Depositionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 17021件
In this radiographic image conversion panel with a stimulable phosphor layer having CsBr:Eu stimulable phosphor formed on a support by a vapor deposition method (vapor phase method), layers of low luminous intensity and layers of high luminous intensity are not layered alternately when a cross section of the stimulable phosphor layer is excited from a support body side toward a phosphor layer surface side by an excitation light source.例文帳に追加
支持体上にCsBr:Eu輝尽性蛍光体を有する輝尽性蛍光体層が気相堆積法(気相法)のにより形成される放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の断面を励起光源にて支持体側から蛍光体層表面側に向かって励起した際に、発光強度の低い層と発光強度の高い層を交互に積層しないことを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁
The thin film formation device 1 for forming a plurality of thin films in a substrate 10 in the same chamber 2 by an antenna type plasma CVD method (chemical vapor deposition) has a residue removal means for removing residue which affects property of a second thin film formed next to a first thin film of a plurality of thin films and is caused in a first thin film formation process.例文帳に追加
アンテナ式プラズマCVD法(化学的気相成長法)により基板10に複数の薄膜を同一チャンバ2内で形成する薄膜形成装置1であって、複数の薄膜のうち第1薄膜の次に形成する第2薄膜の特性に影響を与え、かつ、第1薄膜形成過程に起因した残留物質をチャンバ2内から除去する残留物質除去手段を備えることを特徴とする。 - 特許庁
The method for producing carbon nanofibers 20 as the electrically conductive fiber material in a fibrous or tubular form includes film-forming an electrically conductive catalyst layer 12 having direct electrical conductivity on the surface of a substrate 11 made of silicon, heating the electrically conductive catalyst layer 12 and introducing a mixed gas around the layer 12 under a reduced-pressure atmosphere to generate a plasma so as to conduct a CVD (chemical vapor deposition).例文帳に追加
繊維状または管状を成す導電性繊維物質としてのカーボンナノファイバ20の製造方法であって、シリコンからなる基板11の表面に直接導電性を有する導電触媒層12を成膜し、導電触媒層12を加熱し、減圧雰囲気下において、導電触媒層12の周囲に混合ガスを導入し、プラズマを発生させてCVDを行うことを特徴とする。 - 特許庁
In a method of manufacturing the longitudinal magnetic recording medium including a recording layer comprising a Co-Cr-Pt-B alloy and the Ru underlayer comprising Ru or Ru alloy as the main component immediately under the recording layer, the surface of the underlayer is exposed to nitrogen after the deposition of the Ru underlayer, and the recording layer is then deposited after performing substrate heating treatment.例文帳に追加
Co−Cr−Pt−B合金からなる記録層を有し、前記記録層直下にRuまたはRuを主成分とするRu合金からなるRu下地層を有する長手磁気記録媒体の製造方法において、Ru下地層成膜後、前記下地層表面に窒素を暴露し、その後基板加熱処理を施した後、前記記録層を成膜することを特徴とする長手磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁
To provide an image forming apparatus for constantly outputting printed images of stable image density free from background stains by overcoming the problem of transfer influences in a process control to change an electrophotographic process condition based on detection signals obtained by a deposition amount detecting means that detects patch images on a transfer body and a current detecting means that detects a developing current in accordance with the patch images.例文帳に追加
転写体上のパッチ画像を検出する付着量検出手段と、そのパッチ画像に対応する現像電流を検出する電流検出手段との検出信号に基づき電子写真プロセス条件を変更するプロセス制御における転写の影響の問題を克服し、地肌汚れがなく安定した画像濃度の印刷画像を常に出力できる画像形成装置を提供することにある。 - 特許庁
The transparent gas barrier film 11 has a substrate film 111 of a polyamide resin, an easy adhering layer 112 surface treated by reactive ion-etching and an inorganic oxide layer 113 formed by a vapor phase deposition method thereon, wherein the easy adhering layer 112 is formed on one primary surface of the substrate film 111 and contains nitrogen atoms, an adipic acid and bisphenol glycidyl ether.例文帳に追加
本発明の透明ガスバリア性フィルム11は、ポリアミド樹脂からなる基材フィルム111と、前記基材フィルム111の一方の主面上に形成され、窒素原子とアジピン酸とビスフェノールグリシジルエーテルとを含み、リアクティブイオンエッチングによる表面処理が施された易接着層112と、前記易接着層112上に気相堆積法によって形成された無機酸化物層113とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁
