

To provide a piezoelectric resonance component whose frequency can efficiently be adjusted with high precision nearly in the state of a complete article and which hardly has a short circuit defect due to irradiation with an ion beam and laser light when the frequency adjustment is carried out.例文帳に追加

完成品に近い状態で高精度にかつ効率良く周波数調整を行うことができ、さらに周波数調整を行うに際してのイオンビームやレーザー光の照射による短絡不良が生じ難い、圧電共振部品を提供する。 - 特許庁

Information on the height of the probe from the surface of the sample is obtained by detecting the shadow 54 of the probe, which occurs immediately before being brought into contact with the sample or from changes in the relative locations of a probe image and a sample image formed when oblique irradiation with an ion beam is conducted.例文帳に追加

プローブの試料表面からの高さ情報を、試料への接触直前に発生するプローブ影５４の検出、あるいはイオンビームを斜照射するとき形成されるプローブ像と試料像との相対位置の変化から得る。 - 特許庁

To solve the problem associated with formation of a laminated thin film through ion beam irradiation wherein the obtained thin film is electrically charged and causes film breakage or oxidation-reduction reaction unnecessary for keeping an electrical neutrality inside the film, and therefore physical properties of the film deteriorate.例文帳に追加

積層薄膜において、イオンビームでイオン照射し薄膜を成膜する場合、作製した薄膜が帯電し、膜破壊や膜内部で電気的中性を保つために必要のない酸化還元反応が起こり、膜物性が劣化すること。 - 特許庁

To provide a lateral electric field mode liquid crystal display device and a manufacturing method thereof that reduce light leakages due to level differences at electrode edge parts by after-treating the entire surface of a substrate or the level difference portions by using a UV-irradiation or ion-beam irradiation method as a non-rubbing system after rubbing the entire surface of the substrate.例文帳に追加

基板の全面にラビング処理を行った後、ノンラビング方式であるＵＶ照射またはイオンビーム照射方法を用いて基板の全面または段差部を後処理することによって電極エッジ部分での段差により発生する光漏れ現象を低減させる横電界方式の液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide drift correction method and apparatus in FIB (Focused Ion Beam) automatic processing, which can make accurate correction for rotation even if the rotation happens in an irradiation position of a test piece.例文帳に追加

本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料照射位置に回転が生じた場合でもこの回転の補正を正確に行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

A single laser beam, emitted from argon ion laser 6, is adjusted in a plane of polarization, and the irradiation light 1 condensed by a condensing lens 10 is allowed to be incident on the surface of the sample 3 at an incident angle which minimizes reflected light and generating only scattered light.例文帳に追加

アルゴンイオンレーザー６から射出させた単一レーザー光を、偏光面調整させ、ついで集光レンズ１０で集光させた照射光１を、反射光を最小限に抑え、散乱光のみを発生させる入射角度で、試料３表面に照射させる。 - 特許庁

An objective lens having a built-in ion drawing/einzel pipe lens is used in a laser irradiation section of the flight time mass spectrometer, and a laser beam can be narrowed to several ten μm and radiated on the sample plate, and thus interference between eluant spots is prevented.例文帳に追加

また飛行時間質量分析計のレーザー照射部にイオン引き出し・アインシェルパイプレンズ内臓対物レンズを用い、サンプルプレート上にレーザー光を数１０μｍに絞って照射することが可能で、これにより、溶離液スポット相互間の干渉を防止した。 - 特許庁

An H2 gas supplying part 18 supply H2 gas to the post stage accelerating portion 28 such that the total sum of out gas generated from the semiconductor wafer 100 by irradiation of an ion beam IB and H2 gas supplied from the H2 gas supplying part 18 can be fixed nearly and constantly.例文帳に追加

Ｈ_2ガス供給部１８は、イオンビームＩＢの照射によって半導体ウェハ１００から生ずるアウトガスとＨ_2ガス供給部１８から供給されるＨ_2ガスとの総和が常にほぼ一定となるように、後段加速部２８にＨ_2ガスを供給する。 - 特許庁

The ion beam irradiation device is provided with an expansion and contraction drive mechanism 124a driving the holder 10 in a reciprocating linear motion by expanding and contracting arms 52, 64, and a circling drive mechanism 126 swinging the mechanism 124a in reciprocation with a circling center axis as a center.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、アーム５２、６４を伸縮させてホルダ１０を往復直線駆動する伸縮駆動機構１２４ａと、当該機構１２４ａを旋回中心軸８６を中心にして往復旋回させる旋回駆動機構１２６とを備えている。 - 特許庁

