「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

In this solar cell, an insulation resin layer, a back electrode layer, a sealing resin layer and the like are colored to be made similar to color formation in a region of a component part occupying a majority area of the solar cell by including pigments and the like therein.例文帳に追加

本発明において、太陽電池の大部分の面積を占める構成部分の領域の発色と類似なものになるように、絶縁樹脂層、裏面電極層、封止樹脂層などを、顔料などを含ませて着色させる。 - 特許庁

In addition, a second wiring layer 40 and a third wiring layer 42, which are set to the ground potential, are provided, in the same layer as the second bit line pair BS, /BS, opposed with each other via each bit line and interlayer insulation film 32.例文帳に追加

第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳと同層で、第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭの各々のビット線と層間絶縁膜３２を介してそれぞれ対向し、互いにグランド電位に設定される第２，第３の配線層４０，４２を有する。 - 特許庁

The metal-containing layer 7 is formed like a dot to partly cover the surface of the gate insulation film 5, and an average distance between dots of the metal-containing layer 7 is set to be a diameter or less of the dot of the metal-containing layer 7.例文帳に追加

そして、金属含有層７は、ゲート絶縁膜５の表面を部分的に覆うようにドット状に形成されており、金属含有層７のドット間の平均距離は、金属含有層７のドットの直径以下に設定されている。 - 特許庁

An insulation resin layer, a backside electrode layer, a seal resin layer, etc., are colored by containing pigments, etc., so as to be colored similarly to the developed color of regions of constituent parts occupying the almost area of the solar cell.例文帳に追加

本発明において、太陽電池の大部分の面積を占める構成部分の領域の発色と類似なものになるように、絶縁樹脂層、裏面電極層、封止樹脂層などを、顔料などを含ませて着色させる。 - 特許庁

A substrate including a first metal layer 110, a second metal layer 120 having a top face and a bottom face facing each other, and an insulation layer 130 between the first and second metal layers is provided by a method of manufacturing a package carrier.例文帳に追加

パッケージキャリアの製造方法において、第１金属層１１０と、互いに対向する頂面および底面を有する第２金属層１２０と、第１および第２金属層間の絶縁層１３０を含む基板が提供される。 - 特許庁

An adhesive metallic layer 2 and a diffusion prevention layer 3 are laminated in sequence on an inorganic insulation substrate 1, and an Au layer 4 and a metallic brazing material layer 5 for joining semiconductor elements are provided on the diffusion prevention layer 3 apart from each other with a specified interval of distance, thereby forming a semiconductor element mounting part.例文帳に追加

無機絶縁基板上１に、密着性金属層２および拡散防止層３を順次積層するとともに、該拡散防止層３上にＡｕ層４と半導体素子接合用の金属ロウ材層５とを所定間隔を開けて分離させてそれぞれ設けて成る半導体素子搭載部を形成した。 - 特許庁

The method of forming a conductor circuit is characterized in that a silicon-containing polymer layer patterned is formed on an insulation layer by using an ink jet device, and then, the formed layer is brought into contact with a solution of a transition metal salt or a suspension, thereby forming a transition metal layer on the silicon-containing polymer layer.例文帳に追加

インクジェット装置を用いることにより、パターン化されたケイ素含有重合体の層を絶縁層上に形成した後、遷移金属塩の溶液あるいは懸濁液と接触させることにより、該ケイ素含有重合体層上に遷移金属層を形成することを特徴とする導体回路の形成方法。 - 特許庁

The semiconductor substrate has: a junction layer forming a junction surface between a support substrate and a single-crystal semiconductor layer; a barrier layer formed by an insulating material containing nitrogen; a relaxing layer formed by an insulating material containing 1-20 atom% hydrogen while nitrogen concentration is less than 20 atom%; and an insulation layer containing halogen.例文帳に追加

半導体基板は、支持基板と単結晶半導体層の間に接合面を形成する接合層、窒素含有絶縁材料で形成されるバリア層、窒素濃度が２０原子％未満であって水素を１〜２０原子％含む絶縁材料で形成される緩和層、ハロゲンを含有する絶縁層を有する。 - 特許庁

In addition, in a palladium layer 40 as a catalyst layer formed on the build-up resin layer, the heighest part in the resin layer is surface-ground together with the palladium layer 40 up to a prescribed height, so that the highest part is left as an insulation area between circuits and the circuits are electrically isolated.例文帳に追加

