「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The multilayered film 16 consists of an antiferromagnetic layer 25, first and second ferromagnetic layers 21, 22 and a tunnel insulation layer 23.例文帳に追加

多層膜１６は、反強磁性体層２５、第１および第２の強磁性体層２１，２２、ならびにトンネル絶縁層２３からなる。 - 特許庁

A microprobe in one embodiment includes a protective mounting, an insulation layer and an electrode layer arranged in this order in a first direction.例文帳に追加

実施形態によれば、保護台、絶縁層、電極層がこの順番で第１の方向に配列したマイクロプローブが提供される。 - 特許庁

An adhesive layer 14 is provided on the lower surface of the insulation layer 11, and protected via a release paper 15.例文帳に追加

また、絶縁層１１の下面には、接着層１４が設けられており、接着層１４は、剥離紙１５を介して保護されている。 - 特許庁

The insulation layer 40 has transparency and is so formed as to protrude to the outside from an outer edge 50S of the negative electrode layer 50.例文帳に追加

絶縁層４０は、透明性を有し、陰極層５０の外縁部５０Ｓよりも外側にはみ出すように形成される。 - 特許庁

A signal line pattern 67 is arranged on the resin insulation layer 33 and connect the inner layer connection via conductor 55 and a terminal pad 51.例文帳に追加

信号線パターン６７は、樹脂絶縁層３３上に配置され、内層接続ビア導体５５と端子パッド５１とを接続する。 - 特許庁

The protection layer 143 is formed by applying a coating containing the fluoro-silicone rubber to an outer surface of the insulation layer 141.例文帳に追加

保護層１４３は、フロロシリコーンゴムを含有する塗料を絶縁部１４１の外表面に塗布することにより形成される。 - 特許庁

To obtain an inter-layer insulation layer covering an upper electrode, collectively realizing low taper angle, increase of film thickness, and security of Na blocking property.例文帳に追加

低テーパー角、厚膜化、Ｎａブロック能力の確保が同時に実現する上部電極を被覆する層間絶縁層を得る。 - 特許庁

To reduce dielectric constant of a layer insulation film which is adjacent to a wiring layer.例文帳に追加

配線層に隣接している層間絶縁膜の誘電率を低減化できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A heat insulation material 63 is filled in a second space S2 located between the side wall middle layer 60 and the side wall outer layer 70.例文帳に追加

側壁中層６０と側壁外層７０との間の第二の空間Ｓ２には断熱材６３が封入されている。 - 特許庁

The second insulation layer 8 is formed on the other surface 6b of the conductor layer 6 and is formed with a third hole 11.例文帳に追加

第２の絶縁層８は導体層６の他方の表面６ｂに積層されかつ第３の孔１１が形成されている。 - 特許庁

A wiring layer 404 is formed on both the surfaces of the insulation layer, and conductive paste 405 is filled between the wiring layers 404 for conducting electricity.例文帳に追加

絶縁層の両面に配線層404を形成し、配線層404の間は導電性ペースト405が充填されて導通されている。 - 特許庁

To secure the insulation of an insulating film constituted by stacking an upper-layer highly dielectric film upon a lower-layer insulating film.例文帳に追加

下層絶縁膜の上層に高誘電率膜が積層される積層構造の絶縁膜においてその絶縁性を確保する。 - 特許庁

The coaxial cable 10 is composed of center conductors 12, an insulation cove layer 14, shield conductors 16, and a protection cover layer 18.例文帳に追加

同軸ケーブル１０は、中心導体１２と、絶縁被覆層１４と、シールド導体１６と、保護被覆層１８とを備えている。 - 特許庁

The circuit substrate buried with the substrate-buried capacitor is configured out of a substrate 10, a lower electrode 11, a dielectric layer 12, an upper electrode 13, and an insulation layer 14.例文帳に追加

基板１０、下部電極１１、誘電体層１２、上部電極１３及び絶縁層１４から構成されている。 - 特許庁

The first insulation layer 7 is formed on one surface 6a of the conductor layer 6 and is formed with a second hole 10.例文帳に追加

