「FIELD-EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

The field effect transistor controls the conductivity of the semiconductor layer provided between a source electrode and a drain electrode by a gate electrode provided via an insulating layer and the semiconductor layer is formed by the organic polymer semiconductor in which carbon nano-tubes are dispersed and the current is controlled in the depletion mode.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極間に設けた半導体層の導電性を絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタであって、該半導体層がカーボンナノチューブを分散した有機高分子半導体で形成され、ディプレッションモードで電流を制御することを特徴とするトランジスタ。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises an embedded gate electrode 104 that is embedded in a semiconductor board 10 and constitutes a field-effect transistor, a drawing electrode 105 arranged on the semiconductor board 10 and connected to the embedded gate electrode 104, and a zener diode 106 placed on the semiconductor board 10.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０内に埋め込まれ、電界効果トランジスタを構成する埋込ゲート電極１０４と、半導体基板１０上に設けられ、埋込ゲート電極１０４に接続された引出電極１０５と、半導体基板１０上に設けられたツェナーダイオード１０６と、を備えている。 - 特許庁

The contrast agent thereby includes at least one mobile proton in chemical exchange with water medium protons and is capable of generating a saturation transfer (ST) effect between the mobile proton and the water medium protons when a proper high frequency impression magnetic field is applied at the resonance frequency of the exchangeable proton.例文帳に追加

従って、造影剤は水媒体プロトンとの化学交換における可動プロトンを少なくとも１つ含み、かつ該交換可能プロトンの共鳴周波数で適切な高周波印加磁場が適用された場合に、該可動プロトンと水媒体プロトンとの間の飽和移動（ＳＴ）効果を生成させることができる。 - 特許庁

This biosensor includes a field-effect transistor having a substrate, a source and a drain having a polarity opposite to that of the substrate, a gate arranged on the substrate and contacting with the source and the drain, and an inorganic membrane coupled with the biomolecule and arranged on a surface of the gate.例文帳に追加

基板と、前記基板の極性に対し反対の極性を有するソース及びドレインと、前記基板上に配置され、前記ソース及び前記ドレインに接触するゲートと、生体分子と結合可能であり、前記ゲートの表面に配置される無機膜と、を有する電界効果トランジスタを含むバイオセンサーである。 - 特許庁

The field effect transistor includes: a first semiconductor layer 19; a gate electrode 24 formed by means of a Schottky junction with the first semiconductor layer 19 on the first semiconductor layer 19; and ohmic electrodes 22, 23 formed on both sides of the gate electrode 24 on the first semiconductor layer 19.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、第１の半導体層１９と、第１の半導体層１９の上に第１の半導体層１９とショットキー接合して形成されたゲート電極２４と、第１の半導体層１９の上におけるゲート電極２４の両側方に形成されたオーミック電極２２、２３とを備えている。 - 特許庁

To provide an optimum condition, in particular an optimum salinity concentration, of ozone nanobubble water optimized for each purpose, though strong sterilizing effect of the ozone nanobubble water containing stabilized ozone nanobubbles is conventionally used for application to a medical field such as periodontal disease treatment.例文帳に追加

安定化したオゾンナノバブルを含有しているオゾンナノバブル水の強力な殺菌効果を利用して歯周治療等、医療分野に応用している例は従来からあるが、オゾンナノバブル水を、夫々の用途に対して最適化したオゾンナノバブル水の条件、特に、その塩分濃度の最適条件は提案されていない。 - 特許庁

This semiconductor device loaded with the field effect transistor and a Schottky barrier diode within the same semiconductor substrate is provided with an embedded dope layer of a second conductivity type embedded with prescribed pitches at a prescribed depth in the drift layer of a first conductivity type in the Schottky barrier diode region.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、同一半導体基板内に電界効果トランジスタ及びショットキーバリアダイオードを搭載した半導体装置が、ショットキーバリアダイオード領域における第一導電型のドリフト層中の所定の深さに所定のピッチで埋め込まれた第二導電型の埋込ドープ層を備えているものである。 - 特許庁

Article 10 (1) No corporation shall acquire or hold stocks of any other corporations where the effect of such acquisition or holding of stocks may be substantially to restrain competition in any particular field of trade, or shall acquire or hold stocks of other corporations through unfair trade practices. 例文帳に追加

