「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

An insulation resin layer 2 is formed on the surface of a substrate 1 formed of a metal, and the interconnection layer 6 formed of a metal having a coefficient of thermal expansion smaller than that of the metal with the substrate 1 formed thereon is formed on the surface of the insulation resin layer 2.例文帳に追加

金属からなる基板１の表面上に絶縁樹脂層２が形成され、絶縁樹脂層２の表面上に、基板１を形成する金属の熱膨張係数より低い熱膨張係数を有する金属からなる配線層６が形成される。 - 特許庁

A non-volatile semiconductor storage device has a semiconductor layer supported on a semiconductor board or a board, an insulation layer formed on the surface area CH and including in the inside a charge accumulation layer FG in which charge is injected from a board side, and a control electrode on the insulation film.例文帳に追加

半導体基板または基板に支持された半導体層と、その表面領域ＣＨ上に形成され、基板側から電荷が注入される電荷蓄積層ＦＧを内部に含む絶縁膜と、当該絶縁膜上の制御電極とを有する。 - 特許庁

The wiring module is provided with a wiring pattern made of conductor metallic projections and an insulation layer filling the grooves between the projections, and if necessary, a holding pattern is added, or a glass or a ceramics is used for the insulation layer, or a thin-film multi layer wiring is formed on a projecting wiring.例文帳に追加

導体金属突起からなる配線パターンと前記突起間の溝を埋める絶縁層とを具備する配線モジュールとして構成し、適宜強度保持パターンを入れたり、絶縁層にガラスやセラミックスを用いたり、突起配線上に薄膜多層配線を形成する。 - 特許庁

A laminate comprising a first insulation layer 16, a metal layer 17, a second insulation layer 18 and a pad electrode 19 is provided on a side face S1 and an undersurface of at least the light emitting element 10B which emits light of the shortest wavelength among the three light emitting elements 10.例文帳に追加

３つの発光素子１０のうち少なくとも最も短波長の光を発する発光素子１０Ｂの側面Ｓ１および下面には、第１絶縁層１６、金属層１７、第２絶縁層１８およびパッド電極１９からなる積層体が設けられている。 - 特許庁

To provide a high voltage power cable having a semiconductive layer which has an excellent peeling property from an insulation layer at a high temperature heat treatment in cross-linking the insulation layer, wherein the high voltage power cable has a good processability at extrusion molding without losing a mechanical property as a power cable.例文帳に追加

電力ケーブルとしての機械的特性を損なうことなく、押出成形する際の加工性が良好で、絶縁層の架橋時に高温熱処理を行っても絶縁層との剥離性が優れた半導電層を備えた高圧電力ケーブルを提供する。 - 特許庁

In a method for laying a superconducting cable 1 having a superconductor layer 12 and an electric insulation layer (normal temperature side electric insulation layer 23), a tubular member 2 and a long member 3 to be combined into the superconducting cable 1 are first independently prepared at a laying site.例文帳に追加

超電導導体層１２と電気絶縁層（常温側電気絶縁層２３）とを備える超電導ケーブル１の布設方法にあたり、まず、組み合わせることで超電導ケーブル１となる管状部材２と長尺部材３を個別に布設現場に用意する。 - 特許庁

The CPP (Current Perpendicular to Plane) magnetoresistive element has a structure wherein a magnetic intermediate layer 30 and an oxide insulation layer 31 are provided between a fixed magnetization layer 28 and a free magnetization layer 33 via a lower side non-magnetic intermediate layer 29 and an upper side non-magnetic intermediate layer 32.例文帳に追加

ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）磁気抵抗効果素子において、固定磁化層２８と自由磁化層３３との間に、下側非磁性中間層２９及び上側非磁性中間層３２を介して、磁性中間層３０及び酸化絶縁層３１を設けた構造とする。 - 特許庁

A first metal layer 31a is formed on a counter insulation layer 22, a second metal layer 32a is formed on the frame body part 14 separated from the silicon wafer of a functional layer and the first metal layer 31a is bonded to the second metal layer 32a by eutectic bonding or diffusion bonding.例文帳に追加