The method comprises: providing a substrate; introducing a (methyl cyclopentadienyl)(1,5-cyclooctadiene) iridium (1) precursor; introducing oxygen as a precursor reaction gas; establishing final pressure in the range of 1 Torr to 50 Torr; and growing the IrOx hollow nanotube from the surface of the substrate with the use of metalorganic chemical vapor deposition method (MOCVD).例文帳に追加
本発明の方法は、基板を提供すること、(メチルシクロペンタジエニル)(1,5−シクロオクタジエン)イリジウム(I)前駆物質を導入すること、前駆物質反応ガスとして酸素を導入すること、1から50Torrの範囲内の最終圧力を確立すること、有機金属化学気相成長(MOCVD)処理を使用することにより、基板の表面からIrOx中空ナノチューブを成長させることとを包含する。 - 特許庁
In the gas barrier film comprising a substrate film and the laminate which is positioned on the substrate film and has at least one layer of the gas barrier layer formed by a vacuum deposition method, a heat resisting layer formed by a polymer resin having the glass transition temperature of ≥90°C is positioned just under the gas barrier layer in the laminate.例文帳に追加
基材フィルムと、当該基材フィルム上に位置しており、真空蒸着法によって形成されたガスバリア層を少なくとも一層有する積層体と、からなるガスバリアフィルムであって、前記積層体中のガスバリア層の直下には、ガラス転移温度が90℃以上の高分子樹脂によって形成されている耐熱層が位置していることを特徴とするガスバリアフィルムことを特徴とするガスバリアフィルムを提供する。 - 特許庁
In an electrochemical dimming device which has a macromolecular electrolytic layer 4, containing a coloring material colored or discolored by electrochemical reduction or oxidation and deposition or dissolution accompanying it, held between a 1st electrode 1 and a 2nd electrode 5, the macromolecular electrolytic layer 4 contains at least titanium dioxide whose surface is treated with an organic substance.例文帳に追加
電気化学的な還元又は酸化とこれに伴う析出又は溶解とによって発色又は消色する発色材料を含有する高分子電解質層4が、第1極1と第2極5との間に挟持されている電気化学的調光装置において、少なくとも有機物で表面処理された二酸化チタンが高分子電解質層4に含有されていることを特徴とする、電気化学調光素子。 - 特許庁
The manufacturing method of the semiconductor device to which etching and deposition are alternately applied includes a step for generating plasma and etching a substrate by a first excitation source which is connected to a processing room and which is for generating plasma, and a second excitation source which is connected to an electrode of a stage where the substrate is placed; and a step for generating plasma and depositing the substrate by the second excitation source.例文帳に追加
エッチングとデポジションとを交互に適用する半導体装置の製造方法において、処理室に接続された、プラズマを生成するための第一励起源と、基板を載置するステージの電極に接続された第二の励起源とによりプラズマを生成して基板のエッチングを行うステップと、前記第二の励起源によりプラズマを生成して基板のデポジションを行うステップと、を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁
In the vapor phase growth method of placing the wafer on a susceptor in a reaction chamber and forming the thin film on the wafer by vapor phase deposition, the material gas is branched to at least two lines, each of the branched material gases is temporarily branched into two and then mixed together, and further branched into two to be supplied to the reaction chamber, thereby carrying out the vapor phase growth.例文帳に追加
反応室のサセプタ上にウエーハを載置し、該ウエーハ上に薄膜を気相成長させる方法であって、少なくとも、原料ガスを、2つのラインに分岐し、その後該分岐させた原料ガスの各々を一旦2つに分岐させた後に合流させ、その後更に2つに分岐させて、原料ガスを前記反応室に供給しながら気相成長させることを特徴とする薄膜の気相成長方法。 - 特許庁
The device for vapor deposition of films for the organic EL elements vaporizes an organic material 5 for the organic EL elements in the container 2 and deposits the material in thin film on the surface of a film-forming substrate 6 and comprises the container 2 constructed of a material capable of generating heat by electromagnetic induction and a means for heating the container for vaporizing the organic material 5 by electromagnetic induction.例文帳に追加
本発明の装置は、容器2中の有機EL素子用の有機材料5を気化し、成膜用基板6上で堆積させて薄膜を形成する有機EL薄膜蒸着において、電磁誘導により発熱する材料で構成された前記容器2と、該有機材料5を気化させるため前記容器を電磁誘導加熱する手段とを備えた有機EL素子蒸着用装置である。 - 特許庁
