「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device comprises an insulation layer 20 having first trenches 22a each serving as a starting point for crystallizing a semiconductor layer 26 into a single crystal and second trenches 22b each serving as a reference for alignment having a larger width than that of the first trench 22a, and a semiconductor layer 26 provided above the insulation layer 20.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体層２６を単結晶化する際の起点となる第１溝部２２ａと、アライメントの際の照準となり、該第１溝部２２ａと比して大きい幅を有する第２溝部２２ｂとが設けられた絶縁層２０と、 前記絶縁層２０の上方に設けられた半導体層２６と、を含む。 - 特許庁

A micro coil is formed on an insulation layer, a conductive layer is formed on a magnetic electrode film, and a coil formation step where the insulation layer is formed on the micro coil is repeated for corresponding times to the number of coil windings, then the conductive layer on the magnetic electrode film is removed, and a magnetic material is applied thereto so as to form a coil.例文帳に追加

絶縁層上に微細コイルを形成し、磁性電極膜上に導電層を形成し、微細コイル上に絶縁層を形成するコイル形成工程をコイル巻回数に応じた回数だけ繰り返し、磁性電極膜上の導電層を除去してそこに磁性材を充填してコイルを形成する。 - 特許庁

An upper substrate having an opening and formed with a circuit and an insulation coating layer on a surface layer, an inter-substrate connection sheet having an opening and having a conductive hole having a through-hole filled with conductive paste, and a lower substrate formed with a circuit and an insulation coating layer on a surface layer are laminated, and heat and pressure are applied thereto.例文帳に追加

開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とが形成された上側基板と、開口部を有し貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を有する基板間接続シートと表層に回路と絶縁被膜層とが形成された下側基板を積層し加熱加圧する。 - 特許庁

The gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11; and a gate electrode 14 including a multilayer of a metallic member, a tantalum nitride layer 141, a tantalum layer 142 of body-centered cubic lattice phase, and a tantalum nitride layer 143 is provided on the gate insulation film 13.例文帳に追加

第１導電型（Ｐ型またはＮ型）の半導体層１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３及びこのゲート絶縁膜１３上に金属部材、窒化タンタル層１４１、体心立方格子相のタンタル層１４２、窒化タンタル層１４３の積層を含むゲート電極１４が構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an insulation layer 20 provided with a plurality of recesses 24 in the surface thereof, and a wiring layer 30 connected electrically with an electrode 12 and formed on the surface of the insulation layer 20 while passing above the recesses 24, wherein the wiring layer 30 is provided with an external terminal 60 at a position avoiding the part above the recess 24.例文帳に追加

半導体装置は、表面に複数の凹部２４が形成された絶縁層２０と、電極１２に電気的に接続されて凹部２４上を通って絶縁層２０の表面に形成された配線層３０と、を含み、配線層３０には、凹部２４上の部分を避ける位置に外部端子６０が設けられている。 - 特許庁

By the release of oxygen from the base insulation layer, the oxygen defect in the oxide semiconductor layer and the interface state between the base insulation layer and the oxide semiconductor layer can be reduced; thus, a semiconductor device with less variation in electric characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

前記下地絶縁層から酸素が放出されることにより、前記酸化物半導体層中の酸素欠損及び前記下地絶縁層と前記酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

A TFT layer including a semiconductor layer, a gate insulation film 104, a gate electrode, an insulation film 106 between layers, a drain electrode, a source electrode, an inorganic passivation film 109 and an organic passivation film 110 is formed on a glass substrate, and transfers the TFT layer and an etching stop layer 101 on a plastic substrate 10 through an adhesive 11.例文帳に追加

半導体層、ゲート絶縁膜１０４、ゲート電極、層間絶縁膜１０６、ドレイン電極、ソース電極、無機パッシベーション膜１０９、有機パッシベーション膜１１０を含むＴＦＴ層をガラス基板上に形成し、ＴＦＴ層およびエッチング停止層１０１を、接着材１１を介してプラスチック基板１０上に転写する。 - 特許庁

A gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11; and a gate electrode 14 including a multilayer of a tantalum nitride layer 141, a tantalum layer 142 of body-centered cubic lattice phase, and a tantalum nitride layer 143 is formed on the gate insulation film 13.例文帳に追加

第１導電型（Ｐ型またはＮ型）の半導体層１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３及びこのゲート絶縁膜１３上に窒化タンタル層１４１、体心立方格子相のタンタル層１４２、窒化タンタル層１４３の積層を含むゲート電極１４が構成されている。 - 特許庁

Adhesive power of the sealant and a lower plate 4 is strengthened by totally or partially removing the organic protective layer or the organic protective layer and the gate insulation layer in the region which is coated with the sealant so as to make the sealant directly be in contact with the gate insulation layer or a lower glass 20.例文帳に追加

本発明によると、シーリング剤が塗布される領域の有機保護膜または有機保護膜及びゲート絶縁膜を全体または部分的に除去してシーリング剤がゲート絶縁膜または下部ガラスと直接に接するようにすることでシーリング剤と下板の接着力を強化させることができる。 - 特許庁

In the wiring board where the surface layer of an insulation layer material 1 in that a wiring pattern 2 is formed is coated with a cover coat material, the cover coat material is a glass thin film 3 which is deposited through chemical reaction, and the surface layer of the insulation layer material 1 is coated, excluding the position of the electrode 2A formed by the wiring pattern 2.例文帳に追加

配線パターン２が形成された絶縁層材１の表層がカバーコート材によってコートされた配線基板において、カバーコート材は、化学反応により析出されたガラス薄膜３であり、配線パターン２によって形成される電極２Ａの位置を除いて絶縁層材１の表層をコートする。 - 特許庁

The spin torque oscillator includes an oscillation layer comprising a magnetic body, a spin injection layer comprising a magnetic body and injecting spin into the oscillation layer, and a current constriction layer having an insulation part comprising an oxide or a nitride and a conductive part comprising a nonmagnetic metal penetrating the insulation part in the lamination direction.例文帳に追加

実施形態に係るスピントルク発振子は、磁性体からなる発振層と、磁性体からなり前記発振層にスピンを注入するスピン注入層と、酸化物または窒化物からなる絶縁部および前記絶縁部を積層方向に貫通する非磁性金属からなる導電部を有する電流狭窄層とを有する。 - 特許庁

The bottom face, side faces, and top face of a semiconductor structure 3 which comprises a silicon substrate 5, columnar electrodes 15, and columnar electrodes 16 for heat dissipation are coated with a base plate 1 formed of resin, etc., lower layer overcoating film 36, insulation layer 18, upper layer insulation film 19, and upper layer overcoating film 26.例文帳に追加

シリコン基板５、柱状電極１５および放熱用柱状電極１６を有する半導体構成体３の下面、側面および上面は、樹脂等からなるベース板１、下層オーバーコート膜３６、絶縁層１８、上層絶縁膜１９およぴ上層オーバーコート膜２６によって覆われている。 - 特許庁

After forming an organic insulation layer 12 on wiring layers 21 and 22, a short-circuit portion 23 of the wiring layers 21 and 22 is irradiated with a laser beam LB of a wavelength having transparency to the organic insulation layer 12 through the organic insulation layer 12, or a laser beam LB of a wavelength having transparency to a substrate 11 through the substrate 11.例文帳に追加

配線層２１，２２の上に有機絶縁層１２を形成したのち、配線層２１，２２の短絡部２３に、有機絶縁層１２に対して透過性を持つ波長のレーザ光ＬＢを有機絶縁層１２を介して照射、または基板１１に対して透過性を持つ波長のレーザ光ＬＢを基板１１を介して照射する。 - 特許庁

