「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

The polishing amount can be precisely controlled by finishing the polishing using the 2nd insulation layer 131 as a marker.例文帳に追加

研磨加工を、第２絶縁性材料層１３１をマーカとして終了させることにより、研磨量の正確な制御が可能になる。 - 特許庁

An insulation layer 35 is formed to an outer circumferential face of the conductive rubbers 6a, 6b by a multiple extruding method or a coating method or the like.例文帳に追加

導電性ゴム６ａ，６ｂの外周面には、多重押し出し成型法やコーティング法等で絶縁層３５が形成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of a printed wiring board includes a step S11 for forming an insulation resin layer containing inorganic filler at a content of 30 wt% or higher, a step S12 for forming a conductor on the insulation resin layer, and a step S14 for forming a conductor pattern on the insulation resin layer by irradiating the conductor with a laser beam thereby dividing the conductor or narrowing the width of the conductor.例文帳に追加

プリント配線板の製造方法が、３０ｗｔ％以上の含有率で無機フィラーを含む絶縁樹脂層を形成すること（ステップＳ１１）と、絶縁樹脂層上に導体を形成すること（ステップＳ１２）と、レーザ光を導体に照射することによって、導体を分断し又は導体の幅を細くすることで絶縁樹脂層上に導体パターンを形成すること（ステップＳ１４）と、を含む。 - 特許庁

There is provided the circuit board fabricating method in which after contacting a plasma with the surface of the electrical insulation resin layer formed on a core board, the electric conductor circuit is formed on the electrical insulation resin layer, wherein the plasma made in contact with the surface of the electrical insulation resin layer is obtained from a mixed gas containing at least two kinds of inert gases.例文帳に追加

コア基板上に形成された電気絶縁樹脂層の表面にプラズマを接触させた後、当該電気絶縁樹脂層上に導電体回路を形成する、回路基板の製造方法であって、電気絶縁樹脂層の表面に接触させる前記プラズマが、少なくとも２種類の不活性気体を含有する混合ガスから得られたものであることを特徴とする回路基板の製造方法。 - 特許庁

This method for manufacturing a multilayered wiring board includes the consecutive steps of a step of forming a curing insulation resin layer, a step of selectively forming a via hole in the curing insulation resin layer, a step of etching a metal for a wiring pattern, a step of curing the curing insulation resin layer after etching, and a step of applying a plating treatment for interlayer connection.例文帳に追加

配線パターンが形成された絶縁基材上に、硬化性絶縁樹脂層を設ける工程、該硬化性絶縁樹脂層に選択的にビアホールを形成する工程、配線パターンの金属をエッチングする工程、エッチング後に該硬化性絶縁樹脂層を硬化する工程、およびメッキ処理を行って層間接続を行う工程、をこの順に行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 特許庁

The method has a process for selectively forming the cap film with the Cu diffusion prevention function on metal wiring comprising Cu embedded in a groove of an inter- layer insulation film and a process for forming an insulation film comprising an insulation material which does not contain oxygen at least on the cap film.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の溝部に埋め込まれたＣｕを含む金属配線上に、Ｃｕ拡散防止機能を有するキャップ膜を選択的に形成する工程と、 少なくとも上記キャップ膜上に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

Furthermore, a second laminated insulation film 8 of which etching rate is smaller than that of first laminated insulation film 7 is formed, and the first and second laminated insulation films 7 and 8 are etched at the same time under the same condition, so as to form a pattern groove 9 for a second wiring layer 10.例文帳に追加

さらに、第１および第１の積層絶縁膜７よりもエッチングレートが小さい第２の積層絶縁膜８を形成し、第１および第２の積層絶縁膜７、８を同じ条件で一度にエッチングし、第２の配線層１０用のパターン溝９を形成する。 - 特許庁

The surface of a laminate is covered with an insulation film; the end of the thermoelectric film that is the lowest lower in the thermoelectric film is exposed from the insulation film for covering the surface of the laminate; and the end of the thermoelectric film that is the highest layer in the thermoelectric film is exposed from the insulation film for covering the surface of the laminate.例文帳に追加

