「Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(285ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head capable of accurately etching the bottom part of an upper layer core for constituting the thin film magnetic head and preventing the over-etching of the peak part of the upper layer core and re-deposition to the side face of the upper layer core.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドを構成する上層コアの裾部分を精度良くエッチングすることができ、かつ、上層コアの頂部のオーバーエッチングや上層コアの側面への再デポジションを防止することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of forming a high-quality image by preventing carrier deposition on an image carrier caused by peeling of a resin layer which coats the carrier due to long-term use of a developer resulting in decrease in the volume resistivity of the carrier.例文帳に追加

現像剤の長期使用によりキャリアを被覆している樹脂層が剥離し、キャリアの体積抵抗率が低下することで発生する像担持体へのキャリア付着を防止することにより良質な画像を形成することができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The organic EL element is formed in the vapor deposition device PM1 and Al(CH_3)_3 gas, SiH_4 gas, and N_2 gas are made a plasma by power of microwave in the microwave plasma treatment device PM3, and an SiAlON film 14 is formed so as to cover the organic EL element.例文帳に追加

蒸着装置ＰＭ１にて有機ＥＬ素子を形成し、マイクロ波プラズマ処理装置ＰＭ３にてマイクロ波のパワーによりＡｌ（ＣＨ_３）_３ガス、ＳｉＨ_４ガス、Ｎ_２ガスをプラズマ化し、有機ＥＬ素子を覆うようにＳｉＡｌＯＮ膜１４を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the optical fiber preform, an inner deposition process is carried out by using the heating apparatus for the glass body and heating the starting glass pipe G while relatively moving the starting glass pipe G and a heating furnace 20 along the longitudinal direction of the starting glass pipe G.例文帳に追加

また、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、ガラス体の加熱装置を用いて出発ガラスパイプＧと加熱炉２０とを出発ガラスパイプＧの長手方向に沿って相対移動させながら出発ガラスパイプＧを加熱して内付け工程を行う。 - 特許庁

By using the granular material 14 or calcinated powder 19 obtained by calcinating the granular material, and then, disintegrating it, the first granulated powder 15 or the second granulated powder 21 is produced, and the ZnO vapor deposition material 17 or 23 consisting of ZnO sintered compact is produced through molding and sintering.例文帳に追加

粒状体１４又はこれを仮焼後に解砕して得る仮焼粉末１９を用いて、第１造粒粉末１５又は第２造粒粉末２１を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１７又は２３を作製する。 - 特許庁

An amorphous silicon thin film is formed on the surface of a substrate 4 in a vacuum atmosphere by a CVD (chemical vapor deposition) process, thereafter, while placing the substrate 4 in the vacuum atmosphere, the temperature is raised to the one at which the amorphous silicon thin film is formed or above, and dehydrogenation treatment is performed.例文帳に追加

真空雰囲気中で基板４表面にＣＶＤ法によってアモルファスシリコン薄膜を形成した後、その基板４を真空雰囲気中に置いたまま、アモルファスシリコン薄膜を形成したときの温度以上に昇温させ、脱水素処理を行う。 - 特許庁

A single wafer vapor phase epitaxial growth system is employed in this vapor phase epitaxy, the underlying silicon wafer is brought into a state for rotating horizontally in a reaction chamber, and deposition gas is suitably made to flow down onto the major surface of an underlying silicon wafer from above.例文帳に追加

この気相成長では、枚葉式気相成長装置を用い、反応容器内において下地シリコンウェーハが水平回転する状態にし、下地シリコンウェーハの上方から下地シリコンウェーハの主表面上に上記成膜用ガスを流下させると好適である。 - 特許庁

The pouch is manufactured from a laminated material in which at least two layers of a gas-barrier base material in which a deposition film of an inorganic oxide is formed at least on one side of a base material film are laminated, and a heat-sealable resin layer is further laminated.例文帳に追加

少なくとも、基材フィルムの一方の面に無機酸化物の蒸着膜を設けたバリア性基材を２層以上重層し、更に、ヒ−トシ−ル性樹脂層を積層した積層材を製袋してなることを特徴とするレトルト用パウチに関するものである。 - 特許庁

To restrain metal deposition caused by discharge gas on the surface of an insulating material of an electrode part, enable to obtain stable discharge, and enable to align a position of high-density high-temperature plasma releasing EUV light in high accuracy and that of an EUV condensing mirror.例文帳に追加

電極部の絶縁材表面への放電ガスに起因する金属の堆積を抑制し、安定した放電が得られるようにし、また高精度にＥＵＶ光を放出する高密度高温プラズマの位置とＥＵＶ集光鏡の位置との位置合わせ可能とすること。 - 特許庁

