「ion beam irradiation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Positive ion beam generated by a positive ion source 1 and negative ion beam generated by negative ion source 2 are accelerated together at the same time in front stage accelerators 4, 5, and then the accelerated positive and negative ion beams are commonly utilized in irradiation equipment for RI manufacturing and an accelerator system 9.例文帳に追加

正イオン源１により生成した正イオンビームと負イオン源２により生成した負イオンビームとを前段加速器４，５において同時に加速し、前段加速器４，５によって加速された正イオンビーム及び負イオンビームをＲＩ製造用照射装置８と加速器システム９とで共用する。 - 特許庁

To provide a minute ion beam generating method and device wherein mixing of impurities into the beam is suppressed and beam particles remaining in an irradiation object are significantly decreased, and furthermore the minute ion beam can be supplied stably for a long time.例文帳に追加

ビーム内への不純物の混入を抑え、照射対象物中に残留するビーム粒子を大幅に減少させ、しかも微小イオンビームを長時間安定供給することができる微小イオンビーム発生方法及び装置を提供する。 - 特許庁

An irradiation angle control motor 86 changes an irradiation angle θ of the ion beam 120 against the base plate holding face 12 by making the scanning device 14 and the holder 10 held by the scanning device 14 rotate with a rotation axis 88 parallel with the X-axis as a center to change the irradiation angle θ of the ion beam 120 against the base plate holding face 12.例文帳に追加

照射角度制御モータ８６は、それに支持している走査装置１４及び走査装置１４に支持されたホルダ１０を、Ｘ軸に平行な回転軸８８を中心に回転させることによって、基板保持面１２に対するイオンビーム１２０の照射角度θを変更する。 - 特許庁

To provide a new method for efficiently creating a new mutant of a cyclamen plant by irradiation of heavy ion beam.例文帳に追加

シクラメン植物の新しい変異株を効率よく作出できる新しい方法を提供することが課題である。 - 特許庁

Next, a P^+-drain layer 1 is formed on the rear surface of the N^+-buffer layer 2 by means of the ion implantation and irradiation of a second laser light beam.例文帳に追加

次に、Ｎ^＋バッファ層２の裏面にイオン注入と第２のレーザ照射によりＰ^＋ドレイン層１を形成する。 - 特許庁

A neutral atom of the element contained in the hair is ionized in the ion source 40 by electron beam irradiation or light irradiation, to mass-analyze an ion obtained therein of the element contained in the hair, by the analytical part 50.例文帳に追加

イオン源４０では、毛髪含有元素の中性原子を電子線照射または光照射によってイオン化し、これにより得られる毛髪含有元素のイオンを分析部５０で質量分析する。 - 特許庁

This ion beam irradiation device comprises a thermoelectronic emission source 20 for emitting the thermoelectrons 33 in the direction excluding a passage of the ion beam 2, and a thermoelectron transporting unit 50 for transporting the thermoelectrons 33 in a state of being bent by magnetic field to be guided toward the passage of the ion beam 2.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、熱電子３３をイオンビーム２の経路以外の方向に放出する熱電子放出源２０と、熱電子３３を磁界によって曲げて輸送してイオンビーム２の経路に向けて導出する熱電子輸送器５０とを備えている。 - 特許庁

This ion beam irradiation device comprises a field emission type electron source 10 which is arranged at the side of a passage of an ion beam 2 on the upstream side of a holder 6 and emits electrons 22 into the passage of the ion beam 2 and a drawing-out power supply 30 for it.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、ホルダ６よりも上流側におけるイオンビーム２の経路の側方に配置されていて電子２２をイオンビーム２の経路に向けて放出する電界放射型電子源１０と、それ用の引出し電源３０とを備えている。 - 特許庁

To carry out with a high throughput both of a thin-film working of high precision by ion beam irradiation and a STEM observation of high resolution by electron beam irradiation of a sample, without moving the sample.例文帳に追加

試料のイオンビーム照射による高精度の薄膜加工と電子ビーム照射による高分解能のＳＴＥＭ観察の両者を、ほぼ試料を動かすことなく、高スループットで実施する。 - 特許庁

An ion beam irradiation system and an electron beam irradiation system in a different axis direction are set in the same sample chamber, and the working depth is obtained from a difference when a working hole bottom part and a raw area are focused with this electron beam system.例文帳に追加

イオンビーム照射系と軸方向を異にした電子ビーム照射系を同一試料室内に設け、該電子ビーム照射系で加工穴底部と上部に焦点を合わせた時の差分から加工穴深さを求めることとした。 - 特許庁