By irradiating an ion beam on a surface of the drawing base plate 2a before making a drawing hole, a cleaning of a surface of the drawing base plate is conducted and/or a drawing hole is formed and, then, a blasting of deposition gas and irradiation of ion beams are carried out on the surface of the drawing plate to form a conductive thin membrane on the surface of the drawing plate.例文帳に追加

また、絞り孔を形成する前に絞り基体２ａの表面にイオンビームを照射することにより絞り基体の表面を清浄化する処理及び／又は絞り孔を形成した後に絞りプレートの表面にデポジション用ガスの吹き付けとイオンビーム照射行うことによって絞りプレートの表面に導電性薄膜を形成する処理を行う。 - 特許庁

In this slice sample fixing method, deposition by focused ion beam irradiation is applied to a predetermined position of the slice sample placed on the sample base or the fixing base such as a mesh while gas is jetted by means of a gas gun, and consequently, the slice sample is fixed to the fixing base.例文帳に追加

本発明の薄片試料の固定方法は試料台若しくはメッシュなどの固定台上に載置された薄片試料の所定個所に、ガス銃によってガスを噴射しつつ集束イオンビームを照射するデポジションを施し、これによって、前記固定台に薄片試料を固定するようにした。 - 特許庁

At the time of simultaneously executing the formation of a carbon film by plasma CVD and nitrogen ion beam irradiation, gaseous hydrogen is mixed into a plasma gaseous starting material, and a negative bias is applied on a substrate 2, by which SP2-coupled soft graphite components in the carbon film to be formed on the substrate 2 are subjected to etching.例文帳に追加

プラズマＣＶＤによる炭素膜形成と、窒素イオンビーム照射とを同時に行うにあたり、プラズマ原料ガス中に水素ガスを混合し、基板２に負バイアスを印加することにより、基板２上に形成される炭素膜中のＳＰ_2 結合をした軟弱なグラファイト成分がエッチングされる。 - 特許庁

A diamond wafer 13 is characterized in that a recess 17 formed by the irradiation of a gas cluster ion beam and having a bottom 17c with a surface roughness Rms of 0.1 to 10 nm is formed at a position where a absorber 16 for absorbing radiation light, etc., is arranged on the surface of a permeable membrane 12 facing a material to be transferred.例文帳に追加

ダイヤモンドウェハ１３は、透過膜１２の被転写体側の面であって照射光等の吸収体１６を配設する部位にガスクラスターイオンビームの照射によって表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍの底面１７ｃを有する凹部１７が設けられたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polyelectrolyte membrane for a solid polymer-type fuel cell having a high ion exchange capacity and a high proton conductivity by solving the problem of the deterioration of the material characteristics of a base material by causing graft reaction to a fluorinated polymer through irradiation of radiation beam.例文帳に追加

フッ素系高分子に放射線照射してグラフト反応させることによって基材の材料特性が低下する問題を解消し、かつ、高イオン交換容量、高プロトン伝導性を有する固体高分子形燃料電池用の高分子電解質膜を提供する。 - 特許庁

Then, it calculates a degree of displacement again with the view magnification when registering the mark while comparing the position of the mark detected with the view magnification when registering the mark with the position of the mark when registered, and executes the processing of the processed pattern after shifting a processing ion beam irradiation position the degree of displacement from the registration position of the processed pattern.例文帳に追加

その後、マーク登録時の視野倍率で検出されたマークと登録時のマークの位置を比較してマーク登録時の視野倍率で再度位置ずれ量を算出し、そのずれ量分だけ加工パターンの登録位置から加工用のイオンビーム照射位置をシフトさせて加工パターンの加工を実行する。 - 特許庁

To provide a gel electrolyte forming composition that can be crosslinked by heating or energy beam irradiation such as ultraviolet rays and electron beams, has a high electrolyte retention rate and high ion electrical conductance, and forms a gel-like electrolyte having proper high-temperature durability, and to provide the gel-like electrolyte where the gel electrolyte forming composition is crosslinked.例文帳に追加

加熱又は紫外線、電子線などのエネルギー線照射によって架橋可能であり、電解液保持率が高く、従ってイオン伝導度が高く、しかも高温耐久性に優れたゲル状電解質を形成するゲル状電解質形成組成物及びこれを架橋させたゲル状電解質を提供することにある。 - 特許庁

The sample preparing method includes a rotation process for changing the direction of the sample 20 which keeps the first surface 10a directed upward and has a contact so that the first surface 10a may be directed laterally or downward and an irradiation process for irradiating the sample 20 with a converged ion beam from the short direction of the contact.例文帳に追加

試料作製方法は、第１面１０ａが上方を向き、コンタクトを有する試料２０を、第１面１０ａが側方ないし下方を向くように試料２０の向きを変える回転工程と、試料２０に対して、コンタクトの短手方向から集束イオンビームを照射する照射工程とを含む。 - 特許庁