「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

A first diffusion layer 2 and a second diffusion layer 3 are formed on the main surface of a silicon substrate 1, while first insulation films 4, 4a, second insulation films 5, 5a and third insulation films 6, 6a are formed on the main surface of the silicon substrate 1 near the first diffusion layer 2 and the second diffusion layer 3 by partially laminating them.例文帳に追加

シリコン基板１の主面に第１拡散層２および第２拡散層３が形成され、第１拡散層２あるいは第２拡散層３の近傍のシリコン基板１主面に、第１絶縁膜４，４ａ、第２絶縁膜５，５ａ、第３絶縁膜６，６ａが積層し部分的に形成される。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition suitable for the use as an insulation layer of a multi-layer printed circuit board, and achieving the insulation layer (interlayer insulation layer) of which roughened surface exhibits high close adhesion against a plated conductor even though the roughness of the roughened surface after the roughening is relatively small.例文帳に追加

多層プリント配線板の絶縁層としての使用に好適なエポキシ樹脂組成物であって、粗化処理後の粗化面の粗度が比較的小さいにもかかわらず、該粗化面がメッキ導体に対して高い密着力を示す絶縁層（層間絶縁層）を達成し得るエポキシ樹脂組成物の提供。 - 特許庁

This superconductive cable core has a first superconductor layer 3 disposed around a winding core 1, an electric insulation layer 6 disposed around the first superconductor layer 3, a second superconductor layer 7 disposed around the electric insulation layer 6, and a temperatures monitoring layer 10 storing at least one optical fiber 11.例文帳に追加

巻芯１の周囲に配置される第１の超電導体層３と、第１の超電導導体層３の周囲に配置される電気絶縁層６と、電気絶縁層６の周囲に配置される第２の超電導体層７と、少なくとも１本の光ファイバ１１を収めた温度モニタリング層１０とを有する。 - 特許庁

To improve a problem resulting from a defect at the interface between an insulation layer and a SiGe crystal layer not to give adverse effect on the leak current characteristic in a MIS type field effect transistor in which a strain Si layer joined with the SiGe crystal layer formed on an insulation layer is used for channel layer.例文帳に追加

本発明では絶縁層上に形成されたＳｉＧｅ結晶層に接合するひずみＳｉ層をチャネル層に用いるＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて、絶縁層とＳｉＧｅ結晶層との界面の欠陥等に起因する問題が、リーク電流特性等に悪影響を与えないよう改良する。 - 特許庁

The flexible printed wiring board is composed of a substrate which is composed of at least a first electrical insulation layer, a first adhesive layer formed on it and a conductor layer formed on it and a cover lay which is composed of at least a second adhesive layer and a second electrical insulation layer formed on it and arranged on the conductor layer.例文帳に追加

少なくとも第１の電気絶縁層と、その上に形成された第１の接着剤層と、その上に形成された導体層と、からなる基板の導体層上に、少なくとも第２の接着剤層と、その上に形成された第２の電気絶縁層と、からなるカバーレイが、設けられたフレキシブルプリント配線板。 - 特許庁

A heat storage layer 9 made of at least a layer of material of large thermal capacity, a heat insulation layer 10 made of material of low thermal conductivity fitted outside the heat storage layer 9, and a layer 11 set outside the insulation layer 10 and self-heating or getting supply of heat from outside are provided.例文帳に追加

この発明は、少なくとも１層の熱容量の大きな材料からなる蓄熱層９と、この蓄熱層９の外側に設けられ熱伝導率の低い材料からなる断熱層１０と、この断熱層１０の外側に設けられ自己発熱する、或いは外部から熱の供給を受ける層１１とを有するものである。 - 特許庁

The electrostatically attracting apparatus 1 is provided with an insulation dielectric layer 4 mounting the plate-like specimen, an electrode layer 5 formed on the rear face of the insulation dielectric layer 4, an insulating body layer 6 comprising polyimide-based resin coating the electrode layer 5, and a temperature control part 3 adhered to and joined on the insulating body layer 6.例文帳に追加