対向絶縁層２２に第１の金属層３１ａが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部１４に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが共晶接合または拡散接合で結合されている。 - 特許庁

The transistor substrate for a liquid crystal display device is provided with an active layer 4 comprised of a polycrystalline silicone film formed on a substrate 2, a gate insulation film 6 formed on the active layer 4, a metal layer 8 composing the gate electrode formed on the gate insulation film 6, and an insulation film 10 formed on the metal layer 8 and preventing damage of the gate electrode.例文帳に追加

液晶表示装置用トランジスタ基板は、基板２上に形成されている多結晶シリコン膜でなるアクティブ層４と、アクティブ層４上に形成されるゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６上に形成されるゲート電極を構成する金属層８と、金属層８上に形成され、ゲート電極の損傷を防止する絶縁膜１０とを備えている。 - 特許庁

A first insulation layer 1 contg. no rubber grains is formed, a second insulation layer 2 contg. rubber grains for roughening the surface is formed thereon, and a cross link layer 4 is formed by the cross link reaction due to diffusion of acid components from the first insulation layer 1.例文帳に追加

ゴム粒子を含まない第１の絶縁層１を形成し、その上に、粗面化のためのゴム粒子を含んだ第２の絶縁層２を形成し、第１絶縁層１からの酸成分の拡散による架橋反応によって架橋層４をすることにより、第１の絶縁層１に形成されたパターン１ａのサイズを縮小して微細化すると伴に、架橋層４のゴム成分を溶解して粗面化する。 - 特許庁

To provide a power saving thermal head of low thermal capacity exhibiting high thermal response and ensuring high speed printing and high print quality, and its fabricating method, by forming a heat insulation layer having a thermal conductivity lower than that of a conventional glaze heat insulation layer and exhibiting excellent adhesion properties by vapor deposition and forming a thin protective layer using the same material as that of the heat insulation layer.例文帳に追加

本発明は、従来のグレーズ保温層よりも、更に熱伝導率が小さく、密着性に優れた保温層を蒸着法で形成し、この保温層と同じ材料で保護層を薄く形成して、熱容量が小さくて熱応答性の良い、印字の高速化や印字品質の良好な省電力サーマルヘッド、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

First microphotoetching (MPE) is carried out for a first metal layer formed on a transparent insulation substrate to form a ridge-shaped block having a gate electrode structure and first and second slanting surface sides, a first insulation layer is formed, and their surfaces are covered; and a pattern of a semiconductor layer is formed on the surface of the first insulation layer to obtain a channel area of a thin film transistor.例文帳に追加

透明絶縁基板に形成した第1金属層に対して第1マイクロフォトエッチング(MPE)を行ない、ゲート電極構造及び第1傾斜面側辺と第2傾斜面側辺を有する尾根状ブロックとを形成し、第1絶縁層を形成してこれらの表面を被覆し、該第1絶縁層の表面に半導体層のパターンを形成して薄膜トランジスタのチャネルエリアとする。 - 特許庁

A sheet-like or film-like thermosetting resin composition is laminated and hardened on an inner layer board composed of an electric insulation layer 1 adjusted at a surface roughness Ra of 0.1-400 nm and a conductor circuit formed on its surface, thereby forming an electric insulation layer 2, and a conductor circuit 2 is formed on the electric insulation layer 2 to obtain a multilayer circuit board.例文帳に追加

表面粗さＲaを０．１〜４００ｎｍに調整された電気絶縁層（１）と、その表面に形成された導電体回路（１）とからなる内層基板上に、シート又はフィルム形状の硬化性樹脂組成物を重ね載せ、硬化させて電気絶縁層（２）を形成し、該電気絶縁層（２）の上に導電体回路（２）を形成してなる多層回路基板を得る。 - 特許庁