積層体の表面が絶縁膜により覆われ、熱電膜のうちの最下層である熱電膜の端部が、積層体の表面を覆う絶縁膜から露出し、熱電膜のうちの最上層である熱電膜の端部が、積層体の表面を覆う絶縁膜から露出している。 - 特許庁

The scanning line 806 is covered with a shield electrode 816 through an insulation body, and the hold capacity part 817 is constituted so that a semiconductor layer becoming the source/drain of the transistor, a first insulation film 805 becoming a gate insulation film and the shield electrode 816 are overlapped flatly.例文帳に追加

走査線（８０６）は、絶縁体を介してシールド電極（８１６）で覆われており、保持容量部（８１７）は、前記トランジスタのソース・ドレインとなる半導体層と、ゲート絶縁膜となる第1絶縁膜（８０５）と、前記シールド電極（８１６）とが平面的な重なりにより構成されてなる。 - 特許庁

To decrease the moisture absorption and the thermal dimensional change of a nonwoven fabric for electric insulation containing a wholly aromatic polyester fiber, improve the moisture resistance and heat resistance and decrease the thermal expansion coefficient in thickness direction of an insulation layer produced by applying a thermosetting resin to the nonwoven fabric for electric insulation.例文帳に追加

全芳香族ポリエステル繊維を含む電気絶縁用不織布の吸湿性を小さく、且つ熱による寸法変化量を低減し、この電気絶縁用不織布に熱硬化性樹脂を保持させた絶縁層の耐湿性と耐熱性の向上と、厚さ方向の熱膨張率を小さくする。 - 特許庁

The thermal conduction layer 22 is composed of an insulation board 24, a first joining material 26 including an active element for joining the insulation board 24 on the heat sink material 20, a second joining material 28 formed on the insulation board 24, and an electrode 30 formed on the second joining material 28.例文帳に追加

熱伝導層２２は、絶縁基板２４と、該絶縁基板２４をヒートシンク材２０に接合するための活性元素を含む第１の接合材２６と、前記絶縁基板２４上に形成された第２の接合材２８と、該第２の接合材２８上に形成された電極３０とから構成される。 - 特許庁

To provide a sound-insulation refractory pipe adapted to improve a sound-insulation effect and to maintain a fire-resistant performance equivalent to those of prior double layer refractory pipes by using a prescribed organic material as a sound absorbing material in an air-gap between an inner pipe made of synthetic resin and an incombustible outer pipe, and to provide a method of manufacturing the sound-insulation refractory pipe.例文帳に追加

合成樹脂製の内管と不燃性の外管との空隙に所定の有機系の材料を吸音材として用いることで、従来の耐火二層管と同等の耐火性能を維持し、遮音効果を向上させた遮音耐火管およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Since the heat insulation layer 35 is made high in heat insulation property closer to the inflow part of the molding material to the cavity spaces C1 and C2 and low in heat insulation property apart far from the inflow part, the transfer property can be made high in the whole cavity spaces C1 and C2, and the pattern can be accurately transferred.例文帳に追加

断熱層３５は、キャビティ空間Ｃ１、Ｃ２への成形材料の流入部に近いほど断熱性が高く、流入部から離れるほど断熱性が低くされるので、キャビティ空間Ｃ１、Ｃ２の全体において転写性を高くすることができ、パターンを精度良く転写することができる。 - 特許庁

To provide a thermal insulation panel capable of rationalizing a manufacturing process, and capable of reducing cost, by omitting these processes, due to conventionally requiring a process of applying an adhesive and an adhering process, since the thermal insulation panel is manufactured by adhesion using the adhesive for integrating a metallic plate and a thermal insulation layer.例文帳に追加

従来、金属板と断熱層との一体化は、接着剤を用いた接着により製造されているため接着剤を塗布する工程、接着する工程等が必要であり、それらを省略する事による、製造過程の合理化、コストダウン等が出来る断熱パネルを提供すること。 - 特許庁

Next, after forming an insulation material 12 on the substrate 1 covering this laminated body, the conductor material 11 and insulation material 12 are polished to form, on the substrate 1, a heat sink 2, both electrodes 3 and insulation layer 4 of which upper surfaces are flat.例文帳に追加