The electrochemical light controlling device wherein a polymer electrolyte layer 4 containing the color variable material discolored or decolored by electrochemical reduction or oxidation and deposition or dissolution associated with the electrochemical reduction or oxidation, an electrolyte, and a polymer compound is interposed between a working electrode 5 and a counter electrode 1 is characterized in that a projecting and recessed part 16 is formed on the surface of the counter electrode 1.例文帳に追加
電気化学的な還元又は酸化及びこれに伴う析出又は溶解によって変色又は消色する色可変材料と、電解質と、高分子化合物とを含有する高分子電解質層4が、作用極5と対極1との間に挟持されている電気化学調光装置において、対極1の表面に凹凸16が形成されていることを特徴とする、電気化学調光装置。 - 特許庁
In manufacturing the group III-V compound semiconductor light emitting device on a side wall of the ridge, having a ridge and a current block layer formed sandwiching the ridge, and including a layer having a larger Al ratio than that of the layer forming a bottom face of both sides of the ridge, the current block layer is made to grow under a condition of 650°C or below by a vapor deposition method.例文帳に追加
リッジと、リッジを挟んで形成された電流ブロック層とを有し、かつリッジの側壁に、Al混晶比が前記リッジの両側の底面を形成する層のAl混晶比よりも大きい層を含むIII−V族化合物半導体発光素子を製造するにあたり、電流ブロック層を650℃以下の条件でかつ気相成長法により成長させるIII−V族化合物半導体の製造方法。 - 特許庁
In the display element which has an electrolyte layer containing silver or a compound containing silver in its chemical structure between opposed electrodes and wherein driving operation of the opposed electrodes is performed so that dissolution and deposition of silver, the electrolyte layer contains lithium ions and a redox reaction concerning the lithium ions is generated on at least one electrode of the opposed electrodes at the time of the driving operation.例文帳に追加
対向電極間に、銀、または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質層を有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、該電解質層がリチウムイオンを含み、かつ、該対向電極の少なくとも1つの電極上でリチウムイオンに係る酸化還元反応を駆動操作時に生じさせることを特徴とする表示素子。 - 特許庁
To provide a color developing solution and a concentrated composition for a silver halide color photographic sensitive material and a processing method in which neither crystal deposition nor tar contamination is caused to a processing tank or rack even when rapid processing or reduced replenishment is carried out and to provide a concentrated solution kit (concentrated composition) which does not cause precipitation at low temperature even when a color developing agent is dissolved at high concentration.例文帳に追加
第1に迅速処理や低補充化を行っても処理タンクやラックに結晶析出およびタール汚染が生じないハロゲン化銀カラー写真感光材料用発色現像液及び濃縮組成物並びに処理方法を提供することであり、第2に高濃度に発色現像主薬を溶解しても低温析出を起こさない濃縮液キット(濃縮組成物)を提供することである。 - 特許庁
The forgery prevention sheet is composed of ferromagnetic micro flake which is obtained by miniaturization of a ferromagnetic thin film obtained by a vapor phase growth such as vacuum deposition method, etc., dispersed in a substrate, set to form a specific pattern and having an inherent magnetic characteristics, wherein the substrate is made of a paper or a resin and the prescribed ferromagnetic thin film is set to have a smooth surface.例文帳に追加
この課題を解決するため、本発明による偽造防止シートは、蒸着膜などの気相成長した強磁性体薄膜を微細片化した強磁性体微細片が基材内に分散されて、特定のパターンに形成され、固有の磁気特性を保持せしめており、前記基材が紙であるか、または、前記基材が樹脂であり、前記強磁性体薄膜は、その表面が平滑に形成されている。 - 特許庁
The film or the bulk body of the functional ceramic material, in which a third element is doped in such a large amount that cannot be doped by a conventional technology because of the deposition of a second phase, can be formed at a sufficiently high rate by a method comprising forcedly dissolving the third element to form a solid solution by rapid cooling and solidification using a thermal spray method.例文帳に追加
溶射法を用いた急冷凝固により第3元素を強制固溶させる方法により、従来技術では第2相の析出により不可能とされていた多量の第3元素をドープした機能性セラミックス材料の膜およびバルク体を、十分に速い速度で形成することができ、得られる機能性セラミックスは、第3元素の大量ドープによる導電率の向上や熱伝導率の低減が容易に達成できる。 - 特許庁
In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加
