「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

To form an electrical insulation layer for maintaining an electrical insulation between electrodes under a strong electric field and achieving a mechanical protection function for the electrodes in a stator or a movable element of an electrostatic motor.例文帳に追加

静電モータの固定子又は可動子において、強電界下で電極間の電気的絶縁性を維持でき、かつ電極に対する機械的保護機能を発揮できる電気絶縁層を形成する。 - 特許庁

Here, the ion-implantation is performed through the partitioning insulation film 105 and gate insulation film 103 using the first gate electrode element 104 as the mask to form an impurity region 111 to a semiconductor layer 102.例文帳に追加

第１ゲート電極要素１０４をマスクとして仕切絶縁膜１０５、ゲート絶縁膜１０３を通してイオン注入を行って、半導体層１０２に不純物領域１１１を形成する。 - 特許庁

In such a case, the insulation pattern 66 makes contact not only with a bottom edge of a floating gate but also with a sidewall of the floating gate, and a corner part of the floating gate is surrounded with the insulation layer.例文帳に追加

本発明で前記絶縁膜パターンは前記浮遊ゲートの下部面縁部だけではなく前記浮遊ゲートの側壁にも接触されて浮遊ゲートの角部分が絶縁膜で囲まれることが特徴である。 - 特許庁

To form an interlayer insulation film with good strength which enables easy setting of a shape, a size and a position of a viahole when a semiconductor device having a layer insulation film with a viahole is manufactured.例文帳に追加

空孔をもつ層間絶縁膜を有する半導体装置の製造に際し、空孔の形状や寸法や位置の設定が容易で、良好な強度を有する層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A high voltage generating insulation transformer comprises a bobbin 10 with flanges 12, 13, 14, and 15 incorporating a core CA, primary winding L1 on the bobbin 10, an insulation layer 21 formed with an insulative string member, and secondary winding L2.例文帳に追加

コアＣＡを組み込むフランジ１２、１３、１４、１５付きのボビン１０と、ボビン１０上の１次巻線Ｌ1 と、絶縁性の糸材により形成する絶縁層２１と、２次巻線Ｌ2 とを設ける。 - 特許庁

The printed circuit board includes: an upper circuit layer 600 including connection pads 630 made of a conductive metal and buried in an insulation layer 700; and metal bumps 500 of a constant diameter, which are integrated with the connection pads 630, protrude over the connection pads 630 and also protrude over the insulation layer 700.例文帳に追加

絶縁層７００上に埋め込まれた電気伝導性金属でなる接続パッド６３０を含む上部回路層６００；及び接続パッド６３０と一体を成し、接続パッド６３０の上部に突出するとともに絶縁層７００の上部に突出した一定直径の金属バンプ５００を含む。 - 特許庁

To provide a high dielectric resin composition that can more easily introduce into a printed wiring board a high dielectric insulation layer in a form of adhesive film by a vacuum laminator, and allows formation of a plating conductor layer with excellent adhesion strength on the high dielectric insulation layer even when prepared using dielectric powders with a small particle size.例文帳に追加

接着フィルムの形態で、真空ラミネーターにより簡便にプリント配線板に高誘電絶縁層を導入することができ、また小粒径の誘電体粉末を使用した場合でも、該高誘電絶縁層上に、密着強度に優れたメッキ導体層が形成可能な、高誘電樹脂組成物の提供。 - 特許庁

A wiring layer 21 and a wiring layer 22 are formed on both sides of an insulation base member 11, the solder bump electrode pads 41 for connection to a semiconductor chip are formed on one side via an insulation layer 31, and the solder ball electrode pads 43p for connection to the printed wiring board is formed on the other side.例文帳に追加

絶縁基材１１の両面に配線層２１と配線層２２が形成されており、絶縁層３１を介して一方の面には半導体チップを接続するための半田バンプ用電極パッド４１が、他方の面にはプリント配線板と接続するための半田ボール用電極パッド４３ｐが形成されている。 - 特許庁

On a semiconductor layer 103 which is a columnar structure body extended in a prescribed direction on an insulation layer 102 whose width and height are in the range of several nm to several tens nm, a plurality of gate electrodes 105 are arrayed in the extended direction of the semiconductor layer 103 through a gate insulation film 104.例文帳に追加