次いで、この積層体を覆うように基板１上に絶縁材料１２を成膜した後、導体材料１１と絶縁材料１２を研磨することにより、基板１上に上面が平坦化されたヒートシンク部２と両電極部３および絶縁体層４を形成する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is formed with a separation trench 2 buried with an insulation member 2a and an element 3, and is thinned until a bottom part of the insulation member 2a is projected from a side of a reverse face 1b, and next the reverse face 1b is joined to a support body 6 via an insulation layer 4.例文帳に追加

絶縁部材２ａで埋設された分離溝２と素子３とが形成された半導体基板１を、裏面１ｂ側から絶縁部材２ａの底部が突出するまで半導体基板１を薄厚化した後、絶縁層４を介して裏面１ｂを支持体６と接合する。 - 特許庁

To provide a fuel reforming apparatus wherein the packing of a heat insulation material such as ceramic fiber between instruments is made needless to reduce the volume of an heat insulation material, the apparatus is made small-sized and heat efficiency is improved, handling time required to form an insulation layer is remarkably reduced and the maintenance is facilitated.例文帳に追加

機器の間へのセラミックファイバ等の断熱材の充填を不要とし得、断熱層の容積を低減でき、装置の小型化並びに熱効率向上を図ることができ、更に、断熱層の施工の手間を大幅に低減し得、メンテナンスも容易に行い得る燃料改質装置を提供する。 - 特許庁

An insulation rubber block 110 coats a cable insulator 12 coating the cable conductors 5 and the conductor connector 3 connected to the cable conductors 5, and a metal shield layer 124 connected to a wire shield 14 for coating the cable insulation body 12 is disposed at an outer-periphery of the insulation rubber block 110.例文帳に追加

絶縁ゴムブロック１１０は、ケーブル導体５を被覆するケーブル絶縁体１２、ケーブル導体５を接続した導体接続管３を被覆し、絶縁ゴムブロック１１０の外周には、ケーブル絶縁体１２を被覆するワイヤシールド１４に接続された金属遮蔽層１２４が配置されている。 - 特許庁

For the enclosure of the temperature sensor consisting of an insulation package 3 for enclosing a fusible body element 2 provided between electrodes of a lead member 1 and a sealing resin 4 for sealing an opening of the insulation package 3, the whole surface exposed to outside of it is over- coated by forming a coating layer of an organic insulation material 8.例文帳に追加

リード部材１の電極間に配置した可溶体エレメント２を包容する絶縁パッケージ３とその開口を封口する封止樹脂４からなる温度センサの外囲器に対してその外部に露呈する全ての表面に有機絶縁材のコーテイング層８を形成してオーバーコートする。 - 特許庁

To provide a compound thin film magnetic head equipped with an MR head element of CPP structure which can adjust parasitic capacitance without changing thickness of insulation layers between a substrate and a lower shield layer and between an upper shield layer and a lower magnetic pole layer, thickness, shape and area of a lower shield layer, an upper shield layer and a lower magnetic pole layer.例文帳に追加

基板と下部シールド層との間及び上部シールド層と下部磁極層との間の絶縁層の層厚、下部シールド層、上部シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積を変更することなく、寄生キャパシタンスの調整可能な、ＣＰＰ構造のＭＲヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

A conductive layer 109 is formed at the position spaced apart from an electron emission layer 105 with a prescribed distance by part of an insulation layer 103, and part of the conductive layer 109 is brought into contact with a cathode electrode 102, and part of the conductive layer 109 is made to locate closer to a gate electrode 104 than to the surface of the electron emission layer 105.例文帳に追加

導電層１０９は、絶縁層１０３の一部によって電子放出層１０５から所定距離だけ隔てた位置に設けられており、導電層１０９の一部はカソード電極１０２と接するようにし、この導電層１０９の一部は電子放出層１０５の表面よりも、ゲート電極１０４の近傍に位置するようにする。 - 特許庁