第１の絶縁層７は導体層６の一方の表面６ａに積層されかつ第２の孔１０が形成されている。 - 特許庁

The resistance layer 12a, the inner electrodes 13 and the insulation layer 12b of the thermistor element 12 are unified by thermocompression bonding at once.例文帳に追加

前記有機質サーミスタ素子は、抵抗体層、内部電極、絶縁体層の一体化が一度の熱圧着で行われる。 - 特許庁

Interlayer resin insulation layers 24 and 38 and a core substrate 50 for upper layer are built up on a core substrate 10 for lower layer.例文帳に追加

下層用コア基板１０に、層間樹脂絶縁層２４，３８及び上層用コア基板５０がビルドアップして形成されている。 - 特許庁

A high resistance n-type base layer 5 is formed on a silicon substrate 1 through an insulation layer 3 composed of a silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン基板１上にシリコン酸化膜よりなる絶縁層３を介在して高抵抗ｎ型ベース層５が形成されている。 - 特許庁

A plurality of acoustic holes 7 is formed by applying etching to the support layer 2 of the diaphragm region till the etching reaches the insulation layer 3.例文帳に追加

そしてダイアフラム領域の支持層２に、絶縁層３までエッチングすることで複数のアコースティックホール７を形成する。 - 特許庁

The short-circuit portion 23 disappears in a laser irradiation area 24, and insulation between the wiring layer 21 and the wiring layer 22 is recovered.例文帳に追加

レーザ照射領域２４では短絡部２３が消失して、配線層２１と配線層２２との間の絶縁が回復する。 - 特許庁

On the intense electric field drift layer 6, an insulation layer 8 having window holes in parts corresponding to electron source elements is formed (fig. (e)).例文帳に追加

強電界ドリフト層６上に、電子源素子に対応する部位に窓孔を有する絶縁層８を形成する（図１（ｅ））。 - 特許庁

The insulator layer 210 is formed on the electrode layer 200, and composed of SiO_2 having electric insulation.例文帳に追加

絶縁体層２１０は、電極層２００上に形成され、電気的絶縁性を有するＳｉＯ_２によって構成されている。 - 特許庁

The heating part 85 is preferably disposed below the semiconductor laser 12 while sandwiching a heat dissipation layer 72 and an insulation layer 9.例文帳に追加

加熱部８５は、放熱層７２と絶縁層９とを挟んで半導体レーザ１２の下方に配置されていることが好ましい。 - 特許庁

Upper layer wiring composed of a barrier metal film 106 and a copper silver alloy film 111 is formed in the layer insulation film 104.例文帳に追加

この層間絶縁膜１０４中にバリアメタル膜１０６および銅銀合金膜１１１からなる上層配線を形成する。 - 特許庁

Lower interconnections are formed on a semiconductor underlying layer and an interlayer insulation film is formed to cover the lower interconnections and the semiconductor underlying layer.例文帳に追加

半導体下地層に下部配線を形成し、下部配線および半導体下地層を覆って層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a gate electrode 16 is formed on a gate insulation film made of the silicon nitride film layer 14 and the silicon oxide film layer 15.例文帳に追加

その後、シリコン窒化膜層１４およびシリコン酸化膜層１５からなるゲート絶縁膜上にゲート電極１６が形成される。 - 特許庁

Surfaces of the drain extraction electrode 31E and the source extraction electrode 31F are provided with a conductive layer 45 via an insulation layer.例文帳に追加

ドレイン引出電極３１Ｅおよびソース引出電極３１Ｆの表面には、絶縁層を介して導電層４５が設けられている。 - 特許庁

An insulation upper layer coats the semiconductor base to cover the semiconductor device formed at a surface layer part of the semiconductor base.例文帳に追加

絶縁上層が半導体基材上に被覆されて、半導体基材の表層部に形成した半導体装置を覆う。 - 特許庁

Then, the layer insulation film 4 composed of a BPSG film is formed on the semiconductor substrate 1 to cover the lower layer wiring 3.例文帳に追加

