「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

The second electroconductor is configured so that a third electroconductor arranged in a second hole formed at the first interlayer insulation layer and a fourth electroconductor arranged in a third hole formed at the second interlayer insulation layer can be laminated and electrically connected to each other.例文帳に追加

この第２の導電体は第１の層間絶縁層に配された第２のホールに配された第３の導電体と、第２の層間絶縁層に配された第３のホールに配された第４の導電体とが、積層され電気的に接続された構成である。 - 特許庁

Substrates with electrodes are bonded by the anisotropic conductive film 5 having an anisotropic conductive film body 5a containing conductive particles 6 and insulation particles 7 each dispersed in an adhesive resin composition layer, and an insulation particle containing layer 5b.例文帳に追加

導電性粒子６及び絶縁性粒子７がそれぞれ接着剤樹脂組成物層中に分散された異方性導電フィルム本体５ａと絶縁性粒子含有層５ｂとを有した異方性導電フィルム５により電極付き基板同士を接着する。 - 特許庁

When plasma emission is monitored during dry etching and an emission wavelength derived from nitrogen is monitored, the silicon oxide nitride film in the third insulation layer 3 is eliminated and exposure of the silicon oxide nitride film in the second insulation layer 2 is detected thus ending the etching.例文帳に追加

ドライエッチング中にプラズマ発光のモニタリングを行って窒素由来の発光波長をモニタリングすることにより、第３の絶縁層３のシリコン酸窒化膜がなくなり、第２の絶縁層２のシリコン酸窒化膜が露出してきたことが検出され、エッチングを終了する。 - 特許庁

This image sensor includes: an image sensing section 110 formed on a substrate 100; an interlayer insulation layer 120 formed on the image sensing section 110; and an aspheric microlens 140 formed on the interlayer insulation layer 120.例文帳に追加

本発明によるイメージセンサは基板１００に形成されたイメージ感知部１１０と、前記イメージ感知部１１０上に形成された層間絶縁層１２０と、前記層間絶縁層１２０上に形成された非球面マイクロレンズ１４０を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A cavity 9 is formed in the insulation layer 8 immediately under a portion of the source region which touches the supporting substrate 6 in the vicinity of the cavity 9, and a bend 110a is provided in the vicinity of a level difference 9a between the insulation layer 8 and the cavity 9.例文帳に追加

絶縁層８には、ソース領域の一部の直下に空洞部９が形成され、ソース領域は、空洞部９近傍において支持基板６に接し、かつ絶縁層８と空洞部９との間の段差部９ａ近傍にて湾曲部１１０ａを有している。 - 特許庁

A core wire 11 and a shielding layer 13 are exposed to a bent portion of the shielding wire 10, where an external coating 14 and an internal insulation layer 12 are cut off, and an insulation tube 33 having thermal contraction is mounted between both of them 11, 13.例文帳に追加

シールド電線１０の屈曲部分では、外部被覆１４と内部絶縁層１２とが切除されることで、芯線１１とシールド層１３とが露出されるとともに、両者１１，１３間に熱収縮性を有する絶縁チューブ３３が介装されている。 - 特許庁

A substrate 22 is coated with a first insulation layer 23, and the top surface of the first insulation layer 23 is provided with dielectrics 24, 25 constituting an electrode of the electrostatic chuck, and the lower surface of the same an integral heater 26 including a heating element 26a which is spirally arranged.例文帳に追加

基材２２を第１の絶縁層２３で被覆し、この第１の絶縁層２３の上面には静電チャックの電極を構成する導電体２４、２５を設けるとともに、下面には、発熱体２６ａを渦巻状に配したヒータ２６を一体に設ける。 - 特許庁

To provide a method for estimating the remaining life of a coil that nondestructively estimates the breakdown voltage of an insulation layer without removing the coil, and then estimates the remaining life from the estimated breakdown voltage in the coil with an internal electrode installed in the insulation layer.例文帳に追加

絶縁層中に内部電極を装着したコイルにおいて、コイルを取り外すことなく、非破壊的に絶縁層の絶縁破壊電圧を推定し、推定した絶縁破壊電圧に基づいて余寿命を推定するコイルの余寿命推定方法を提供する。 - 特許庁

The multilayer printed board has conductor circuits and layer insulation resin layers laminated one above the other on a board and a solder resist layer formed on the uppermost layer, and the solder resist layer has a dielectric constant of 3.0 or less at 1 GHz.例文帳に追加