Si活性層上、及び絶縁SiO_2膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりArガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Si活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。 - 特許庁
A plating film constituting a first layer 13 that serves as a base of an external terminal electrode is formed such that plating deposition deposited from a conductive surface formed by exposing end surfaces of internal electrodes 5, 6 is restricted to grow to the side of the low-growth plating region 12 beyond the border of the high-growth plating region 11 and the low-growth plating region 12.例文帳に追加
外部端子電極の下地となる第1層13を構成するめっき膜は、内部電極5および6の露出端によって与えられる導電面を起点として析出しためっき析出物が高めっき成長領域11と低めっき成長領域12との境界を低めっき成長領域12側へと越えて成長することが制限された状態で成長することによって形成される。 - 特許庁
The method for cleaning the plasma enhanced CVD system for depositing a desired film on a substrate by vapor phase deposition within a plasma enhanced CVD reaction chamber consists in introducing and blowing inert gas from outside to the dust which contains vapor phase deposited powder or flakes and is un-stably adhered to regions exclusive of the surface of the substrate 4 within the reaction chamber 1, thereby blowing the dust off the dust.例文帳に追加
プラズマCVD反応室内で気相析出によって基板上に所望の膜を堆積するためのプラズマCVD装置をクリーニングする方法において、反応室1内で基板4上以外の領域において不安定に付着している気相析出粉末またはフレークを含むダストに対して不活性ガスを外部から導入して吹付けることによってそれらのダストを吹飛ばすことを特徴としている。 - 特許庁
The nanoparticle production method provided comprises keeping a 1 mm or less minute clearance between two treating faces capable of approaching and separating each other and rotating relative to each other, using the space between the two treating faces kept at that minute clearance as a passage for the fluids to be treated, thereby forming a forced thin film of the fluids, wherein performing the deposition of nanoparticles.例文帳に追加
接近・離反可能な相対的に回転する2つの処理用面間に1mm以下の微小間隔を維持し、この微小間隔に維持された2つの処理用面間を被処理流動体の流路とすることによって、被処理流動体の強制薄膜を形成し、この強制薄膜中においてナノ粒子の析出を行うことを特徴とするナノ粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The barrier film has a vapor-deposited layer of an inorganic compound on one surface of a polyamide type resin substrate film, and the other surface without the vapor deposition layer has an O(oxygen)/C(carbon) elemental ratio of 0.16-0.26, measured by the X-ray photoelectron spectroscopy with an X-ray source of MgKα and an X-ray output of 100W.例文帳に追加
ポリアミド系樹脂基材フィルムの片面に、無機化合物からなる蒸着層を設けたバリアフィルムにおいて、前記ポリアミド系樹脂基材フィルムの蒸着膜を設けない側の表面は、X線光電子分光法によるX線源MgKαおよびX線出力100Wの測定条件での測定で得られる元素比率O(酸素)/C(炭素)が0.16〜0.26であることを特徴とするバリアフィルム。 - 特許庁
Disclosed is the method for manufacturing the liquid crystal panel constituted by charging a liquid crystal layer 17 between a couple of substrates S each having an alignment film 15 formed on a surface, and the alignment film 15 is formed by an oblique vapor-depositing method of supplying vapor molecules at a vapor-deposition angle θ1 of 45 to 60° to a normal Lv of one main surface of a substrate S.例文帳に追加
本発明は、表面に配向膜15が形成された一対の基板S間に液晶層17を封止してなる液晶パネルの製造方法であって、基板Sの一主面の法線Lvに対して45度を超える60度以下の蒸着角度θ1から蒸着分子を供給する斜方蒸着法により、配向膜15を形成することを特徴とする液晶パネルの製造方法および液晶パネルである。 - 特許庁
The electrode for the lithium ion secondary battery contains the current collector and an active material layer formed and joined on the current collector by colliding active material powder which can absorb and release lithium ions against the current collector by an aerosol deposition method, the active material layer contains secondary particles comprising aggregates of primary particles having a particle diameter of 1 μm or less, and the porosity of the active material layer is 10-20%.例文帳に追加
リチウムイオン二次電池用電極は、集電体、およびエアロゾルデポジション法により、リチウムイオンの挿入脱離が可能な活物質粉体を集電体に衝突させることにより、集電体上に形成かつ接合された活物質層を含み、活物質層が粒径1μm以下の一次粒子の集合体からなる二次粒子を含み、活物質層の空孔率が10%以上20%以下である。 - 特許庁