To prevent deposition of reaction products produced by the supply of treatment gas, in a gap between a pin through hole arranged on the mounting stand of a substrate mounting device, and a lifter pin going up and down through the pin through hole that delivers the substrate to the mounting stand.例文帳に追加

基板の載置機構における載置台に設けられたピン挿通孔とこのピン挿通孔内を昇降して載置台に対して基板の受け渡しを行うリフタピンとの隙間に、処理ガスの供給に伴う反応生成物が堆積することを抑えること。 - 特許庁

In this case, a region without deposition metal is provided at the winding start portion of the metallized film 3, and an ultraviolet-ray curing resin 12 is injected to a void 11 at the winding center of the metallized film 3, and irradiated by ultraviolet ray for curing.例文帳に追加

この際、上記金属化フィルム３の巻き始め部分に蒸着金属がない領域を設けると共に、上記金属化フィルム３の巻回中心の空隙部１１に紫外線硬化樹脂１２を注入し、これに紫外線を照射することによって硬化する。 - 特許庁

Although a peripheral region 30 of a recess having height equal to that of the open end face position of the recess D is formed by a material 3, no deposition materials enter the recess D since the recess D is covered in advance with dry film resist DF.例文帳に追加

材料３によって、凹部Ｄの開口端面位置と同等の高さを有する凹部周辺領域３０が形成されるが、予め、ドライフィルムレジストＤＦによって、凹部Ｄに蓋がされているので、堆積材料が凹部Ｄ内に侵入してくることがない。 - 特許庁

To provide an injection molding machine for a light alloy and a screw for the injection molding machine by which the machine can be prevented from being adversely operated and the quality of a molding can be improved by preventing the deposition of solid-phase grains of semi-solid slurry.例文帳に追加

半凝固スラリーの固相粒の堆積を防止することにより機器動作への悪影響を防止するとともに成形品の品質を向上することができる軽合金の射出成形機および射出成形機のスクリュを提供することである。 - 特許庁

To prevent adhesion, deposition and accumulation of a solid matter, to stably keep the high recovery ratio of (meth)acrylic acid or a (meth)acrylic acid ester and to stably and continuously operate a distillation column for a long period of time in purifying (meth)acrylic acid or a (meth)acrylic acid ester by distillation.例文帳に追加

（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステルの蒸留精製に当たり、固形物の付着、堆積、蓄積を防止して、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステルの高い回収率を安定的に維持し、長期に亘り蒸留塔の安定した連続運転を行う。 - 特許庁

To provide equipment and a method of depositing a thin film by chemical vapor deposition which enable obtaining a material having high permittivity (High-k) constituted of a metal oxide thin film on an Si substrate without oxidizing the interface with the Si substrate by small-sized equipment and at a low cost.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に金属酸化薄膜からなる誘電率の高い材料（High-k）をＳｉ基板との界面を酸化することなく小型で、かつ、コスト安に得ることができる化学気相成長法による薄膜堆積装置および堆積方法を提供すること。 - 特許庁

On a surface of a metal compound particle (5) having low electrical conductivity such as a metal oxide, a metal chalcogenide compound, and a metal phosphate compound, a carbon material (7) having electrical conductivity higher than that of the metal compound particle (5) having low electrical conductivity is attached by vapor deposition.例文帳に追加

低い導電性を有する、金属酸化物、金属カルコゲナイド化合物、金属燐酸化合物等の金属化合物粒子（５）の表面に、前記低導電性金属化合物粒子（５）よりも高い導電性を有する炭素材（７）を蒸着により付着させる。 - 特許庁

The thin film-like photocatalyst composed of a compound semiconductor is formed by dipping a base material 63 in a solution 62 containing chemical species to be a raw materials of the compound semiconductor and depositing and fixing the compound semiconductor on the surface of the base material 63 by chemical bath deposition (CBD) method.例文帳に追加

化合物半導体の原料となる化学種を含む溶液６２中に基材６３を浸漬し、ＣＢＤ法により該基材表面に化合物半導体を析出・固定化させて化合物半導体による薄膜状光触媒を作製する。 - 特許庁

In the method, before deposition of the catalytically active noble metal components, the carbon- containing support material is treated with alkali metal and alkaline earth metal salts of organic and inorganic acids and further, if necessary, successively treated with the promoting agent and/or the denaturing agent.例文帳に追加

この方法においては、触媒活性な貴金属成分を施すのに先立ち、炭素含有担体材料は、有機及び無機酸のアルカリ金属とアルカリ土類金属塩により処理され、引き続き、所望ならば促進剤及び／または変性剤により処理される。 - 特許庁