基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、最上層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板において、前記ソルダーレジスト層の１ＧＨｚにおける誘電率は、３．０以下であることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁

The high-k gate insulation film formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and a high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a high relative permittivity than that of the interface layer 15.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁

The magnetoresistive element has such a structure as a tunnel insulation layer is sandwiched by a free magnetization layer and a fixed magnetization layer, has a resistance which changes between a low resistance state and a high resistance state depending on the magnetization direction of the free magnetization layer, and has a planar shape elongated in a first direction.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、トンネル絶縁層を自由磁化層と固定磁化層とで挟んだ構造を有し、自由磁化層の磁化方向によって低抵抗状態と高抵抗状態との間で抵抗が変化し、第１の方向に長い平面形状を有する。 - 特許庁

Next, this method of manufacturing the wiring substrate further includes a projecting part formation process of removing the support and the first metal layer, and forming projecting parts 11 composed by including the second metal layer and the third layer, and projecting from the other surface of the insulation layer.例文帳に追加

次に、前記支持体及び前記第１金属層を除去し、前記第２金属層及び前記第３金属層を含んで構成され前記絶縁層の他方の面から突出する突出部１１を形成する突出部形成工程と、を有する。 - 特許庁

The non-halogen circuit board has the feature such that the content of the non- halogen flame retardant becomes smaller, going toward the inside of each insulating layer from the surface of the layer or the ratio of the Young's modulus of each insulation layer at 125°C to that of the layer at 25°C is adjusted to ≥0.8.例文帳に追加

本発明の非ハロゲン系回路基板は，各絶縁層の表面から内部方向に非ハロゲン系難燃剤の含有率が小さくなる，あるいは各絶縁層における（１２５℃におけるヤング率）／（２５℃におけるヤング率）が０．８以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a laminate comprising a non-thermoplastic polyimide layer as an insulation layer and a thermoplastic polyimide layer, laminated in this order on one side of metal foil, and ensuring good adhesiveness under eased conditions even when the thermoplastic polyimide layer is made thinner.例文帳に追加

金属箔の片面に、絶縁層としての非熱可塑性ポリイミド層と熱可塑性ポリイミド層とがこの順で積層された積層体であって、熱可塑性ポリイミド層を薄くした場合でも緩和された条件で良好な接着性が確保される積層体を提供する。 - 特許庁

The compound semiconductor epitaxial wafer comprises a semiconductor substrate 10, and an epitaxial layer 20 formed on the semiconductor substrate 10 wherein a single layer or multilayer insulation layer 15 is provided between the semiconductor substrate 10 and the epitaxial layer 20.例文帳に追加

半導体基板１０と、この半導体基板１０上に形成されたエピタキシャル層２０とを有する化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記半導体基板１０と上記エピタキシャル層２０との間に、単層もしくは多層からなる絶縁層１５を設ける。 - 特許庁

To provide a two layer flexible board which is superior in adhesiveness of an insulator film and a ground metal layer and corrosion resistance, and in which a copper coat layer having high insulation reliability is formed without missing of copper coat part due to a pin hole which occurs, when the ground metal layer is formed.例文帳に追加

下地金属層を形成する時に生ずるピンホールに起因する銅被膜部の欠落がなく、かつ絶縁体フィルムと下地金属層との密着性、耐食性に優れ、絶縁信頼性の高い銅被膜層を形成した２層フレキシブル基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wiring board in which the thickness of a conductive layer is substantially uniform on the wiring board which has a resin insulation layer; a field via which passes the layer and is formed by filling with plating; and the conductive layer formed thereon by plating.例文帳に追加

樹脂絶縁層と、これを貫通しメッキにより充填形成されたフィルドビアと、これらの上にメッキにより形成された導体層とを有する配線基板において、導体層の厚さがほぼ均一な配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, with the USG layer 26 and the USG layer 30 of good film quality, the organic SOG layer 28 can be surrounded, so that even if the material quality of the organic SOG layer 28 is not so good, an interwiring insulating film 32 superior in insulation property can be obtained.例文帳に追加

さらに、良好な膜質のＵＳＧ層２６とＵＳＧ層３０とにより、有機ＳＯＧ層２８を囲い込むことができるので、有機ＳＯＧ層２８の材質があまり良くなくても、絶縁性に優れた配線間絶縁膜３２を得ることができる。 - 特許庁