Further, an insulation separating structure is configured not by PN separation but an insulation separating layer 3 formed by a semi-insulative intrinsic layer, so that noise propagation at a high frequencies by absorbing high-frequency noise by the insulation separating layer 3 can be executed, thereby the generation of the leakage current can be suppressed at a high temperature.例文帳に追加

また、ＰＮ分離ではなく、半絶縁性のイントリンシック層にて構成された絶縁分離層３によって絶縁分離構造を構成しているため、絶縁分離層３によって高周波ノイズを吸収することによる高周波でのノイズ伝播の抑制を行えると共に、高温時でのリーク電流の発生の抑制を行うことが可能となる。 - 特許庁

The wiring board includes: a first insulation layer 10; first upper wires 11-17 embedded in the upper part of the first insulation layer 10; first lower wires 21-27 embedded in the lower part of the first insulation layer 10; and central vias 31 and 32 comprising solder balls connecting the upper wires 12 and 16 with the lower wires 22 and 26.例文帳に追加

第１の絶縁層１０と、第１の絶縁層１０の上部に埋設された第１の上部配線１１〜１７と、第１の絶縁層１０の下部に埋設された第１の下部配線２１〜２７と、第１の上部配線１２，１６と第１の下部配線２２，２６とを接続する半田ボールからなる中央ビア３１，３２とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate, a plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, an insulation film formed among the plurality of diffusion layer patterns formed on top of the semiconductor substrate, and a pass-through plug which is not in contact with the plurality of diffusion layer patterns and has its part surrounded by the insulation film and is formed through the insulation film and the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成された複数の拡散層パターンと、半導体基板上の複数の拡散層パターン間に形成された絶縁膜と、複数の拡散層パターンには接することなくその一部が絶縁膜に包囲されて絶縁膜および半導体基板を貫通して形成された貫通プラグとを具備する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of mitigating compression stress in a diffusion preventing film without neither changing the dielectric constant, etc., of an inter-layer insulation film with embedded wiring formed therein, nor giving damage to the inter-layer insulation film, and increasing hardness and elastic modulus in the inter-layer insulation film.例文帳に追加

本発明は、埋め込み配線が形成されている層間絶縁膜の誘電率等を変化させること無く、また当該層間絶縁膜にダメージを与えること無く、拡散防止膜の圧縮応力を緩和することができ、さらには、当該層間絶縁膜の硬度および弾性率を増加させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, the board main surface 1A and the board back surface 1B are respectively turned to the coarse surfaces whose surface roughness is lower than the surfaces 12A and 14A of the main surface inner side resin insulation layer 12 and the back surface inner side resin insulation layer 14.例文帳に追加

また、基板主面１Ａ及び基板裏面１Ｂは、それぞれ、主面内側樹脂絶縁層１２及び裏面内側樹脂絶縁層１４の表面１２Ａ，１４Ａよりも表面粗さが小さい粗化面となっている。 - 特許庁

In the incorporation step, an interlayer insulation layer 35 is formed on the capacitor body 104 under a state where the capacitor body 104 is arranged on an interlayer insulation layer 33 thus incorporating the capacitor body 104 in the laminate.例文帳に追加

内蔵工程では、キャパシタ本体１０４を層間絶縁層３３上に配置した状態で、キャパシタ本体１０４上に別の層間絶縁層３５を積層することにより、積層部内にキャパシタ本体１０４を内蔵する。 - 特許庁

Thereafter, if the insulation layer 270 is polished by CMP, a polishing speed in the periphery of the chip 900 is suppressed by the newly generated projecting parts on the top face of the insulation layer 270, and a polished amount is also reduced.例文帳に追加

その後、絶縁層２７０をＣＭＰ法を用いて研磨すると、絶縁層２７０の上面に新たな凸部が発生したことによって、チップ９００の外周部における研磨速度が抑えられて、研磨される量も少なくなる。 - 特許庁

Since an insulation layer 16 is formed in a part used as a current path of this surge current between the protective circuit 13 and the internal circuit 12, the insulation layer 16 prevents the surge current from flowing into the internal circuit 12.例文帳に追加