This ion beam irradiation device comprises a plasma generating device 20 which, by generating a plasma 12 by high frequency discharge, supplies it in the vicinity of the upstream side of the substrate 4 and contains charging on the substrate surface resulting from irradiation of the ion beam 2.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、高周波放電によってプラズマ１２を生成してそれを基板４の上流側近傍に供給して、イオンビーム２の照射に伴う基板表面の帯電を抑制するプラズマ発生装置２０を備えている。 - 特許庁

This invention relates to irradiation of ion beams inclined with respect to an optical axis of the optical system by controlling a diaphragm, tilt deflector, beam scanner, and objective lens in a focused ion beam optical system.例文帳に追加

本発明は、集束イオンビーム光学系における絞り，チルト偏向器，ビームスキャナー、及び対物レンズを制御し、該光学系の光軸に対して傾斜したイオンビームを照射することに関する。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device capable of performing maintenance without having an adverse effect on other processing chambers when performing maintenance of an ion beam supply device in use corresponding to an in-line method.例文帳に追加

インライン方式に相当する使用においてイオンビーム供給装置のメンテナンスを行う際、他の処理室に悪影響を与えることなくメンテナンスを行うことができるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

Surfaces of the plurality of garnet single crystals are etched by performing ion beam irradiation, high-speed atom beam irradiation, or plasma processing under a vacuum to be cleaned and activated, and then the surfaces are brought into contact with each other without being exposed to an atmosphere except working gas of the ion beam irradiation, high-speed atom beam irradiation or plasma processing, and directly joined together, thereby forming the Faraday rotator.例文帳に追加

複数のガーネット単結晶の表面を、真空中にてイオンビーム照射、高速原子ビーム照射又はプラズマ処理の何れかを行うことによりエッチングして、清浄及び活性化し、前記表面同士を前記イオンビーム照射、高速原子ビーム照射又はプラズマ処理の動作ガス以外の雰囲気にさらすことなく接触させて直接接合することによってファラデー回転子を形成する。 - 特許庁

The method for producing the zeolite has an ion irradiating step where the linear cluster groups 20 are formed by irradiating a zeolite 10 (LTA-type zeolite and the like) containing metal ions (Ag^+ and the like) with ion irradiation (Au-200 MeV ion beam irradiation and the like).例文帳に追加

本製造方法は、金属イオン（Ａｇ^＋等）を含んだゼオライト１０（ＬＴＡ型ゼオライト等）に対してイオン照射（Ａｕ−２００ＭｅＶイオンビーム照射等）を行って、直線状クラスタ群２０を形成するイオン照射工程を備える。 - 特許庁

The ion beam apparatus includes a sample holder 4 for fixing a sample 6 formed with a section by irradiating with a predetermined focusing ion beam from a surface side, and a gas ion beam irradiation unit 2 for emitting a gas ion beam to a region including the section of the sample 6 fixed by the holder 4 to remove a damage layer on the section.例文帳に追加

表面側から所定の集束イオンビームが照射されて断面が形成された試料６を固定するための試料ホルダー４と、試料ホルダー４により固定された試料６の、上記断面を含む領域に気体イオンビームを照射して上記断面上のダメージ層を除去する気体イオンビーム照射装置２とを有する。 - 特許庁

The irradiation of the Ar ion beam neutralizes the observed area of the sample 3 and prevents the sample from charging up.例文帳に追加

このＡｒイオンビームの照射によって、試料３の被観察領域は電気的に中和され、チャージアップが発生することがない。 - 特許庁

The sample piece 15 is molded by clipping the original sample 5 at a desired position by using a focused ion beam irradiation optics 2.例文帳に追加

集束イオンビーム照射光学系2により元試料5の所望位置において試料片15の切り出しの成形を行なう。 - 特許庁

To suppress a diffusion phenomenon of a metal element induced by oxygen ion beam irradiation as primary ion used for analysis, concerning a depth direction analysis method of the metal element and a secondary ion mass spectrometer.例文帳に追加

金属元素の深さ方向分析方法及び二次イオン質量分析装置に関し、分析に用いる一次イオンとしての酸素イオンビーム照射に誘起される金属元素の拡散現象を抑制する。 - 特許庁

To provide an ion beam processing method in which damages due to heat are not caused to a cross-section and the processing surface does not have roughness in the cross-section processing by irradiation of ion beams.例文帳に追加

イオンビームの照射による断面加工において，断面に熱によるダメージを与えず，加工面に荒れを生じさせないイオンビーム加工方法を提供する。 - 特許庁

The fragment ion dislocates an exciting beam irradiation zone B due to greater vibration so that the generated fragment ion is immediately excited with the exciting signal by an action of an exciting electric field.例文帳に追加

これにより生成されたフラグメントイオンは励振信号による励振電場の作用で即座に励振されるため、大きく振動して励起光照射領域Ｂを外れる。 - 特許庁

The ion implantation method of implanting ion by irradiating ion beams IB on a semiconductor substrate W through a deflector consists of a process of slanting a beam irradiation face 14a of the deflector 14 against the semiconductor substrate in a stationary state, and a process of irradiating the ion beams IB from the slanted beam irradiation face 14a and implanting ion into the semiconductor substrate W.例文帳に追加