An organic light emitting display device includes: a substrate 10; a first touch sensing electrode layer 21 formed on the substrate; a first protection layer 22 that covers the first touch sensing electrode layer 21 to be formed thereon; a ground layer 30 that is formed on the first protection layer 22 and electrically grounded; an insulation layer 11 formed on the ground layer 30; and an organic light emitting element 40 formed on the insulation layer 11.例文帳に追加

基板１０と、基板上に形成された第１タッチ感知電極層２１と、第１タッチ感知電極層２１を覆って、第１タッチ感知電極層上に形成された第１保護層２２と、第１保護層２２上に形成され、電気的に接地されたグラウンド層３０と、グラウンド層３０上に形成された絶縁層１１と、絶縁層１１上に形成された有機発光素子４０と、を備える有機発光ディスプレイ装置。 - 特許庁

The variable capacitance semiconductor element 100 comprises a first semiconductor layer 12 of p-type well formed in an n-type silicon substrate 10, a second semiconductor layer 14 containing p-type impurities formed selectively on the surface part of the first semiconductor layer 12, a gate insulation layer 16 formed on the surface of the second semiconductor layer 14, and an electrode layer 18 formed on the surface of the gate insulation layer 16.例文帳に追加

半導体可変容量素子１００は、ｎ型のシリコン基板１０内に形成されたｐ型ウェルからなる第１半導体層１２、第１半導体層１２の表面部に選択的に形成された、ｐ型の不純物を含む第２半導体層１４、第２半導体層１４の表面に形成されたゲート絶縁層１６、およびゲート絶縁層１６の表面に形成された電極層１８を有する。 - 特許庁

A polyimide film for constituting an insulation layer of a flexible board composed of this insulation layer laid on a conductor layer has a three- layer structure composed of a first, second and third polyimide layers 1, 2, 3, the second layer 2 uses one having approximately the same thermal linear expansion coefficient as the conductor, and the first polyimide layer 1 adjacent the conductor layer is made of sulfo group-contg. polyimide.例文帳に追加

導体層上に絶縁層が配設されてなるフレキシブル基板の当該絶縁層を構成するためのポリイミドフィルムを、第１ポリイミド層１、第２ポリイミド層２及び第３ポリイミド層３の３層構造とし、第２ポリイミド層２として導体と略同一の熱線膨張係数を有するものを使用し、導体層に接する側に配設する第１ポリイミド層１をスルホン基含有ポリイミドから構成する。 - 特許庁

A signal transmission circuit 12 is disposed on an inner layer side so as to achieve a structure that the signal transmission circuit 12 is held between first and second insulation layers 13 and 23 located on an outer layer side.例文帳に追加

信号伝送回路１２は内層側に配置され、外層側にある第１及び第２の導電層１３，２３に挟まれた構造を実現する。 - 特許庁

An insulation film 7 is extended over the conductive layers 5 for interconnection, the cap layer 6, and the air gap 8, covering the top face and side faces of the cap layer 6.例文帳に追加

絶縁膜７は、配線用導電層５、キャップ層６およびエアギャップ８の上に延在し、かつキャップ層６の上面および側面を覆っている。 - 特許庁

The insulation layer 12b is of a crystalline polymer material of the same kind as the resistance layer 12a or a material having approximately the same thermal expansion coefficient.例文帳に追加

前記絶縁体層は、前記抵抗体層と同系の結晶性高分子材料、もしくは略同一の熱膨張係数をもつ材料からなる。 - 特許庁

Since an insulation layer 104 of a thin film or a fine particle layer is formed on the surface of each cathode electrode 103, the discharge method is a fume-discharge.例文帳に追加

また、陰極１０３表面に薄膜又は微粒子層による絶縁体層１０４を形成することで、放電方法を噴霧放電とする。 - 特許庁

A sound absorbing layer 9 is preferably laminated on at least one of an upper surface side of the vehicle body panel and a lower surface side of the sound insulation layer.例文帳に追加

