「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the etching selective ratio of the first interlayer insulation layer 30 to the semiconductor layer 14 is made larger than the one of the second interlayer insulation layer 32 to the semiconductor layer 14.例文帳に追加

半導体層１４に対する第１の層間絶縁層３０のエッチング選択比は、半導体層１４に対する第２の層間絶縁層３２のエッチング選択比より大きい。 - 特許庁

AIR-PERMEABLE LAYER ENSURING MEMBER, AND ROOF HEAT INSULATION EXECUTION METHOD USING THE MEMBER例文帳に追加

通気層確保部材及びそれを用いた屋根断熱施工方法 - 特許庁

FLATTENING METHOD OF INSULATION LAYER USED FOR FERRODIELECTRIC MEMORY CELL例文帳に追加

強誘電体メモリセルに用いられる絶縁層の平坦化方法 - 特許庁

The insulation layer 13 forms an electron filling area limiting means.例文帳に追加

絶縁層１３が電子注入領域限定手段を構成する。 - 特許庁

An insulation layer 5 is installed so that it covers over the cathode line 6.例文帳に追加

絶縁層５は、陰極ライン４上を覆うように設けられる。 - 特許庁

The metal sheet formed with the hole is stuck to the electric insulation layer.例文帳に追加

この孔を設けた金属シートを電気絶縁層に貼り合わせる。 - 特許庁

Preferably, the heat insulation layer is formed by a thermal spraying method.例文帳に追加

断熱層は、溶射法で形成されたものであることが好ましい。 - 特許庁

A base insulation layer 41 is formed on a suspension body 10.例文帳に追加

サスペンション本体部１０上にベース絶縁層４１が形成される。 - 特許庁

Also, a barrier insulation layer is further formed on the high- dielectric-constant film.例文帳に追加

また、高誘電率膜上に更にバリア絶縁層を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING COMPOUND INSULATION LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING WIRING BOARD例文帳に追加

複合絶縁層の形成方法及び配線基板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR POLISHING INSULATION LAYER, AND SUCTION TOOL FOR WAFER USED THEREFOR例文帳に追加

絶縁層の研磨方法とこれに用いるウェハ用吸着治具 - 特許庁

Each wiring layer of the multi-layer wiring 13 is insulated with a first insulation film composed of the insulation film of a low dielectric constant 15.例文帳に追加

多層配線１３の各配線層は低誘電率絶縁膜１５により構成された第１の絶縁膜により絶縁されている。 - 特許庁

To provide an EL element having high luminance without having an insulation layer.例文帳に追加

絶縁層なしで十分に高輝度のＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

The resistance-reduced layer is formed by converting the gate insulation film.例文帳に追加

低抵抗化層は、ゲート絶縁膜からの変換により形成する。 - 特許庁

FORMATION OF CONTROLLED UPPER INSULATION LAYER AT TRENCH OF VERTICAL TRANSISTOR例文帳に追加

バ—チカルトランジスタのための制御されたトレンチ上部絶縁層の形成 - 特許庁

WET NONCOMBUSTIBLE HEAT-INSULATING LAYER USED FOR CONSTRUCTION METHOD FOR AIR PASSAGE FOR OUTSIDE INSULATION OF ROOF例文帳に追加

屋根外断熱気道工法に用いる、湿式不燃断熱層。 - 特許庁

Then, a second insulation film is formed on the first insulation layer and on the wiring pattern which is now completed as an interconnection layer (threatment S7).例文帳に追加

その後、配線層としてでき上がった配線パターン上を含んで第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する（処理Ｓ７）。 - 特許庁

PREPREG, INSULATION LAYER, METAL-CLAD LAMINATED BOARD AND PRINTED CIRCUIT BOARD例文帳に追加

プリプレグ、絶縁層、金属箔張り積層板ならびにプリント配線板 - 特許庁

The AlN layer 14 is used as the insulation substrate of an IC circuit chip 4.例文帳に追加

ＡｌＮ層１４がＩＣ回路チップ４の絶縁基板となる。 - 特許庁

The solid cable 1 includes a main insulation layer 12m at the outer circumference of a conductor 10.例文帳に追加