In a process of forming the conductive paths by forming the first conductive film by a simple process of hardening the paste without using sputtering, chemical vapor deposition, and vacuum evaporation methods, the substrate is not exposed to vacuum and high temperature.例文帳に追加

第１導電膜を、スパッタリング法、化学気相成長法および真空蒸着法を用いないで、ペーストを塗布して硬化させるという簡単な工程によって、形成することによって導電路を形成する工程で、基板を真空および高温に曝すことがない。 - 特許庁

Then, the method can decrease a dissolution rate of the metal substrate because the metal exists in the electroplating liquid in a saturated or supersaturated state, and also prevents the occurrence of an induced co-deposition phenomenon to provide a smooth plated layer on the surface of the metal substrate in a short period of time.例文帳に追加

そうすると、電気めっき液中の金属濃度は飽和もしくは過飽和状態となっているので、金属基体の溶解速度を抑えることができるとともに、誘導共析現象の発生を防止し短時間で平滑な表面のめっき層が得られる。 - 特許庁

A mesh screen 9 having 50-1,000 mesh aperture and ≥5.0% elongation is attached to at least a part of the members and equipment (a target holding/controlling part 2, a shield plate 3, a substrate holder 5, a stage 6, a compensator 7, etc.), held in the film deposition chamber 10.例文帳に追加

成膜チャンバー１０内に収容されている部材及び機器（ターゲット保持・制御部２、シールド板３、基板ホルダー５、ステージ６、及び補正板７など）の少なくとも一部に、目開きが５０〜１０００メッシュで、伸長度が５．０％以上のメッシュスクリーン９を取り付ける。 - 特許庁

To provide an atmospheric pressure plasma treatment method with a simple constitution where the deposition of a uniform film is possible correspondingly to the various widths of base materials without causing the problems as for the change in the curling of a base material, deterioration in the shape of rolling and its fracture in the process of conveyance, and to provide a system used therefor.例文帳に追加

簡易な構成で様々な基材の幅に対応して、基材のカールの変化やロール巻形状の悪化、搬送中の破断といった問題を招かずに、均一な製膜が可能な大気圧プラズマ処理方法及びそれに用いる装置を提供する。 - 特許庁

In this method, the creep damage is estimated accurately by observing the metallographic structure of a sample tube extracted from an actual machine by a transmission electron microscope, and by measuring the density of black spots on a strain field generated by deposition of a Cu-enriched phase by the following methods.例文帳に追加

実機から抜管したサンプル管の金属組織を透過型電子顕微鏡で観察し、Ｃｕ富化相の析出によって生じる歪場の黒点の密度を次のような方法で計測することにより、クリープ損傷を精度よく推定する方法。 - 特許庁

The dielectric film deposition device is provided with a chamber capable of depositing a dielectric film on the end face of the optical fiber 70 and a fixed jig 60 capable of setting the optical fiber 70 to the chamber and that fixed jig can insulate the heat of the optical fiber 70.例文帳に追加

本発明の誘電体膜成膜装置は、光ファイバ７０の端面に誘電体膜を成膜可能なャンバーと、同チャンバーに光ファイバ７０をセット可能な固定治具６０を備え、その固定治具が光ファイバ７０を断熱可能としてあるものである。 - 特許庁

Further, the body part of the mask for thin film deposition is formed of a material having satisfactory thermal conductivity such as Cu (copper), so that its heat radiability from a substrate of polycarbonate or the like is secured, and the problem as for the deformation of the substrate caused by heating can be solved as well.例文帳に追加

また、薄膜堆積用マスクの本体部は、熱伝導性の良好なＣｕ（銅）などの材料により形成することにより、ポリカーボネートなどの基板からの放熱性を確保し、加熱による基板の変形などの問題も解消することができる。 - 特許庁

Because the forming precision of the mask 18 (treatment pore 19) becomes greater than that in the case where the mask 18 of relatively large size corresponding to the substrate-processing area is used, fine film-deposition treatment can be applied to a large-size substrate by using the treatment unit 10 with high precision.例文帳に追加

基板の処理エリアに対応する比較的大きなサイズのマスク１８を用いる場合よりも、マスク１８（処理孔１９）の形成精度が高くなるため、処理ユニット１０を用いて大型の基板に微細な成膜処理を高精度に施すことができる。 - 特許庁

The Faraday rotator 1 is manufactured by depositing an antireflection film 3 on two surfaces of a substrate 2 such as glass which are opposed to each other in parallel and depositing a magneto-optical film (for example, a Bi-substituted garnet film) 4 on each of the antireflection films 3 by an aerosol deposition method.例文帳に追加

