「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate electrode is positioned via a gate insulation film on the p-type base, held between the n-type source layer and the n-type drain layer, and a drain electrode is formed on the surface of the p-type anode layer and the n-type drain layer.例文帳に追加

ｎ型ソース層とｎ型ドレイン層の間に挟まれたｐ型ベース上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が位置し、ｐ型アノード層とｎ型ドレイン層の表面にドレイン電極が形成される。 - 特許庁

The metal foil excellent in adhesiveness with an insulation layer is provided by forming a surface treating agent layer (a thin layer) of an organic silicon compound on a metal foil and subjecting the surface treating agent layer to a super-heated steam treatment.例文帳に追加

金属箔上に有機ケイ素化合物の表面処理剤層（薄層）を設け、該表面処理剤層を過熱水蒸気処理することにより、絶縁層との接着性に優れた金属箔を提供する。 - 特許庁

Adhesion between the lower layer pattern 2 and the interlayer insulation layer 5 is secured satisfactorily because the surface of the lower layer 2 covered by tin prevents formation of metal oxide on the surface of the lower layer pattern 2.例文帳に追加

これにより，下層パターン２の表面はスズに覆われて，下層パターン２の表面における酸化皮膜の形成が防止されるので，下層パターン２と層間絶縁層５との密着性を十分なものとすることができる。 - 特許庁

The electronic device include an insulating layer 11, wiring 12a, 12b formed on the insulating layer 11, and a solder resist layer 13 formed to cover the insulation layer 11 and the wiring 12a, 12b and including fine particles of an elastomer 14.例文帳に追加

絶縁層１１及び絶縁層１１に設けられた配線１２ａ、１２ｂと、絶縁層１１及び配線１２ａ、１２ｂを覆うように形成され、エラストマ１４の微粒子を含むソルダーレジスト層１３とを具備する。 - 特許庁

An upper insulation layer 9 is provided on the MR element layer 5, the electrodes 7 and the soft magnetic film via a non-magnetic upper gap layer 8, and an upper shielding layer 10 having 3 μm thickness is formed thereon.例文帳に追加

そしてこれらのＭＲ素子層５及び電極７、軟磁性膜の上に、非磁性の上部ギャップ層８を介して上部絶縁層９が設けられ、さらにその上に上部シールド層１０が厚み３μｍで形成される。 - 特許庁

A transistor using a wide bandgap semiconductor layer as a semiconductor layer comprises a structure in which the wide bandgap semiconductor layer is split like islands by an insulation layer having a passivation property in which moisture and atmospheric components less permeate.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体層を半導体層に用いたトランジスタにおいて、水分・大気成分を透過しにくいパッシベーション性を有する絶縁層でワイドバンドギャップ半導体層を島状に分離する構造とする。 - 特許庁

The laminate which is composed of the conductive inorganic substance layer 2, the insulating layer 1 and the conductive inorganic substance layer 3 is wet-etched, the layers 2, 3 are patterned, and the insulation layer 1 is wet-etched so as to be patterned.例文帳に追加

導電性無機物層２—絶縁層１−導電性無機物３層からなる積層体をウェットエッチングにより導電性無機物層２，３のパターニング、次いでウェットエッチングにより絶縁層１のパターニングを行う。 - 特許庁

An outside vent layer 2 is provided at an outdoor side of the plastic foam heat insulation layer 5 which insulates heat and, at the same time, the building 1 having a wall inside passage (inside vent layer) 3 on the indoor side of the heat insulating layer 5 is set as a premise.例文帳に追加

断熱を施す発泡プラスチック系断熱層５の屋外側に外側通気層２を有するとともに、断熱層５の屋内側に壁体内通路（内側通気層）３を有する建物１を前提とする。 - 特許庁

In addition, an insulation layer or a high resistance layer is provided between the p-side contact layer 43 and a p-side electrode 52, corresponding to other areas excluding both ends of the active layer 30 in the direction A of the resonator.例文帳に追加

または、ｐ側コンタクト層４３とｐ側電極５２との間に、絶縁層または高抵抗層が、共振器方向Ａにおける活性層３０の両端部を除く他の領域に対応して設けられている。 - 特許庁

Because ends of the island-like wide bandgap semiconductor layer contact the insulation layer in this structure, a phenomenon of entry of moisture and atmospheric components into the wide bandgap semiconductor layer from ends of the semiconductor layer can be prevented.例文帳に追加

該島状のワイドバンドギャップ半導体層の端部がその絶縁層と接する構成となるため、半導体層の端部からワイドバンドギャップ半導体層に水分・大気成分が侵入する現象を防止できる。 - 特許庁

In this case, an interval between the floating wiring layer 6c and the grounded wiring layer 6a is formed so as not to exceed the breakdown voltage of the layer insulation film 7 due to an electric field applied to the floating wiring layer 6c in a manufacturing process.例文帳に追加