絶縁層１０２上において所定の方向に延在する柱状の構造体であり、幅および高さが数ｎｍから数１０ｎｍの範囲となっている半導体層１０３上に、ゲート絶縁膜１０４を介して複数のゲート電極１０５を、半導体層１０３の延在方向に配列する。 - 特許庁

On a metal sheet for forming a conductor layer to be connected to a first semiconductor exposed to a hole of an electric insulation layer formed by applying paste of an electric insulating resin to the back face of a support body to be dried or an electrode formed thereon, a hole communicating with the hole of the electric insulation layer is formed in advance.例文帳に追加

支持体の裏面に電気絶縁性樹脂のペーストを塗布、乾燥して形成した電気絶縁層の孔に露出している第１半導体又はそこに設けた電極と接続するための導電体層を形成する金属シートに、あらかじめ電気絶縁層の孔と連通する孔を設ける。 - 特許庁

To suppress a variation of gaps between the tip of the projection provided, directly underneath a movable portion and the movable portion in the direction of thickness in a semiconductor dynamic quantity sensor wherein a movable portion is partitioned from a semiconductor layer by a groove reaching an insulation layer and the insulation layer, directly underneath the movable portion is removed through the groove.例文帳に追加

絶縁層に達する溝により、半導体層に可動部が区画されるとともに、溝を通じて可動部直下の絶縁層が除去されてなる半導体力学量センサにおいて、可動部直下に設ける突起部の突起先端と可動部との厚み方向の間隔ばらつきを抑制すること。 - 特許庁

The cable 1 has a craft-paper tape wound around a conductor 2 side and an outer shielding layer 4 side to form craft-paper layers 6, 8, between which, a plastic laminated paper tape is wound to form a plastic laminated paper layer 7, and is further provided with an oil-immersed insulation layer 3 made by immersing high-viscosity insulation oil in the layers 6, 7, 8.例文帳に追加

ケーブル１は、導体側２と外部遮蔽層４側にクラフト紙テープを巻き回してクラフト紙層６、８を形成し、その間にプラスチックラミネート紙テープを巻き回してプラスチックラミネート紙層７を形成し、これらの層６、７、８に高粘度絶縁油を含浸してなる油浸絶縁層３を有する。 - 特許庁

A resin composition for a plating resist is used as a part of an interlayer insulation layer of a multilayer printed wiring board comprising the interlayer insulation layer and a conductive layer which are alternately laminated, and includes 30-90 mass% of a titanium oxide relative to a resin solid content.例文帳に追加

層間絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる多層プリント配線板の層間絶縁層の一部として用いられるめっきレジスト用樹脂組成物であって、樹脂固形分に対して３０〜９０質量％の酸化チタンを含むことを特徴とするめっきレジスト用樹脂組成物である。 - 特許庁

A potential fixed region 3A composed of a region where no insulation layer is formed below a body part 4 near a first impurities region 6 of an insulation layer 2A in a manner to extend toward a first semiconductor layer 1, and a body fixing part 5 is formed in a boundary region between the body part 4 and the potential fixed region 3A.例文帳に追加

絶縁層２Ａの第１不純物領域６に近いボディ部４の下方には、絶縁層が設けられていない領域からなる電位固定領域３Ａが、第１半導体層１に向かって延びるように設けられており、ボディ部４と電位固定領域３Ａとの境界領域にボディ固定部５が形成されている。 - 特許庁

The display apparatus is so constituted that: a circuit for driving the pixels is arranged in a pixel area on one face of an insulation layer; a light emitting layer is arranged in the pixel area on the other face via an electrode on the other one side; and the electrode on the other one side is connected to the circuit through a hole formed on the insulation layer.例文帳に追加

絶縁層体の一方の面の画素領域に当該画素を駆動する回路が配置され、他方の面の当該画素領域に一方の電極を介して発光層が配置され、 前記一方の電極は前記絶縁層体に形成された孔を通して前記回路に接続されている。 - 特許庁

In this interface cable constituted by covering two sets of twist pair electric wires, whose each electric wire used as a signal wire, is covered with an internal shield layer and two insulation covered electric wires, used as power supply wire with an external shield layer, two insulation covered electric wires used as signal wire, are covered with the external shield layer.例文帳に追加