上記車体パネルの上面側及び遮音層の下面側のうちの少なくとも一方には吸音層９が積層されていることが好ましい。 - 特許庁

A MOSFET 1 is provided with an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p well 21, an n^+ source region 22, and an insulation layer 35.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐウェル２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、絶縁層３５とを備えている。 - 特許庁

Convex parts on the surface of the high dielectric thick film layer 4 at light emitting layer 6 side is flattened and total surface is flattened by filling concave parts with grains having insulation property.例文帳に追加

厚膜高誘電体層４の発光層６側の表面の凸部を平坦化するとともに凹部に絶縁性粒子を埋め込んで全体を平坦化する。 - 特許庁

Both the toilet seat heater 450 and the temperature detection sensor 401a are placed between a first metal layer 451 and a first heat-resistant insulation layer 456.例文帳に追加

便座ヒータ４５０と温度検知センサ４０１ａはともに、第１の金属層４５１と第１の耐熱絶縁層４５６との間に配置されている。 - 特許庁

A lower insulation layer 2 is formed on a non-magnetic substrate 1 and a lower shielding layer 3 consisting of a soft magnetic material and having 1 μm thickness is formed thereon.例文帳に追加

非磁性基板１上には下部絶縁層２が形成され、その上に軟磁性材料からなる下部シールド層３が厚み１μｍで形成される。 - 特許庁

A conductive ink containing conductive particles is applied to a region including the through hole 41 on the insulation layer 20 to form a conductive particle layer 31.例文帳に追加

絶縁層２０上の貫通孔４１を含む領域に導電性粒子を含む導電性インクを塗布し、導電粒子層３１を形成する。 - 特許庁

A plurality of wiring layers each consisting of an interlayer insulation film 405 and copper wiring 407 are laid in layers, and a solder resist layer 408 is formed on the uppermost layer.例文帳に追加

層間絶縁膜４０５および銅からなる配線４０７からなる配線層が複数層積層し、最上層にソルダーレジスト層４０８を形成する。 - 特許庁

The n-side wiring layer has an n-side external terminal exposed from the second insulation layer on the third face same as that of the p-side external terminal.例文帳に追加

前記ｎ側配線層は、前記ｐ側外部端子と同じ前記第３の面で、前記第２の絶縁層から露出されたｎ側外部端子を有する。 - 特許庁

To acquire a method for manufacturing a wiring board and a wiring board securing a satisfactory adhesion between a conductive-layer surface and an interlayer insulation layer.例文帳に追加

導体層表面と層間絶縁層との密着性を十分なものとする配線基板の製造方法及び配線基板を提供すること。 - 特許庁

A liquid raw material varnish 11b of the second layer polymethylsilsesquioxane film, as the second layer low-dielectric-constant interlayer insulating film, is coated on the insulation film 11a.例文帳に追加

絶縁膜１１ａの上に第２層低誘電率層間絶縁膜としての第２層ポリメチルシルセスキオキサン膜の液状原料であるワニス１１ｂを塗布する。 - 特許庁

At least one of the plurality of pieces 11 is a test piece 5 for inspecting the state of forming the conductive layer 3 and the interlayer insulation layer 2.例文帳に追加

多数の個片１１のうち少なくとも１個は，導電層３及び層間絶縁層２の形成状態を検査するためのテストピース５である。 - 特許庁

Further, in addition to the above constitution, a tape layer vapor deposited or plated with a metal may be formed between the insulation body 12 and the lateral winding shield layer 13.例文帳に追加

さらに上記構成に加えて、絶縁体１２と横巻シールド層１３との間に、金属が蒸着またはメッキされたテープ層を備えてもよい。 - 特許庁

By individually forming the insulation layer 30 and the external semiconductor layer 40 by extrusion, the wire reasonably lowered in adhesiveness between both the layers can be provided.例文帳に追加

絶縁層30と外部半導電層40とを個別に押出形成することで、両層の密着性を適度に低下させた電線を得ることができる。 - 特許庁

The carbon insulation film 16 is a photothermal conversion layer applied in the laser annealing process, and is a left-over part of the photothermal conversion layer.例文帳に追加