また、そのビルドアップ樹脂層の上に形成した触媒層のパラジュウム層４０に関して、最も高さの高い樹脂層の部分をパラジュウム層４０ともども平面研磨して所定の高さまで取り除くので、最も高かった部分が回路間の絶縁領域となって電気的に回路間を切り離すことができる。 - 特許庁

A semiconductor device comprising a semiconductor layer 1, a gate insulation film 2, a gate electrode 3, an offset spacer layer 4, and an SD extension diffusion layer 6 subjected to ion implantation using the gate electrode 3 and the offset spacer layer 4 as a mask is manufactured by varying the thickness of the offset spacer layer 4 and each leak current level is measured.例文帳に追加

半導体層１と、ゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、オフセットスペーサ層４と、ゲート電極３およびオフセットスペーサ層４をマスクとしてイオン注入されたＳＤエクステンション拡散層６とを有する半導体装置を、オフセットスペーサ層４の膜厚を変化させて形成し、それぞれのリーク電流値を測定する。 - 特許庁

In this formation method of an insulation film, a two-layer structure of silicon and metal is formed by sequentially forming a silicon layer and a metal layer on a substrate; a reaction temperature at which the silicon and the metal produce a metal silicide in targeted composition is selected; and a metal silicide layer is formed by heating the two-layer structure.例文帳に追加

絶縁膜の形成方法において、基板上にシリコン層と金属層を順次形成してシリコンと金属の２層構造を形成し、前記シリコンと前記金属とが目標とする組成で金属珪化物を生成する反応温度を選択し、前記２層構造を加熱して金属珪化物層を形成する。 - 特許庁

The method of forming a conductor circuit is characterized in a silicon-containing polymer layer patterned is formed on an insulation layer by using a screen printer, and then, the formed layer is brought into contact with a solution of a transition metal salt or a suspension, thereby forming a transition metal layer on the silicon-containing polymer layer.例文帳に追加

スクリーン印刷装置を用いることにより、パターン化されたケイ素含有重合体の層を絶縁層上に形成した後、遷移金属塩の溶液あるいは懸濁液と接触させることにより、該ケイ素含有重合体層上に遷移金属層を形成することを特徴とする導体回路の形成方法。 - 特許庁

Part of a conductive layer 57 configuring an electrode connected to an MR element is placed in a groove formed between the lower shield layer 53 and the first part 54a of the upper shield layer in a state insulated from the lower shield layer 53 and the first part 54a of the upper shield layer via an insulation film 56.例文帳に追加

下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａの間に形成された溝内に、ＭＲ素子に接続される電極を構成する導電層５７の一部が、絶縁膜５６によって、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａに対して絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

In a multilayer printed wiring substrate wherein a plurality of conductor layers are laminated via an insulation layer, a conductor layer, which is one layer of inner layers, is a conductor layer (hereinafter referred to as a land formation layer) wherein only a through hole connecting conductor layers is formed, and a through hole is terminated by the land.例文帳に追加

絶縁層を介して複数の導体層が積層された多層プリント配線基板において、内層の１層の導体層は、導体層間を接続するスルーホールのランドのみが形成されている導体層（以下、ランド形成層という。）であり、このランドによりスルーホールが終端されていることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁

This semiconductor device has an electrode layer 1, a semiconductor layer 2, and a second electrode layer 3, which are successively layered in this order, and a first electrical insulation layer 4 and a third electrode layer 5, which are formed vertically in this order so as to be brought into contact with one-side sidewalls of the layered layers 1, 2, and 3.例文帳に追加

第１の電極層１、半導体層２及び第２の電極層３が順次積層された半導体装置において、それらの層の一方の側壁に接するように垂直方向に立てて設けた第１の電気絶縁層４及び第３の電極層５を順次有する半導体装置とする。 - 特許庁

Whereas no current flows in non-reception of light regardless of the presence of the conductive layer because the photoresponsive layer exhibits the insulation property, a large photocurrent flows in receiving light since the photoresponsive layer takes on conductivity by a photoelectric effect, and not only the photoresponsive layer but also the conductive layer become a conductive path.例文帳に追加

非受光時には光応答層が絶縁性を呈するので導電性層の存在に関わらず電流は流れないが、受光時には光応答層が光電効果によって導電性を帯び、かつ光応答層のみならず導電性層も導通経路となることで、大きな光電流が流れる。 - 特許庁

