「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a touch panel member including an interlayer insulation film excellent in surface hardness and heat resistance, and/or a resin layer such as a surface protection layer, and a touch panel using the touch panel member.例文帳に追加

表面硬度および耐熱性に優れる層間絶縁膜および／または表面保護層などの樹脂層を備えるタッチパネル部材、および該タッチパネル部材を用いたタッチパネルを提供する。 - 特許庁

A conductive support substrate 14 is stuck to a surface a semiconductor substrate 10 an insulation film layer 11 and a pad electrode 12 formed thereon, by using a conductive adhesive layer 13.例文帳に追加

半導体基板１０上の絶縁膜層１１、パッド電極１２が形成された面に導電性の接着剤層１３を用いて導電性のサポート基板１４を貼り合わせする。 - 特許庁

On the surface of the substrate 11, an insulating film 12, a dielectric layer 13, an upper portion 14A of the through-electrode that penetrates the insulation film 12 and the dielectric layer 13, and a switching element 15 are formed.例文帳に追加

基板１１の表面に、絶縁膜１２、誘電体層１３、絶縁膜１２と誘電体層１３とを貫通する貫通電極上部１４Ａおよびスイッチング素子１５を形成する。 - 特許庁

This vehicular air duct is integrally formed into a prescribed hollow body with an outer sheath laminated with a rigid resin layer 2 having high airtightness and stiffness and a foamed resin layer 3 having high thermal insulation.例文帳に追加

気密性、剛性を備えた硬質樹脂層２と、断熱性を備えた発泡樹脂層３とを積層した外皮で、所定の中空形状体に一体成形したことを特徴とする。 - 特許庁

It also has a heating body for heating disposed between the dust generation preventing layer 30 and the exterior package bag 20, and the heat insulation layer 10 comprising a fiber object filled with aerogel.例文帳に追加

また前記発塵防止層３０と前記外装袋２０と間に配置された加熱用の発熱体をさらに有し、前記断熱層１０は、エアロゲルが充填された繊維体からなる。 - 特許庁

A conductor layer 4 is formed between the semiconductor element 1 and the second insulation substrate 3b, and an external connection terminal of the semiconductor element 1 and the conductor layer 4 are so connected that conduction may be permitted between them.例文帳に追加

半導体素子１と第２の絶縁基板３ｂとの間には導体層４が設けられ、半導体素子１の外部接続端子と導体層４とは導通可能に接続されている。 - 特許庁

In the MOS capacitor type semiconductor device, an insulation portion to prevent a short circuit is formed at a position where there may occur the short circuit between the conductive layer and the diffusion layer.例文帳に追加

本発明に係るＭＯＳキャパシタ型半導体装置では、導電層及び拡散層間で短絡する可能性がある箇所に、短絡を阻止するための絶縁部が形成されている。 - 特許庁

To prevent the number of production steps from increasing in production of a multilayer wiring board by completing the formation of a mother board cover layer for insulation protecting the wiring layer of a mother board printed wiring board by single step.例文帳に追加

マザーボードプリント配線板の配線層を絶縁保護被覆するマザーボードカバー層の形成を１回で完了させ、多層配線板の製造において工程数を増加しないこと。 - 特許庁

To reduce parasitic capacity other than an active layer in order to cope with a high speed modulation in an embedding hetero type semiconductor light element, in which the active layer is embedded in a semi-insulation semiconductor.例文帳に追加

活性層を半絶縁半導体で埋め込む、埋め込みヘテロ型半導体光素子において、高速変調動作に対応するべく、活性層以外の寄生容量を低減する。 - 特許庁

To provide an organic EL display device capable of improving product lifetime by preventing the peeling of a first insulation layer from a lower electrode layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

第１絶縁層の下部電極層との剥がれを抑制することにより、製品の寿命を向上させることができる有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To make a resin layer formed without fear of adhesion degraded even with high-temperature treatment, in an insulation wire equipped with the resin layer having epoxy resin cured by a curing agent on the surface of a conductor.例文帳に追加

導体表面にエポキシ樹脂を硬化剤により硬化させた樹脂層を有する絶縁電線において、高温処理によっても密着性が低下しない樹脂層を形成させる。 - 特許庁

A gate electrode 14 is formed on the upper surface of a p-form layer 12 through a gate insulation film 13, and a drain and source diffusion areas 15 and 16 are formed in the depth to the n-type layer 11.例文帳に追加

