「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polishing material for an insulation film layer of a semiconductor capable of improving a polishing speed in the abrasion of an insulation film layer of a semiconductor by CMP method, at the same time, capable of reducing scratch and dust, and having excellent quality.例文帳に追加

ＣＭＰ法による半導体の絶縁膜層の研磨にあたり、研磨速度の向上が図れ、同時にスクラッチ及びダストを低減できる、品質の優れた、半導体の絶縁膜層用研磨剤を提供すること。 - 特許庁

On an insulation substrate 1, having a formed gate electrode 2, a gate insulation film 3, an intrinsic semiconductor layer 4, and a low- resistance semiconductor layer 5 are formed successively, to form thereafter a channel-protecting pattern 6 in a channel portion.例文帳に追加

ゲート電極２を形成した絶縁性基板１上に、順次ゲート絶縁膜３、真性半導体層４、及び低抵抗半導体層５を形成した後、チャンネル部分にチャンネル保護パターン６を形成する。 - 特許庁

This flat coil is provided with a disc-like insulation layer 10 and a winding 11 of N turn (N: integer of 2 or more) that a plate-like conductor is arranged spirally on one surface of the insulation layer 10.例文帳に追加

平面コイルは、円板状の絶縁層１０と、絶縁層１０の一方の面において平板状の導体が渦巻き状に配置されて形成されたＮターン（Ｎは２以上の整数）の巻線１１とを備えている。 - 特許庁

In the middle layer on the boom base end side except for the complete insulation part 410, a reinforcement layer 412 using high strength members of a steel plate, aluminum alloy plate, CFRP(carbon fiber reinforced plastic), etc. is formed, thereby the insulation boom 41 is composed.例文帳に追加

完全絶縁部４１０を除くブーム基端側の中間層には、鋼板やアルミ合金板、ＣＦＲＰ等の高強度部材を用いた補強層４１２が形成され、絶縁ブーム４１が構成される。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a thick film circuit component which enables the maintenance of the insulation of a glass layer by avoiding the instability in insulation state of the glass layer which is caused by the generation of pin holes therein.例文帳に追加

ガラス層にピンホールが発生してガラス層の絶縁状態が不安定になるということがなく、ガラス層の絶縁性を確保できる厚膜回路部品の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A first insulation layer, a floating gate, a second insulation layer, and a control gate are provided on a semiconductor substrate having a channel forming region between a pair of impurity regions formed while spaced apart from each other.例文帳に追加

互いに離間して形成された一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を形成する半導体基板と、その上層部に、第１の絶縁層、浮遊ゲート、第２の絶縁層、制御ゲートを設ける。 - 特許庁

To provide a ventilation layer being simple and effective in external thermal insulation on a roof face, prevention of dew condensation, warm air floor heating and thermal insulation on a floor face by providing the ventilation layer on an outer side of a roof and below an indoor floor.例文帳に追加

本発明は、屋根外側および室内床下に通気層を設けて、屋根面での外断熱、結露防止、床面での温風床暖房と断熱に簡易で有効な通気層を提供することを目的とする。 - 特許庁

This greening thermal insulation building material 21 has such a structure that a greening layer 26 containing soil 33 for vegetating plants 34 on the surface of a thermal insulation layer 25 comprising hard foams 27, 29 and a waterproof sheet.例文帳に追加

硬質発泡体２７，２９と防水シート２８とよりなる断熱層２５の表面に、植栽物３４を植生させるための土壌３３を含む緑化層２６を設けて、緑化断熱建築材２１を構成する。 - 特許庁

Outer peripheral portions of terminal outer surfaces 41a and 42a of the connection terminals 41 and 42 are covered with the resin insulation layer 24, and outer peripheral portions of terminal outer surfaces 45a of the connection terminals 45 are covered with the resin insulation layer 20.例文帳に追加