このとき、浮遊配線層６ｃと接地配線層６ａとの間隔は、製造過程で浮遊配線層６ｃに印加される電界によって層間絶縁膜７の絶縁耐圧を超えないように形成する。 - 特許庁

The inorganic EL element 1 is manufactured by laminating transparent electrode patterns 8 perpendicularly crossing a reaction prevention layer 5, a light emitting layer 6 an upper insulation layer 7, and a metal electrode pattern 3, on the high dielectric thick film layer 4.例文帳に追加

厚膜高誘電体層４の上に、反応防止層５、発光層６、上部絶縁層７、および金属電極パターン３と直交する透明電極パターン８を積層して無機ＥＬ素子１を作製する。 - 特許庁

A bag inner side of the baglike shielding body 5 is an insulation layer, a bag outer side is a conductive layer, and the shielding body 4 is electrically connected to the conductive layer via an opening part of a bag.例文帳に追加

この袋状シールド体５の袋内側が絶縁層、また、袋外側が導電層であり、袋の開口部を介して遮蔽シールド体４と導電層とが電気的に接続される。 - 特許庁

The soundproofing pipe body 11 is provided with a pipe body 12, a sound-absorbing layer 13 covering the outer peripheral surface of the pipe body 12, and a sound-insulation layer 14 covering the outer peripheral surface of the sound-absorbing layer 13.例文帳に追加

防音管体１１は、管体１２とその管体１２の外周面を被覆する吸音層１３と、その吸音層１３の外周面を被覆する遮音層１４とを備えている。 - 特許庁

A plated conductive substrate layer 230 is formed between an insulation layer and the patterned thin film 23 comprising a plated film, and a frame adhesion reinforcing layer 200 is partially attached or the surface of it.例文帳に追加

メッキ導通下地層２３０は、絶縁層２５とメッキ膜からなるパターン化薄膜２３の間に形成され、表面にフレーム密着増強層２００が部分的に付着している。 - 特許庁

The upper end of the electrode 15 is electrically connected to the transparent common electrode layer 13 and the lower end is provided with an insulation layer 17, which is electrically isolated from the common electrode layer 12.例文帳に追加

電極１５の上端は透明共通電極層１３と電気的に接続し、下端側は絶縁層１７を設けて共通電極層１２と電気的に絶縁する。 - 特許庁

Also, the other metal layers 10 and 12 for composing the inductor 1 are formed while being in contact with the upper surface part of the metal layer 6 at the lowest layer that is not covered with the second insulation layer 8.例文帳に追加

また、インダクタ１を構成する他の金属層１０，１２が、第２絶縁層８に覆われていない最下層の金属層６の上面部分に接触して形成されている。 - 特許庁

In the substrate from the first main surface side p-type base layer 2 as far as the n-type stopper layer 6, only the layer end is covered with a high resistance film 11, and the other part is covered with an insulation film 9.例文帳に追加

そして、第１の主面側ｐ型ベース層２からｎ型ストッパー層６までの基板上は、層端だけ高抵抗膜１１で覆われ、その他は絶縁膜９で覆われている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flexible flat cable with a shield where a metal shielding layer, which firmly adheres to a polyethylene terephthalate film insulation layer and can be made a thin layer, can be formed.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレートフィルム絶縁層と強固に密着するとともに薄層化が可能な金属シールド層を形成できるシールド付フレキシブルフラットケーブルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an insulation wire reduced in adhesive force of a conductor to an insulating layer inducing wire disconnection and defective removal of the insulating layer in peeling the insulating layer and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

絶縁層の剥ぎ取り時の断線や絶縁層除去不良の原因となる導体と絶縁層の接着力が低減されている絶縁電線、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulation layer 2 is formed with a thermosetting resin layer 3 formed by impregnating a thermosetting resin containing an inorganic filler into glass cloth and by curing the resin, and a liquid-crystal polymer resin layer 4.例文帳に追加

前記絶縁層２が、無機フィラーを含有する熱硬化性樹脂をガラスクロスに含浸して硬化させた熱硬化性樹脂層３と、液晶ポリマー樹脂層４とで形成されている。 - 特許庁

The foamed product 1 is divided into a surface layer 3 including no bubble and a foamed layer 4 including bubbles 5, and the surface layer 3 gives high mechanical strength and thermal insulation performance to the foamed product.例文帳に追加

発泡体１は、気泡のない表皮層３と気泡５のある発泡層４に別れ、表皮層３により機械的強度が高く、断熱性能も高い発泡体となった。 - 特許庁

Alternatively, thickness of the insulation rubber surrounding the cord of the belt layer between an outer edge part of the outer belt layer and an inner edge part of the inner belt layer is thicker than 0.6 mm and is thinner than 1.3 mm.例文帳に追加