In an insulated wire for wiring multi-wires having a core wire being a conductor, an insulation layer for coating the core wire and an adhering layer for coating the insulated layer, the softening point of the adhering layer in the stage of a stage B is 30 to 100°C and the glass transition point of the adhering layer after hardening is equal to or higher than 180°C.例文帳に追加

導体である芯線と前記芯線を被覆する絶縁層と、さらに前記絶縁層を被覆する接着層とを有するマルチワイヤ配線用絶縁被覆電線（ワイヤ）において、接着層を、Ｂステージ状態での軟化点を３０〜１００℃とし、かつ硬化後のガラス転移点が１８０℃以上とする。 - 特許庁

To suppress the increase of the boundary layer of a substrate and a gate insulation film of a MOS transistor using a high dielectric constant gate insulation film by succeeding processing, and to improve film characteristics of a base film which is extremely thin.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜を使用したＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜と基板の界面層が後工程処理によって増加することを抑制するとともに、極薄膜である下地膜の膜特性を改善する。 - 特許庁

The diffusion of heat to the outside of the case 8 by the electric heater 13 is suppressed by heat insulation action of the heat insulation air layer 8c to heat and vaporize the pressure medium (a) efficiently and improve the response property for vehicle height adjustment.例文帳に追加

電気ヒータ１３による熱のケース８外への放散を断熱空気層８ｃによる断熱作用で抑制して、圧力媒体ａを効率よく加熱気化させ、車高調整の応答性を向上できる。 - 特許庁

For preventing defects during deposition, only the third insulation film in the part for forming a contact hole is removed, and the light emitting element comprising a positive electrode, an organic compound layer, and a negative electrode is formed on the third insulation film.例文帳に追加

また、成膜時の不良を防止するためにコンタクトホールが形成される部分の第３の絶縁膜のみ除去し、第３の絶縁膜上に陽極、有機化合物層、および陰極からなる発光素子を形成する。 - 特許庁

Since the oil movement suppression part 12m_p has a higher resistance to oil movement compared with the portion consisting of the gap winding, movement of insulation oil to the outer circumference side of the insulation layer 12 and the longitudinal direction of the cable 1 can be suppressed.例文帳に追加

油移動抑制部12m_pは、ギャップ巻きからなる部分と比較して油移動に対する抵抗を高められるため、絶縁層12の外周側及びケーブル1の長手方向に絶縁油が移動することを抑制できる。 - 特許庁

The insulation layer 3 and the boundaries 7, 8 at opposite ends of the overlapping range of the opposing surfaces 5a, 6a of the electrodes 5, 6 in the Z direction are spaced apart, respectively, by the thicknesses t1, t3 of the insulation layers 2, 4.例文帳に追加

Ｚ方向に関する電極５、６の対向面５ａ、６ａの重複範囲の両端境界７、８と絶縁層３との間は、それぞれ、絶縁層２、４の厚みｔ１、ｔ３だけ離隔している。 - 特許庁

That is, when the dimethyl silicone is added to the insulation 4 as the surface roughing agent, the surface of the insulation 4 is properly roughed and roughly molded, and a suitable amount of the talc-coated layer 5 of the release agent can be formed.例文帳に追加

すなわち、絶縁体４に表面粗し剤としてジメチルシリコーンを添加すると、絶縁体４の表面が適度にざらついて粗く成形され、剥離剤のタルク塗布層５の量を好適に形成できる。 - 特許庁

The method for decreasing the surface resistance value of the surface of an insulation adherend comprises sticking a pressure-sensitive adhesive film having an electroconductive pressure-sensitive adhesive layer to the insulation adherend and peeling the pressure-sensitive adhesive film.例文帳に追加

導電性粘着剤層を有する粘着フィルムを絶縁性被着体に貼着した後、前記粘着フィルムを剥がすことにより、前記絶縁性被着体表面の表面抵抗値を低下させる方法。 - 特許庁

Two supporting substrates 12 and 15, each of which surfaces has a wiring layer 13 or 16 formed by etching, are opposed with their respective wiring layers faced inside, and an insulation sheet 17a made of a thermoplastic resin is placed between them, then the insulation sheet and the supporting substrates are thermocompression-bonded.例文帳に追加

表面に配線層１３または１６をエッチングで形成した２枚の支持基板１２、１５を配線層を内側にして対向させ、熱可塑性樹脂の絶縁シート１７ａを挟んで熱圧着する。 - 特許庁

To provide a sound-absorption thermal insulation hose reduced in weight and cost by reducing a resin sheet-like strip material without forming an intermediate sheet layer over the whole length, while maintaining thermal insulation efficiency.例文帳に追加