板状試料を載置する絶縁性の誘電体層４と、絶縁性の誘電体層４の裏面に形成された電極層５と、電極層５を被覆するポリイミド系樹脂からなる絶縁体層６と、絶縁体層６に接着・接合された温度制御部３とを備えた静電吸着装置１である。 - 特許庁

In the multilayer substrate wherein the ground layer 31, the signal layer 32, the power supply layer 33, ground vias 35, signal vias 36, power supply vias 37, etc. are formed in an insulation material 30, a lowest layer ground layer 41 is formed in the lowest layer of the insulation material 30 except the portions where a signal land 26S and a power supply land 26P are formed.例文帳に追加

絶縁材３０内にグランド層３１，信号層３２，電源層３３，グランドビア３５，信号ビア３６，電源ビア３７等を設けてなる多層基板において、絶縁材３０の最下層に最下層グランド層４１を形成する（信号ランド２６Ｓ及び電源ランド２６Ｐの形成位置を除く）。 - 特許庁

A semiconductor device such as a high-voltage MOS transistor comprises a semiconductor layer 2, a low impurity concentration source layer 3 and a low impurity concentration drain layer 4 each having a conductivity type opposite to that of the semiconductor layer 2, a high impurity concentration source layer 5 and a high impurity concentration drain layer 6, a thick insulation film 8, a gate insulation film 9 and a gate electrode 10.例文帳に追加

半導体装置、例えば高耐圧ＭＯＳ型トランジスタは、半導体層２、それと反対導電型の低不純物濃度ソース層３および低不純物濃度ドレイン層４、高不純物濃度ソース層５および高不純物濃度ドレイン層６、厚い絶縁膜８、ゲート絶縁膜９、ゲート電極１０を有する。 - 特許庁

The thermal insulation wall of the ice storage chamber is formed by providing a thermal insulation layer of foamed resin between the steel plate of outer wall and the ABS resin plate of inner wall.例文帳に追加

貯氷庫の断熱壁は、外壁の鋼板と内壁のＡＢＳ樹脂板との間に発泡樹脂の断熱層を設けて構成される。 - 特許庁

Among plural base insulation films of different refractive indexes, the base insulation film of at least one layer is provided with a step and the level difference of the film thickness is made.例文帳に追加

屈折率の異なる複数の下地絶縁膜のうち、少なくとも一層の下地絶縁膜に段差を設けて膜厚に段階をつける。 - 特許庁

The laminated plate or the insulation layer of a printed circuit board is produced by impregnating an epoxy resin in the nonwoven fabric for electric insulation and hot-pressing the impregnated product.例文帳に追加

前記電気絶縁用不織布にエポキシ樹脂を含浸し、加熱加圧成形して積層板ないしはプリント配線板の絶縁層とする。 - 特許庁

As the insulation device 31, an insulation sheet formed with an adhesive layer all over so as to be bonded to the coil 1 may be used.例文帳に追加

該絶縁手段３１としては、コイル１に貼着することのできるよう接着剤層を一面に備えた絶縁シートを用いることができる。 - 特許庁

To provide an insulation wire which has an insulation layer including a crosslinked acrylic rubber and is excellent in flexibility and heat resistance.例文帳に追加

架橋アクリルゴムを含む絶縁層を有する絶縁電線において、柔軟性および耐熱性に優れた絶縁電線を提供すること。 - 特許庁

To provide an infrared-ray emitting element easy to manufacture, of which infrared-ray emission efficiency is heightened by improving heat insulation property of a heat insulation layer.例文帳に追加

断熱層の断熱性を向上して赤外線の放射効率を高めると共に、製造を容易にする赤外線放射素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a dual gate oxide capable of preventing insulation breakdown voltage drop of a gate insulation layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート絶縁層の絶縁耐圧不良の発生を防止できるデュアルゲートオキサイドを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A capacitance element C1 is constituted by forming a capacitor insulation film 14 on a metal wiring layer 13a and also forming a metal pattern on the capacitor insulation film 14.例文帳に追加

メタル配線層１３ａ上にキャパシタ絶縁膜１４及びその上にメタルパターン１５が形成され容量素子Ｃ１が構成されている。 - 特許庁

A high viscosity part consisting of an insulation oil having high kinematic viscosity than the cable insulation oil is provided between the joint part insulating layer 21 and the metal sheath 22.例文帳に追加