信号線として用いられる各々が内部シールド層で覆われた２組のツイストペア電線と、電源線として用いられる２本の絶縁被覆電線とが外部シールド層により覆われてなるインターフェースケーブルにおいて、更に信号線として用いられる２本の絶縁被覆電線が前記外部シールド層により覆われている。 - 特許庁

The insulation wire 1 includes a conductor 10, an inner layer 12 coating the conductor 10 and having insulation property containing ethylene ethyl acrylate copolymer (EEA), and an outer layer 14 coating the inner layer 12 and containing ethylene vinylacetate copolymer (EVA) and a non-halogen flame retardant agent and having oil resistance and flame retardancy after crosslinking.例文帳に追加

本発明に係る絶縁電線１は、導体１０と、導体１０を被覆し、エチレンエチルアクリレート共重合体（ＥＥＡ）を含む絶縁性を有する内層１２と、内層１２を被覆し、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）とノンハロゲン難燃剤とを含み、架橋して耐油性及び難燃性を有する外層１４とを備える。 - 特許庁

A light-receiving element 70 is composed of a PDSOI transistor (MOS transistor) in which a gate electrode 72 is formed on the surface of a p-type silicon layer 15 used as a channel body via a gate insulation film 71, and a source diffusion layer 73 and a drain diffusion layer 74 are formed to a depth reaching the insulation film 14.例文帳に追加

受光素子７０は、ｐ型シリコン層１５をチャネルボディとして、その表面にゲート絶縁膜７１を介してゲート電極７２が形成され、絶縁膜１４に達する深さにソース拡散層７３およびドレイン拡散層７４が形成された、ＰＤＳＯＩトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）により構成されている。 - 特許庁

As shown in the figure 1, a p-channel DTMOS 10 comprises an SOI substrate 11 having a buried oxide film layer 13 and an Si layer 14 on a p-type silicon substrate 12, a gate insulation film 15 formed on the Si layer 14, and a gate electrode 16 formed on the gate insulation film 15.例文帳に追加

図１に示すように、本発明のｐチャネルＤＴＭＯＳ１０は、ｐ型シリコン基板１２上に埋め込み酸化膜層１３とＳｉ層１４とを有するＳＯＩ基板１１と、Ｓｉ層１４の上に設けられたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５の上に設けられたゲート電極１６とを備えている。 - 特許庁

The reach through layer plug PL is formed in a reach through groove 15 which penetrates insulation films 20 and 14, a gate insulation film 4 and the epitaxial layer 2 and reaches the main surface of the semiconductor substrate 1, and it is electrically connected with a p^+-type diffused layer 16 formed on the semiconductor substrate 1 on the bottom of the reach through groove 15.例文帳に追加

このリーチスルー層プラグＰＬは、絶縁膜２０，１４、ゲート絶縁膜４およびエピタキシャル層２を貫通して半導体基板１の主面に達するリーチスルー溝１５内に形成されており、そのリーチスルー溝１５の底部の半導体基板１に形成されたｐ^＋型拡散層１６に電気的に接続されている。 - 特許庁

The surface of pure iron powder in which the whole face or a part of the surface is provided with iron oxide is coated with at least one insulation layer selected from oxides, carbonates and sulfates, further, the surface thereof is coated with a silicone resin layer, and the surface of the pure iron powder and the insulation layer are fixed by bond strengthening treatment.例文帳に追加

表面の全面または一部に鉄酸化物を備える純鉄粉の該表面に、酸化物、炭酸塩および硫酸塩のうちから選んだ少なくとも一種の絶縁層を被覆し、さらにその上にシリコーン樹脂層を被覆し、さらに上記純鉄粉の表面と上記絶縁層とを結合強化処理により固着する。 - 特許庁

In the insulation film 3 having coating layers 2 consisting of a thermocuring resin on the upper and lower surfaces of a liquid crystal polymer layer 1, the thickness of the liquid crystal polymer layer 1 is 40-90% of the thickness of the insulation film 3 and a thermal expansion coefficient in the direction of layer of the same is 3-40×10^-6/°C.例文帳に追加