その後、下層配線３を覆うように、半導体基板１上にＢＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

First heat treatment is performed to the semiconductor substrate 1, and a hardened layer 4b is formed on the surface of a layer insulation film 4a.例文帳に追加

その後、半導体基板１に第１の熱処理を行い、層間絶縁膜４ａの表面部に硬化層４ｂを形成する。 - 特許庁

Thereby, even if an opposite interval between the lower shielding layer 21 and the upper shielding layer 28 is made narrow, electric insulation can be reliably secured.例文帳に追加

よって、下部シールド層２１と上部シールド層２８との対向間隔を狭くしても、電気的絶縁を確実に確保できる。 - 特許庁

In the semiconductor device 20, an insulation layer 23 is provided on the surface of semiconductor substrate 21, a conductive layer 24 is provided on the insulation layer, a sealing layer 26 is provided on the conductive layer, a plurality of electrode pads 25 exposing the conductive layer are closely allocated on the sealing layer, and an arch-type solder bump 27 is provided by connecting these electrode pads.例文帳に追加

半導体基板２１の表面に絶縁層２３が設けられ、該絶縁層上に導電層２４が設けられ、該導電層上に封止層２６が設けられ、該封止層に前記導電層を露出させた前記電極パッド２５が複数個近接配置され、これらの電極パッドをつないでアーチ状半田バンプ２７が設けられた半導体装置２０。 - 特許庁

Further, the manufacturing method of the semiconductor package 10 adopts a configuration of sequentially forming a first insulation layer 41, the conductor layer 9, the second insulation layer 42, the re-wiring layer 5, a seal resin layer 7, a first post 61 connected to the conductor layer 9, and a second post 62 connected to the re-wiring layer 5 on the wafer 3 by the wafer level CSP.例文帳に追加

また、本発明の半導体パッケージ１０の製造方法は、ウェハレベルＣＳＰによりウェハ３上に第１の絶縁層４１、導電層９、第２の絶縁層４２、再配線層５、封止樹脂層７、導電層９に接続した第１のポスト６１及び再配線層５に接続した第２のポスト６２を順次形成する構成とする。 - 特許庁

The nonvolatile memory 100 comprises a gate insulation layer 22 provided on the channel region of a semiconductor layer 10, a gate conductive layer 14 provided on the gate insulation layer 22, first conductivity type first and second impurity regions 24 and 34 provided on the semiconductor layer 10 to sandwich the gate conductive layer 14, and a bit conductive layer 80.例文帳に追加

不揮発性記憶装置１００は、半導体層１０のチャネル領域上に設けられ、ゲート絶縁層２２と、ゲート絶縁層２２上に設けられたゲート導電層１４と、ゲート導電層１４を挟むように半導体層１０に設けられた第１導電型の第１および第２不純物領域２４，３４と、ビット導電層８０とを含む。 - 特許庁

In the multilayer wiring board comprising a structure in which a ground layer 1 or a power supply layer and the signal layer 3 are arranged via an insulation layer 2, the insulation layer 2 is constituted of a porous layer whose porosity is different in its thickness direction, and a face 2a on a side on which the porosity of the porous film is high is arranged on the side of the signal layer 3.例文帳に追加

グランド層１又は電源層と信号層３とが絶縁層２を介して配置された構造を有する多層配線基板において、前記絶縁層２を厚み方向で空孔率が異なる多孔質膜で構成すると共に、その多孔質膜の空孔率が高い側の面２ａを前記信号層３側に配置してあることを特徴とする。 - 特許庁

The suspension substrate includes: an insulation layer, a pair of wirings consisting of an upper wiring formed on one surface of the insulation layer and a lower wiring formed on the other surface of the insulation layer, and a metal substrate formed on the surface of the insulation layer on the lower wiring side.例文帳に追加

本発明は、絶縁層と、上記絶縁層の一方の表面上に形成された上部配線および上記絶縁層の他方の表面上に形成された下部配線からなる一対の配線と、上記下部配線側の上記絶縁層の表面上に形成された金属基板と、を有することを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The method for manufacturing the power generation elements comprising the insulation frame with the electric insulation property on an outer peripheral part of at least one of a solid electrolyte layer and an electrode layer includes a step of molding the insulation frame, and a step of molding at least one of the solid electrolyte layer and the electrode layer in the insulation frame using the same jig as the one used in the previous step.例文帳に追加

