「p-n junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

It is preferable that an area of the p-n junction is not more than 300 μm^2 per 1 μm^3 of the active layer, and an active layer in a photoelectric conversion element contains fullerene derivatives and polymer compounds.例文帳に追加

また、光電変換素子中の活性層がフラーレン誘導体と高分子化合物とを含むことが好ましい。 - 特許庁

To provide a low-cost semiconductor integrated circuit device in which a chip area is reduced by using p-n junction isolation for isolating side faces.例文帳に追加

側面の分離にｐｎ接合分離を用い、チップ面積を縮小化し、低コストの半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

A part of the p-type polycrystalline SiGe is hydrogenated and rendered n-type using this method thus attaining a pn junction conveniently.例文帳に追加

このような手法を用い、ｐ型の多結晶ＳｉＧｅの一部に水素処理を施してｎ型化し、ｐｎ接合を簡便に得る。 - 特許庁

At least a part of the wave guide path 8 is formed of a P-N junction and has an end to which light to be detected is supplied.例文帳に追加

導波路8 の少なくとも一部はＰＮ接合部によって形成され、検出すべき光を供給される端部を有する。 - 特許庁

This device has a rectifying characteristic which is equivalent to that of an ordinary semiconductor p-n junction, and exhibits the function of a diode or a transistor.例文帳に追加

本デバイスは、通常の半導体ｐｎ接合と同等の整流特性を有しダイオード若しくはトランジスタとしての機能を発揮する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element that suppresses electric short-circuiting of a p-n junction portion of a semiconductor element layer.例文帳に追加

半導体素子層のｐｎ接合部分が電気的に短絡するのを抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a reference current generation circuit which does not require a P-N junction diode and in which the temperature dependence of circuit current becomes substantially zero.例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードを必要とせず、回路電流の温度依存性が概略零となる基準電流生成回路を提供する。 - 特許庁

A solar cell has a P-N junction structure between a transparent substrate 1 to be formed with an electrode and an electrode 3 of a low work function.例文帳に追加

太陽電池は、電極を形成する透明基板１と低い仕事関数の電極３の間にｐｎ接合構造を有する。 - 特許庁

In the region for absorbing noise charges, a P-N junction is formed simultaneously with the formation of a photodiode, and one end of the region is fixed to a power source voltage.例文帳に追加

ノイズ電荷吸収領域には、フォトダイオードと同時にＰＮ接合が形成され、その一端が電源電圧に固定される。 - 特許庁

A gate electrode 8 is formed like a "ladder" above striped n-pillar layer 3 and p-pillar layer 4 exhibiting a super-junction structure.例文帳に追加

スーパージャンクション構造をなすストライプ状のｎピラー層３及びｐピラー層４の上方に、ゲート電極８を「あみだ状」に形成する。 - 特許庁

Since the p-layer and the n-layer are formed by epitaxial growth technology, a heavily doped pn junction is formed with high accuracy.例文帳に追加

エピタキシャル結晶成長技術でｐ層、ｎ層を形成しているので高不純物濃度のｐｎ接合が精度よく形成される。 - 特許庁

Each p-n junction between an n-type sub-region and a p-type sub-region is reverse biased, thereby reducing or eliminating noise/crosstalk coupling between the transmitter region 101 and the receiver region 102.例文帳に追加

ｎ型サブ領域とｐ型サブ領域との間のｐｎ接合は逆バイアスされ、それにより、トランスミッタ領域１０１とレシーバ領域１０２との間の雑音およびクロストークの結合が低減または除去される。 - 特許庁

To provide an organic-inorganic hybrid junction type photoelectric transducer of high sensitivity, which has signal gain G and has a visible-ultraviolet optical wave band having superior response and low dark current property such as a p-i-n or Schottky type.例文帳に追加

信号利得Ｇを有しかつ、p-ｉ-nやショットキー型のような優れた応答性と低い暗電流性を備えた可視−紫外光波帯の高感度の有機−無機ハイブリッド接合型光電変換素子を提供する。 - 特許庁

By the amendment, "diode" before amendment is amended to "an equivalent diode shorted between a transistor base and collector." Herein, "diode" specifically includes both the p-n junction diodes shown in Fig. 1 and the equivalent diode shown in Fig. 2. 例文帳に追加

補正により、補正前の「ダイオード」が「トランジスタのベースとコレクタを短絡した等価ダイオード」となった。ここで「ダイオード」とは、図に示されるp-n接合ダイオードと図に示される等価ダイオードの両者を具体的に含むものである。 - 特許庁

Then, the electrical insulating properties of the semiconductor laser element 16 and the heat sink are ensured by a depletion layer generated in the P-N junction section of the P-type Si substrate 12a and N-type impurity region 12b of the sub-mount 12.例文帳に追加

ここで、サブマウント１２のＰ型Ｓｉ基板１２ａとＮ型不純物領域１２ｂとのＰＮ接合部に生じる空乏層により、半導体レーザ素子１６とヒートシンクとの電気的な絶縁性が確保されている。 - 特許庁

A capacitance is parasitic with respect to the inductor results in a series connection of a MOS junction capacitance and a p-n junction capacitance to the semiconductor substrate, thus reducing the parasitic capacitance.例文帳に追加