イオンビームＩＢを偏向器１４を介して半導体基板Ｗに照射しイオンを注入するイオン注入方法において、静止させた半導体基板Ｗに対して偏向器１４のビーム出射面１４ａを傾斜させる工程と、傾斜させたビーム出射面１４ａからイオンビームＩＢを照射し、半導体基板Ｗへイオンを注入する工程とを有する。 - 特許庁

When a treatment of ion implantation or the like is applied by irradiating an ion beam 14 to a substrate 2, the charging of the substrate surface accompanied with the ion beam irradiation is suppressed by supplying a plasma 30 discharged from a plasma generator 20 to the neighborhood of the substrate 2.例文帳に追加

基板２にイオンビーム１４を照射してイオン注入等の処理を施す際に、プラズマ発生装置２０から放出させたプラズマ３０を基板２の近傍に供給して、イオンビーム照射に伴う基板表面の帯電を抑制する。 - 特許庁

To form a narrower slit than a conventional one by a focused ion beam process (FIB) and to suppress change of quality at a beam irradiation part, without using a mask pattern or the like.例文帳に追加

マスクパターン等を用いることなく、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工で従来よりも幅が狭い間隙を形成するとともに、ビーム照射部位の改質を抑制する。 - 特許庁

To use a compact and inexpensive Penning type inert element ion beam device as one for removing a remnant layer, a crushed layer formed on the surface of a sample by irradiation of focused ion beam device.例文帳に追加

集束イオンビーム照射により試料表面に形成される残存層、破砕層を除去するために用いる不活性元素イオンビーム装置として、小型で安価なペニング型不活性元素イオンビーム装置を用いる。 - 特許庁

To carry out in short time and efficiently replacement of the shading material M of the mask in the etching process of the sample S by ion beam irradiation.例文帳に追加

イオンビーム照射による試料Ｓのエッチング加工において、マスクとなる遮蔽材Ｍの交換を短時間で効率良く行う。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device enabling to easily convey a substrate in a horizontal state, while avoiding jumboization of the device.例文帳に追加

装置の大形化を回避しつつ、水平状態にされた基板を容易に搬送可能とするイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

An edge 8b of the mask 8 is etched as an original shape indicated by a dashed line before irradiation of an ion beam is approximately maintained.例文帳に追加

マスク８のエッジ部分８ｂは、イオンビーム照射前の元の形状（点線で示された元の形状）をほぼ保ちながらエッチングされる。 - 特許庁

The manufacturing method of the plate glass 1 comprises a process for melting glass raw materials, a process for shaping the plate by drawing downward, and a process for treating the translucent surface 2 by a plasma irradiation, a laser beam irradiation, and/or an ion beam irradiation.例文帳に追加

また本発明の板ガラス１の製造方法は、ガラス原料溶融工程、下方に延伸成形する板成形工程、透光面２にプラズマ照射、レーザー照射、イオンビーム照射の１以上を行う該透光面２の表面処理工程よりなる。 - 特許庁

Irradiation with a second converged ion beam 102 from the direction parallel to the side wall of the leaf is performed simultaneously with preparation of the leaf by a sputtering/etching processing using a first converged ion beam 101 to observe the leaf by a scanning ion microscope and the thickness of the leaf is measured.例文帳に追加

第一の集束イオンビーム１０１のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁と平行な方向から第二の集束イオンビーム１０２の照射を行って走査イオン顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。 - 特許庁

To provide a fine region analyzer using focused ion beams capable of simply and accurately reproducing the optimum positional relationship of a focused ion beam irradiation axis, an electronic beam irradiation axis, an axis of a secondary particle take-in port of the analyzer and a sample surface with each other when a sample is exchanged.例文帳に追加

試料交換を行った際に、集束イオンビーム照射軸と電子ビーム照射軸と分析装置の２次粒子取り込み口の軸および試料表面の最適な位置関係を、簡便に精度良く再現することのできる集束イオンビームを用いる微細部位解析装置を提供する。 - 特許庁

An ion beam irradiation apparatus 10 can be regarded as a structure made by combining an ion/electron generator 20 of a laser-actuated type with an ion transporter 30, and guides ion beams of low directivity generated by the ion/electron generator 20 to the end by enhancing the directivity of them or focusing them in the ion transporter 30.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置１０は、レーザー駆動型のイオン・電子発生装置２０と、イオン輸送装置３０とを組み合わせた構成と考えることができ、イオン・電子発生装置２０から発した指向性の低いイオンビームを、イオン輸送装置３０において指向性を高め、あるいは集束して末端まで導く。 - 特許庁