ガラス等の基板２の互いに平行に対向する２表面上に、反射防止膜３を形成し、その反射防止膜３の上に、エアロゾルデポジション法により磁気光学膜（例：Ｂｉ置換型ガーネット膜）４を形成して、ファラデー回転子１を構成する。 - 特許庁

To provide a method for forming an electrode for a piezoelectric vibrating bar capable of forming a main electrode of a desired shape at an accurate position at a low cost by a physical vapor deposition method with respect to an inverted mesa piezoelectric vibrating bar and a mask for electrode formation for a piezoelectric vibrating bar.例文帳に追加

逆メサ型圧電振動片に対して物理蒸着法により、正確な位置に、所望形状の主電極を、低コストで形成可能な、圧電振動片の電極形成方法および圧電振動片の電極形成用マスクの提供を目的とする。 - 特許庁

The vacuum deposition system is structured by arranging a vaporization source vessel and a substrate holder to face each other along the horizontal direction and to incline the surface of the substrate holder in the side opposed to the vaporization source vessel to face upward.例文帳に追加

真空系に接続された真空容器の内部に、蒸発源容器と基板ホルダとを、水平方向に沿って互いに対面させ、かつ該基板ホルダの蒸発源容器に対面する側の表面を上向きに傾斜した状態に配置させてなる真空蒸着装置。 - 特許庁

In the deposition method for a gold wiring where a plated gold wiring of ≥1 μm film thickness is deposited by electroplating, plating is performed at a low current density so that self anneal of the resultant plated gold wiring can be finished practically in a day.例文帳に追加

電解メッキによって膜厚１μｍ以上のメッキ金配線を堆積する金配線の堆積方法において、形成されたメッキ金配線のセルフアニールの終了がほぼ１日以内になるような低電流密度でメッキを行うことを特徴とする。 - 特許庁

In the DLC(diamond-like carbon) film deposition method for depositing a DLC film on the surface of a substrate, solution heat treatment is applied to the substrate and then aging treatment and DLC coating treatment are simultaneously carried out by a combined simultaneous treatment process.例文帳に追加

基材の表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）皮膜を形成するＤＬＣ成膜方法において、基材を溶体化処理し、その後時効処理とＤＬＣコーティング処理とを複合同時処理プロセスにより同時に行うことを特徴とするＤＬＣ成膜方法。 - 特許庁

Material switching chambers 42 and 82 which are selectively evacuated, communicated with a film forming chamber 10 without breaking the vacuum when gate valves 41, 81 are opened in an evacuated condition, and capable of storing vapor deposition materials from the outside when gate valves 41 and 81 are closed, are provided.例文帳に追加

選択的に真空引きされ、真空引きされた状態でゲートバルブ41，81が開かれると成膜室10に真空を破ることなく連通し、ゲートバルブ41，81が閉じた状態では外部から蒸着材料を収めることのできる材料入替チェンバ42，82を設ける。 - 特許庁

To provide a plasma CVD system compactly and inexpensively producible by a simple constitution and capable of depositing a thin film uniform is film thickness over the effective surface of a substrate at a high speed and to provide a thin film deposition method.例文帳に追加

本発明は、簡単な構成で小型かつ安価に作製することができ、基板の有効な表面にわたって膜厚が均一な薄膜を高速で堆積することができるプラズマＣＶＤ装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The recessed structure 310 consists of a first metal film 309 formed on the silicon substrate 310 using a sputtering, deposition method, and CVD method or the like; and of a second metal film 308 having a space at the center thereof and formed on the first metal film 309 using a plating process.例文帳に追加

凹型構造体310は、シリコン基板310上にスパッタリング、蒸着法、ＣＶＤ法等を用いて成膜した第１の金属膜309と、第１の金属膜309の上にめっき法を用いて成形した中央に空間を有する第２の金属膜308とから構成されている。 - 特許庁

To provide a coating liquid for forming a thin dielectric film of a perovskite structure which is capable of manufacturing a thin and dense oxide film of a large film thickness by one time of deposition and firing operation by a solution coating applying and firing process and a method of forming the dielectric film of the perovskite structure.例文帳に追加

溶液塗布焼成法により一度の成膜、焼成操作で緻密で膜厚の厚い酸化物薄膜の製造を可能とするペロブスカイト構造誘電体薄膜形成用塗布液及びペロブスカイト構造誘電体膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for feeding a vaporized material by which a vaporized material can stably be fed and to provide an organometallic chemical vapor deposition method and a system therefor by which the reproducibility of a deposited film can be improved by stably feeding the vaporized thin film raw material.例文帳に追加