保護回路１３と内部回路１２との間のこのサージ電流の電流パスとなる所には、絶縁体層１６を形成しているので、この絶縁体層１６が内部回路１２へサージ電流が流れ込むことを阻止する。 - 特許庁

In the heat dissipating substrate 100, a part of the second pore is filled by the first circuit 30, and the second insulation layer 40 is filled in the second pore so as to form a flat surface together with the first insulation layer 20.例文帳に追加

また、本発明の放熱基板１００は、第１回路層３０が第２ポアの一部を充填して、第２絶縁層４０が第１絶縁層２０と平坦面を成すように第２ポアに充填されたことを特徴とする。 - 特許庁

A bare chip 16 is incorporated into the insulation layer 9 while it is electrically connected to the wiring 10 and 11, and feedthrough electrodes 21 and 22 are incorporated into the insulation layer 8, while being electrically connected to the wiring 2, 3, 10, and 11.例文帳に追加

絶縁層９にベアチップ１６が配線１０，１１と電気的に接続された状態で内蔵され、絶縁層８においてフィードスルー電極２１，２２が配線２，３，１０，１１に電気的に接続された状態で内蔵されている。 - 特許庁

This laminated layer structural body is formed by metallic nano-pillar material, penetrated by the plurality of metallic nano-pillars 20, 0, 40 of which the length is roughly constant, and constituted with a plurality of insulation layers formed by insulation layer material laminated.例文帳に追加

金属ナノピラーの材料で形成されかつその長さが略一定である複数の金属ナノピラーによって貫通され、絶縁層の材料で形成された絶縁層を複数積層した状態で有してなる積層構造体である。 - 特許庁

An anode wire WYA1 extending from a segment A1 is entirely covered by an insulation layer 3, and the insulation layer 3 is removed from its portion electrically connected to an inter-anode connection wire WXA to form an opening part CH.例文帳に追加

セグメントＡ１から延在する陽極配線ＷＹＡ１は全体が絶縁層３で覆われ、陽極間接続配線ＷＸＡと電気的に接続される部分においては絶縁層３が除去され開口部ＣＨとなっている。 - 特許庁

The printed wiring board 10 has an insulation layer 42 formed of an interlayer resin insulator forming an interlayer resin insulation layer of a build-up multilayer wiring board, and is thereby thin, so that heat from a mounted IC chip 60 can be efficiently dissipated.例文帳に追加

プリント配線板１０は、絶縁層４２がビルドアップ多層配線板の層間樹脂絶縁層を構成する層間樹脂絶縁材からなるため、薄く、搭載するＩＣチップ６０からの熱を効率的に逃がすことができる。 - 特許庁

To provide an image forming method and device which prevents dielectric breakdown of an insulation layer by reducing the electric field intensity between a discharge electrode and a heater electrode facing each other through an insulation layer.例文帳に追加

絶縁層を介して対峙する放電電極と発熱用電極との間に生じる電界の強度を微弱化させることによって、絶縁層の絶縁破壊を防止し得る画像形成方法及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A circuit board for an inner layer electrically connects with an outer layer circuit through conduction holes of an insulation base material for interlayer connection, and a hardening part is selectively formed on the insulation base material for the interlayer connection.例文帳に追加

内層用回路基板と外層回路が層間接続用絶縁基材の導通孔を介して電気的に接続され、前記層間接続用絶縁基材には選択的に硬化部が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11, and a gate electrode 14 of polycide structure including a silicide layer 19 is formed on the gate insulation film 13.例文帳に追加

第１導電型（Ｐ型またはＮ型）の半導体層１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３及びこのゲート絶縁膜１３上にシリサイド層１９を含むポリサイド構造のゲート電極１４が構成されている。 - 特許庁

The interlayer insulation film is then removed and the first magnetic layer, the tunnel insulation film and the second magnetic layer are machined integrally using the mask material as an etching mask to form a lower electrode, a tunnel barrier and an upper electrode on the lower interconnections.例文帳に追加