The printed circuit board includes: an insulation layer 120; a solder bump 116 which is buried in the insulting layer 120 to be flush with the surface of the insulating layer; a circuit pattern 118 formed on the lower surface of the solder bump 116; and a circuit layer 108a connected to the circuit pattern 118 and buried in the insulting layer to be flush with the surface of the insulating layer 120.例文帳に追加

絶縁層１２０；前記絶縁層１２０の表面と同一の高さを持つように埋め込まれたソルダーバンプ１１６；前記ソルダーバンプ１１６の下面に形成された配線パターン１１８；及び前記配線パターン１１８に連結され、前記絶縁層１２０と同一の高さを持つように埋め込まれた回路層１０８ａを含む。 - 特許庁

In a photoelectric transducer 9, a Ti system or Si system layer 3 is formed on an insulation resin film 2 which is glued onto a metal substrate 1, and a reverse face metal electrode layer 4, a lower transparent conductive film layer 5, a photoelectric transducer layer 6 and an upper transparent conductive film layer 7 are formed on the Ti system or Si system layer 3.例文帳に追加

金属基板１の上に接着させた絶縁性樹脂フィルム２の上にＴｉ系あるいはＳｉ系層３を形成し、そのＴｉ系あるいはＳｉ系層３の上に裏面金属電極層４、下部透明導電膜層５、光電変換層６及び上部透明導電膜層７を形成した光電変換素子９。 - 特許庁

Semiconductor devices 1, 2 according to the present invention each comprises a heat sink 40, an insulation layer 30 formed by spray coating of an insulating material not containing resin directly on the heat sink 40; a conductive material layer 20 formed by spray coating of a conductive material directly on the insulation layer 30; and a chip 10 including a semiconductor element provided on the conductive material layer 20.例文帳に追加

本発明による半導体装置１，２は、ヒートシンク４０と、ヒートシンク４０上に直接、樹脂を含まない絶縁材料を溶射して形成した絶縁層３０と、絶縁層３０上に直接、導電材料を溶射して形成した導電材料層２０と、導電材料層２０上に設けられる半導体素子を含むチップ１０と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A heat radiation base for mounting an electronic component 3 is composed of a metal plate 4 having a first area 411 and a second area 412 formed on a surface thereof so as to be independent of each other, an insulation layer 5 formed on only a surface of the second area, and a first conductive layer 61 and a second conductive layer 62 which are formed on a surface of the insulation layer.例文帳に追加

電子部品３を搭載するための放熱台であって、その一面に、第一エリア４１１と、第二エリア４１２とが、互いに独立に形成されている金属板４と、前記第二エリアの表面のみに形成されている絶縁層５と、前記絶縁層の表面上に形成されている第一導電層６１と第二導電層６２とからなっている放熱台。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer printed wiring board, having superior connection reliability in which an undercut free conductor circuit can be formed, adhesion is improved between the conductor circuit and an interlayer resin insulation layer or a solder resist layer, cracks of the interlayer resin insulation layer or the solder resist layer is suppressed under heat cycle conditions or high temperature high humidity, and stripping of the conductor circuit is prevented.例文帳に追加

アンダーカットのない導体回路を形成することができ、導体回路と層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密着性が改善され、ヒートサイクル条件下や高温高湿下において、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層にクラックが発生しにくく、導体回路の剥離が発生しにくい接続信頼性に優れる多層プリント配線板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To reduce an overall size, including a circuit board to be mounted, of a semiconductor device where a semiconductor structure referred to a CSP is provided on a base board, an insulation layer is formed on the base board around the semiconductor structure, upper layer wiring is provided on the semiconductor structure and the insulation layer, and a solder ball is provided on the connection pad part of the upper layer wiring.例文帳に追加

ベース板上にＣＳＰと呼ばれる半導体構成体が設けられ、半導体構成体の周囲におけるベース板上に絶縁層が設けられ、半導体構成体および絶縁層上に上層配線が設けられ、上層配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられた半導体装置において、それが搭載される回路基板を含む全体としての小型化を図る。 - 特許庁

A laminate structure of an AlGaAs layer 4A and an InGsP layer 4B is used for an electron supply layer 4, and a laminate structure of a SiN film 6A and a SiO_2 film 6B is used for an insulation film 6 to be formed on the front surface of a semiconductor.例文帳に追加