接続端子４１，４２の端子外面４１ａ，４２ａの外周部は樹脂絶縁層２４により被覆され、接続端子４５の端子外面４５ａの外周部は樹脂絶縁層２０により被覆される。 - 特許庁

To provide a high density wiring substrate whose insulation reliability and connection reliability between through-conductors can be improved in the wiring substrate where a layer containing a fiber matter and resin is an insulation layer.例文帳に追加

繊維体と樹脂とを含有する絶縁層とする配線基板において、貫通導体間の絶縁信頼性および接続信頼性を向上することを可能とする高密度な配線基板を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor image pickup element, an insulation layer 27 is formed on the transfer gate 23 and the photodiode region 34, and a contact plug 28 piercing through the insulation layer 27 and connected to the transfer gate 23 is formed.例文帳に追加

この半導体撮像素子には、転送ゲート２３及びフォトダイオード領域３４上に絶縁層２７が形成され、この絶縁層２７を貫通して転送ゲート２３に接続するコンタクトプラグ２８が形成されている。 - 特許庁

The thickness (a) of the core substrate 30 is set to 0.2 mm, the thickness (b) of a first interlayer insulation layer 50A on the upper surface side is set to 0.1 mm, and the thickness (c) of a second interlayer insulation layer 50B on the lower surface side is set to 0.1 mm.例文帳に追加

そして、コア基板３０の厚みａを０．２mmに、上面側の第１層間絶縁層５０Ａの厚みｂを０．１mmに、下面側の第２層間絶縁層５０Ｂの厚みｃを０．１mmに設定してある。 - 特許庁

In a multilayer printed wiring board where each insulation layer comprises a nonwoven fabric of aramid fibers impregnated with thermosetting resin, a nonwoven fabric of poly-p phenylene terephthalamide fibers is used in the insulation layer of a core material printed wiring board.例文帳に追加

すべての絶縁層が熱硬化性樹脂含浸アラミド繊維不織布からなる多層プリント配線板において、芯材プリント配線板の絶縁層にはポリｐ−フェニレンテレフタルアミド繊維不織布を使用する。 - 特許庁

In a wiring structure having the wiring length of 1 mm or longer, permittivity of an inter-wiring insulation layer in the widthwise direction of wiring is set higher than the permittivity of the inter-wiring insulation layer in the thickness direction of wiring.例文帳に追加

配線長が１ｍｍ以上の配線構造において、配線の幅方向の配線間絶縁層の誘電率を、前記配線の厚み方向の配線間絶縁層の誘電率より相対的に高くする。 - 特許庁

The second resin insulation layer 4 is molded by injecting a melted resin into the die, and the first resin insulation layer 2 is pressurized and molded by die-fastening pressure of the die and pressure for injecting the molten resin.例文帳に追加

そして、第２樹脂絶縁層４は前記金型へ溶融樹脂を注入して成形され、第１樹脂絶縁層２は金型の型締め圧力と溶融樹脂注入の圧力によって加圧成形される。 - 特許庁

The storage capacitor is provided at least a part inside a groove provided in the substrate penetrating through an insulation film between the semiconductor layer and the gate electrode and an insulation film between the semiconductor layer and the substrate.例文帳に追加

蓄積容量は、半導体層とゲート電極との間の絶縁膜及び半導体層と基板との間の絶縁膜を貫通するとともに基板に設けられた溝内の少なくとも一部に設けられている。 - 特許庁

To obtain a high-performance abrasive agent for an insulation film layer for semiconductors permitting improvement in an abrasion speed and concurrent reduction in scratch and dust on abrading an insulation film layer for semiconductors by the CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法による半導体の絶縁膜層の研磨にあたり、研磨速度の向上が図れ、同時にスクラッチ及びダストを低減できる高性能な半導体の絶縁膜層用研磨剤を提供すること。 - 特許庁