In the microstructure of the heat affected zone in the high strength steel for bridges having excellent HZA toughness and weather resistance, the average grain size of old γ grains is ≤200 μm, and the ratio of γgrains containing 3 pieces or more of transgranular ferrite having the single or blended deposition grains of sulfide and nitride with MgO or Mg-containing oxide as nuclei is ≥30% in the whole γ grain.例文帳に追加
溶接熱影響部のミクロ組織において、旧γ粒の平均粒径が200μm以下で、全γ粒のうち、粒内にMgOまたはMg含有酸化物を核にした硫化物および窒化物の単独または複合析出粒子を核にした粒内フェライトが3個以上有するγ粒が30%以上である溶接HAZ靱性および耐候性に優れた橋梁用高強度鋼。 - 特許庁
In a step of forming the semiconductor deposition layer 150 having the columnar parts, a predetermined pattern of isolating semiconductor layer 130 is formed in a boundary region of the chip; in a step of forming the embedded insulating layer 120, at least the upper surface of the isolating semiconductor layer 130 is exposed; and in a step of forming the chip, the isolation semiconductor layer 130 is used to realize this isolation.例文帳に追加
そして、柱状部を有する半導体堆積層150を形成する工程において、チップの境界領域に所定パターンの分離用半導体層130を形成し、埋込み絶縁層120を形成する工程において、分離用半導体層130の少なくとも上面を露出させ、かつ、チップを形成する工程において、分離用半導体層130を用いて前記分離が行われる。 - 特許庁
To provide a method for inhibiting formation of a copolymer of divinylbenzene, formed by the manufacture of an aromatic vinyl compound or intermixed as an accompaniment of manufacturing raw materials of the aromatic vinyl compound, with an aromatic vinyl compound, and a method for inhibiting stains by deposition of the copolymer on apparatuses or equipments in a distillation process, a purification process or a storage process of the aromatic vinyl compound.例文帳に追加
芳香族ビニル化合物の蒸留工程、精製工程あるいは貯蔵工程において、芳香族ビニル化合物の製造によって生成したジビニルベンゼンあるいは芳香族ビニル化合物の製造原料に伴って混入したジビニルベンゼンと芳香族ビニル化合物との共重合体の生成抑制方法および装置類・設備類への該共重合体の付着による汚れの抑制方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide a surface material for a vehicle, which has a similar shape of an appearance to that of a surface assembly made in three dimensions by connecting two or more surface materials actually by stitching or deposition processing with a welder although it is a single sheet surface material, and reproduces a three-dimensional appearance with an emphasized surface irregularity by disposing a wadding material on the back side.例文帳に追加
本発明の目的は、一枚ものの表皮材でありながら、複数枚の表皮材を実際に縫製やウェルダー溶着加工にて接合し、立体的に製作した表皮アセンブリーの外観と同一の外観形状を備え、さらに、裏面側にワディング材を設けることにより、表面の凹凸形状をよりくっきりと際だたせて立体的な外観を再現した車両用表皮材を提供する。 - 特許庁
In the method of manufacturing a photoelectric conversion device 100 where a first transparent electrode layer 2, a photoelectric conversion layer 3, a second transparent electrode layer 5, and a back electrode layer 4 consisting of a metal film are laminated sequentially on a substrate 1, the second transparent electrode layer 5 is formed by sputtering in a film deposition chamber where the partial water vapor pressure is controlled below 0.6%.例文帳に追加
基板1上に、第1透明電極層2と、光電変換層3と、第2透明電極層5と、金属膜からなる裏面電極層4と、が順に積層される光電変換装置100の製造方法であって、水蒸気分圧を0.6%以下に制御した製膜室内で、スパッタリング法により第2透明電極層5を形成する光電変換装置100の製造方法である。 - 特許庁
A metal film having excellent adhesion is formed on a prescribed surface in a ceramic structure by a high melting point metal process, a nickel plating layer as an intermediate protective layer is formed on the metal film by a plating process, a nickel-molybdenum disulfide deposition film layer is formed on the intermediate protective layer, and a self-lubricating film having excellent adhesion is formed on the surface of the ceramic structure.例文帳に追加
セラミックス構造体の所定の表面に高融点金属法により密着性に優れた金属皮膜を形成し、前記金属皮膜上にめっき法により中間保護層としてニッケルめっき層を形成し、前記中間保護層上にめっき法によりニッケル・二硫化モリブデン共析物皮膜層を形成して、セラミック構造体の表面に密着性に優れた自己潤滑性皮膜を形成する。 - 特許庁