電子供給層４にＡｌＧａＡｓ層４ＡとＩｎＧａＰ層４Ｂの積層構造を用い、半導体表面に形成する絶縁膜６にＳｉＮ膜６ＡとＳｉＯ_2膜６Ｂの積層構造を用いる。 - 特許庁

An LD and an EA comprising an n-type lower side clad layer 12, a core layer 13, and a p-type upper side clad layer 14 are formed to an LD region and an EA region on an insulation board 11 with an isolation region inbetween.例文帳に追加

絶縁性の基板１１上に分離領域を挟んでＬＤ領域とＥＡ領域に、それぞれｎ型の下側クラッド層１２、コア層１３及びｐ型の上側クラッド層１４によるＬＤとＥＡを形成する。 - 特許庁

In the plane view from the side of an object F, the light shielding layer BM and the insulation layer 28 overlap with the separation region between the second and third electrodes 24, and the light receiving surface of the light receiving element D is positioned inside the opening of the light shielding layer BM.例文帳に追加

対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭと絶縁層２８は第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 - 特許庁

At least part of the heat collection layer 3 confronts the transparent layer 1, and the thermal insulation layer 4 is arranged in a part on the opposite side of the solar light incidence part with respect of the fluid duct 5 in the hollow part of the hollow resin frame 21.例文帳に追加

集熱層３の少なくとも一部は透明層１と対向しており、断熱層４は、樹脂枠体２１の中空部の、流体流路５に関して上記太陽光入射部と反対側の部分に設けられている。 - 特許庁

To provide an electric wire for submersible motor which enhances workability when a coil is formed by improving the stripping performance of a protective layer while maintaining conventional adhesion (water sealing performance) between an insulation coating layer and the protective layer and preventing occurrence of water tree.例文帳に追加

従来からの絶縁被覆層と保護層との密着性（水封止性）を維持し水トリーの発生を防止しつつ、保護層の剥ぎ取り性を改善し、コイル形成時の作業性を向上させた水中モータ用電線を提供する。 - 特許庁

Fine gold particles 3115 having a diameter of 2 nm, an SiO_2 film 3116 serving as an insulation layer, and an n-type polysilicon electrode 3117 serving as an electrode layer are provided on the second SiO_2 layer 3114.例文帳に追加

第２のＳｉＯ_2 層３１１４の上に、微粒子体である直径２ｎｍの金微粒子３１１５と、絶縁層であるＳｉＯ_2 膜３１１６と、電極層であるｎ型多結晶シリコン電極３１１７とが設けられている。 - 特許庁

In the organic FET, an insulation layer 4 and a first organic molecular layer 6 are inserted into the upper surfaces of a source electrode 3 and a drain electrode 5, and a second organic molecular layer 7 is inserted into the side surfaces of the source electrode 3 and the drain electrode 5.例文帳に追加

本発明の有機FETでは、ソース電極３およびドレイン電極５の上面に絶縁層４と第一の有機分子層６を、ソース電極３およびドレイン電極５の側面に第二の有機分子層７を挿入する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor wherein the carrier density of a protective film side interface of an oxide semiconductor layer is lower than that of a gate insulation layer side and the film thickness of the oxide semiconductor layer is optimized, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化物半導体層の保護膜側界面のキャリア密度がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in generation of peeling and crack which are generated in the CMP process to form damascene and in the heat cycle, by eliminating mismatch of dynamics characteristic among inorganic system insulation films used for copper diffusion preventing layer, wiring layer and via layer.例文帳に追加

銅拡散防止層と配線層、ビア層に用いられる無機系絶縁膜間の力学特性のミスマッチを解消し、ダマシン形成におけるＣＭＰ工程やヒートサイクル時に生じる剥離、亀裂発生などの問題点を解決する。 - 特許庁

An anode electrode 21 and a grid wiring 25 are formed on a glass anode substrate 11; an insulation layer 23 and the grid fixing metallic layer 24 are laminated thereon; and a phosphor layer 22 is formed on the anode electrode 21 in opening parts 231 and 241.例文帳に追加