第十条　会社は、他の会社の株式を取得し、又は所有することにより、一定の取引分野における競争を実質的に制限することとなる場合には、当該株式を取得し、又は所有してはならず、及び不公正な取引方法により他の会社の株式を取得し、又は所有してはならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Article 14 No person other than corporations shall acquire or hold stocks of a corporation where the effect of such acquisition or holding of stocks may be substantially to restrain competition in any particular field of trade, or shall acquire or hold stocks of a corporation through unfair trade practices. 例文帳に追加

第十四条　会社以外の者は、会社の株式を取得し、又は所有することにより一定の取引分野における競争を実質的に制限することとなる場合には、当該株式を取得し、又は所有してはならず、及び不公正な取引方法により会社の株式を取得し、又は所有してはならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

In the liquid crystal element which uses molecule orientation effect by an irregular electric field distribution, at least one electrode (1st electrode 12) is given a potential gradient for a certain time when a voltage is applied between a 1st electrode 12 and a 2nd electrode 17 which face each other or varied.例文帳に追加

不均一な電界分布による分子配向効果を利用した液晶素子において、対向する第１の電極１２と第２の電極１７との間に電圧を印加するとき又は電圧を可変するときに、少なくとも一方の電極（第１の電極１２）に一定時間電位勾配を与えるようにしている。 - 特許庁

The electrooptic element is equipped with: electrooptic crystal 1 having electrooptic effect; an electrode pair of a plus electrode 2 and a minus electrode 3 producing an electric field in the electrooptic crystal 1; and pressure application means 11, 12 and 13 for applying pressure in parallel to the crystal growing direction (x-axis direction) of the electrooptic crystal 1.例文帳に追加

電気光学効果を有する電気光学結晶１と、電気光学結晶１の内部に電界を発生させる、正極２と負極３とからなる電極対と、電気光学結晶１の結晶の成長方向（ｘ軸方向）と平行に圧力を印加する圧力印加手段１１，１２，１３とを備えた。 - 特許庁

The variable attenuator is provided with the field effect transistor 13 having three terminals: a drain terminal D, a source terminal S, and a gate terminal G, wherein a current flowing between the drain terminal D and the source terminal S is controlled by voltage applied to the gate terminal, and with a diode 12 connected in series with the drain terminal D.例文帳に追加

ドレイン端子Ｄおよびソース端子Ｓ、ゲート端子Ｇの３つの端子を有し、ドレイン端子Ｄおよびソース端子Ｓ間に流れる電流がゲート端子に印加する電圧によって制御される電界効果トランジスタ１３と、ドレイン端子Ｄに直列に接続されたダイオード１２とを具備している。 - 特許庁

Accordingly, the electric field intensity due to the applied voltage is increased by a shape effect of the whisker 27a in the surface layer of the dielectric layer 27, it is considered that a quantity of electrons emitted toward a discharge space 35 is increased, and as a result, it is considered that the response of the generation of discharge to the applied voltage is improved.例文帳に追加

このことにより、誘電体層２７表層において、印加電圧による電界強度がウィスカーの形状効果により大きくなり、放電空間３５に向けて放出される電子の量が多くなるものと考えられ、その結果、印加電圧に対する放電の発生の応答性が改善されるものと考えられる - 特許庁

After a gate electrode is formed, a first-conductivity-type dopant is ion-implanted with high concentration, heat treatment is made, a second-conductivity-type dopant is ion-implanted, a sidewall is formed on a gate side, the first-conductivity-type dopant is ion-implanted, and then heat treatment is made for manufacturing the field effect transistor.例文帳に追加

ゲート電極の形成後、第一導電型の不純物を高濃度にイオン注入し、続いて熱処理、第二導電型の不純物のイオン注入、ゲート側面への側壁形成、第一導電型の不純物のイオン注入を行ったのち、熱処理を行って電界効果型トランジスタを製造する。 - 特許庁

By immobilizing DNA probe to the gold electrode connected to the gate of a field-effect transistor using a DNA immobilization solution wherein the molecular number ratio of the DNA probe and a linker is 1:2-1:100, the immobilization density is controlled to 4×10^12 /cm^2 or below and the optimum hybridization efficiency is also achieved.例文帳に追加

ＤＮＡプローブとリンカーを分子数比が１：２〜１：１００のＤＮＡ固定化溶液で、電界効果トランジスタのゲートと配線で接続された金電極にＤＮＡプローブを固定化することにより、固定化密度が4×１０^１２個/ｃｍ^２以下に制御でき、最適なハイブリダイゼーション効率維持を達成できる。 - 特許庁