ｐ型層１２の上面にゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１４が形成され、ｎ型層１１に達する深さにドレイン、ソース拡散層１５，１６が形成される。 - 特許庁

When the formed state of the light emitting layer is acceptable, a second electrode is formed on the light emitting layers by using a vacuum evaporation method (S5), and sealed by a transparent insulation layer (S6).例文帳に追加

その結果、発光層の形成状態が良好であれば、真空蒸着法などを用いて各発光層上に第２の電極を形成し(S5)、透明絶縁層で封止する(S6)。 - 特許庁

The EEPROM device (a device 100 on Fig. 1) is fabricated on a single conductive layer formed on a semiconductor substrate through an insulation layer.例文帳に追加

この発明の実施例は半導体基板の上に絶縁層によって絶縁して配置された単一導電層の上に構成されるＥＥＰＲＯＭデバイス（図１のデバイス１００）である。 - 特許庁

A filled via 60 formed on a lid plating layer 36a and 36d is applied with smaller stress than a filled via 160 formed in a second interlayer resin insulation layer 150 during heat cycle.例文帳に追加

蓋めっき層３６ａ、３６ｄの上に形成されるフィルドビア６０は、第２の層間樹脂絶縁層１５０に形成されるフィルドビア１６０よりヒートサイクル時に加わる応力が小さい。 - 特許庁

To provide an actuator suppressing that a dielectric elastomer layer of a sheet body wound around a coil spring in a spiral shape becomes thin and insulation property of the dielectric elastomer layer is deteriorated.例文帳に追加

コイルスプリングの周りに渦巻き状に巻き付けられたシート体の誘電エラストマ層が薄くなって、同誘電エラストマ層の絶縁性が低下することを抑制できるアクチュエータを提供する。 - 特許庁

A multilayer printed wiring board 1 has an interlayer insulation layer 2 and a conductive layer 3 which are sequentially laminated on a substrate 10, and a plurality of pieces 11 having conductor circuits 31 are formed.例文帳に追加

基板１０上に順次積層された層間絶縁層２と導電層３とを有し，導体回路３１を有する個片１１を多数形成した多層プリント配線板１。 - 特許庁

A ferrite layer 1b is formed by a so-called ferrite plating method on a single surface or both surfaces of an electrical insulation layer 1a made of a synthetic resin such as polyimide or ceramic.例文帳に追加

ポリイミド樹脂などの合成樹脂またはセラミックなどから成る電気絶縁層１ａの片面または両面に、いわゆるフェライトめっき法によってフェライト層１ｂを形成する。 - 特許庁

An intense electric field drift layer 6 is formed by applying a nano-crystallization process and an insulation film formation process to parts overlapping the lower electrodes 12 of the polycrystalline silicon layer 3a (fig. (d)).例文帳に追加

多結晶シリコン層３ａのうち下部電極１２に重なる部分にナノ結晶化工程、絶縁膜形成工程を施すことにより強電界ドリフト層６を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

The insulative charge storage layer ECS is included in a second gate insulation layer GI2 and formed on the principal plane of the semiconductor substrate SUB sandwiched between the pair of source/drain regions SD.例文帳に追加

絶縁性電荷蓄積層ＥＣＳは第２のゲート絶縁層ＧＩ２に含まれ、１対のソース／ドレイン領域ＳＤに挟まれる半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されている。 - 特許庁

To provide a resin compsn. for forming an insulation layer excellent in adhesiveness with an electroless plating film in a multi-layer wiring board and has also heat resistance.例文帳に追加

多層プリント配線板において無電解めっき膜との密着性に優れ、且つ耐熱性を有する絶縁層を形成するための樹脂組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The heat-resistant insulation paper consists of two or more layers, and at least one outer layer is a polyamideimide resin layer of a glass transition temperature of ≥200°C.例文帳に追加

複数の層から形成された絶縁紙であって、少なくとも一つの外層はガラス転移温度が２００℃以上のポリアミドイミド樹脂層であることを特徴とする耐熱絶縁紙に関する。 - 特許庁

