「Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(284ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a frictional electrification type electrostatic coating apparatus in which the deposition efficiency of powder paint to a material to be coated is improved by attaining sufficient frictional electrification from the beginning when the coating work is carried out by intermittently repeating the discharge and the stoppage of the discharge of the powder paint.例文帳に追加

摩擦帯電式静電塗装装置において、粉体塗料の吐出と停止を間欠的に繰り返して塗装作業を行う場合に、吐出当初から十分な摩擦帯電が得られるようにし、被塗物への付着効率を高める。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a film deposition layer comprising at least a photosensitive layer on the outer surface 10A of a cylindrical substrate 10, wherein the cylindrical substrate 10 has a recessed part 17 formed between the end face 15 and the outer surface 10A.例文帳に追加

円筒状基体１０の外表面１０Ａに少なくとも感光層を含む成膜層が形成された電子写真感光体において、円筒状基体１０は、端面１５と外周面１０Ａとの間に形成された凹部１７を有している。 - 特許庁

To provide a hair catcher which ensures the draining function of lattice-like drain holes thereof by preventing deposition of hairs etc. on the drain holes, and allows the operator to easily remove and collect the caught hairs etc. and to perform simple cleaning work.例文帳に追加

ヘアキャッチャーの格子状の排水孔への毛髪等の堆積を予防して排水機能を維持できるようにするとともに、捕捉された毛髪等の除去回収が容易となるようにし、簡便な清掃作業が可能となるようにする。 - 特許庁

A plurality of opening windows 66 are formed along the autorotating direction of the drum, and the reaction process zone 30 at the inside of the main drum 6 and a film deposition process zone 20 at the outside of the main drum are communicated through the opening windows 66.例文帳に追加

メインドラム６の外周には開口窓６６がドラムの自転方向に沿って複数形成してあり、この開口窓６６を通じてメインドラム６内側の反応プロセスゾーン３０と、メインドラム６外側の成膜プロセスゾーン２０とが連通する。 - 特許庁

When the high frequency power supplied to the antenna coil 23 is equal to or greater than 2 kW, it is possible to obtain a stable deposition rate without dependenting on the operating time of a target 30 in comparison with the case where the high frequency power is less than 2 kW.例文帳に追加

アンテナコイル２３に供給する高周波電力が２ｋＷ以上の場合、当該高周波電力が２ｋＷ未満である場合と比較して、ターゲット３０の使用時間に依存しない安定した成膜レートを得ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for transferring waste TCB (trichlorobenzene) stably transferring waste TCB out of a PCB treatment apparatus even in winter or in a cold district where the ambient temperature falls below the crystal deposition temperature of the waste.例文帳に追加

外気温度が結晶の析出温度以下に低下する冬季や寒冷地においても安定して廃ＴＣＢをＰＣＢ処理設備から系外に搬送することができる廃ＴＣＢの払い出し方法および払い出し装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method capable of reducing development defect due to deposition of a resist film and re-adhesion of a semi-insoluble material in a developing and rinsing process with a normal hardware environment, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

通常のハード環境のままで、現像、リンス工程において、レジスト膜の析出及び半不溶化物の再付着による現像欠陥を低減させることができるレジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Wiring electrically connecting a second electrode 15 on an upper surface of the light-emitting element 10 and the terminal electrode 32 of the light-emitting device 1 to each other is wiring 34 formed by not wire bonding but a deposition process such as plating.例文帳に追加

発光素子１０の上面にある第２電極１５と、発光装置１の端子電極３２とを互いに電気的に接続する配線が、ワイヤボンディングではなく、めっきなどの成膜プロセスによって形成された配線３４となっている。 - 特許庁

The partially or wholly fabricated tourmaline is adhered to the frame, etc., by using arbitrary methods, such as welding, vapor deposition, plating and adhering, and the fabricated tourmaline is adequately adhered by using the arbitrary methods of the tourmaline fabricated to an adequate width of the outer peripheries of the surfaces of the spectacle lenses.例文帳に追加

融着、蒸着、メッキ、接着等、任意の方法を用いて部分的にまた全体的に加工された電気石を付着したり、眼鏡レンズの表面の外周適宜幅に加工された電気石を任意の方法を用いて付着させたりする。 - 特許庁

The heat seal layer of the particles of the organic semiconductor material is formed such that, after, for example, an electrophotographic system is applied to deposit the particles of the organic semiconductor material, the deposition layer of the organic semiconductor material particles is heated for the heat seal.例文帳に追加