気化物を安定して供給できる気化物供給方法および装置ならびに気化した薄膜原料を安定して供給することにより成膜の再現性を向上可能な有機金属化学気相蒸着方法および装置を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the narrow porous alumina base material, alumina is subjected to the physical vapor deposition on a porous alumina base material 1 to reduce the inlet of each pore of the porous alumina base material to be 0.2-1.5 nm, and the narrow porous alumina base material can be obtained thereby.例文帳に追加

多孔質アルミナ基材１にアルミナを物理蒸着させて、該多孔質アルミナ基材の細孔の入口を０．２〜１．５ｎｍと狭小化し、狭小化多孔質アルミナ基材を得ることを特徴とする狭小化多孔質アルミナ基材の製造方法。 - 特許庁

At this time, since the thin film pattern 260c formed before is located inside the grooved recessed part 26b of the chip 20 and is not contacted with the chip 20, the thin film pattern 260c is not damaged, an the thin film pattern 260c is not peeled when the mask for film deposition is removed.例文帳に追加

その際、先に形成した薄膜パターン２６０ｃは、チップ２０の溝状凹部２６ｂの内部に位置し、チップ２０とは接触しないため、薄膜パターン２６０ｃが損傷せず、成膜用マスクを外す際に薄膜パターン２６０ｃが剥離することもない。 - 特許庁

To provide a vapor deposition device capable of making uniform a gas concentration distribution on a substrate surface to be film-deposited in a growth chamber when introducing a raw material gas from peripheral parts, and capable of improving the thickness of a deposited film and a composition ratio.例文帳に追加

原料ガスを周辺部から導入した場合に、成長室の被成膜基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-purity β-diketonate complex of an alkaline earth metal with suppressed formation of a hydrate, useful as a raw material for a thin layer of an oxide containing the alkaline earth metal formed by a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method.例文帳に追加

有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）法によってアルカリ土類金属を含む酸化物の薄層を形成する際の原料として有用な、水和物の生成が抑制された高純度なアルカリ土類金属β−ジケトネート錯体の製造方法に関する。 - 特許庁

When the ND filter, having the gradient function is formed by gas deposition process, the particles in the first chamber 6 are supplied through the transport tube 8 to the second chamber 7, by maintaining the pressure in the second chamber 7 to be lower than the pressure in the first chamber 6.例文帳に追加

ガスデポジション法により傾斜機能を有するＮＤフィルターを形成する際に、第２のチャンバ７内の圧力を第１のチャンバ６内の圧力より低く維持して、第１のチャンバ６内の粒子を、搬送管８を通じて第２のチャンバ７に供給する。 - 特許庁

To provide a nanoparticle support device in which the particle carriers do not scatter to the outside from the inside of a vessel upon making nanoparticles for a catalyst carried on the particle carriers by the support device equipped with a source of coaxial type vacuum arc vapor deposition, and to provide a supporting method of nanoparticles.例文帳に追加

同軸型真空アーク蒸発源を備えた坦持装置によって触媒用のナノ粒子を粒子状担体に担持させるに際し、粒子状担体が容器内から外へ飛散しないナノ粒子担持装置、およびナノ粒子担持方法を提供すること。 - 特許庁

In the parts of the vacuum film deposition apparatus, a thin film formed of a single metal element selected from Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, W, Ru, Pd, Ir, Pt, Ag, Au and In, or an alloy or a compound containing these metals is deposited.例文帳に追加

Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｇ、ＡｕおよびＩｎから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品である。 - 特許庁

Further, a method for the protection of the optical element includes providing a cap layer to the optical element by a deposition process, and during or after use of the apparatus, removing at least part of the cap layer from the optical element in a removal process as described above.例文帳に追加

さらに、該光学素子を保護する方法は、蒸着工程により該光学素子にキャップ層を提供し、装置使用の間もしくは使用後に、上記の除去工程において、該光学素子からキャップ層の少なくとも１部分を除去することを含む。 - 特許庁

To provide a pellet body for film vapor deposition for producing a gas barrier film having high reliability by stably reducing splash frequency and further increasing the evaporation rate of silicon oxide vapor, to provide a method for producing the same, and to provide a method for producing a silicon oxide vapor-deposited film.例文帳に追加

安定してスプラッシュ頻度を少なくさせ、しかも酸化珪素蒸気の蒸発速度も高め、信頼性の高いガスバリアフィルムを製造するためのフィルム蒸着用ペレット体、その製造方法、及び酸化珪素蒸着フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