中間シート層を全長に亘って形成することなく、その樹脂シート状帯の材料を節減して軽量化および原価低減を図るとともに、断熱性には悪影響を与えない吸音断熱ホースを提供する。 - 特許庁

To prevent trouble in a circuit provided to a device even when an electronic element such as a TFT formed on a layer under an interlayer insulation film is short-circuited to a wiring formed on the upper side of the interlayer insulation film.例文帳に追加

例えば、層間絶縁膜の下層に形成されたＴＦＴ等の電子素子が層間絶縁膜の上側に形成された配線とショートした場合でも、装置が備える回路に不具合が生じることを防止する。 - 特許庁

Further, the second insulation film 3c is formed in the other side surface of the active region 3a, and is formed from the surface of the SOI layer 3 to a predetermined depth not to reach the buried insulation film 2 across.例文帳に追加

また、第二の絶縁膜３ｃは、活性領域３ａの他方の側面において形成されており、かつ、ＳＯＩ層３の表面から、埋め込み絶縁膜２に至らない所定の深さにかけて形成されている。 - 特許庁

Each dummy gate electrode is embedded with a sidewall insulation film, the polysilicon film at an upper portion of each dummy gate is removed, a recess is formed on the insulation layer, and a second metal film is laminated in the recess to form a CMOS gate electrode.例文帳に追加

各ダミーゲート電極を、側壁絶縁膜で埋め込み、各ダミーゲートの上部のポリシリコン膜を除去し、絶縁層に凹部を形成した後、凹部内に第二の金属膜を積層し、ＣＭＯＳのゲート電極とする。 - 特許庁

Then, the pattern-formed group III nitride lift-off layer 31a is selectively removed by an etchant to the insulation film 39, and an insulation film 39b including an opening 39c is formed by a lift-off method.例文帳に追加

引き続き、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａを絶縁膜３９に対してエッチャントを用いて選択的に除去して、リフトオフ法により、開口３９ｃを有する絶縁膜３９ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a power cable having an insulation layer, which is properly strippable without NBR, maintains a satisfactory level of thermal stability, and is surrounded by an insulation shield giving improved processability during cable extrusion.例文帳に追加

ＮＢＲ無しで、適切に剥離型であり、満足なレベルの熱安定性を維持し、ケーブル押し出し時に改善された加工性をもたらす絶縁シールドにより取り囲まれた絶縁層を有する電力ケーブルを提供する。 - 特許庁

A gate structure formed on a semiconductor substrate 101 comprises the insulation film 104 having a high dielectric constant, and a reaction prevention layer 105 which is formed on top of the insulation film 104 and composed of a silicon oxide film or a silicon oxide nitride film.例文帳に追加

半導体基板１０１に形成されたゲート構造は、高誘電率絶縁膜１０４及びその上にシリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒化膜からなる反応防止層１０５から構成される。 - 特許庁

On the external peripheral surface of the piston 40, there are formed a heat insulation region in which a coating layer 44a lower in heat conductivity than a base material 43 of the piston 40, and a region in which the heat insulation region is not formed.例文帳に追加

ピストン４０の外周面に、ピストン４０の基材４３よりも熱伝導率の小さいコーティング層４４ａが形成された断熱領域と、断熱領域が形成されていない領域とを設ける。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board which is superior in mechanical strength, heat resistance, adhesion strength, durability and dimensional stability, and has high insulation reliability, even if an insulation layer is thinned and enables high density of a wiring.例文帳に追加

機械的強度，耐熱性，接着強度，耐久性，及び寸法安定性が良好で、且つ絶縁層を薄くしても絶縁信頼性が高く、配線の高密度化が可能な多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

The thermal insulation panel is integrally molded with the thermal insulation layer by heating and foaming by a heating medium such as steam, by filling the foaming synthetic resin between the two metallic plates surface-treated by the thermoplastic synthetic resin.例文帳に追加

また、熱可塑性合成樹脂で表面処理された２枚の金属板間に、発泡性合成樹脂を充填し、水蒸気等の加熱媒体で加熱発泡させることにより断熱層と一体成形された断熱パネル。 - 特許庁

Insulation layers 23a are formed at an outer diameter surface and both end surfaces of the outer ring 23 and the tight seal 26 is attached to the outer ring 23 so as to cover a part of the insulation layer 23a with a tight seal attachment part 26a.例文帳に追加