In this radiographic image conversion panel with a stimulable phosphor layer having CsBr:Eu stimulable phosphor formed on a support by a vapor deposition method (vapor phase method), layers of low luminous intensity and layers of high luminous intensity are layered alternately when a cross section of the stimulable phosphor layer is excited from a support side toward a phosphor layer surface side by an excitation light source.例文帳に追加
支持体上にCsBr:Eu輝尽性蛍光体を有する輝尽性蛍光体層が気相堆積法(気相法)により形成される放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の断面を励起光源にて支持体側から蛍光体層表面側に向かって励起した際に、発光強度の低い層と発光強度の高い層が交互に積層されていることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁
The optical member is composed of a polycrystal silicon solidified body obtained by melting polycrystal silicon as grown synthesized by a chemical vapor deposition process using monosilane or trichlorosilane as raw materials in an oxygen-free inert gas atmosphere using a vessel made of a non-metallic oxide or a vessel whose inner wall face is covered with a non-metallic oxide substance, thereafter cooling the same and performing solidification, and mainly used for infrared rays.例文帳に追加
モノシランやトリクロロシランを原料として化学蒸着法で合成されたアズグロウンの多結晶シリコンを、酸素を含まない不活性ガス雰囲気下で、且つ、非金属酸化物製の容器或いはその内壁面を非金属酸化物系物質で覆った容器を用いて溶融させた後冷却して凝固させた多結晶シリコン凝固体からなることを特徴とする、主として赤外線用に使用される光学部材。 - 特許庁
The method for manufacturing products of magnesium or magnesium alloys comprises a step of working magnesium or the magnesium alloys into a product shape, and a step of forming a magnesium vapor-deposited layer on the surface of the workpiece manufactured in the working step, with a vapor deposition method employing magnesium or the magnesium alloy as a vapor depositing metal, in a vacuum condition with an atmospheric pressure of 1 or lower and at 650°C or lower.例文帳に追加
マグネシウム、マグネシウム合金を用いて製品形状に加工する加工工程と、この加工工程で加工された加工製品を気圧が1気圧以下で、温度が650℃以下の真空中でマグネシウム、マグネシウム合金を蒸着金属として用いた蒸着によって表面にマグネシウム蒸着層を形成するマグネシウム蒸着工程とでマグネシウム、マグネシウム合金製品の製造方法を構成している。 - 特許庁
The slit yarn is produced by microslitting a filmy base material using a laser cutting method comprising irradiating the base material with laser beams emitted via one or more laser beam irradiation holes, for example, by irradiating a laminated film with laser beams via two laser beam irradiation holes set respectively over and under the laminated film which is made by providing both sides of a synthetic resin film with metallic vacuum deposition layers, respectively.例文帳に追加
単数又は複数のレーザ光照射口から射出されるレーザ光を照射するレーザ裁断方法を用いてフィルム状基材をマイクロスリットして得られるものであって、例えば、合成樹脂フィルムの両面に金属蒸着層を設けてなる積層フィルムの上方及び下方に備えた2箇所のレーザ光照射口から、レーザ光を積層フィルム面に対して照射することによって所望のスリット糸を得る。 - 特許庁
In forming the zinc oxide-based transparent conductive film on the substrate, the film is formed while applying voltage and flowing current to the film from initial deposition.例文帳に追加
基板上に形成される初期成膜の平均結晶粒径が30nm以上であり、基板から膜の上表面に向かって柱状に成長した膜構造を備えていることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜及び基板上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成する際に、成膜初期から膜に電圧を印加し、電流を流しながら成膜することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法。 - 特許庁
The depositing method of an inert coating on a substance surface includes a first process to expose the surface to plasma discharge for an enough time to activate the surface in the presence of an inert gas, and a second process to bring the activated surface into contact with a gaseous org. silicon material without plasma and to carry out vapor deposition of the org. silicon material on the activated surface.例文帳に追加
物質表面に不活性コーティングを付着させる方法において、不活性ガスの存在下で表面を活性化するのに十分な時間前記表面をプラズマ放電に曝す第1工程、およびプラズマがない状態で、活性化された表面と、ガス状有機珪素物質とを接触させ、この活性化された表面に有機珪素物質を蒸着させる第2の工程を含む前記方法。 - 特許庁