有機半導体材料粒子の熱融着層は、例えば電子写真方式を適用して有機半導体材料粒子を付着させた後、この有機半導体材料粒子の付着層を加熱して熱融着させることにより形成される。 - 特許庁

The substrate 9 is electrostatically attracted on a dielectric plate 31 by voltage applied to an attracting electrode 32 by an attraction power source 33, and the deposition of a thin film from the periphery of the substrate 9 to a region in a prescribed distance is prevented by a shadow shield 62.例文帳に追加

吸着電源３３が吸着電極３２に印加する電圧により基板９が誘電体プレート３１に静電吸着され、基板９の周縁から所定の距離の領域への薄膜堆積をシャドーシールド６２が防止する。 - 特許庁

The mask assembly MA comprises a liquid crystal glass substrate W, a magnetic mask M for partially shield a film deposition surface thereof, and a holder having a built-in magnet for attracting the mask M, and pressing the liquid crystal glass substrate W against the mask M from a back side.例文帳に追加

マスク組立体ＭＡは、液晶ガラス基板Ｗと、その成膜面を部分的に遮蔽する磁性体性のマスクＭと、マスクＭを吸引するマグネットを内蔵し、液晶ガラス基板Ｗを裏面側からマスクＭに押し付けるホルダとを備える。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which improves edge roughness of a resist pattern, does not cause deposition of insoluble matter in the preparation of a resist solution or after storage, is superior in density dependency and can suppress a sensitivity change after storage.例文帳に追加

レジストパターンのエッジラフネスが改善され、レジスト液の調製時に、あるいは経時保存後に不溶解物の析出を生じず、疎密依存性に優れ、経時保存後の感度変動を軽減できるポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

In this manufacturing method, a protective film is deposited on the substrate by an aerosol deposition method in which powder containing silicon compound (SiC or SiN) is sprayed to the substrate together with carrier gas such as helium at the spraying particle speed of ≥ 800 m/s from very small nozzles.例文帳に追加

ケイ素化合物（ＳｉＣ又はＳｉＮ）を含む粉末を、例えばヘリウムのようなキャリアガスと共に微小孔ノズルから８００ｍ／ｓ以上の吹きかけ粒子速度で基板に吹きかけるエアロゾルデポジション法によって基板上に保護膜を成膜する。 - 特許庁

Holding substrates 2 composed of various materials are pasted to a mask 1 in which various circuit patterns or the like are formed by adhesion or the other method, so as to be integrated; thus a high precision mask for vapor deposition stabilized to thermal expansion is composed.例文帳に追加

各種の回路パターン等が形成されたマスク１に対して種々の材料よりなる保持基板２を、接着あるいはその他の方法で貼り合わせて一体化し、熱線膨張に対して安定化した高精度な蒸着用マスクを構成する。 - 特許庁

To provide a thin film forming method, and a plasma CVD(chemical vapor deposition) system, for fabricating a highly reliable element by enhancing step coverage while suppressing corrosion of underlying Si layer at the time of forming a titanium film and a titanium silicide film by plasma CVD using TiCl4 as a material.例文帳に追加

ＴｉＣｌ_4 を原料としたプラズマＣＶＤでチタン膜とチタンシリサイド膜を形成するとき、段差被覆性が良くかつ下地Ｓｉ層の浸食を抑制し、信頼性の高い素子を製造する薄膜形成方法とプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an L-ascorbic acid-2-phosphate salt for formulating into cosmetics, scarcely causing deposition of precipitation, discoloration, nasty smell, etc., even when formulated in cosmetics and stored for a long period and to provide a method for producing the salt and to provide a cosmetic containing the same salt.例文帳に追加

化粧料に配合して長期間保存した場合でも、沈殿の析出、変色、変臭などが生じにくい化粧料配合用のＬ−アスコルビン酸−２−リン酸エステル塩、その製造方法、および該塩を含有する化粧料を提供すること。 - 特許庁

To provide an image reading apparatus capable of reducing the occurrence of black stripes, etc., caused by dust deposition and obtaining excellent read image data by preventing dust from being deposited and stagnant on contact glass (original platen) in a digital type document moving/optical system fixing scheme.例文帳に追加

ディジタルタイプの原稿移動・光学系固定方式で、コンタクトガラス（原稿台）上のゴミの付着・滞留を防止することにより、ゴミ付着に起因する黒筋等の発生を低減し、良好な読取画像データを得ることが可能な画像読取装置を提供する。 - 特許庁