接続部絶縁層21と金属シース22との間には、ケーブル絶縁油よりも動粘度が高い絶縁油からなる高粘度部を具える。 - 特許庁

A plurality of first coil pieces 36 are formed in the space 47 surrounded by a lower core layer 29, a magnetic pole tip layer 30 and a back gap layer 34 and buried in a coil insulation layer 37.例文帳に追加

下部コア層２９、磁極端層３０、バックギャップ層３４で囲まれた空間内４７に複数本の第１コイル片３６が形成され、コイル絶縁層３７で埋められている。 - 特許庁

As the insulation layer 30 intercalates between the positive electrode layer 20 and the negative electrode layer 50, short circuiting between the positive and negative electrode layers can be restrained, if at all there is a pinhole in the electrolyte layer 40.例文帳に追加

正極層20と負極層50との間に絶縁層30を介在することで、仮に電解質層40にピンホールがあったとしても、正負極層間の短絡を抑制することができる。 - 特許庁

The number of photolithography steps is reduced by simultaneously etching an unnecessary part of the semiconductor layer in a step of forming an opening in the semiconductor layer or an insulation layer formed on the upper surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層または半導体層の上層に形成した絶縁層を開口する工程において該半導体層の不要な部分を同時にエッチングし、フォトリソグラフィ工程を削減する。 - 特許庁

An organic TFT includes: a gate electrode 2; an organic semiconductor layer 6; and a gate insulation layer 3 located between the gate electrode 2 and the organic semiconductor layer 6 and adjacent to the organic semiconductor layer 6.例文帳に追加

有機ＴＦＴは、ゲート電極２および有機半導体層６と、それらの間に位置すると共に有機半導体層６に隣接するゲート絶縁層３とを備えている。 - 特許庁

A transparent insulating layer 2 made of thermosetting resin, a transparent electrode 3, a light emission layer 6, a reflective insulation layer 7, a rear electrode 8 and a protective layer 9 are formed on a bright film 1.例文帳に追加

透明フィルム１の上に熱硬化性の樹脂からなる透明絶縁層２、透明電極３、発光層６、反射絶縁層７、裏面電極８、保護層９を形成する。 - 特許庁

A printed wiring board 101 is configured by laminating a power supply layer 11, a ground layer 12, a first signal wiring layer 13, and a second signal wiring layer 14 with insulation layers interposed therebetween.例文帳に追加

プリント配線板１０１は、電源層１１、グラウンド層１２、第一の信号配線層１３、及び第二の信号配線層１４が絶縁層を介して積層されて構成されている。 - 特許庁

A plurality of ground layer opening portions 14a having rectangle opening are provided on positions of the ground layer 14 formed on the second wiring layer which are opposite to the signal line 13 via the second insulation layer.例文帳に追加

第二配線層に形成されたグランド層１４の、第二絶縁層を介して信号線路１３に対向した位置に、矩形に開口されたグランド層開口部１４ａを複数備える。 - 特許庁

The display element is provided with a half mirror layer 2 having light reflectivity and translucency, and a display layer 4 overlayed on one surface side 2b of the half mirror layer 2 with an insulation layer 3 interposed.例文帳に追加

表示素子は、光反射性および透光性を有するハーフミラー層２と、ハーフミラー層２の一方面側２ｂに絶縁層３を介して重ね合わされた表示層４とを有する。 - 特許庁

The reaction tank module M has a three-layer structure composed of the cylindrical reaction tank 1 arranged in the central part thereof, a temperature adjustment layer arranged just on the outer periphery of the cylindrical reaction tank, and a thermal insulation layer arranged on the outer periphery of the temperature adjustment layer.例文帳に追加

反応槽モジュールＭは、中心部に筒状の反応槽１、そのすぐ外周囲に温度調節層、その外周囲に断熱層の３層構造を有する。 - 特許庁

The solid electrolytic capacitor includes an anode body 1, an anode lead-out layer 2, a dielectric layer 3, a first electrolyte layer 4, an electric insulation part 61, and a cathode layer 5.例文帳に追加