層間絶縁膜を除去し、マスク材をエッチングマスクとして、第１磁性層、トンネル絶縁膜、および第２磁性層を一体的に加工して、下部配線上に、下部電極、トンネルバリア、および上部電極を形成する。 - 特許庁

In an insulation electric wire in which the circumference of a conductor is coated by an insulating layer containing crosslinked acrylic rubber, the insulation electric wire is configured so that the insulating layer contains a nitrogen-based stabilizer having an aromatic ring as a stabilizer.例文帳に追加

導体の周囲が架橋アクリルゴムを含む絶縁層で被覆されている絶縁電線において、前記絶縁層に安定剤として芳香環を有する窒素系安定剤を含有せしめて絶縁電線を構成した。 - 特許庁

To prevent detrimental effect on the characteristics of a semiconductor device by preventing contamination and film wear of an insulation film, in formation of a contact between a first conductive film of the lower layer and a second conductive film of the upper layer, which are set apart from each other by an insulation film.例文帳に追加

絶縁膜で隔てられた下層の第１の導電膜と上層の第２の導電膜とのコンタクトの形成において、絶縁膜の汚染や膜減りを防止し、半導体装置の特性に悪影響を及ぼさない。 - 特許庁

A one-layer structure part 2 is provided on a bottom wall part 1B of a container body 1 having a heat insulation multi-layered structure on at least a side wall part 1A, and a heat insulation structural body 3 is attachably/detachably provided on the one-layer structure part 2.例文帳に追加

少なくとも側壁部１Ａに断熱多層構造を有する容器本体１の底壁部１Ｂに一層構造部２が設けられ、この一層構造部２には断熱構造体３が着脱自在に設けられたものである。 - 特許庁

To provide a display device, in which the electrode on the upper end of a semiconductor light-emitting element that is fixed to a substrate surface by means of an insulation layer, is ledout to the upper surface of the insulation layer by a simple and sure means, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

基体面に絶縁層で固定された半導体発光素子の上端部電極が簡易かつ確実な手段で絶縁層の上面へ引き出された表示装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

First inspection balls 18a and second inspection balls are disposed on a package substrate 10 and the first inspection balls 18a and the second inspection balls are connected to a wiring formed through a lowest insulation layer 19 to a top insulation layer 19.例文帳に追加

パッケージ基板１０に、第１検査ボール１８ａ、第２検査ボールを設け、その第１検査ボール１８ａ、第２検査ボールを、最下層の絶縁層１９から最上層の絶縁層１９を経由して形成された配線を接続する。 - 特許庁

The 100% modulus Mi of the insulation rubber layer 7 is 150-300% of the 100% modulus Mc of a topping rubber of a carcass 6 and the JISA rubber hardness HSi of the insulation rubber layer is 115-150% of the JISA rubber hardness HSc of the topping rubber.例文帳に追加

このインシュレーションゴム層８の100%モジュラスＭｉは、カーカス６のトッピングゴムの100%モジュラスＭｃの１５０〜３００％、かつインシュレーションゴム層のＪＩＳＡゴム硬度ＨＳｉは、前記トッピングゴムのＪＩＳＡゴム硬度ＨＳｃの１１５〜１５０％である。 - 特許庁

The speaker utilizing the joule heating is provided with a silicon wafer 1, a heat insulation layer 2 formed by applying anodic oxidation to part of the silicon wafer 1 and a heat generating electrode 3 made of aluminum formed on the heat insulation layer 2.例文帳に追加

ジュールヒーティングを利用したスピーカであって、シリコンウエハ１と、シリコンウエハ１の一部を陽極酸化することにより形成された断熱層２と、断熱層２上に形成されたアルミニウムからなる発熱電極３と、を備える。 - 特許庁