Even when the insulation layer and the wiring layer 12 are thinned, by adjusting the width of the slit 21, the desired characteristic impedance is obtained without reducing the line width of the signal line 12a.例文帳に追加

絶縁層や配線層１２が薄くされてもスリット２１の幅を調整することで、信号線路１２ａの線路幅を狭することなく所望の特性インピーダンスを得られる。 - 特許庁

Otherwise, the magnetic path forming layer 18A and the radio absorption layer 18B can be formed by mixing a plurality of kinds of magnetic powder into the insulation material, the mixing ratio of the various kinds of magnetic powder can be different between the respective layers.例文帳に追加

あるいは、複数種の磁性粉末が絶縁性材料中に混合されてなり、各層間で各種磁性粉末の混合比を異ならせて形成することができる。 - 特許庁

The p-side wiring layer has a p-side external terminal exposed from the second insulation layer on a third face in an orientation different from those of the first face and the second face.例文帳に追加

前記ｐ側配線層は、前記第１の面及び前記第２の面と異なる面方位の第３の面で、前記第２の絶縁層から露出されたｐ側外部端子を有する。 - 特許庁

A metallized layer 6 for connecting, which is adhered to the outer peripheral side surface 1b of the insulation substrate 1, is ground and removed but not all is removed so that a part of the layer 6 remains.例文帳に追加

絶縁基体１の外周側面１ｂに被着した接続用メタライズ層６を全て除去するのではなく、接続用メタライズ層６の一部を残すようにして研磨除去した。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a build-up multilayer board by a simple process more efficiently while securing a favorable adhesion property between a wiring layer and an insulation layer.例文帳に追加

有機高分子絶縁層と配線層との密着性を高めるために必須であった特殊なエッチング工程を省くことができ、高価なエッチング装置を使う必要がなく、経済的である。 - 特許庁

Therefore, this can prevent the lower layer gel 3b from being softened; and can prevent the functions of the insulation, the waterproofness, and the vibration relaxation of the lower layer gel 3b from deteriorating.例文帳に追加

したがって、下層ゲル３ｂが軟化してしまうことを抑制することが可能となり、下層ゲル３ｂでの絶縁、防水、振動緩和の機能低下が生じてしまうことを防止できる。 - 特許庁

A laminate film consisting of metal nitride and an elemental substance of noble metal is used as the oxygen diffusion preventive layer, and a plasma CVD oxide film is used as the interlayer insulation film 7 on the oxygen diffusion preventive layer.例文帳に追加

酸素拡散防止層に、金属の窒化物と貴金属の単体との積層膜を用い、酸素拡散防止層上の層間絶縁膜７としてプラズマＣＶＤ酸化膜を用いる。 - 特許庁

Then, the indium ions in the In ion implanted layer 12 are diffused to form an In deposition layer 13 near an interface between the TiN film 10 and the gate insulation film 9.例文帳に追加

次に熱処理によりＩｎイオン注入層１２中のインジウムを拡散させ、ＴｉＮ膜１０のゲート絶縁膜９との界面付近にＩｎ析出層１３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device by which electrical breakdown of a layer insulation film between a floating wiring layer and grounded wiring layers by a plasma process is prevented, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

プラズマプロセスによる浮遊配線層と接地配線層との間の層間絶縁膜の絶縁破壊を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with two drain islands 3a, 3b separated by a p+ type well region 5 formed from the surface of an n-type semiconductor layer 3 into a depth reaching an insulation layer 2.例文帳に追加

ｎ形半導体層３の表面から絶縁層２に達する深さまで形成されたｐ^+形ウェル領域５によって分割された２つのドレイン島３ａ，３ｂを備える。 - 特許庁

In the manufacturing method of the heat-resistant oilproof insulation wire, the second layer 2 made of the fluororesin is extrusion coated on the outer circumference of the first layer 1 with the fluororubber mixture in the state non-crosslinked.例文帳に追加

上記フッ素ゴム混和物が未架橋の状態で、上記第一層１の外周にフッ素樹脂からなる第二層２を押出被覆する耐熱耐油絶縁電線の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor memory including a static type memory cell is provided with an inter-layer insulation layer 16 having a hole 30b on a surface and a capacitor 31.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、スタティック型のメモリセルを含む半導体記憶装置であって、表面に孔３０ｂを有する層間絶縁層１６と、キャパシタ３１とを備えている。 - 特許庁