液晶ポリマー層１の上下面に熱硬化性樹脂から成る被覆層２を有する絶縁フィルム３であって、液晶ポリマー層１は、その厚みが絶縁フィルム３の厚みの40〜90％であり、絶縁フィルム３は、その層方向における熱膨張係数が３〜40×10^-6／℃であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for heat insulating protective covering of a heat insulation plastic pipe capable of covering a foam plastic layer on a plastic pipe, and covering a bare plastic pipe part at an end of the heat insulation plastic pipe with a protective metal layer covered on the covered layer with an excellent cut-off property by a heat insulating protective covering cut to a desired length.例文帳に追加

プラスチック管上に発泡プラスチック層を被覆し、その被覆層上に保護金属層を被覆した断熱プラスチック管端部における裸のプラスチック管部分を、所望の長さに切断した断熱保護被覆材により優れた止水性で被覆できる断熱プラスチック管の断熱保護被覆方法を提供する。 - 特許庁

The memory cell has a self-aligned two-layer gate structure which is formed on a semiconductor substrate 101 and comprises a gate insulation film 2, a first conductor 3 which becomes the floating gate layer, a second conductor 7 which becomes the control gate layer, and an insulation film 6 for electrically insulating the first conductor and the second conductor.例文帳に追加

メモリセルは、半導体基板１０１上に形成された、ゲート絶縁膜２と、浮遊ゲート層となる第１の導電体３と、制御ゲート層となる第２の導電体７と、第１の導電体と第２の導電体を電気的に絶縁する絶縁膜６からなる自己整合的な二層ゲート構造を有する。 - 特許庁

The organic thin-film transistor comprises a gate electrode pattern, a gate insulation layer, a source electrode pattern, a drain electrode pattern, and a semiconductor layer containing an organic semiconductor material formed on a substrate wherein the gate insulation layer contains gelatin bridged by a hardening agent.例文帳に追加

基体上に、少なくともゲート電極パターン、ゲート絶縁層、ソース電極パターン、ドレイン電極パターン、及び有機半導体材料を含有する半導体層と、を有する有機薄膜トランジスタにおいて、該ゲート絶縁層が、硬膜剤によって架橋されたゼラチンを含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

To provide a method for producing a wiring board advantageous for mass production because an insulation layer having a flat upper surface can be formed on a wiring layer and the gap for forming the insulation layer can be controlled easily, a composite sheet for producing the wiring board, and a wiring board being produced by that method.例文帳に追加

配線層上に平坦な上面を有する絶縁層を形成することができ、しかも絶縁層を形成するためのギャップの制御が容易なため量産化に有利な配線基板の製造方法、それに用いる配線基板製造用複合シート、並びに、その製法で得られうる配線基板を提供する。 - 特許庁

The coil end part 143b of a coil 143 of a stator comprises the insulation layer 144 formed by applying and hardening a powder epoxy resin so as to cover a joint end 143d of a covered conductor 143a which is a conductor segment; and a protection member layer 145 formed by applying and hardening a refrigerant resistance varnish so as to cover the insulation layer 144.例文帳に追加

ステータのコイル１４３のコイルエンド部１４３ｂは、導体セグメントである被覆導体１４３ａの接合端部１４３ｄを覆うように粉体エポキシ樹脂を塗布硬化して形成した絶縁層１４４と、絶縁層１４４を覆うように耐冷媒性ワニスを塗布硬化して形成した保護材層１４５とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate, an insulation layer of a low dielectric constant material provided on the substrate, a modified layer provided on the sidewall of a hole formed in the insulation layer and having oxygen content relatively higher than that of the low dielectric constant material, and a conductive part filling that hole.例文帳に追加

基体と、前記基体の上に設けられた低誘電率材料からなる絶縁層と、前記絶縁層に形成された穴の側壁に設けられ、前記低誘電率材料よりも酸素含有量が相対的に高い改質層と、前記穴を充填する導電部と、を備えたことを特徴とする半導体装置を提供する。 - 特許庁

After depositing a layer insulation film 18 on a substrate provided with an element, wires 52 and 56 of a lower layer, the layer insulation film 18 has a via hole 70 reaching the wire 56 formed in an internal element area and an annular groove 30 reaching an annular pad 16 formed in the outer periphery part of a chip region.例文帳に追加

素子や下層の配線５２，５６が設けられた基板上に、層間絶縁膜１８を堆積した後、層間絶縁膜１８に、内部素子領域においては配線５６に到達するヴィアホール７０を、チップ領域外周部においては環状パッド１６に到達する環状溝３０を、それぞれ形成する。 - 特許庁