However, the forward mesa inclined surface area MJ is covered with a SiN insulation layer 17, whereby it cannot be used as an electron emission source because electrons cannot jump out into a vacuum by penetrating the insulation layer 17.例文帳に追加

しかしながら、本例では、順メサ斜面領域ＭＪがＳｉＮの絶縁層１７で覆い隠されている為、電子はＳｉＮｘの絶縁層１７を突き抜けて真空中に飛び出すことが出来ず、電子放射源とはならない。 - 特許庁

This piezo-resistance device is applied, for instance, to the measurement of pressure and acceleration and has an electrical insulation layer (32) and at least one piezo-resistance gauge (29) formed on the electrical insulation layer.例文帳に追加

本発明によるピエゾ抵抗デバイスは、例えば圧力や加速度の計測に使用されるものであって、電気絶縁体層（３２）と、この電気絶縁体層上に形成された少なくとも１つのピエゾ抵抗ゲージ（２９）と、を具備している。 - 特許庁

A tantalum oxide film used for the insulation layer 14x contains hydrogen, nitrogen and tungusten, and the lower electrode 13x is comprised of a tantalum film containing oxygen to prevent the entry of hydrogen to the insulation layer 14x from the lower electrode 13x.例文帳に追加

絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜は、水素、窒素およびタングステンを含有し、下電極１３ｘは、下電極１３ｘから絶縁層１４ｘの水素の侵入を防止する酸素を含有するタンタル膜からなる。 - 特許庁

In this case, a gate opening part is constructed by a plurality of openings 16 of which, opening area is smaller than that of the hole of the insulation layer, and respective openings are made to congregate just on the hole of the insulation layer so as to face the emitter.例文帳に追加

この場合、ゲート孔開口部を、絶縁層のホールの開口面積より小さい面積を有する複数個の開口１６ａから構成し、各開口を、エミッタに対向して絶縁層のホール直上に密集させる。 - 特許庁

Even if a plating liquid permeates the inside of the first insulation layer 21 along the interface between the resin material and the fibers 23 in forming the via 16 and the conductive land 15, the plating liquid can be prevented from reaching the surface of the second insulation layer 22.例文帳に追加

ビア１６および導電ランド１５の形成時、たとえ樹脂材料および繊維２３の界面に沿って第１絶縁層２１内にめっき液が染み込んでも、第２絶縁層２２の表面にめっき液の到達は回避される。 - 特許庁

To provide a heat insulating layered structure which is not only excellent in heat insulation, but also inseparable between each layer as a single unit of whole layered structure, and provided with a long life of its heat insulation coating, especially of its exterior ceramic layer.例文帳に追加

優れた遮熱特性の他に、その層組織全体を単一ユニットとして、個々の層が互いに分離されることなく、その遮熱性被覆、特にその外側セラミックス層が長い寿命を有する遮熱性層組織を提供する。 - 特許庁

The MIM diode 18 is formed of a lamination of the lower metal layer 30, the insulation layer 32 and the upper metal layer 34 in the thickness direction, and the lower metal layer 30 and the upper metal layer 34 are respectively connected to the end portions of the pair of antenna patterns 14 and 16 facing each other.例文帳に追加

ＭＩＭダイオード１８は、下金属層３０、絶縁層３２、及び上金属層３４が厚み向に積層して設けられ、下金属層３０及び上金属層３４が一対のアンテナパターン１４，１６の互いに対向する端部にそれぞれ接続している。 - 特許庁

Furthermore, an n-GaAs layer 24 continuous to the collector layer is formed with same height as the emitter layer while being separated by a second insulation layer 26 formed on the side of the emitter layer thus realizing a planar structure the electrodes of collector, base and emitter are formed at same height.例文帳に追加

更にベース層の側部に形成する第２の絶縁層２６により分離されて前記コレクタ層に連なるｎ-ＧaＡs層２４を前記エミッタ層と同一高さに形成し、コレクタ、ベース、エミッタの各電極形成位置を同一高さとしたプレーナ構造を実現する。 - 特許庁