To provide an acetylene group-containing organic compound easily polymerizable by low-temperature heat or ultraviolet irradiation, to provide a method for vacuum deposition polymerization of the organic compound enabling organic thin film of uniform thickness to be obtained without producing any radial and byproduct, to provide such thin film increased in thermal stability through the above method, and to provide electroluminescent elements using the above thin films.例文帳に追加
低温の熱、あるいは紫外線により容易に重合反応を起こすアセチレン基を含む有機化合物;上記の化合物を使用して、ラジカル及び副産物を生成することなく、均一な厚さの有機薄膜を得ることができる蒸着重合法;上記の方法により製造された、熱安定性が増加した蒸着重合薄膜;及び上記の薄膜を使用した電気発光素子を提供すること。 - 特許庁
In the sheet for molding having the metallic gloss, an anchor coat layer and a vapor deposition layer comprising a metal or a metal oxide are laminated on at least one side of a plastic film to be a substrate, and the anchor coat layer has a first anchor coat layer for giving adhesion to the substrate and a second anchor coat layer for giving solvent barrier properties.例文帳に追加
基材となるプラスチックフィルムの片面若しくは両面に、アンカーコート層と、金属又は金属酸化物よりなる蒸着層と、を積層してなる金属光沢を備えた成型用シートであって、前記アンカーコート層が、前記基材との密着力を付与するための第1アンカーコート層と、溶剤バリア性を付与するための第2アンカーコート層と、よりなる構成を備えた金属光沢を備えた成型用シートとした。 - 特許庁
An isolated polynucleotide selected from the group consisting of (a) a polynucleotide encoding a polypeptide having a specific deduced amino acid sequence or a fragment, analogue and derivative thereof and (b) a polynucleotide encoding a polypeptide having an amino acid sequence encoded by a cDNA contained in ATCC deposition no.75824 or a fragment, analogue and derivative of the polypeptide.例文帳に追加
単離されたポリヌクレオチドであって、(a)特定の推定アミノ酸配列を有するポリペプチドあるいは該ポリペプチドのフラグメント、アナログまたは誘導体をコードするポリヌクレオチド、(b)ATCC寄託番号75824に含有されるcDNAによりコードされるアミノ酸配列を有するポリペプチド、あるいは該ポリペプチドのフラグメント、アナログ、または誘導体をコードするポリヌクレオチド、からなる群より選択される、単離されたポリヌクレオチド。 - 特許庁
This presents a rear surface protection sheet used for a solar cell, in which the rear surface protection sheet laminates at least a thermoplastic resinous binder made from acrylic polyol resin and/or a radiation hardening resinous layer made from acrylic oligomer onto a gas barrier vapor deposition film made from inorganic oxide.例文帳に追加
太陽電池に使用する裏面保護シートであって、前記裏面保護シートが、無機酸化物からなるガスバリア性蒸着フィルムに、少なくとも、アクリルポリオール系樹脂からなる熱可塑性樹脂バインダーおよび/またはアクリル系オリゴマーからなる放射線硬化樹脂層を積層してなることを特徴とする太陽電池用裏面保護シートおよびその裏面保護シートを用いた太陽電池モジュール、その太陽電池用裏面保護シートの製造方法である。 - 特許庁
The gate-electrode 2 is formed by a manufacturing method of a thin film, having a deposition process of amorphous layers and crystallization (recrystallization) process of the amorphous material.例文帳に追加
この際、1回に成膜する非晶質層の厚さが不良事象に応じて決定される臨界応力値によって規定される厚み以下であるように非晶質層の堆積を複数回に分割して行い、各非晶質層の堆積工程後毎に非晶質材料を結晶化させ、かつ非晶質層堆積工程と非晶質材料結晶化工程を繰り返すことにより必要な膜厚の多結晶層6の積層構造体を得る。 - 特許庁
The raw material carburetor for the organometallic chemical vapor deposition system includes (i) a filling port 14 for filling the liquid raw material 13, (ii) an orifice 8 having a pore diameter of such a size at which the vapor pressure of a solid raw material 10 in the carburetor 9 is held substantially constant, and (iii) a heater 7 for heating.例文帳に追加
有機金属化学気相堆積装置用原料気化器9であって(i)液体原料13を充填するための充填口14、(ii)該液体原料13に含まれる溶剤を除去した後に残留する固体原料10の気化に際して、該気化器9内の該固体原料10の蒸気圧が実質上一定に保持されるような大きさの孔径を有するオリフィス8、および(iii)加熱用ヒーター7を具備する該気化器。 - 特許庁
The deposition device for heating the substrate mounted on a mounting base provided inside a treatment vessel, supplying a raw material gas to the substrate, and forming a thin film comprises a self-excitation vibration nozzle 32 for the raw material gas for supplying the raw material gas from the side part to the substrate, and an exhaust port 61 provided holding the substrate there between with the self-excitation vibration nozzle 32.例文帳に追加
処理容器内に設けられた載置台に載置された基板を加熱すると共に前記基板に原料ガスを供給して薄膜を形成する成膜装置において、前記基板にその側方から原料ガスを供給するための原料ガス用の自励振動ノズル32と、この自励振動ノズル32に対して基板を挟んで設けられた排気口61と、を備えるように成膜装置を構成する。 - 特許庁