カーボン絶縁膜１６は、このレーザーアニール処理において適用される光熱変換層であり、当該光熱変換層の一部を残したものである。 - 特許庁

In addition, a control electrode 26 is provided at the site corresponding to the positive-hole holding region 33 in the principal surface of the element forming layer 22 through the insulation layer 24.例文帳に追加

さらに、素子形成層２２の主表面のうち正孔保持領域３３に対応する部位に絶縁層２４を介して制御電極２６が設けられる。 - 特許庁

To provide a magnetic detection element capable of achieving a high recording density corresponding to a narrow gap, while enhancing electric insulation between a terminal layer and a shielding layer.例文帳に追加

端子層とシールド層との間の電気絶縁性を高めるとともに、狭ギャップに対応した高記録密度を達成可能な磁気検出素子を得る。 - 特許庁

To give heat retaining property and thermal insulation to a bathtub by forming a back layer made of a foam layer having a uniform film thickness on the back of a bathtub main body made of artificial marble.例文帳に追加

人造大理石製の浴槽本体の裏面に均一膜厚の発泡層よりなる裏面層を形成し、保温性や断熱性を付与する。 - 特許庁

The insulation layer is polished so that the stopper layer in the memory region is exposed but the gate electrode in the logic circuit region is not exposed.例文帳に追加

前記メモリ領域内の前記ストッパ層は露出し、かつ、前記ロジック回路領域内の前記ゲート電極は露出しないように、前記絶縁層を研磨する。 - 特許庁

To ensure insulation performance of a gate insulating layer of a 3-layer structure used for a semiconductor element, and to provide a means for stabilizing properties of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子に用いる３層構造のゲート絶縁層の絶縁性を確保すると共に、半導体素子の特性を安定させる手段を提供する。 - 特許庁

A control gate part CG on the first gate electrode layer GE1 and a memory gate part MG on the second gate insulation layer GI2 are electrically connected with each other.例文帳に追加

第１のゲート電極層ＧＥ１上のコントロールゲート部分ＣＧと第２のゲート絶縁層ＧＩ２上のメモリゲート部分ＭＧとは電気的に接続されている。 - 特許庁

To form an insulation glass layer with high trimming resistance in which a conductor wiring as a base material is hard to be ground when a thin-layer resistor is trimmed.例文帳に追加

薄層の抵抗体５をトリミングしたとき、その下地の導体配線４を削ってしまうことがない耐トリミング性の高い絶縁ガラス層２を形成する。 - 特許庁

At that time, the energy of the impurity ion injection is set so that the depletion layer of the n+-type semiconductor region 15 can be prevented from reaching an SOI insulation layer 2.例文帳に追加

この時、不純物イオン注入のエネルギーはｎ^+型半導体領域１５の空乏層がＳＯＩ絶縁層２まで達しないように設定する。 - 特許庁

In the drawing, a barrier metal layer BMTL is formed to touch at least the contact region, i.e., diffusion layer 13, formed beneath an interlayer insulation film 12.例文帳に追加

図において、少なくとも層間絶縁膜１２下層のコンタクト領域である拡散層１３に接触するバリアメタル層ＢＭＴＬが形成されている。 - 特許庁

An insulation layer 2 for spacing a plurality of conductor wires 1 from a ground layer 3 uses a laminate of a plurality of insulative films 7a, 7b, etc.例文帳に追加

複数の導体線１とアース層３とを離間するための絶縁層２として、複数の絶縁性の絶縁フィルム７ａ，７ｂ等を積層したものを用いる。 - 特許庁

Further, the diffusion of Na can be prevented by using an Al based material for the wiring material and SiN for the inter-layer insulation layer.例文帳に追加

さらに、配線材料にＡｌ系材料を用い、さらに層間絶縁層にＳｉＮを用いることによりＮａの拡散を防止することができる。 - 特許庁