本発明に係る固体電解コンデンサは、陽極体１、陽極引出し層２、誘電体層３、第１電解質層４、電気絶縁部６１、及び陰極層５を備えている。 - 特許庁

The silicon layer 202 stops dry etching the insulation layer 121 to prevent the damage of the metal silicide layer 124 and also prevents the damage of this layer 124 during its dry etching.例文帳に追加

絶縁層１２１のドライエッチングもシリコン層２０２で停止させて金属シリサイド層１２４のダメージを防止し、金属シリサイド層１２４のドライエッチング時のダメージもシリコン層２０２で防止する。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a pair of electrodes opposite to each other, the liquid crystal layer sandwiched by the electrodes and the insulation layer 48 for adjusting the layer thickness of the liquid crystal layer.例文帳に追加

互いに対向する一対の電極と、これらの電極によって挟まれる液晶層と、該液晶層の層厚を調整する絶縁層４８とを有する液晶装置である。 - 特許庁

The corrosion proof layer 23 has a low melting point layer, which includes a material having a lower melting point than that of a cable corrosion proof layer 13 arranged on the outside circumference of a cable oil-impregnated insulation layer 11.例文帳に追加

防食層２３は、低融点層を備え、この低融点層は、ケーブル油浸絶縁層１１の外周に配されるケーブル防食層１３よりも低融点の材料からなる。 - 特許庁

Since the elastic material layer functions as a vibration reduction layer, and the elastic material layer doubles as the adhering layer, the floor exhibits the effect of lightweight, high heat insulating property, and vibration insulation though the structure is simple.例文帳に追加

弾性材層が振動低減層として機能し、かつ弾性材層が接着層を兼ねるため、構造が簡単でありながら軽量、高断熱性、防振の効果を発揮する。 - 特許庁

After a mask insulation film 5 and a basic insulation film 4 having an opening 11 for forming element separation on a semiconductor layer 3 are formed, the basic insulation film 4a is retreated from the end of the mask insulation film 5 by etching to form a recess part 12 downward of the end of the mask insulation film 5.例文帳に追加

半導体層３上に素子分離を形成するための開口部１１を有するマスク絶縁膜５と下地絶縁膜４を形成した後、エッチングにより下地絶縁膜４ａをマスク絶縁膜５の端部から後退させてマスク絶縁膜５の端部下にくぼみ部１２を形成する。 - 特許庁

Lower layer embedded interconnections 103 are formed via a first diffusion preventive layer 102 on a first insulation film 101, formed on a semiconductor substrate 100 and a second insulation film 104, is formed on the lower layer embedded interconnections 103 and the first insulation film 101.例文帳に追加

半導体基板１００上の第１の絶縁膜１０１には、第１の拡散防止層１０２を介して下層の埋め込み配線１０３が形成されており、下層の埋め込み配線１０３及び第１の絶縁膜１０１の上には第２の絶縁膜１０４が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device 100 is provided with a pad 20 that is formed over a substrate 10, a pad insulation layer 18 that is formed as to cover a part of the pad 20 and includes at least a first insulation layer 24, and an opening 50 that is formed in the pad insulation layer 18 on the pad 20.例文帳に追加

本発明の半導体装置１００は、基板１０の上方に形成されたパッド２０と、パッド２０の一部を覆うように形成され、少なくとも第１絶縁層２４を含むパッド絶縁層１８と、パッド２０上のパッド絶縁層１８に形成された開口部５０とを含む。 - 特許庁

A semiconductor device includes: a plurality of electric elements disposed adjacent to each other along the front face of a semiconductor material; a lower-layer protection insulation film containing no silicon, which covers the plurality of electric elements; and an upper-layer protection insulation film containing silicon, which is disposed on the lower-layer protection insulation film.例文帳に追加

半導体材料の表面に沿って互いに隣接する複数の電気素子要素と、複数の電気素子要素を覆う、シリコンを含まない下層保護絶縁膜と、下層保護絶縁膜の上に配置され、シリコンを含む上層保護絶縁膜と、を備える半導体装置が提供される。 - 特許庁