固体電解質層と電極層の少なくとも一方の外周部に電気絶縁性の絶縁枠を備える発電要素の製造方法であって、前記絶縁枠を成形する工程と、前記工程と同一の冶具を用いて前記絶縁枠に前記固体電解質層と前記電極層の少なくとも一方を成形する工程と、を含む前記発電要素の製造方法。 - 特許庁

This wiring structure in the semiconductor device consists of a lower layer conductive region 18 formed on a semiconductor substrate 10, an upper layer wiring layer 32 formed on an insulation layer 22B for covering the lower layer conductor region 18, and a connection hole 28 that electrically connects the lower layer conductive layer to the upper layer wiring layer.例文帳に追加

半導体装置における配線構造は、半導体基板１０に形成された下層導体領域１８と、下層導体領域１８を被覆する絶縁層２２Ｂ上に形成された上層配線層３２と、下層導体層と上層配線層とを電気的に接続する接続孔２８とから成る。 - 特許庁

The temperature sensor and heater 8 has an adhesion layer 4, a diffusion prevention layer 5, an electric heating layer 6 and a diffusion prevention and adhesion layer 7 from the lowest layer, and the temperature sensor and heater 8 is covered with an interlayer insulation film 9.例文帳に追加

温度センサ兼ヒータ８は、下層から順に密着層４、拡散防止層５、電熱層６及び拡散防止兼密着層７を有し、温度センサ兼ヒータ８が層間絶縁膜９によって被覆されている。 - 特許庁

The Ni-P plated layer 14 contacts a lower layer copper pattern 12 in the bottom of the via hole 10 and in the outside of the via hole 10, it reaches the surface of the layer insulation layer 13 and contacts the upper layer copper pattern 15.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｐめっき層１４は，ビアホール１０の底部で下層銅パターン１２に接触し，ビアホール１０の外部では層間絶縁層１３の表面に達して上層銅パターン１５に接触している。 - 特許庁

The three-layer crime prevention sash of high-heat insulation resin is reduced in weight and made hard to be scratched by pasting the prime prevention film on the inside of a three-layer pane and forming the intermediate layer of the three-layer pane in a plastic layer such as a CD case.例文帳に追加

防犯フィルムを内側に張り、３層ガラスの中間層をＣＤケースの様なプラスチック層にすることによって高断熱樹脂系３層防犯サッシの軽量化と傷つき難さを実現しました。 - 特許庁

After forming a silicon layer 202 on the surface of a metal silicide layer 124 by sputtering, an insulation layer 121 is formed by CVD and the silicon layer 202 prevents the damage of the metal silicide layer 124 due to this heating.例文帳に追加

金属シリサイド層１２４の表面にシリコン層２０２をスパッタリング法で形成してから絶縁層１２１をＣＶＤ法で形成し、この加熱による金属シリサイド層１２４のダメージをシリコン層２０２で防止する。 - 特許庁

The insulation film layer 20 is formed between the first collector layer 14 and the base layer 22 or between the first collector layer 14 and the base extraction layer 25, whereby junction capacitance between the base and the collector is reduced.例文帳に追加

第１コレクタ層１４とベース層２２の間、又は第１コレクタ層１４とベース引き出し層２５の間に、絶縁膜層２０が形成されていることにより、ベース・コレクタ間の接合容量を低減させる。 - 特許庁

A minute pit generating factor layer on at least one surface of insulation substrates 21 and 22 is removed.例文帳に追加

少なくとも一方の絶縁性基板21，22表面の微小ピット発生要因層を除去する。 - 特許庁

A second flattening insulation film 105 is so formed as to cover the ends of the anode layer 104.例文帳に追加

第２平坦化絶縁膜１０５はアノード層１０４の端部を被覆するように形成される。 - 特許庁