外輪２３の外径面および両端面には、絶縁層２３ａが形成されており、密封シール２６は、密封シール取付部２６ａで絶縁層２３ａの一部を覆うように外輪２３に取り付けられている。 - 特許庁

The warpage of an array substrate is reduced by mitigating stress of the array substrate while eliminating a part or the whole (7a, 9a) of an interlayer insulation layer 7 and a protective film 9 being the insulating thin films of an area where insulation is electrically unnecessary.例文帳に追加

電気的に絶縁不要な領域の絶縁性薄膜の層間絶縁層７と保護膜９の一部または全部（７ａ，９ａ）を除去することにより、応力を緩和し、アレイ基板の反りを低減する。 - 特許庁

The thin film transistor is composed of a semiconductor layer, gate insulation film, gate electrode having conductive material-made side-walls, low-concentration N-type impurity region, source region and drain region, all formed on an insulation substrate.例文帳に追加

絶縁基板上の半導体層、ゲート絶縁膜、導電性材料から成るサイドウォールを有するゲート電極、低濃度Ｎ型不純物領域、ソース領域及びドレイン領域から構成される薄膜トランジスタ。 - 特許庁

The stationary air part 56 between the inner wall 48 and the heat insulation mat 34 is formed in a stationary air layer since an ear part 40 around the heat insulation mat 34 is secured to a shaft member such as a column 26 by a moisture-proof sheet retaining edge 44.例文帳に追加

内壁４８と断熱マット３４の間の静止空気部５６は、断熱マット３４の周囲の耳部４０が防湿シート押え縁４４により柱２６等の軸部材に固定され、静止空気層となる。 - 特許庁

When an insulation film 17 is formed following to formation of the capacitor structure 16, level difference of the insulation film 17 is relaxed at the end of an array of the transfer gate 12 and a resist layer formed thereon does not become thin.例文帳に追加

上記キャパシタ構造１６を形成後に絶縁膜１７を形成すると、トランスファゲート１２配列端部上の絶縁膜１７の段差は緩和され、その上に形成されるレジスト層は薄くなる箇所がなくなる。 - 特許庁

It is preferable that each drain electrodes D of the TFT is extended on the surface of the auxiliary capacitance electrode 18a via an insulation layer 26 thinner than the thickness of a gate insulation film covering the surrounding of the auxiliary capacitance line 18.例文帳に追加

この補助容量電極１８ａの表面には補助容量線１８の周辺を覆うゲート絶縁膜の厚さよりも薄い絶縁層２６を介してＴＦＴのドレイン電極Ｄを延在させるとよい。 - 特許庁

An insulation layer made of SiC having insulation performance of ≥1×10^6 Ωcm specific resistance is formed by doping vanadium on a base material made of SiC having conductivity, and a base substrate is obtained.例文帳に追加

導電性を有するＳｉＣからなる基材の上に、バナジウムをドープすることによって比抵抗が１×１０^6Ωｃｍ以上の絶縁性を有するＳｉＣからなる絶縁層を形成して、下地基板を得る。 - 特許庁

A multilayer gate of different kinds of grain is formed by forming the gate insulation film 22 on the semiconductor substrate 21, and then forming the lower polysilicon germanium layer 23 having a columnar crystal structure on the gate insulation film 22.例文帳に追加

異種結晶粒積層ゲートを形成する方法は、半導体基板２１上にゲート絶縁膜２２を形成し、ゲート絶縁膜２２上に柱状結晶構造を有する下部ポリシリコンゲルマニウム層２３を形成する。 - 特許庁

To accurately measure insulation resistance of each element even when insulation resistance is measured simultaneously for a plurality of elements when a thin film magnetic head in which a substrate and a shield layer are connected is manufactured.例文帳に追加

基板とシールド層を接続した薄膜磁気ヘッドを製造する際に、複数の素子に対して同時に絶縁抵抗を測定する場合であっても、各素子の絶縁抵抗を正確に測定できるようにする。 - 特許庁

This thermal insulation panel is provided by forming the thermal insulation layer formed by integrally molding a foaming synthetic resin on the metallic plate of treating a surface by a thermoplastic synthetic resin compatible with the foaming synthetic resin.例文帳に追加

発泡性合成樹脂と相溶性を有する熱可塑性合成樹脂で表面処理された金属板に発泡性合成樹脂が一体成形されてなる断熱層を形成することで得られる断熱パネル。 - 特許庁