あるいは、ベルト層のコードを囲むインシュレーションゴムの、外側ベルト層の外側縁部と内側ベルト層の内側縁部との間の厚さが０．６ｍｍより厚く、１．３ｍｍより薄い。 - 特許庁

This EL intermediate sheet comprises an insulating substrate 1, a pair of electrodes 2, a high dielectric layer 3, an electric insulation layer 4, a luminescent layer 5, and arbitrary characters or patterns formed by using a conductive substance 6.例文帳に追加

絶縁性基板１と、１対の電極２と、高誘電体層３と、電気絶縁層４と、発光層５と、導電性物質６を用いて形成される任意の文字やパターン、とからなる。 - 特許庁

In this process, a double-fitting opening part with double-fitting copper structure is formed in a composite insulation layer, consisting of a silicon oxide layer and a multiple silicon nitride stop layer.例文帳に追加

本工程は、二重嵌入銅構造を備える二重嵌入開口部を酸化ケイ素層及び多重窒化ケイ素停止層で構成される複合絶縁層に形成する工程を提供する。 - 特許庁

When this sheet is used practically, the insulation layer 30 is lamined on the surface of a wiring board formation layer, and the carrier film 10 is peeled off from the coating layer 20.例文帳に追加

このシートの使用に際しては、その絶縁層３０を配線基板形成層の表面に接合して積層した後、そのキャリアフィルム１０をコーテング層２０部分から剥離する。 - 特許庁

An insulation layer on a Si substrate and an SiGe layer on another Si substrate are bonded, using the semiconductor laminating technology, and the Si substrate at the SiGe layer side is removed by polishing, etc.例文帳に追加

Ｓｉ基板上の絶縁層と、別のＳｉ基板上のＳｉＧｅ層とを、半導体張り合わせ技術を用いて接合し、ＳｉＧｅ層側のＳｉ基板を研磨等により除去する。 - 特許庁

Etching by plasma containing a halogen-based element is performed for a laminate where the first ferromagnetic layer 13, the insulation layer 14 and the second ferromagnetic layer 15 are laminated on a substrate 11.例文帳に追加

ハロゲン系元素を含むプラズマによるエッチングは、基板１１上に第１の強磁性層１３、絶縁層１４及び第２の強磁性層１５が積層された積層体に対して施される。 - 特許庁

A thermally oxidated film 104 serving as a gate insulation layer is formed at an Si substrate 101, having a recessed portion 102 whose bottom is made sharp, and a diamond layer being an emitter layer is formed only in a mold.例文帳に追加

底部を尖らせた凹部１０２を有するＳｉ基板１０１にゲート絶縁層となる熱酸化膜１０４を形成し、エミッタ層となるダイヤモンド層１０３を鋳型内のみに形成する。 - 特許庁

The conductive layer 15 is ground with the chemical-mechanical grinding method until the insulation layer 12 is exposed to form an embedded wiring 15 consisting of the conductive layer 15 within the groove pattern 13.例文帳に追加

絶縁層１２が露出するまで導電層１５を化学的機械研磨によって研磨し、溝パターン１３内に導電層１５からなる埋め込み配線１５を形成する。 - 特許庁

Moreover, the device is provided with an insulative etching stopper layer (401) formed on the scanning line and an interlayer insulation film (41) which is formed on the layer (401) and has a groove (411) that reaches the layer (401).例文帳に追加

また、走査線上に形成された絶縁性のエッチングストッパー層（４０１）と、この上に形成されており、これに至る溝（４１１）が掘られた層間絶縁膜（４１）とを備える。 - 特許庁

The plane heating element has a second electric heating layer laminated on a first electric heating layer through an insulation layer, both heating layers connected to power source enabled to be opened or closed independently.例文帳に追加

第１電熱層上に絶縁層を介して第２電熱層を積層し、且つ両電熱層は、各々独立に開閉できる様にして電源に接続される面発熱体とする。 - 特許庁

Since the upper and lower layers of the high melting-point metal are formed of a high melting-point metal silicide layer, the laminate layer has a better adhesion with an insulation film 5, and a delamination in the high melting-point metal layer does not occur.例文帳に追加

また、高融点金属層の上下に高融点金属シリサイド層を形成するため、絶縁膜５との密着性がよくなり、高融点金属層の膜剥がれが起きなくなる。 - 特許庁

And the pixel electrodes are divided into two as the pixel electrode 16 and the pixel electrode 14 provided in layer higher than an insulation layer provided in a layer higher than the pixel electrode 16.例文帳に追加