To provide insulator ink capable of forming an insulation layer having an excellent pattern shape even when the insulation layer is formed by a printing method such as an ink-jet printing method or an offset printing method, and to provide a multilayer printed circuit board having the insulation layer formed by use thereof.例文帳に追加

インクジェット印刷法やオフセット印刷法等の印刷法により絶縁層を形成させた場合であっても、良好なパターン形状を有する絶縁層を形成し得る絶縁体インク、及びこれを用いて形成された絶縁層を備える多層印刷配線板を提供すること。 - 特許庁

An array substrata 100 is provided with a wiring part X, switching elements, an insulation layer 24 formed by covering the wiring part and the switching elements and pixel electrodes 151, formed on the insulation layer in a matrix and connection to the switching elements, via contact holes formed on the insulation layer.例文帳に追加

アレイ基板１００は、配線部Ｘと、スイッチング素子と、配線部及びスイッチング素子を覆って形成された絶縁膜２４と、絶縁膜上にマトリクス状に形成され絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してスイッチング素子に接続された画素電極１５１と、を有している。 - 特許庁

An electric field generating electrode which has a first insulation layer 3 at the outer periphery of a base electrode 2 which works on high voltage, and is which an electric conductor 4 which has a limited terminal along with the first insulation layer 3 is placed, and which has a second insulation layer 5 on the surface of the conductor 4.例文帳に追加

高電圧を作用させる基礎電極２の外周に第一の絶縁層３を形成し、この第一の絶縁層３に沿って有限な端を持つ電気導体４を配置し、更にこの導体の表面に第二の絶縁層５を形成した電場発生電極。 - 特許庁

An insulation film 30 is formed on a substrate 10, and a plurality of concave portions which are grooves 31 and 32 that will become conductive layer formation regions are formed in the insulation film 30, and then a first conductive layer 40 and a second conductive layer 50 are so formed as to fill in the grooves 31 and 32 formed in the insulation film 30.例文帳に追加

基板１０に絶縁膜３０を形成し、絶縁膜３０に導電層の形成領域となる複数の凹部である溝３１，３２を形成し、絶縁膜３０に形成された溝３１，３２を埋め込むように第１の導電層４０および第２の導電層５０を形成する。 - 特許庁

In this production method, a surface of an insulation layer is smoothed and, thereby, the insulation layer is stabilized by perceiving a surface active agent and utilizing the effect of the surface active agent in order to etch the insulation layer with excellent working precision on the production of wiring-integrated suspension.例文帳に追加

本発明は、配線一体型サスペンションを製造するにあたり、絶縁層を加工精度よくエッチングするために、界面活性剤に着目し、この効果により、絶縁層表面を滑らかにすることで絶縁層の安定した製造方法を確立したものである。 - 特許庁

The printed circuit board includes a first insulation layer 20, a first via 22 which penetrates the first insulation layer 20, and a first pad 14 which is formed on one surface of the first insulation layer 20, with the whole or part of the first pad 14 being embedded in the first via 22.例文帳に追加

本発明に係る印刷回路基板は、第１絶縁層２０と、第１絶縁層２０を貫通する第１ビア２２と、第１絶縁層２０の一面に形成され、全部または一部が第１ビア２２に埋め込まれる第１パッド１４と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

First conductors 11 for the gold-plated layer and second conductors 12 for the silver-plated layer are arranged on insulation layers different from each other.例文帳に追加

金めっき層用の第１導体１１と銀めっき層用の第２導体１２とが、異なる絶縁層に設けられている。 - 特許庁

The second electric cable 8 is superposed on the insulation layer 7, and the core wire 12 is jointed to the conductive layer 4 by ultrasonic welding.例文帳に追加

第２電線８は絶縁層７に重ねられて超音波溶着によって芯線１２が導体層４に接合される。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical-polishing device of a substrate where a metal layer is provided on an insulation layer whose dicing and erosion have been suppressed.例文帳に追加

ディシング、エロ−ジョンの抑制される絶縁層の上に金属層が設けられた基板の化学機械研磨装置の提供。 - 特許庁