ガラスのアノード基板１１にアノード電極２１、グリッド配線２５等を形成し、その上に絶縁層２３、グリッド固着用金属膜２４を積層し、開口部２３１，２４１内のアノード電極２１に蛍光体層２２を形成する。 - 特許庁

The concentration distribution of nitrogen atom in the insulation layer 12 has a first peak 91 in the vicinity of the interface 12a with the conductive layer 14, and a second peak 92 in the vicinity of the interface 12b with the semiconductor layer 10.例文帳に追加

絶縁層１２は、導電層１４との界面１２ａ近傍に窒素原子の濃度分布の第１のピーク９１を有し、かつ、半導体層１０との界面１２ｂ近傍に窒素原子の濃度分布の第２のピーク９２を有する。 - 特許庁

The semiconductor device with the MOS structure includes a PMOS transistor QP having a structure in which a gate insulation film 5, a first metal layer 64, a second metal layer 65, and a polycrystalline polysilicon layer 63 are formed in this sequence.例文帳に追加

本発明に係わるＭＯＳ構造を有する半導体装置では、ＰＭＯＳトランジスタＱＰは、ゲート絶縁膜５、第１金属層６４、第２金属層６５、多結晶ポリシリコン層６３が当該順に形成された構成を有する。 - 特許庁

The alignment mark 40 is opened on a inter-layer insulation film in a single etching process of opening the via hole for forming a metal contact for connecting lower layer wiring to upper layer wiring.例文帳に追加

本アライメントマーク４０は、下層配線に上層配線を接続するメタルコンタクトを形成するビアホールを層間絶縁膜に開口する際に、ビアホールを開口する同じエッチング工程で層間絶縁膜に開口するアライメントマークである。 - 特許庁

A semiconductor apparatus has a metal substrate 101 as a substrate and a diamond-like carbon layer 102a having a high heat conductivity and a good insulation property as a surface coating layer 102 between the metal substrate 101 and a semiconductor thin-film layer 103.例文帳に追加

上記基板として金属基板１０１を用い、該金属基板１０１と半導体薄膜層１０３との間に表面コーティング層１０２として、熱伝導率が高く、且つ絶縁性が良いダイヤモンドライクカーボン層１０２ａを備える。 - 特許庁

To provide such a magnetism detection element that can ensure electrical insulation between a spin valve multilayer film and a hard bias layer in a CPP type magnetism detection element applying a vertical bias magnetic field to a free magnetic layer through the hard bias layer.例文帳に追加

ハードバイアス層によってフリー磁性層に縦バイアス磁界を与えるＣＰＰ型の磁気検出素子において、スピンバルブ多層膜とハードバイアス層の電気的絶縁を確実にとることのできる磁気検出素子を提供する。 - 特許庁

The bottom gate type thin film transistor comprises at least a resin substrate, a gate electrode and an insulating adhesion layer provided on the same surface of the resin substrate, and a gate insulation layer provided on the gate electrode and the insulating adhesion layer.例文帳に追加

ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。 - 特許庁

A gate electrode 9 is formed on the inner wall of a trench 12, that penetrates the p-type silicon carbide channel layer 4 to the n-type silicon carbide drift layer 2 from the surface of the n-type silicon carbide source layer 5 via the gate insulation film 8.例文帳に追加

ゲート電極９は、ｎ型炭化珪素ソース層５表面から、ｐ型炭化珪素チャネル層４を貫通して、ｎ型炭化珪素ドリフト層２に達するトレンチ１２内壁にゲート絶縁膜８を介して形成される。 - 特許庁

An image recording layer 22 capable of being recorded by an infrared laser is provided on a support in which a heat insulation layer 21 and metal layer 15a mainly containing a surface treated aluminum are sequentially provided on a metal base material 15b.例文帳に追加

金属製基材１５ｂ上に、断熱層２１、表面処理を施したアルミニウムを主とする金属層１５ａを順次設けてなる支持体上に、赤外線レーザで記録可能な画像記録層２２を有することを特徴とする。 - 特許庁