ソリッドケーブル1は、導体10の外周に主絶縁層12mを具える。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LAYER INSULATION FILM BY VACUUM UV CVD例文帳に追加

真空紫外光ＣＶＤによる層間絶縁膜の製造方法 - 特許庁

When an insulation layer is formed on the via position, the insulation layer has uniform thickness on nearly all via positions in the device.例文帳に追加

ビア位置上に絶縁層が形成されると、この絶縁層はデバイス内のほとんどのビア位置上でより均等な厚さを有する。 - 特許庁

An insulation layer 110 is located on a bottom face of the through-hole 102.例文帳に追加

絶縁層１１０は、貫通孔１０２の底面に位置している。 - 特許庁

To prevent the peeling of films and cracks in the interlayer insulation layer of multilayer wiring.例文帳に追加

多層配線の層間絶縁層の膜剥れや、クラックを防止する。 - 特許庁

VACUUM LAMINATING APPARATUS AND FORMING METHOD OF INSULATION LAYER USING THE SAME例文帳に追加

真空積層装置及びこれを用いた絶縁層の形成方法 - 特許庁

An insulation layer 12 is formed between the iron core 10 and winding 12.例文帳に追加

鉄心10と巻線12との間に絶縁層12が形成されている。 - 特許庁

The separator layer 22 can be constituted by a rigid insulation form.例文帳に追加

セパレータ層は、剛性の絶縁フォームから構成することもできる。 - 特許庁

The organic insulation layer 3 is made large in thickness so as to easily make the gate insulation layer 5 large in entire thickness.例文帳に追加

この有機物絶縁層３の厚みを大きくすることにより、ゲート絶縁層５全体の厚みを容易に大きくすることができる。 - 特許庁

A first insulation layer 12A is formed on the surface of a circuit board 11, and a second insulation layer 12B is formed on its rear.例文帳に追加

回路基板１１の表面には第１の絶縁層１２Ａが形成され、その裏面には第２の絶縁層１２Ｂが形成されている。 - 特許庁

The ultrathin/ultralight vacuum layer is applied for sound isolation/heat insulation.例文帳に追加

その極薄／超軽量の真空層を防音／断熱に応用する。 - 特許庁

A printed board 1 includes an insulation layer, with an interconnection 3a with one end serving as an electrode pad 4a formed on the top face of the insulation layer.例文帳に追加

プリント基板１は、絶縁層を有し、その上面に、一端部が電極パッド４ａとなる配線３ａが形成されている。 - 特許庁

The wire part 24 comprises an insulation layer 50, a conductor group 51, and so on.例文帳に追加

配線部２４は、絶縁層５０と、導体群５１などからなる。 - 特許庁

HEAT DISSIPATION COMPONENT AND METHOD FOR FORMING INSULATION LAYER THEREIN例文帳に追加

放熱部材及び放熱部材における絶縁層の形成方法 - 特許庁

The semiconductor device has: an SOI substrate, where an insulation layer and an island-like silicon layer are laminated successively on a support substrate; a gate insulation layer provided on one surface and side face of the island-like silicon layer; and a gate electrode provided on the island-like silicon layer via the gate insulation layer.例文帳に追加

支持基板上に絶縁層、島状のシリコン層が順に積層されたＳＯＩ基板と、島状のシリコン層の一表面上及び側面に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層を介して島状のシリコン層上に設けられたゲート電極と、を有する構造とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a compound insulation layer by which a thin and uniform adhesive layer can be formed and the adhesion between the adhesive layer and a porous layer can be sufficiently ensured, an insulation layer that can be obtained by the method, and a method for manufacturing a wiring board wherein the insulation layer is formed by the method.例文帳に追加

薄くて均一な接着層が形成でき、しかも接着層と多孔質層との密着力が十分となる複合絶縁層の形成方法、当該形成方法で得られる絶縁層、及び当該形成方法で絶縁層を形成する配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the coil end part 143b is insulated and fixed by the insulation layer 144, and the insulation layer 144 is isolated and protected from a refrigerant and the refrigerating machine oil by the protection member layer 145, thereby preventing component elution of the insulation layer 144.例文帳に追加