To provide a time-of-flight secondary ion mass spectrometer using a gas cluster ion beam in which secondary ions with a high mass-number can be pulsed while holding the two-dimensional information of the irradiation surface.例文帳に追加

照射面の二次元情報を保持したまま高質量数の二次イオンをパルス化できるガスクラスターイオンビームを用いた飛行時間型二次イオン質量分析装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device capable of driving a holder in a reciprocating linear motion in a direction crossing a scanning direction ion beams, even without introducing a linear movement into a processing room.例文帳に追加

直線運動を処理室内に導入しなくても、ホルダをイオンビームの走査方向と交差する方向に往復直線駆動することができるイオンビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

A substrate 1 on a placement table 12 is irradiated with an ion beam from an ion source 13, at a position of a functional layer FL corresponding to the desired pattern shape with a prescribed intensity for a prescribed irradiation time.例文帳に追加

イオン源１３からイオンビームを載置台１２上の基板１に向けて、機能層ＦＬの所望のパターン形状に対応する位置に所定の強度および照射時間で照射する。 - 特許庁

The probe device reduces adverse effect on the sample caused by sputter particles generated by ion beam irradiation to the probe, debris of the probe, and the ion beams passing through the vicinity of the probe.例文帳に追加

本発明により、プローブへのイオンビーム照射により発生したスパッタ粒子，プローブの破片，プローブの近傍を通過したイオンビームなどによる試料などへの悪影響を低減できる。 - 特許庁

On the other hand, regarding a part shielded by the shielding part of the mask 12 from the irradiation with the ion beam, the refractive index never changes as shown in Fig. 11-2.例文帳に追加

一方、マスク１２の遮断部分によってイオンビームの照射をさえぎられた部分は、１１−２のように屈折率は変化しない。 - 特許庁

To provide a method of performing processing independent of a material and an ion beam irradiation angle in view of the problems.例文帳に追加

本発明は、上記の問題点を鑑み、材料やイオンビーム照射角度に依存しない加工をする手法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To reduce space charge phenomenon and sample charging and increase accuracy in measurement of amount of irradiation currents in a gas cluster ion beam processing system.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビーム処理システムにおいて、空間電荷現象や試料帯電の低減および照射電流量の測定精度を改善する。 - 特許庁

Ions generated from an irradiation part 4 of the particle beam on the sample 3 are collected by an ion transport tube 7 and sent to a mass spectrometry part.例文帳に追加

そして、試料３上の粒子線の照射部位４から発生したイオンをイオン輸送管７で収集して質量分析部に送る。 - 特許庁

Additionally, the ion beam irradiation device comprises a magnetic field generator 34 for deflecting the direction of extracted thermal electrons 12 to make them advance to an ion beam 2 and to the substrate 4 side, and an electron release port 32 for selectively getting through thermal electrons 12, which move on loci of a prescribed range.例文帳に追加

更に、引き出された熱電子１２を曲げてイオンビーム２および基板４側へ向かわせる磁界発生器３４と、所定範囲の軌道を描く熱電子１２を選択的に通過させる電子放出口３２とを備えている。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device capable of controlling an irradiation angle of a gas ion beam accurately and easily according to an arrangement state of a sliced specimen.例文帳に追加

薄片化試料の配置状況に応じて、正確かつ簡単に気体イオンビームの照射角度を制御することが可能な荷電粒子ビーム装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an ion synchrotron capable of easily controlling energy change of an irradiation beam required in a particle beam medical treatment device, and capable of suppressing a device cost and upsizing of the device.例文帳に追加

粒子線治療装置で要求される照射ビームのエネルギーの変更制御が容易でありかつ、装置コストおよび装置の大型化を抑えられるイオンシンクロトロンを提供する。 - 特許庁

An ion beam 1 in which only a specified ion species is extracted by a filter Y is made to get incident into a beam irradiation point 2a in the sample in a vacuum container, and the scattered ions are passed through a uniform magnetic field area 26a of a substantial sector shape to be detected by a one-dimensional ion detector 8.例文帳に追加

真空容器３内試料２のビーム照射点２ａに，フィルタＹで特定イオン種のみ抽出したイオンビーム１を入射させ，散乱イオンを略扇形状の一様な磁場領域２６ａに通過させた後に１次元のイオン検出器８で検出する。 - 特許庁

After forming a magnetized fixing layer or a magnetized free layer, an oxidized layer is formed by effecting the oxidization of a surface and, thereafter, the thickness of the oxidized layer is thinned by applying ion beam irradiation or plasma irradiation.例文帳に追加

磁化固着層あるいは磁化自由層作成後、表面の酸化を行うことで酸化層を形成した後、イオンビーム照射、あるいはプラズマ照射を施すことで酸化層を薄膜化する。 - 特許庁