The plural conductors 10 are disposed in parallel in the insulation coating layer 11, and a reinforcement means 31 moldable by avoiding the conductor 10 and capable of holding the molded condition is provided in the insulation coating layer 11.例文帳に追加

絶縁被覆層１１の内部に複数の導体１０を平行に配置し、絶縁被覆層１１内には導体１０を避けて成形可能且つ成形状態を保持しうる補強手段３１が設けられている。 - 特許庁

A projection forming member 14 is adhered and made to one united body for forming a ventilation layer to make a projected portion for forming a ventilation layer to a board-shaped insulation member 12 constituted with an inorganic fiber mat, and the heat insulation member 11 is formed.例文帳に追加

無機繊維マットで構成されたボード状の断熱部材１２に、通気層を形成するための凸部を形成するよう凸部形成部材１４を貼り合わせて一体化し、断熱材１１を形成する。 - 特許庁

An insulation layer placed only on an SEG (segment) substrate is formed by cleaning a plastic substrate, subsequently by transferring an ink of the insulation layer material on a treatment electrode with a printing method and by heating and backing it at ≥150°C.例文帳に追加

ＳＥＧ基板にのみ配置される絶縁膜は、プラスチック基板を洗浄した後、透明電極上に絶縁膜材料のインクを印刷法で転写し、１５０℃以上で加熱焼成することにより形成される。 - 特許庁

To provide a multilayered printed wiring board having a filled insulating layer which can guarantee duration for insulation over a long period without losing the electrical insulation performance between very small lower-layer circuit conductors of ≤100 μm in size.例文帳に追加

長期にわたり、１００μｍ以下の微小な下層回路導体間の電気絶縁性能を失うことなく、絶縁寿命を保証できるフィラー入り絶縁層を有する多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

To solve the problems in prior art where the organic insulation resin- made insulation layer had a poor surface planarity, hence it is impossible to raise the wiring density on wiring conductor layers, and the mounting reliability of semiconductor chips is low.例文帳に追加

有機絶縁樹脂から成る絶縁層の表面の平坦性が悪く、配線導体層の高密度化ができず、半導体チップの実装信頼性も低い。 - 特許庁

The sound insulation wall body is provided with a frame body (8) and a plurality of sound insulation cylinders (1) attached to the frame body (8) by providing a gap, and provided with a porous layer (4) capable of venting in the outer peripheral face.例文帳に追加

枠体(8)と、枠体(8)に隙間を設けて取り付けられる複数の防音筒(1)を備え、防音筒(1)は外周面に通気可能な多孔質層(4)が備えられている。 - 特許庁

To provide an organic thin-film transistor which includes an accurate gate insulation layer having a good insulation property, and has a superior adhesiveness between a substrate and a gate electrode, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

緻密で絶縁性の良好なゲート絶縁層を有し、基板とゲート電極との密着性が良好な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, an insulation sealing member 56 is provided between the case members 52, 54, and a bolt 58 fastening the case members 52, 54 is fastened through an insulation layer 60.例文帳に追加

そして、ケース部材５２，５４間には絶縁シール部材５６が設けられるとともに、ケース部材５２，５４を締結するボルト５８が絶縁層６０を介して締結される。 - 特許庁

By setting the insulation supporting film 17 composed of single insulation layer in the diaphragm part D, the heat capacity of the diaphragm part D is reduced so that the infrared detection sensitivity is improved.例文帳に追加

ダイヤフラム部Ｄに、単一の絶縁層からなる絶縁支持膜１７を設けることで、ダイヤフラム部Ｄの熱容量が低減し、赤外線検知感度が向上する。 - 特許庁

To make the overall shape compact, by improving the breakdown voltage characteristic to ground at a part on aerial insulation, on the movable side of a vacuum valve molded with an insulation layer.例文帳に追加

絶縁層でモールドした真空バルブの可動側で、気中絶縁となる部分の対地間の耐電圧特性を向上させ、全体形状の縮小化を図る。 - 特許庁

An electronic component 4 is inserted into a cavity formed at the insulation layer 3a and the insulation 3b is formed by coating and hardening the paste-like material therein.例文帳に追加