これにより、絶縁層１４４によりコイルエンド部１４３ｂを絶縁固定し、保護材層１４５により絶縁層１４４を冷媒や冷凍機油から隔離保護して絶縁層１４４中の成分溶出を防止することができる。 - 特許庁

An electrode surface 15 forming a ground layer or a power supply layer is formed on the other-side surface of the insulation layer 11 through an adhesive layer 14.例文帳に追加

絶縁層１１の他方の面に接着層１４を介してグランド層または電源層を形成する電極面１５を配置する。 - 特許庁

Thereafter, the insulation layer 3 of the diaphragm region is selectively etched to form a gap layer 4 between the support layer 2 and the active layer 1.例文帳に追加

その後、ダイアフラム領域の絶縁層３を選択的にエッチングし、支持層２と活性層１の間に空隙層４を形成する。 - 特許庁

An insulation layer 5 and a wiring layer 8 are formed on the second resin layer, and a first semiconductor chip 10 is mounted on the wiring layer.例文帳に追加

第２の樹脂層上に絶縁層５および配線層８を形成し、配線層上に第１の半導体チップ１０を実装する。 - 特許庁

Since the polysilicon layer has double layer structure of undoped and doped layers and an undoped polysilicon layer abuts on the insulation layer 402, oxidation is retarded.例文帳に追加

ポリシリコン層をアンドープとドープの２層構造とし、絶縁層４０２に接するのがアンドープポリシリコン層となっているので、酸化しにくい。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a first insulation layer formed on a semiconductor element, a second insulation layer formed on the first insulation layer, a first external connection terminal arranged at the flat part of the second insulation layer and a second external connection terminal arranged at the inclined part of the second insulation layer.例文帳に追加

本発明は、上記目的を達成するために、半導体素子の上に形成した第一の絶縁層と、該第一の絶縁層の上に形成した第二の絶縁層と、該第二の絶縁層の平坦部に配置した第一の外部接続端子と、該第二の絶縁層の傾斜部に配置した第二の外部接続端子とを備えたものである。 - 特許庁

Further, at least boundary faces contacting the storage layer 17 of the insulation layer 16 and another layer (e.g., cap layer 18) contacting the storage layer 17 on the side opposite to the insulation layer 16 are formed of an oxide film such as MgO or the like.例文帳に追加

さらに記憶層１７に接する絶縁層１６と、該絶縁層とは反対側で記憶層が接する他方の層（例えばキャップ層１８）は、少なくとも記憶層１７と接する界面がＭｇＯ等の酸化膜で形成されている。 - 特許庁

Subsequently, the polishing is conducted on the coating layer 23 on the insulation layer 22 under the condition that the polishing speed of the coating layer 23 is adequately quick relative to the junction metal layer 24, thereby causing the junction metal layer 24 to protrude on a surface of the insulation layer 22.例文帳に追加

続いて、被覆層２３の研磨速度が接合金属層２４に対して充分に速い条件で、絶縁層２２上の被覆層２３を研磨することにより、接合金属層２４を絶縁層２２の表面に突出させる。 - 特許庁

A groove pattern 13 is formed to an insulation film 12 and an island pattern 14, almost in the same height as the insulation layer 12, consisting of the same insulation layer 12 is formed within the groove pattern 13 in the predetermined interval by etching the insulation layer 12.例文帳に追加

絶縁層１２をエッチングすることによって、絶縁層１２に溝パターン１３を形成すると共に絶縁層１２からなり絶縁層１２とほぼ同じ高さに達する島パターン１４を溝パターン１３内に所定間隔で形成する。 - 特許庁

To provide a heat insulation waterproof structure which prevents a waterproof layer from swelling or peeling off from an insulation layer in the environment allowing a large quantity of gas to be included between an underlayer and the heat insulation layer, and a heat insulation waterproof construction method.例文帳に追加

下地と断熱層との間に多量の気体が介在される環境下においても、防水層の膨れや防水層が断熱層から剥離することを防止することができる断熱防水構造、及び断熱防水工法を提供すること。 - 特許庁