The MFS type field effect transistor 100 includes a semiconductor layer 10, a PZT-based ferroelectric layer 15 formed on the semiconductor layer 10, a gate electrode 16 formed on the PZT-based ferroelectric layer 15, and impurity layers 14, which are formed on the semiconductor layer 10 and constitutes a source or drain.例文帳に追加

ＭＦＳ型電界効果型トランジスタ１００は、半導体層１０と、半導体層１０の上に形成されたＰＺＴ系強誘電体層１５と、ＰＺＴ系強誘電体層１５の上に形成されたゲート電極１６と、半導体層１０に形成された、ソースまたはドレインを構成する不純物層１４と、を含む。 - 特許庁

Rise and fall of light control driving signal from a light control circuit 4 is made dull, and the light control driving signal inputted into a gate of field-effect transistors T5, T6, T7, T8 lift a gate potential by a potential lifting circuit 5 so as not to completely fall in a low level even if it moves from the high level to the low level.例文帳に追加

調光回路４からの調光駆動信号の立上り及び立下りは鈍らせており、電解効果トランジスタＴ５，Ｔ６，Ｔ７，Ｔ８のゲートに入力される調光駆動信号は、ハイレベルからローレベルに移っても完全にローレベルに落ちないように電位持上げ回路５によってゲート電位を持ち上げている。 - 特許庁

The composition can provide a film which is combined with a metal nanowire or a carbon nanotube to use in a drain, a source, or a gate electrode in a thin layer unipolar field effect transistor, thereby to give a buffering layer which is useful in an organic electronic device including an electroluminescence device such as an organic light emitting diode (OLED) display.例文帳に追加

発明組成物からのフィルムは、薄膜電界効果トランジスタでのドレイン、ソース、またはゲート電極のような用途において金属ナノワイヤまたはカーボンナノチューブと組み合わせて例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイのような、エレクトロルミネセンスデバイスをはじめとする、有機電子デバイスでの緩衝層として有用である。 - 特許庁

Accordingly, since the element components mounted and the internally layer pattern are completely covered with the substrate, the insulating layer, and the shielding layer, highly accurate and reliable insulation property and shielding effect are attained, high density mounting is realized, and influence of external electromagnetic field and static electricity is prevented effectively.例文帳に追加

これにより、搭載した要素部品及び内層パターンに対しては基板と絶縁層及びシールド層とで完全に被覆するので、高精度で確実な絶縁性とシールド効果をもつと共に、高密度実装を可能にすることができ、また外部からの電磁界や静電の影響を有効に阻止することができる。 - 特許庁

The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5.例文帳に追加

電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。 - 特許庁

To secure improved reliability by securing low resistance in a p-type semiconductor layer that becomes a channel, suppressing a collapse phenomenon, and stabilizing operation at high temperature, by controlling the amount of dopant impurities in the p-type semiconductor layer for composing a field effect transistor, and the interface level density between a p-type layer and a gate insulating film.例文帳に追加

電界効果トランジスタを構成するｐ型半導体層内のドーパント不純物量やｐ型層とゲート絶縁膜間の界面準位密度を制御することにより、チャネルとなるｐ型半導体層の低抵抗を確保しつつ、コラプス現象を抑制し、更に高温での動作を安定化し、良好な信頼性を確保する。 - 特許庁

To provide a digital wireless terminal for solving a problem of an output of white noise due to the effect of noise of a digital wireless receiver main body and electric field noise or the like when the digital wireless terminal completes reception from an opposite party or reaches a silence state because of absence of voice from the opposite party even during the reception.例文帳に追加

デジタル無線端末装置では、相手からの受信が終了したり、あるいは受信中でも相手からの音声がなく無音となると、デジタル無線受信機本体のノイズや電界ノイズ等の影響でホワイトノイズが出力され、受信者に耳障りで、非常に音質の悪い端末装置となる。 - 特許庁

To provide an inexpensive and easily operable soil disinfecting method and a self-advancing earth burner for a general farmer for eliminating damage to farm products by disease and insect pests by enhancing a disinfecting effect by burning earth by radiating flame by rolling and staying soil in the air while self-advancing on a paddy field.例文帳に追加