絶縁層３ａに設けられたキャビティに電子部品４を挿入し、その上にペースト状の絶縁材料を付与して硬化させることにより絶縁層３ｂを形成する。 - 特許庁

The heat insulation structure of the roof is constructed by arranging a heat insulation layer 73 at least on a single side surface of a roof backing material, or (and) in the interior of the same in a thickness direction.例文帳に追加

防水シートまたは（および）屋根下地材の、少なくとも片側面または（および）厚み方向内部に遮熱層７３を設けた屋根の遮熱断熱構造とした。 - 特許庁

The insulation layer which coats the surface of the ferromagnetic metal particles 6 consists of a plurality of insulation films 5a-5c, each formed of an insulating material hardened individually.例文帳に追加

強磁性金属粒子６の表面をコーティングした絶縁層を、夫々硬化処理された絶縁材からなる複数層の絶縁被膜５ａ〜５ｃで形成する。 - 特許庁

Insulation films 18a, 18b are formed on a side surface of the electrode layer 14a by a thermal oxidation method, and insulation films 18A, 18B are formed on a surface of a substrate.例文帳に追加

熱酸化法により電極層１４ａの側面に絶縁膜１８ａ，１８ｂを形成すると共に基板表面に絶縁膜１８Ａ，１８Ｂを形成する。 - 特許庁

In the insulation oil, an insulating gas substance (for example, nitrogen) which appears as an insulating gas when the pressure at least at a part of the insulation layer 12 becomes negative pressure is dissolved.例文帳に追加

絶縁油は、絶縁層12の少なくとも一部における圧力が負圧になったときに絶縁ガスとして出現する絶縁性ガス物質(例えば、窒素)が溶存されている。 - 特許庁

A heat insulation tape 17 constituting the heat insulation layer 7 is formed of resin, and the inside of which is dispersed with a large amount of hollow powder 19 which is glass-made hollow body.例文帳に追加

断熱層７を構成する断熱テープ１７は、樹脂製であり、内部にガラス製の中空体である中空粉末１９が多数分散したものである。 - 特許庁

An interlayer insulation film 12 and an interlayer insulation film 13 of a next layer selectively etched partway are provided on a fuse cut region of the metal fuse element 11.例文帳に追加

メタルヒューズ素子１１のヒューズカット領域上は層間絶縁膜１２、そして途中まで選択的にエッチングされた次層の層間絶縁膜１３が設けられている。 - 特許庁

To prevent surface leak of a semiconductor device by removing effectively a transmutation layer on an organic insulation film, while controlling the surface roughness of such an organic insulation film as polyimide.例文帳に追加

ポリイミド等の有機絶縁膜の表面荒れを抑制しつつ、効果的に有機絶縁膜上の変質層を除去して、半導体装置の表面リークを防止する。 - 特許庁

An insulation film 140a covers the part of the thin film SOI layer 130 on the groove, and a gate 150a is formed on the insulation film 140a wider than the groove.例文帳に追加

絶縁膜１４０ａが溝上の薄膜ＳＯＩ層１３０の部分を覆い、その絶縁膜１４０ａ上には溝より広くゲート１５０ａが形成されている。 - 特許庁

The layered thermal insulation material 13 is formed from a fiber reinforced cement plate or a gypsum board 4 as an inorganic thermal insulation material containing an inorganic hydrate in a third layer.例文帳に追加

そして、積層された断熱材１３は、第３層を無機水和物を含む無機断熱材である繊維強化セメント板またはせっこうボード４で形成している。 - 特許庁

A silence function is brought out by a fiber heat insulation material having a sound absorption function as the heat insulation material 2 and the resonance to the vent hole 5 and the vent layer 4 at the back of the vent hole 5.例文帳に追加