Even when the gap dimension at the mated surfaces 4 varies, for example, up to zero or approximately zero, the penetration or deposition on the mated surfaces 4 is securely performed owing to the existence of the intermittent recessed grooves 3, 3, etc., and, therefor, necessary and sufficient welding strength is secured.例文帳に追加

合わせ面４での隙間寸法が例えば零もしくはそれに近くなるまでばらついたとしても、断続的な凹溝３，３…があるために合わせ面４での溶け込みもしくは溶着が確実に行われて、必要十分な溶接強度が確保される。 - 特許庁

Since a plasma generated in a semiconductor manufacturing apparatus is dispersed to uneven parts of the surface of the sintered compact, and the edge effect having an affect on the stability is reduced, the etching rate is stabilized in a short time and the efficiency of film deposition of the semiconductor wafer can be improved.例文帳に追加

半導体製造装置内で発生させるプラズマが焼結体の表面の凹凸部に分散されて、安定性に影響するエッジ効果を低減できるので、エッチングレートが短時間で安定し、半導体ウエハの成膜効率を向上させることが可能となる。 - 特許庁

An aperture for forming an electrode 30 is formed in a mask for vapor deposition 28 and has wider opening on the side of a second plane 28b than that on the side of a first plane 28a.例文帳に追加

蒸着用マスク２８には電極形成用の開口部３０が形成されており、この電極形成用の開口部３０は、蒸着用マスク２８の第一面２８ａ側の開口部よりも第二面２８ｂ側の開口部のほうが広い開口面積を有する形状とする。 - 特許庁

To provide a coating type magnetic recording medium having excellent medium base body adhesion properties and the same magnetic recording characteristics as a vapor deposition type magnetic recording medium by using magnetic fine particles (including magnetic nano particles) without using a binder resin and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

磁性微粒子（磁性ナノ粒子を含む）を用いて、バインダー樹脂を用いずに媒体基体密着性に優れ、蒸着型磁気記録媒体並の磁気記録特性を有する塗布型磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a sensor structure capable of remarkably preventing the troubles of the lowering of buoyancy and malfunction, etc., caused by the deposition of fertilizer on a sensor in a fertilizer tank and enabling sure detection of the residual amount of fertilizer without applying excessive lateral pressure on the sensor.例文帳に追加

肥料タンク内で肥料がセンサ上に滞積することによる浮力の低下や誤動作等のトラブルを良好に防止すると共に、センサに過大な側圧をかけることなく的確に肥料の残量を検知することができるセンサ構造を提供する。 - 特許庁

The cold mirror is manufactured by sputtering two or more kinds of sputtering materials each having different refractive index respectively in a separated film deposition zone while introducing oxidation reactive gas and a sputtering gas to deposit oxide films each having different refractive index on the surface of a processed material.例文帳に追加

酸化反応性ガスとスパッタリングガスを導入しながら、屈折率が異なる２種以上のスパッタリング材料を、別々の成膜ゾーンでスパッタリングすることにより、被加工物の表面に屈折率の異なる酸化膜を成膜してコールドミラーとすることを特徴とする。 - 特許庁

To improve uniformity of a dielectric film by eliminating incubation time when forming the dielectric film by Chemical Vapor Deposition (CVD) method on a silicon (Si) substrate surface covered with a thin molecular layer of an insulator and to control composition of the dielectric film in the thickness direction.例文帳に追加

薄い絶縁物の分子層で覆われたＳｉ基板表面にＣＶＤ法により誘電体膜を形成する際のインキュベーション時間をなくし、得られる誘電体膜の均一性を向上させると同時に、誘電体膜の膜厚方向の組成を制御する。 - 特許庁

Since the light shielding layer 7 is also formed by an in-mold coating method using a mold, the light shielding layer 7 can be inexpensively and simply formed in comparison with other methods such as a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method, or a heat transfer method.例文帳に追加

しかも、本発明では、型を用いる型内塗装によって遮光層７を形成することとしたので、例えばスパッタリング法や蒸着法、ＣＶＤ法、熱転写法などの他の方法と比較して低コストかつ簡単に遮光層７を形成することができる。 - 特許庁

This material relates to a gas-barrier vapor deposition laminate which has a constitution that a primer coat layer formed of an organic compound, a thin film layer of a metal or a metal oxide and a thin film layer of an organic compound are provided sequentially at least on one side of the plastic base.例文帳に追加

プラスチック基材の少なくとも一方の面に、有機化合物によるプライマ−コ−ト層、金属または金属酸化物の薄膜層、および、有機化合物薄膜層を順次に設けたことを特徴とするガスバリア性蒸着積層体に関するものである。 - 特許庁