圃場等を自走しつつ土壌を空中に転動・滞留させて火炎を放射して焼土することにより、消毒効果を高めて病害虫による農作物の被害をなくすとともに一般農家向けの安価で操作しやすい土壌の消毒方法及び自走式焼土装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a nitride semiconductor layer in which a contact resistance between an electrode formed on an n-type nitride semiconductor layer and the n-type nitride semiconductor layer is lowered, and to provide the semiconductor device such as a high electronic mobility field-effect transistor or the like which is operated by a high voltage and high-frequency wave.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層上に形成した電極とｎ型窒化物半導体層との間の接触抵抗を低下させた、窒化物半導体層を有する半導体装置を提供し、高電圧、高周波で動作する高電子移動度電界効果トランジスタ等の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new benzodichalcogenophene derivative satisfying both of the high field-effect mobility (≥0.1 cm^2/Vs) and high on/off current ratio (≥10^5) required in organic semiconductor materials, a method for the production of the derivative as an easily purifiable practical material, and an organic semiconductor device produced by using the derivative.例文帳に追加

有機半導体材料に求められている高い電界効果移動度（０．１ｃｍ^2／Ｖｓ以上）と、高いオン／オフ電流比（１０^5以上）の双方を満足する新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その実用材料としての製造および精製が容易な製造方法、およびそれを用いた有機半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

For a field effect transistor, a conductive oxide is used for a gate electrode 4 and one kind selected from among SiO2, silicate, the boundary reaction layer of a metal oxide or the conductive oxide and Si and the boundary reaction layer of the same and SiO2 is used for a gate insulation layer 3 on a channel, using an Si semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板１を用いたチャネル上に導電性酸化物をゲート電極４に、ＳｉＯ２、シリケート、金属酸化物あるいは導電性酸化物とＳｉとの界面反応層、ＳｉＯ２との界面反応層から選ばれた一種をゲート絶縁層３に用いることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁

An n-channel or p-channel field effect transistor is characterized in that it has a barrier between a source electrode and a conduction band or a valence band of a semiconductor on which the source electrode abuts, and has such a configuration that electrons or holes which flow through the barrier from the source electrode can be adjusted by a gate voltage.例文帳に追加

ソース電極とソース電極が接する半導体の伝導帯又は価電子帯との間に障壁を有しており、ソース電極から障壁を通して流れ込む電子又はホールをゲート電圧により調整できる構成を有することを特徴とするｎチャンネル又はｐチャンネルの電界効果トランジスタ。 - 特許庁

Also, by forming a low resistance layer on a layer having a different N concentration composed of the same metal, the resistance of the n-type gate electrode and the p-type gate electrode is decreased while controlling a work function of them, and the CMOS field effect semiconductor device of further high performance is provided.例文帳に追加

また、そのように同一のメタルで構成されたＮ濃度の異なる層上に低抵抗層を形成することにより、ｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極の仕事関数を制御しつつそれらの低抵抗化を図ることが可能になり、より高性能のＣＭＯＳ電界効果半導体装置が実現可能になる。 - 特許庁

In the CMOS amplifier, p-type and n-type four-terminal double insulation gate field effect transistors are used, and each drain is connected in common and used as an output terminal; while respective first gates are connected and used as a first input terminal, and respective second gates are connected and used as a second input terminal.例文帳に追加

Ｐ形およびＮ形の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタを用い、それぞれのドレインを共通接続して出力端子とし、それぞれの第一のゲートを接続して第一の入力端子とし、それぞれの第二のゲートを接続して第二の入力端子とするＣＭＯＳ増幅器を構成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor field-effect transistor has at its gate a channel comprising a double heterostructure which has an Al_xGa_1-xN layer, a GaN layer, and an Al_yGa_1-yN layer laminated in order in a +c direction of crystal orientation and is depleted by setting (x) and (y) in a relation of x≥y.例文帳に追加

結晶方位の＋ｃ方向にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層、ＧａＮ層、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層の順に積層されており、ｘ≧ｙにすることにより空乏化しているダブルヘテロ構造からなるチャンネルをゲート部に有することを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタによって解決される。 - 特許庁

In the case of standby, in order that the output ϕ2 of the first function circuit cell 13 may be in a high potential state and the output ϕ3 of the second function circuit cell 14 may be in a low potential state, the first and second insulated gate field-effect transistors M1 and M2 are driven to suppress through current flowing through the other function circuit cell.例文帳に追加

スタンバイ時に、第１機能回路セル１３の出力φ２が高電位状態となり、第２機能回路セル１４の出力φ３が低電位状態となるように、第１および第２絶縁ゲート電界効果トランジスタＭ１、Ｍ２を駆動し、他方の機能回路セルに流れる貫通電流を抑制する。 - 特許庁