In the transparent gas barrier polyamide film constituted by successively laminating a polyamide film base material having a plasma RIE treatment surface, the transparent vapor deposition thin film layer comprising an inorganic oxide provided on the treatment surface of the base material and a gas barrier film layer, the polyamide film base material is constituted by providing a polyester resin film at least to one side of the polyamide resin film and the surface thereof is an RIE treatment surface.例文帳に追加
プラズマRIE処理面を有するポリアミド系フィルム基材、その処理面上に無機酸化物からなる透明蒸着薄膜層、さらにガスバリア性被膜層を順次積層している透明ガスバリア性ポリアミド系フィルムにおいて、ポリアミド系フィルム基材がポリアミド系樹脂フィルムの少なくとも一方の面にポリエステル系樹脂フィルムを設けて、その表面がRIE処理面である技術を提供するものである。 - 特許庁
To provide a reflective film, a thin film for wiring or for an electrode and a semi-reflection type semi-transmission film having high reflectivity and low electric resistance while suppressing the reduction of the reflectivity caused by reaction with a trace amount of free halogen by heat and also improving the heat resistance of, and to provide a sputtering target material and a vapor deposition material useful for the production of the films.例文帳に追加
熱による微量の遊離ハロゲンとの反応による反射率の低下を抑制し且つ耐熱性を改善しつつ、高い反射率および低い電気抵抗を有し、しかも熱や湿度に対しても高い安定性を有する反射膜、配線用または電極用薄膜及び半反射型半透過膜、ならびにかかる膜の製造に有用なスパッタリングターゲット材および蒸着材料を提供すること。 - 特許庁
To provide small particle size electrophotographic carrier particles free from problems, that is, giving high picture quality (particularly high graininess), causing no carrier deposition, inducing little development torque, and thereby, giving less toner spent and favorable durability, no change in a pumping amount and little change in image density and having a sharp particle size distribution, and to provide a method for inexpensively and efficiently manufacturing the electrophotographic carrier particles.例文帳に追加
かかる不具合を生じさせない、即ち、高画質で(特に粒状性が良く)、キャリア付着を生じさせず、現像トルクが小さく、そのため、トナースペントが少なく耐久性が良好で、かつ、汲み上げ量変動がなく、画像濃度変動の少ない、シャープな粒径分布の小粒径電子写真キャリア用粒子の提供、および、該電子写真キャリア用粒子を安価に効率よく製造する方法の提供。 - 特許庁
The gallium nitride crystal is obtained by performing vapor-phase deposition so that a growth surface achieves a three-dimensional facet structure having a pit with assembly of facets instead of a flat state and retains the facet structure which is not buried throughout the growth to accumulate dislocations to the bottom of the facets and reduce dislocations in parts other than a linear region continuing from the bottom of the facets.例文帳に追加
気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。 - 特許庁
In the method for manufacturing an optical fiber preform by supplying a high-frequency induction thermal plasma torch 1 with at least glass raw material, dopant raw material, and oxygen, and depositing the glass particles synthesized in the plasma flame onto a surface of a glass rod that moves backward and forward relative to the plasma torch 1 while rotating, deposition of the glass particles is performed while cooling the glass rod 6.例文帳に追加
高周波誘導熱プラズマトーチ1に少なくともガラス原料、ドーパント原料及び酸素を供給し、プラズマ火炎中で合成されたガラス微粒子を、回転しつつプラズマトーチ1に対して相対的に往復運動するガラスロッド表面に付着堆積させる光ファイバプリフォームの製造方法において、ガラスロッド6を冷却しながらガラス微粒子を堆積させることを特徴としている。 - 特許庁
To provide a high-resistivity silicon wafer that has high resistance optimum for manufacturing a diode for high frequencies, secures defect density caused by the deposition of oxygen required for gettering, can effectively suppress the generation of oxygen donors in a device heat-treatment process, has sufficient mechanical strength, and dispenses with the formation of a recombination center in a high specific-resistance layer when manufacturing the diode for high frequencies.例文帳に追加
高周波用ダイオードの作製に最適な高抵抗なものであり、ゲッタリングに必要な酸素析出起因欠陥密度が確保され、デバイス熱処理工程での酸素ドナーの発生を効果的に抑制でき、十分な機械的強度を有し、高周波用ダイオードを作製する場合に高比抵抗層における再結合中心を形成する必要がない高抵抗率シリコンウェーハを提供する。 - 特許庁
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