The back electrode 8 is provided with: a first electrode layer 8a formed on the organic layer 7, and formed of a metal material; and a second electrode layer 8b formed on the first electrode layer 8a, and formed by mixing a metal material 8b1 with an insulation material 8b2.例文帳に追加

背面電極８は、有機層７上に形成され金属材料からなる第一の電極層８ａと、第一の電極層８ａ上に形成され金属材料８ｂ１と絶縁材料８ｂ２とを混合してなる第二の電極層８ｂと、を備えてなる。 - 特許庁

This semiconductor device includes: a first electrode 41 formed on a glass substrate 40; a heat-transfer metal layer 61 formed on the first electrode 41 through a first insulation film 51; a semiconductor layer 50 formed through a second insulation layer 52 formed on the heat-transfer metal layer 61; and a second electrode 42 and a third electrode 43 formed on the semiconductor layer 50.例文帳に追加

本発明は、ガラス基板４０上に形成される第１電極４１と、第１電極４１上に第１絶縁膜５１を介して形成される伝熱金属層６１と、伝熱金属層６１上に形成される第２絶縁膜５２を介して形成される半導体層５０と、半導体層５０上に形成される第２電極４２および第３電極４３とを有する半導体装置である。 - 特許庁

In the lyophilic bank 14a, an opening 15 is formed at a position raised in a projecting shape by stacking first and second wires 12A and 12B and a power feed line LZ on a second interlayer insulation layer S2 through an insulation layer M and first and second interlayer insulation layers S1 and S2, respectively, whereby the raised part is eliminated.例文帳に追加

この親液性バンク１４ａは、第２の層間絶縁層Ｓ２上の、第１及び第２の配線１２Ａ，１２Ｂ及び給電線ＬＺがそれぞれ絶縁層Ｍ、第１及び第２の層間絶縁層Ｓ１，Ｓ２を介して積層されることで凸形状に盛り上った位置に開口部１５を形成して、その盛り上がり部分をなくした。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an insulation layer 5 formed by mask-printing an insulation material containing particles on the semiconductor device; an external connection terminal 3 electrically connected to the electrode 7 possessed by the semiconductor device through a wire 4 for rewiring formed on the insulation layer; and a surface protective film 6 covering areas other than the external connection terminal.例文帳に追加

粒子を含有する絶縁材料を該半導体装置の上にマスク印刷することで形成された絶縁層５と、該絶縁層の上に形成された再配線用配線４で該半導体装置の有する電極７と電気的に接続した外部接続端子３とを有し、外部接続端子以外を覆う表面保護膜６を有する。 - 特許庁

The thin-film-transistor manufacturing method is the one wherein a semiconductor layer, a gate insulating film, a gate electrode, and a cap insulation film are disposed in this order, and further, the cap insulation film is so formed on the gate insulating film and the gate electrode as to inject impurities into the semiconductor layer via the gate insulating film and the cap insulation film.例文帳に追加

半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極及びキャップ絶縁膜をこの順に備える薄膜トランジスタの製造方法であって、上記製造方法は、ゲート絶縁膜及びゲート電極上にキャップ絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜及びキャップ絶縁膜を介して半導体層に不純物を注入する薄膜トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

The flat shield cable 11 comprises a plurality of insulation- coated signal wires 12 arrayed in parallel, a drain wire 13 arrayed along one side thereof, a shielding layer 14 covering them, and further an insulation sheath 15 covering the shielding layer 14, wherein the width of the insulation sheath 15 is adjusted so that a section modulus z of the cable 11 becomes 4.1 to 5.8.例文帳に追加

本フラットシールドケーブル１１は、複数の並置された絶縁被覆付信号線１２の一側方にドレイン線１３を配置し、これらをシールド層１４で被覆した上にさらに絶縁性シース１５で被覆してなり、ケーブル１１の断面係数ｚが４．１〜５．８となるように該絶縁性シース１５の幅方向の長さを調整したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method in a manufacturing process of a semiconductor device which can polish an object to be polished, having a low relative permittivity insulation film, a barrier metal layer, and a conductor film at a polishing selectivity appropriate for the conductor film, the barrier metal layer, and the insulation film, while suppressing the damages to the low relative permittivity insulation film.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨方法であって、低比誘電率の絶縁膜とバリアメタル層と導体膜とを有する被研磨体を、該低比誘電率の絶縁膜の損傷を抑制しつつ、導体膜、バリアメタル層、絶縁膜を適切な研磨選択比で研磨できる研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat insulation structure of a hipped section of a hipped roof, which ensures the heat insulation properties at the hipped section, and can efficiently discharge air in a venting layer from a ventilation ridge, the venting layer being formed between a heat insulation sheet and a sheathing board, in a space between rafters connected to an inclined beam of the hipped section.例文帳に追加