To provide a thermoplastic resin net which has a levee protecting function of a conventional levee sheet, has water permeability, permits the development of a reinforcing effect using the roots of small weeds, can endure to the running of agricultural machines, and is light weight, flexible, can thereby easily be set, and is suitable for preventing the collapse of tenaced rice field levees.例文帳に追加

従来の畦シートが持つ畦の形状の保護機能を有しつつ透水性を有し、小型の雑草の根による補強効果も発現可能で、農機の走行に耐え、比較的軽量で可撓性を有するため敷設が容易であり、段差のある水田の畦の崩落防止に好適な熱可塑性樹脂ネットを提供する。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element is provided with a first reference layer 2c fixing a magnetization direction; and a storage layer 2e having a body 3 in which a magnetization easy axis direction is longer as compared with a magnetization difficult axis direction, and a projection part 4 provided in the magnetization difficult axis direction of the center part of the body part, and changing a magnetization direction in response to an outside magnetic field.例文帳に追加

磁化方向が固定される第１の基準層２ｃと、磁化容易軸方向が磁化困難軸方向に比べて長い本体部３およびこの本体部の中央部の磁化困難軸方向に設けられた突出部４とを有し、外部磁界に応じて磁化方向が変化する記憶層２ｅを備えている。 - 特許庁

To provide a flaw inspection device by an AC electromagnetic field measuring method capable of reducing the effect of noise or a false signal even when there is a structural change part such as a welding excess metal part or a T-shaped joint part in the vicinity of an inspection place and capable of easily and certainly calculating the position, size and depth of a flaw or the like.例文帳に追加

検査箇所近傍に溶接余盛部やＴ型接合部等の構造変化部がある場合でも、ノイズや擬似信号の影響を低減することができ、傷等の位置とその大きさ及び深さを容易かつ確実に求めることができる交流電磁場測定法による探傷検査装置を提供する。 - 特許庁

In a flip-flop circuit comprised of a data input/output section 10, a clock input section 11 and a current supply section 12, bipolar transistors B1-B8 are used for differential pairs of transistors in the data input/output section 10, and field effect transistors N1-N4 are used for differential pairs of transistors in the clock input section 11.例文帳に追加

データ入出力部１０と、クロック入力部１１と、電流供給部１２とによって構成されるフリップフロップ回路において、データ入出力部１０の差動対トランジスタにバイポーラトランジスタＢ１〜Ｂ８を用い、クロック入力部１１の差動対トランジスタに電界効果トランジスタＮ１〜Ｎ４を用いる。 - 特許庁

In the photoelectric field sensor having an optical modulator using an electro-optic effect, an angle between length directions of a modulation electrode and an antenna pattern is given by adding a value of 54.7° to a shift angle Δϕ in the directivity between the direction of the maximum sensitivity and the length direction along which the antenna pattern extends, i.e., the angle=(Δϕ+54.7°).例文帳に追加

電気光学効果を利用した光変調器を備えた光電界センサにおいて、変調電極の長さ方向とアンテナパターンの長さ方向のなす角度を、アンテナパターンが伸びる長さ方向と最大感度方向との指向性のずれ角度Δφと５４．７°を加えた角度＝（Δφ＋５４．７°）とする。 - 特許庁

Since the method for differentiating and inducing the bone marrow cell effectively can differentiate and induce the bone marrow cell to the hepatic cell, the method is useful for repairing/regenerating the liver and exhibits particular effect enabling utilization in a field of regenerative medical techniques of mammal including human and is especially suitable for differentiation and induction of dog bone marrow cell.例文帳に追加

本発明によれば、骨髄細胞を効果的に肝細胞に分化誘導することができるので、肝臓の修復・再生に有用であり、ヒトを含めた哺乳動物の再生医療の分野で利用することができるという格別な効果を奏し、特にイヌ骨髄細胞の分化誘導に好適である。 - 特許庁

A carbon layer (22) is offset to depart from a gate electrode (15), relative to the tip of a source/drain extension region (18) of a field effect transistor formed in a semiconductor substrate (11); and is positioned to enclose a source/drain impurity diffusion region, in sectional profile.例文帳に追加

半導体基板（１１）に形成される電界効果型トランジスタのソース・ドレインエクステンション領域（１８）の先端に対してゲート電極（１５）から離れる方向にオフセットし、かつ、断面プロファイルでソース・ドレイン不純物拡散領域を取り囲んで位置する炭素層（２２）を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