そして、画素電極は、画素電極１６と、この画素電極１６よりも上層に設けられた絶縁層よりもさらに上層に設けられた画素電極１４の二つに分けている。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer or the oxide insulation layer in contact with the oxide semiconductor layer may be formed in a film-formation chamber with reduced impurity concentration by exhaustion using a cryopump.例文帳に追加

また、酸化物半導体層、又は酸化物半導体層に接する酸化物絶縁層を、クライオポンプを用いて排気して不純物濃度が低減された成膜室内で成膜すればよい。 - 特許庁

Then, an insulation layer having, as a main component, at least one kind or more of resin selected from a group of polyester imide, polyamide imide, polyester, and polyimide is formed on the upper layer of the primer layer.例文帳に追加

そして、当該プライマー層の上層にポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル及びポリイミドからなる群から選ばれる少なくとも１種以上の樹脂を主体とする絶縁層を形成する。 - 特許庁

The evaluating method for the laser workability of a printed wiring board is the one performed in the process for exposing the top surface of a lower conductor layer 1 by removing an insulation layer 2 on the lower conductor layer 1 by a laser L.例文帳に追加

下層導体層１上の絶縁層２をレーザＬにより除去して下層導体層１上面を露出させる工程でのプリント配線板のレーザ加工性評価方法である。 - 特許庁

To provide the peeling of a thermal insulation layer (the second layer) by relaxing thermal stress between metal and ceramics, and further to suppress the oxidation and corrosion of a metallic layer and to prolong the life of the film.例文帳に追加

金属とセラミックスとの間の熱応力を緩和するとともに、金属層の酸化及び腐食を抑制して、遮熱層（第２層）の剥離を防止し、皮膜の長寿命化を図る。 - 特許庁

The nucleic acid analysis device includes a first metal layer 602, with a gap formed on a support substrate 601, and a second metal layer or an insulation layer 603 different from the first metal layer 602 between the supporting substrate 601 and the first metal layer 602.例文帳に追加

支持基体６０１上に形成された、ギャップを有する第一の金属層６０２と、支持基体６０１と第一の金属層６０２の間に第一の金属層６０２とは異なる第二の金属層又は絶縁層６０３を有する。 - 特許庁

A common wiring/electrode CL (CT) is formed on an insulation substrate SUB1 by coating a layer with a laminated structure obtained by coating an aluminum layer g1 or an alloy layer g1 mainly composed of aluminum with a high-melting metal layer g2, with a transparent conductive layer g3.例文帳に追加

絶縁基板ＳＵＢ１上に、アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層ｇ１に高融点金属層ｇ２を被覆した積層構造膜に透明導電膜ｇ３を被覆してコモン配線／電極ＣＬ（ＣＴ）を形成した。 - 特許庁

In one embodiment, a semiconductor light-emitting device includes a semiconductor layer, a first electrode, a second electrode, an insulation layer, a first wiring layer, a second wiring layer, a first metal pillar, a second metal pillar, a resin layer and a conductive material.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、樹脂層と、導電材と、を備えた。 - 特許庁

A heat insulation structure includes a heat insulating material 10 arranged as a first layer A inside a casing 9, a heat insulating material 20 arranged as a second layer B inside the first layer, and a heat insulating material 30 arranged as a third layer C inside the second layer.例文帳に追加

断熱構造は、ケーシング９の内側の第１層Ａに配置された断熱材１０と、第１層の内側の第２層Ｂに配置された断熱材２０と、第２層の内側の第３層Ｃに配置された断熱材３０とを具備している。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a metal-insulation film-semiconductor (MIS) structure having a heavy hydrogen concentration equal to or more than 1×10^19 cm^-3 in the neighborhood of an interface between a semiconductor substrate and films or layers formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation layer, and a protective insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。 - 特許庁

In this cathode substrate for a three-pole structure element, a gate electrode layer 16 is formed into a mesh structure having two or more gate holes 17 on each insulation layer hole 14, the thickness of the insulation layer 13 is set not smaller than 1/2 and smaller than twice of the diameter of the gate hole 17.例文帳に追加

３極構造素子用のカソード基板において、ゲート電極層１６を絶縁層ホール１４上に２個以上のゲートホール１７を有するメッシュ構造とし、絶縁層１３の厚みをゲートホール１７の直径の１／２倍以上でかつ２倍未満とすること。 - 特許庁

An electric insulation layer 2 made of glass is formed to both sides of a measurement substrate 1 made of a stainless steel plate, a wiring pattern 3 is formed on the electric insulation layer 2, and an overcoat layer 4 made of glass is formed to cover the wiring pattern 3.例文帳に追加

ステンレス板からなる測定用基板１の両面に、ガラスからなる電気絶縁層２が形成されると共に、該電気絶縁層２上に配線パターン３が形成され、さらに、前記配線パターン３を覆うようにガラスからなるオーバーコート層４が形成されている。 - 特許庁