寄せ棟部の部分での断熱性を確保することができ、しかも寄せ棟部の登り梁に接続された垂木間において断熱シートと野地板との間に通気層を形成した場合に、この通気層内の空気を換気棟から効率良く排出することが可能になる寄せ棟屋根の寄せ棟部の断熱構造を提供する。 - 特許庁

In the low-temperature liquified gas storage tank 11 consisting of the inner tank 12 for storing low-temperature liquified gas and the outer tank 14 provided outside of the inner tank 12 interposed by the heat insulation layer 13, a pipe 21 for supplying the heat insulation layer 13 with the heat insulation material by gas transfer is provided between the inner tank 12 and the outer tank 14.例文帳に追加

低温液化ガスを貯留する内槽１２と、該内槽１２の外側に断熱層１３を介して設けられた外槽１４とを有する低温液化ガス貯槽１１において、前記内槽１２と前記外槽１４との間に、前記断熱層１３に断熱材を気体搬送によって投入するための断熱材投入用配管２１を設ける。 - 特許庁

The heat insulation waterproof repair method for an existing waterproof structure having a waterproof sheet laid as a substrate via a heat insulation layer comprises the steps of placing an adjusting plate 6 on a section where an existing waterproof sheet 2 and an existing heat insulation layer 3 are laid, placing a fixing plate 4 on the plate 6, and laying and fixing a newly installing waterproof sheet 1 on the plate 4.例文帳に追加

防水シートが下地に断熱層を介して敷設されている既設防水構造物における断熱防水の改修工法において、既設防水シート２及び既設断熱層３を敷設した部分に調整板６を配置して、その上に固定プレート４を配置して、その上から新設防水シート１を敷設して固定する。 - 特許庁

In a motor 10 as the dynamo-electric machine, a magnetic plate member 62 is punched with layer-to-layer insulation material 66 previously applied to the magnetic plate member 62 to form a core piece 18.例文帳に追加

回転電機としての本モータ１０では、予め磁性板材６２に層間絶縁材料６６を塗布した状態で磁性板材６２を打ち抜いてコア片１８を形成する。 - 特許庁

A first heat-accumulating layer 42 of a predetermined size is formed on one side of an insulation substrate 10 of a predetermined size, and a resistor 30 is formed so as to cover the first heat-accumulating layer 42.例文帳に追加

所定サイズの絶縁基板10の一方の面に、所定サイズの第一の蓄熱層42を形成し、第一の蓄熱層42を覆うように所定サイズの抵抗体30を形成する。 - 特許庁

After forming a reformed layer 200 on an exposed portion of the interlayer insulation film 103, the reformed layer 200 is removed and roundnesses 105b, 105a, and 104a are formed.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜１０３の露出している部分に改質層２００を形成した後、改質層２００を除去し、丸み１０５ｂ、丸み１０５ａ及び丸み１０４ａを形成する。 - 特許庁

To provide a laser beam machining apparatus where shielding wires which have not been cut are not left at the side faces of a shielding conductor layer, and also, the insulation properties between the internal conductor and the shielding conductor layer can be sufficiently secured.例文帳に追加

シールド導体層側面に切断されないシールド線が残ることがなく、且つ内部導体とシールド導体層との絶縁性を十分に確保できるレーザ加工装置を提供する。 - 特許庁

An electromagnetic wave reflecting layer 28 is arranged on the exterior side A and an electromagnetic wave absorbing layer 29 is arranged on the interior side B, while sandwiching a thermal insulation member 23 which is attached to structural members 21, 22 of the building.例文帳に追加

建築物の構造材２１，２２に取り付けた断熱材２３を挾む室外側Ａに電磁波反射層２８を設け、室内側Ｂに電磁波吸収層２９を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus capable of preventing the curvature of a substrate caused by the expansion and contraction of an insulating layer, and the detachment of the insulating layer from the substrate, and capable of improving insulation properties between terminals.例文帳に追加