To provide a cleaning method by which a deposition material adhered to a jig disposed in the inside of a film-forming apparatus and the inner wall of the film-forming apparatus is removed without atmosphere liberation, and to provide the film-forming apparatus having a mechanism to perform the cleaning method.例文帳に追加

成膜装置の内部に設けられる治具、及び成膜装置の内壁に付着した蒸着材料を大気解放しないで除去するためのクリーニング方法およびそのクリーニング方法を行うための機構を備えた成膜装置を提供する。 - 特許庁

The lid material in which a base material film, a resin film having a vapor-deposition film of an inorganic oxide, and a heat-sealing resin layer are laminated in turn and a heat-sealing resin layer is formed on the adhesive layer and the aseptically packed rice with the use of it are concerned.例文帳に追加

基材フィルム、無機酸化物の蒸着膜を設けた樹脂のフィルム、および、ヒ−トシ−ル性樹脂層を順次に積層したことを特徴とする無菌米飯充填容器用蓋材およびそれを使用した無菌包装米飯に関するものである。 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus of excellent practicability for automatically correcting a mask and a substrate at an adequate overlapping position and setting them with high accuracy even in a configuration having a fixed part in a vacuum tank or a rotating mechanism to rotate the fixed part.例文帳に追加

真空槽内の固定部あるいは固定部を回転させる回転機構を備える構成でも、常にマスクと基板とを適正な重合位置に自動補正修正して精度良くセットできる極めて実用性に秀れた蒸着装置を提供すること。 - 特許庁

Moreover, the gate insulating film is formed by performing heat treatment to the lamination oxide film 7 at a higher temperature than a deposition temperature of the oxide film 6 and under a pressure-reduced oxygen atmosphere in which an oxygen concentration is controlled within a range of 0.05 Pa or more and 5 Pa or less.例文帳に追加

その上で、酸化膜６の堆積温度よりも高温で、且つ、酸素濃度が０．０５Ｐａ以上で５Ｐａ以下の範囲内に制御された減圧の酸素雰囲気下で、積層酸化膜７に対して熱処理を行うことで、ゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film manufactured by alternately repeating the feed of the raw gas and the feed of the purge gas to a film deposition chamber in which coagulation of the raw gas is prevented, and the productivity is excellent.例文帳に追加

成膜室に対して原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して行うことにより製造される薄膜において、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the number of pores by improving dispersibility of tin and to efficiently manufacture a target of ITO sintered compact reduced in the occurrence of nodules and suitably used for deposition of ITO thin film and, hereby, to suppress deterioration in film quality and reduction in the productivity of film.例文帳に追加

スズの分散性を向上させることにより空孔を減少させ、ＩＴＯ薄膜形成に好適なノジュール発生が少ないＩＴＯ焼結体ターゲットを効率的に製造し、これによって膜の品質の低下や生産性の低下を抑制する。 - 特許庁

The thin film deposition system is provided with a vacuum vessel 2, an evaporation source 4 generating an evaporation material 6, and a plurality of substrate holders 34 each holding a substrate 10 having a hollow part 12 to a direction in which the hollow part orients toward the evaporation source 4.例文帳に追加

この薄膜形成装置は、真空容器２と、蒸発物質６を発生させる蒸発源４と、中空部１２を有する基体１０をその中空部が蒸発源４に向く方向にそれぞれ保持する複数の基体保持具３４とを備えている。 - 特許庁

After a gate electrode 28 is formed by vacuum deposition or sputtering on a supporting substrate 26, an i-type amorphous silicon film 30 is deposited by thermal CVD of 650°C of silane and in this stage, the structure body is immersed in high pressure water of 110°C for 15 hours.例文帳に追加

支持基板２６の上に真空蒸着あるいはスパッタ法によりゲート電極２８を形成した後、シランの６５０℃の熱ＣＶＤによりｉ型アモルファスシリコン膜３０を堆積し、この段階でこの構造体を１１０℃の高圧水に１５時間浸漬する。 - 特許庁

The magnetic thin film and a sputtering target or a deposition material is constituted by Pt of 40 to 60 at%, Fe of 40 to 60 at%, and P of 0.05 to 1.0 at%, and further in some cases Cu and/or Ni of 0.4 to 19.5 at%.例文帳に追加