Using ion implantation N for forming the source/drain of an N channel field effect transistor, an over impurity introduction layer 10 is formed in a polysilicon gate 5 and N type impurities contained in the over impurity introduction layer 10 are diffused in the direction of an active region 7 in the polysilicon gate 5.例文帳に追加

Ｎチャネル電界効果型トランジスタのソース／ドレインを形成するためのイオン注入Ｎを用いて、多結晶シリコンゲート５にオーバー不純物導入層１０を形成し、オーバー不純物導入層１０に含まれるＮ型不純物を多結晶シリコンゲート５内でアクティブ領域７の方向に拡散させる。 - 特許庁

To hasten a flow of a plasma air flow by throwing a high speed rectification gas into an arc surrounding; to strengthen an electromagnetic force and a magnetic field that act on the arc to improve an arc energy density and arc directivity and rigidity to thereby enable to perform high-speed welding; and moreover to improve a shield effect to enable to perform a high-quality welding.例文帳に追加

アーク周囲に高速整流ガスを流してプラズマ気流の流れを速め、アークに作用する電磁力及び磁界を強化してアークのエネルギー密度、アークの指向性及び硬直性を高めて高速溶接を行えるようにし、また、シールド効果を高めて高品質な溶接を行えるようにする。 - 特許庁

The adaptive sound field support apparatus 1 is provided with a howling cancel section 3 including an adaptive filter 22, an initial reflection sound generating section 4, and a rear part reverberation generating section 5 wherein FIR filters 43, 45 for enhancing the sound effect of the rear part reverberation sound are connected in parallel to create an acoustic loop.例文帳に追加

適応型音場支援装置１に、適応フィルタ２２を備えたハウリングキャンセル部３と、初期反射音生成部４と、後部残響音の音響効果を増強するＦＩＲフィルタ４３とＦＩＲフィルタ４５とを並列接続して音響ループを創り出す後部残響音生成部５を設ける。 - 特許庁

Furthermore, replacement of a tetrode magnet can be made possible by converging the charged particle beam to a vertical and horizontal directions by an edge focus effect giving a slope to the charged particle beam with an incident surface and an outgoing surface of the charged particle beam in a magnetic field area formed by a structure magnet of the inserting light source.例文帳に追加

さらに、挿入光源の構成磁石が形成する磁場領域における荷電粒子ビームの入射面と出射面が荷電粒子ビームに対して傾斜を持たせてエッジフォーカス効果により荷電粒子ビームを縦横方向に収束させるようにすることにより４極磁石の代替をさせることができる。 - 特許庁

(1) The electrochemical sensor element has a field effect transistor structure with at least a gate insulating layer, a semiconductor layer structured so as to contact a solution and comprising an oxide film including indium, gallium and zinc, and source and drain electrodes sequentially stacked on a gate electrode.例文帳に追加

（１）ゲート電極上に、少なくともゲート絶縁層、半導体層、ソース及びドレイン電極を順に積層した電界効果型トランジスタ構造を有し、該半導体層が溶液と接する構造であり、かつ該半導体層が、インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物薄膜からなることを特徴とする電気化学センサ素子。 - 特許庁

The semiconductor element 4 is formed in a self-alignment manner in which magnetic contact is made in the first electrode 2 and the second electrode 3 with respect to a source electrode 22 and a drain electrode 23 having a magnetized layer of a magnetic material by connecting the two electrodes so that the field-effect transistor 20 is formed.例文帳に追加

帯磁した磁性体層を有するソース電極２２およびドレイン電極２３に対し、両電極間をつなぎ、それぞれの電極に対し第１の電極部２および第２の電極部３において磁力で接触する配置を、半導体素子４に自己整合的に形成させ、電界効果トランジスタ２０を作製する。 - 特許庁

A source region 12, a source extension region 10 connected with the source region 12, and a junction field effect transistor (JFET) extension region 11 connected with a JFET region are formed in each well region 20, and the region between the source extension region 10 and the JFET extension region 11 becomes a channel region.例文帳に追加

各ウェル領域２０には、ソース領域１２、当該ソース領域１２に接続したソースエクステンション領域１０、およびＪＦＥＴ領域に接続したＪＦＥＴエクステンション領域１１が形成され、ソースエクステンション領域１０とＪＦＥＴエクステンション領域１１の間がチャネル領域となる。 - 特許庁