絶縁層の伸縮による基板の湾曲や、絶縁層と基板との剥離を防止するとともに、端子どうしの間で絶縁性を高めた半導体装置を提供する。 - 特許庁

A silicide layer 18 is provided on a second conductivity type (N type or P type) impurity diffusion layer 15 being separated by the region of the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 17.例文帳に追加

上記ゲート電極１４及び側壁絶縁膜１７の領域を隔てて第２導電型（Ｎ型またはＰ型）の不純物拡散層１５上にシリサイド層１８が設けられている。 - 特許庁

The top surface of the free layer 31, the magnetic domain control layer 13 and the refill insulation film 12 is provided with a magnetic shield ground film 19 and the upper part thereof is provided with an upper magnetic shield 14.例文帳に追加

自由層３１と磁区制御層１３とリフィル絶縁膜１２の上面に磁気シールド下地膜１９が設けられ、その上部に上部磁気シールド１４が設けられる。 - 特許庁

On the luminous layer 2, a rear face electrode 3 consisting of metal powder, white filler, and resin is printed and formed, and an insulation protective layer 4 is printed and formed to make the electric field luminescent light.例文帳に追加

発光層２の上に金属粉末、白色フィラー、樹脂からなる裏面電極３を印刷形成し、その上に絶縁保護層４を印刷形成し、電界発光灯10とする。 - 特許庁

A third opening 5c for exposing the first semiconductor-layer 3 is then made by etching the insulation layer 2 in the second opening 5b thereby enlarging the second opening 5b.例文帳に追加

第２開口５ｂの内部において絶縁層２をエッチングして第２開口５ｂを拡大することにより、第１半導体層３を露出させる第３開口５ｃを形成する。 - 特許庁

Since the high viscosity part exists, even if the cable is heated in formation of the corrosion proof layer 23, the insulation oil impregnated in the joint part insulating layer 21 hardly moves to the outer circumference side and deoiling hardly occurs.例文帳に追加

高粘度部が存在することで、防食層23の形成時に加熱されても、接続部絶縁層21に含浸された絶縁油が外周側に移動し難く、脱油が生じ難い。 - 特許庁

The energy generating element is driven so that a potential applied to the metal layer is more negative potential than an ink potential even when the pin hole is generated in the insulation layer by the influence of the cavitation, etc.例文帳に追加

キャビテーション等の影響により絶縁層にピンホールが生じたとしても、金属層にかかる電位がインクの電位より陰電位となるようにエネルギー発生素子を駆動する。 - 特許庁

On the first electrode 120 and pad parts 130, a luminescent region for forming a luminescent layer of an organic EL layer therein is formed, and an insulation film including holes for partially exposing the pad parts 130 is formed.例文帳に追加

第１電極120とパッド部130上には、有機EL層の発光層が形成される発光領域が設けられ、パッド部130の一部を露出させるホールを含む絶縁膜が形成される。 - 特許庁

The silicide layer 19 is provided on a second conductivity (N type or P type) impurity diffusion layer 15 being separated by the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 17.例文帳に追加

上記ゲート電極１４及び側壁絶縁膜１７の領域を隔てて第２導電型（Ｎ型またはＰ型）の不純物拡散層１５上にシリサイド層１９が設けられている。 - 特許庁

A silicide layer 19 is provided on a second conductivity (N type or P type) impurity diffusion layer 16 being separated by the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 19.例文帳に追加

上記ゲート電極１４及び側壁絶縁膜１８の領域を隔てて第２導電型（Ｎ型またはＰ型）の不純物拡散層１６上にシリサイド層１８が設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a wire for a wire harness capable of providing a wire having reasonably low adhesiveness between an insulation layer and an external semiconductor layer, and having excellent terminal workability.例文帳に追加

絶縁層と外部半導電層との密着性が適度に低く、端末作業性に優れる電線を得ることができるワイヤハーネス用電線の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the thermally conductive insulation sheet 1 and a conductive layer are laminated, in this order, on a metal base material so that the laterally oriented sheet 3 is disposed on the conductor layer side thus obtaining a metal base substrate.例文帳に追加

また、金属ベース材上に、熱伝導性絶縁シート１と導体層とをこの順に、かつ横配向シート３が導体層側になるように積層して金属ベース基板とする。 - 特許庁