Ｐｔ ４０〜６０ａｔ％、Ｆｅ ４０〜６０ａｔ％およびＰ ０．０５〜１．０ａｔ％ならびにさらに場合によりＣｕおよび／またはＮｉ ０．４〜１９．５ａｔ％より構成される磁性薄膜およびスパッタリングターゲットまたは蒸着材料。 - 特許庁

To provide a glass substrate for a magnetic disk improved in reliability and durability by subjecting a chamfered portion to high accuracy mirror polishing with smaller machining allowance thereby preventing the occurrence of deposition of sodium and potassium, and a method for manufacturing the magnetic disk.例文帳に追加

本発明は、少ない取代で高精度に面取部を鏡面研磨することにより、ナトリウムやカリウムの析出の発生を防止して信頼性と耐久性を向上させた磁気ディスク用のガラス基板および磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for predicting film thicknesses capable of predicting the film thicknesses with good accuracy when a collimator is disposed between a target and a substrate and thin films are formed by sputtering and a deposition method which can form the thin films having a uniform film thickness distribution.例文帳に追加

ターゲットと基板の間にコリメータを配設してスパッタを行うことにより薄膜を形成する場合に、精度よく膜厚を予測することが可能な膜厚予測方法及び膜厚分布が均一な薄膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing a magnetic recording medium by vacuum deposition utilizing a high frequency inductive heating method, wherein problems due to leakage of a melted magnetic material are controlled.例文帳に追加

高周波誘導加熱法を利用した真空蒸着によって磁気記録媒体を製造する方法および装置であって、融解した磁性材料の漏出しに起因する問題を抑制できる磁気記録媒体の製造方法および装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor silicon carbide substrate is preferably a semiconductor silicon carbide substrate in which surface silicon of an SOI substrate is made thin, the extremely thin silicon layer is denatured into a silicon carbide layer through carbonization, and a silicon carbide epitaxial film is deposited thereon by a CVD (chemical vapor-deposition) method.例文帳に追加

炭化珪素基板としては、ＳＯＩ基板の表面シリコンを薄層化し、その極薄シリコン層を炭化処理により炭化珪素層に変性し、その上にＣＶＤ（化学気相成長）法により炭化珪素エピタキシャル膜を形成させたものが好ましい。 - 特許庁

In this way, sputtering particles can be deposited on a substrate in a state close to a metal mode without complicating the apparatus constitution, thus metal oxide having a stoichiometric value close to the theoretical one can be efficiently produced at a high thin film deposition rate.例文帳に追加

これによって装置構成を複雑にすることなく、金属モードに近い状態でスパッタ粒子を基板に被着させることができるために薄膜堆積速度が速く、且つ、化学量論的に理論値に近い金属酸化物を効率良く作製することが可能になる。 - 特許庁

Before start of each deposition, the refractory material surface is brought into contact with a liquefied raw material of a combination of a matrix component and an activation agent component, a phosphor precursor component and a matrix, or an activation agent and a precursor component in a crucible unit.例文帳に追加

それぞれの蒸着を開始する前に、耐火材料表面がそのるつぼユニットにおいてマトリックス成分及び活性化剤成分、燐光体プリカーサ成分又はマトリックス、活性化剤及びプリカーサ成分の組み合わせの液化原材料との接触にもたらされる。 - 特許庁

To provide an information managing technique for realizing the development of coloring material having high customer satisfaction measurement production and sales meeting the needs of market and repainting proposal corresponding to the situation of the customer by collecting information on the coloring material and its coating (deposition) sold to customers.例文帳に追加

顧客に販売された色材、色材被膜（形成）に関する情報を収集し、顧客満足度の高い色材の開発、市場ニーズに合った生産および販売、顧客の状況に見合った塗り替え提案を実現する情報管理技術を提供すること。 - 特許庁

The water pressure applied to the outside levee is mitigated, and the deposition of sediment on the inside of the curve is prevented.例文帳に追加

河川の曲流部分の直前より曲流部分の流水中に曲板状の流導装置を設置して、河水の流れを河川の曲線接線方向に次々と誘導することにより、外側堤防にかかる水圧を和らげ、且つ曲線内側の土砂の堆積を防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an oxide-based superconductive structure capable of manufacturing a superconductive layer having a high critical temperature and high critical current density particularly in a magnetic field at a practically possible deposition rate and in a condition that there is no risk of the occurrence of a crack.例文帳に追加

臨界温度が高く特に磁場中での臨界電流密度の高い超電導層を、実用化可能な成膜速度で、かつ、割れの発生のおそれのない状態で製造可能な酸化物系超電導構造体の製造方法を提供すること。 - 特許庁