This cable 60 includes at least one conductor layer 66 for electrically connecting a detector module to DAS, shield layers 68, 70 having at least one thermal insulation part disposed adjacently to the layer 66, and insulation layers 72, 74 arranged between the layer 66 and the layers 68, 70.例文帳に追加

ケーブル（６０）は、検出器モジュールをＤＡＳに対して電気的に接続するための少なくとも１つの導体層（６６）、前記導体層に隣接して配置され且つ少なくとも１つの断熱部（１００、１０２）を有する遮蔽層（６８、７０）、及び前記導体層と前記遮蔽層との間に配置された絶縁層（７２、７４）を含む。 - 特許庁

Consequently, connection reliability of the via conductors 34, 70 can be prevented from dropping due to the warpage of the insulation layer 32 and the interlayer resin insulation layer 68 on a memory 42 caused by reflow heating when a CPU 90 is mounted and heating/cooling during a heat cycle.例文帳に追加

このため、ＣＰＵ９０を実装する際のリフロー加熱、ヒートサイクル時の加熱・冷却によるメモリ４２上の絶縁層３２、層間樹脂絶縁層６８の反りによるビア導体３４とビア導体７０との接続信頼性の低下を防ぐことができる。 - 特許庁

In the wiring board, the protection layer 3 including inorganic insulation powder 12 and an organic resin is formed on the surface of the core substrate 1, amount of inorganic insulation powder 12 in the protection layer 3 in the side of the core substrate 1 is larger than that in the side of surface 15.例文帳に追加

コア基板１の表面に、無機絶縁粉末１２および有機樹脂を含有する保護層３が形成されてなる配線基板において、前記保護層３中の、前記コア基板１側の無機絶縁粉末１２量が表面１５側より多い。 - 特許庁

A semiconductor layer 1 is formed on a substrate 60, a gate insulation film 2 with an etching rate of 4 nm/sec or less by BHF is formed so that the semiconductor layer 1 can be covered, a titanium film 34, a film 35 containing aluminum, and a titanium nitride film 36 are successively formed on the gate insulation film 2.例文帳に追加

基板上６０に、半導体層１、これを覆うようにＢＨＦによるエッチングレートが４ｎｍ／秒以下のゲート絶縁膜２を形成し、ゲート絶縁膜２上にチタン膜３４、アルミニウムを含む膜３５、窒化チタン膜３６を順次成膜する。 - 特許庁

Since stripping of an interlayer insulation layer 50 from a core substrate 30 or the IC chip is prevented and the interlayer insulation layer 50 is protected against cracking in the vicinity of the corner part 20a, reliability of the multilayer printed wiring board 10 can be enhanced.例文帳に追加

このため、角部２０ａの近傍で、コア基板３０と層間樹脂絶縁層５０、ＩＣチップと層間樹脂絶縁層５０との剥離、及び、層間樹脂絶縁層５０でのクラックの発生を防ぎ、多層プリント配線板１０の信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

The tension member 3 can be arranged as a covering layer covering the outer periphery of the twisted wire conductor 1, or a buried linear body in a plastic insulation covering 2, or an interposing layer laid between the twisted wire conductor 1 and the plastic insulation covering 2.例文帳に追加

前記テンションメンバー３は撚線導体１の外周を覆った被覆層、あるいはプラスチック絶縁被覆２内に埋め込まれた埋込み線条体、あるいは撚線導体１とプラスチック絶縁被覆２との間にある介在層として配設することが出来る。 - 特許庁

On the top and side surfaces of a body region 32 of the silicon layer 14 which is obtained by removing source and drain regions from the silicon layer 14, a gate insulation film 36 is formed, and a gate electrode 40 is so formed as to cover the gate insulation film 36.例文帳に追加

シリコン層１４の領域であってソース領域およびドレイン領域を除いた領域であるボディー領域３２の上面および側面には、ゲート絶縁膜３６が形成されており、そのゲート絶縁膜３６を覆ってゲート電極４０が形成されている。 - 特許庁

Conductor circuits 40A, 40B are buried in the insulation layer 42 on the side of a first surface 42U and positioned in level with the first surface of the insulation layer 42, which has no unevenness thereupon and is flat, so that the IC chip 60 can be mounted with high reliability.例文帳に追加