断熱材２として吸音機能を有する繊維質断熱材を用い、かつ通気口５およびその背後の通気層４に共鳴による消音機能をもたせる。 - 特許庁

A partitioning plate 20 and a urethane form 21 are arranged in a boundary section between a second layer existing thermal insulation material 13 constructed in a pipe arrangement 1 and a newly established thermal insulation material 16.例文帳に追加

配管１に施工された２層目の既存の保温材１３と新設の保温材１６の境界部には仕切板２０と発泡ウレタン２１とを備えている。 - 特許庁

A multilayer insulation-covered electric conductor is provided as a covered metal conductor wherein a lower insulation cover layer that touches the uppermost layer among the multiple insulation cover layers is made of a polyamidimide resin, and the ratio between the number of amide groups and the number of imide groups in the polyamidimide resin is 45:55 to 1:99.例文帳に追加

多層絶縁被覆電気導体であって、多層絶縁被覆層の最上層に接触する下層の絶縁被覆層がポリアミドイミド樹脂からなり、前記ポリアミドイミド樹脂のアミド基数とイミド基数の比率が、アミド基：イミド基で４５：５５〜１：９９である被覆金属導体。 - 特許庁

This tatami bed 11 is formed by arranging a bamboo sheet 13 with bamboo fibers mixed therein on a face of an insulation board 12, adhering a cardboard 15 with an aluminum foil held therein to a reverse side of the insulation board 12, and sewing the insulation board 12, a natural fiber mixed sheet layer and the cardboard layer with each other.例文帳に追加

インシュレーションボード１２の表面側に竹繊維が混入された竹シート１３を配設し、同インシュレーションボード１２の裏面側にはアルミ箔を挟み込んだボール紙１５を接着し、これらインシュレーションボード、天然繊維配合シート層及び厚紙層を縫い合わせて構成する。 - 特許庁

In this method of fabricating a copper damascene structure, an organic insulation film in the thickness of 1 to 100 nm is provided between an inorganic system insulation film and copper diffusion preventing layer, at the time of chemically and mechanically grinding the inorganic system insulation film formed on the copper diffusion preventing layer.例文帳に追加

銅ダマシン構造の製造において、銅拡散防止層上に形成された無機系絶縁膜を化学的機械的研磨する際に、無機系絶縁膜と銅拡散防止層との間に厚さ１〜１００ｎｍの有機系絶縁膜を存在させることを特徴とする銅ダマシン構造の製造方法。 - 特許庁

In the liquid crystal device provided with electrodes 3, 4, formed on surfaces of synthetic resin substrates 1, 2 and covered with insulation protective layers 5, 6, the insulation protective layers 5, 6 with specified layer thickness are formed by laminating plural layers of insulation protective layers 5a, 6a with ≤400 Å layer thickness.例文帳に追加

合成樹脂基板１，２の表面に形成した電極３，４を絶縁保護膜５，６で覆うようにした液晶装置において、膜厚４００オングストローム以下の絶縁保護膜５ａ，６ａを複数層積層して所定膜厚の絶縁保護膜５，６を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The process for producing a substrate for solar cell comprises (i) a step for forming an insulation layer 12 of first insulating material on a metal plate 11 by sol-gel method, and (ii) a step for forming an insulation portion 14 of second insulating material on the surface of the metal plate 11 at a part facing the pinhole portion of the insulation layer 12.例文帳に追加

（ｉ）金属板１１上に、ゾル・ゲル法で第１の絶縁材料からなる絶縁層１２を形成する工程と、（ii）絶縁層１２のピンホール部分に面する金属板１１の表面に、第２の絶縁材料からなる絶縁部１４を形成する工程とを含む。 - 特許庁

A semiconductor device having a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure in which each deuterium concentration near interfaces between a semiconductor substrate and a film or a layer formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation film, a wiring layer and a protective insulation film is 1x1019 cm-3 and over.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