At least a part of the first insulation layer 30 contains an aluminum-tantalum oxide, and at least a part of the second insulating layer 50 contains a soluble dielectric material as seen from one viewpoint.例文帳に追加

本発明の一見地に立てば、第１の絶縁層の少なくとも一部はアルミニウムタンタニウム酸化物を含み、第２の絶縁層の少なくとも一部は融解性の誘電性材料を含む。 - 特許庁

An insulation layer 13 formed on the lower electrode 12 and having the opened portion thereof corresponding to the surface electrode 7 is installed between the lower electrode 12 and the strong field drift layer 6.例文帳に追加

下部電極１２と強電界ドリフト層６との間において下部電極１２上に形成され表面電極７に対応する部位が開口された絶縁層１３を備える。 - 特許庁

To provide a wire for a wire harness capable of suppressing generation of partial discharge and a water tree and of enhancing adhesiveness of a semiconductive layer to an insulation layer; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

部分放電や水トリーの発生を抑制できると共に、半導電層と絶縁層の密着性を高めることができるワイヤハーネス用電線とその製造方法を提供する。 - 特許庁

An embeded insulation oxide film 120 having a groove on its upper surface is formed on a substrate layer 110 as a mechanical support, and a very thin film SOI layer 130 traverses over the groove.例文帳に追加

機械的な支持のための基板層１１０上に形成されつつ上面に溝を有する埋込み絶縁酸化膜１２０を設け、超薄膜ＳＯＩ層１３０が溝上を横切る。 - 特許庁

A plurality of scan electrodes 4 and hold electrodes 5 are provided on a first insulation substrate 1 in the form of pairs in parallel in a state covered by a dielectric layer 2 and a protection film layer 3.例文帳に追加

第１の絶縁基板１上に、誘電体層２及び保護膜層３に覆われた状態で複数の走査電極４と維持電極５を対を成して平行に設ける。 - 特許庁

A process for forming an opening in an insulation layer 4 formed of a silicone ladder polymer to expose a carbon nanotube layer 3 is executed by using two kinds of dry etching having distinct conditions.例文帳に追加

シリコーンラダーポリマーからなる絶縁層４に開口部を形成し、カーボンナノチューブ層３を露出させる工程は、条件が異なる２種類のドライエッチングを用いて実行される。 - 特許庁

A plurality of scan electrodes 4 and hold electrodes 5 are provided on a first insulation substrate 1 in the form of pairs in parallel in a state covered by a dielectric layer 2 and a protection film layer 3.例文帳に追加

第１の絶縁基板１の上に、誘電体層２及び保護膜層３に覆われた状態で複数の走査電極４と維持電極５とを対を成して平行に設ける。 - 特許庁

On the semiconductor layer, a gate electrode is provided via a gate insulation film, and a pair of source/drain regions is formed in the semiconductor layer so that a body region under the gate electrode is sandwiched.例文帳に追加

半導体層上には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が配設され、ゲート電極の下のボディ領域を挟むように半導体層内に１対のソース／ドレイン領域が形成される。 - 特許庁

Each insulation part 40 is provided with a scattering means for scattering light having a wavelength emitted from the organic layer, or provided with a reflecting means for reflecting light having the wavelength emitted from the organic layer.例文帳に追加

絶縁部４０は、有機層から発せられた波長の光を散乱する散乱手段を備えたり、有機層から発せられた波長の光を反射する反射手段を備えている。 - 特許庁

To provide a transistor with an excellent interface state between an oxide semiconductor layer and an insulation film in contact with the oxide semiconductor layer, and a manufacturing method for the same.例文帳に追加

酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

The image sensor includes: a color filter layer 11 formed on a semiconductor substrate; and a microlens formed on the color filter layer 11 and formed by a non-photosensitive insulation film 13.例文帳に追加

イメージセンサーは、半導体基板の上に形成されたカラーフィルター層１１と、カラーフィルター層１１上に形成されて非感光性絶縁膜１３で形成されたマイクロレンズを含む。 - 特許庁