導体回路４０Ａ、４０Ｂが、絶縁層４２の第１面４２Ｕ側に埋め込まれ、絶縁層４２の第１面と同一平面に位置し、絶縁層上に凸凹が無くフラットであるため、ＩＣチップ６０を信頼性高く搭載することができる。 - 特許庁

Further, the method includes the processes of: fixing an insulation member on a backside of the semiconductor layer so as to be opposite to the circuits and then peeling the support member; and dicing the semiconductor layer where the insulation member is fixed so that the LV, HV and LS are included in a chip.例文帳に追加

次いで、回路部と対向するように絶縁部材を半導体層の裏面上に固定した後、サポート部材を剥がす工程と、チップ内にＬＶ，ＨＶ，ＬＳが含まれるように絶縁部材の固定された半導体層をダイシングする工程を経る。 - 特許庁

To provide a catalyst remover for a printed wiring board which can quickly remove a catalyst remaining on the surface of an insulation layer of a printed wiring board formed with a metal conductor circuit, and which never damages the conductor circuit and the insulation layer and has an improved pollutant level.例文帳に追加

金属導体回路形成したプリント配線板の絶縁層表面に残留する触媒を速やかに除去でき、更に導体回路や絶縁層を侵すことがなく且つ公害性を改善したプリント配線板の触媒除去液を提供すること。 - 特許庁

A layer B composed of a metal wiring 302 and an interlayer insulation film 303, and a layer D composed of a metal wiring 304 formed perpendicularly to the metal wiring 302 and an interlayer insulation film 305 are formed beneath an oxide film 301.例文帳に追加

酸化膜３０１の下層には、金属配線３０２と層間絶縁膜３０３からなるＢ層と、金属配線３０２と直交する方向に形成された金属配線３０４と層間絶縁膜３０５からなるＤ層との多層配線が形成されている。 - 特許庁

It is preferred that the connection member (11) includes a bump portion (12) penetrating the chip surface insulation layer (7), a low melting point portion (13) penetrating the substrate surface insulation layer (10) and a contact region (16) at which the bump portion (12) and the low melting point portion (13) contact with each other.例文帳に追加

接続部材（１１）は、チップ面絶縁層（７）を貫通するバンプ部分（１２）と、基板面絶縁層（１０）を貫通する低融点部分（１３）と、バンプ部分（１２）と低融点部分（１３）とが接触している接触領域（１６）とを備えることが好ましい。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device 100 including an insulation layer 4 comprises a step for forming the insulation layer 4 by applying a liquid material a plurality of times repeatedly.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁層４を含む半導体装置１００の製造方法であって、液体材料を複数回に亙って重ね塗りすることにより前記絶縁層４を形成する絶縁層形成工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Then, a part formed on the bottom face of at least the recessed part 22 in the insulation layer 28 is etched with a second etchant having the property that at least the insulation layer 28 is etched without forming any residue in the conductive part 30 so that the conductive part 30 can be exposed.例文帳に追加

導電部３０に残留物を形成することなく少なくとも絶縁層２８をエッチングする性質の第２のエッチャントによって、絶縁層２８のうち少なくとも凹部２２の底面に形成された部分をエッチングして導電部３０を露出させる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the light emission element equipped with a substrate 1, luminescence layers 5R, 5G, and 5B formed on the substrate 1, and the insulation layer 3 which divides each of the luminescence layers 5R, 5G, and 6B, the process which forms the insulation layer 4 by electronic photograph method is included.例文帳に追加

基板１と、基板１上に形成された発光層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂと、発光層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを互いに区画する絶縁層３と、を備える発光素子の製造方法において、絶縁層３を電子写真法により形成する工程を含む。 - 特許庁

A member composed by forming bumps 43 each having a projecting part on electrode pads 41 of a substrate 40A, and bringing a sheet-like member 51 into press contact with an insulation layer 44 to expose partial parts of the projecting parts 43b to the upper surface of the insulation layer 44 is segmented to provide electronic components 40.例文帳に追加

基板４０Ａの電極パッド４１上に突起部を有するバンプ４３を形成し、シート状の部材５１を絶縁層４４に圧着して突起部４３ｂの一部を絶縁層４４の上面に露出させたものを個片化して電子部品４０を得る。 - 特許庁