こうすると、インダクターに寄生する容量はＭＯＳ容量とＰＮ接合容量とを半導体基板に対して直列接続した構成になり、その寄生容量が低減できる。 - 特許庁

The output of a CMOS transistor 102 is connected to the N electrode of one split electrode horizontal junction semiconductor layer 10a and the P electrode of another split electrode horizontal junction semiconductor layer 101b.例文帳に追加

ＣＭＯＳトランジスタ１０２の出力を、分割電極横接合半導体レーザ１０１ａのＮ電極と、分割電極横接合半導体レーザ１０１ｂのＰ電極に接続する。 - 特許庁

After van SiO2 film containing N-type impurity P is formed on the surface of a P-type silicon substrate 14, the P-type silicon substrate 14 is heated so that the P in the SiO2 film is diffused in the surface layer of the P-type silicon substrate 14 without generating PN junction.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板14の表面に、Ｎ型不純物Ｐを含んだＳｉＯ_２膜を形成した後、Ｐ型シリコン基板14を加熱して、上記ＳｉＯ_２膜中のＰを、ＰＮ接合を生成することなく、Ｐ型シリコン基板14の表面層中に拡散させる。 - 特許庁

A reverse bias characteristic of a p-n junction is invalidated, so that a positive potential of the power source 6 is transmitted to a p-type impurity inlet region 4a having a defect 5 therein causing a junction failure such those, ending up in conduction of both.例文帳に追加

ｐｎ接合の逆バイアス特性を無効化し、両者を導通させてしまうような接合不良を引き起こす欠陥５が存在する個所のｐ型不純物導入領域４ａには電源６の正電位が伝わる。 - 特許庁

This LED uses a GaN nano rod 30 in which an n-type GaN nanorod 31, an InGaN quantum well 33, and a p-type GaN nano rod 35 are arranged continuously in the longitudinal direction, by inserting the InGaN quantum well 33 between the junction surfaces of the p-n junction GaN nanorods 31 and 35.例文帳に追加

ｐ-ｎ接合ＧａＮナノロッドのｐ-ｎ接合面にＩｎＧａＮ量子井戸(quantum well)を差し込んで、ｎ型ＧａＮナノロッド３１、ＩｎＧａＮ量子井戸３３、およびｐ型ＧａＮナノロッド３５がこの順に長手方向に連続してなるＧａＮナノロッド３０を用いる。 - 特許庁

The back of a semiconductor substrate 2 is polished, for example, when the thickness for transmitting a short-wave length laser beam, having a wavelength of approximately becomes 1 μm, and then the short-wavelength laser beam is applied to a section, where a p-n junction has been formed, OBIC starts to flow at the p-n junction section.例文帳に追加

半導体基板２の裏面を研磨し、たとえば波長が約１μｍ以下の短波長レーザの透過できる膜厚となった時に、その短波長レーザをｐｎ接合が形成されている部分に照射すると、そのｐｎ接合部にはＯＢＩＣが流れ始める。 - 特許庁

An ESD protection circuit includes: a PNPN junction in which a P-side of one end is connected to a terminal and an N-side of another end is connected to ground; and a PMOS transistor in which a source and a gate are connected to an N-side of a PN junction having a P-side connected to ground and a drain is connected to the terminal.例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路は、端子に一端のＰ側が接続されグラウンドに他端のＮ側が接続されるＰＮＰＮ接合と、グラウンドにＰ側が接続されるＰＮ接合のＮ側にソース及びゲートが接続され、前記の端子にドレインが接続されるＰＭＯＳトランジスタとを含む。 - 特許庁

One acicular crystal is grown in a thin line 1 by adding a catalytic substance, and a crystalline thin film diode having a p-n junction or a p-i-n junction is manufactured in the thin line part 1, or a crystalline thin film transistor having the thin line part 1 as a channel is manufactured.例文帳に追加

触媒物質を添加して細線部１内に一つの針状結晶を成長させ、この細線部１内にｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合を有する結晶性薄膜ダイオードを作製するか、細線部１をチャネルとする結晶性薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

In a III-nitride light emitting diode (LED), a degenerate junction part 72 is added between an active layer 62 and a substrate 10, the degenerate junction part 72 is composed of an n^+-type layer 56 and a p^+-type layer 58 formed on the n^+-type layer 56.例文帳に追加

III族窒化物発光ダイオード（ＬＥＤ）で、活性層６２と基板１０との間に縮退接合部７２が追加され、その際、縮退接合部７２はｎ^+型層と、ｎ^+型層上に形成されたｐ^+型層５８とから構成される。 - 特許庁

Furthermore, when a structure compounding a P-N junction and a Schottky junction is employed by further providing an anode electrode making Schottky connection with the n-type layer 1, such an effect as the voltage can be reduced when the current rises can be attained through Schottky junction.例文帳に追加

さらには、ｎ型層１とショットキー接続されるアノード電極をさらに設けることによって、Ｐ−Ｎ接合とショットキー接合とが複合してなる構造とすることで、ショットキー接合に由来する、電流立ち上がり時の電圧を小さくできるという効果も併せて得ることができる。 - 特許庁

The DZ 220 is constituted by the junction between an N-type impurity diffused layer 54 continuous to the drain region and a p-type impurity diffused layer.例文帳に追加

ＤＺ２２０はドレイン領域に連続するＮ型不純物拡散層５４とＰ型不純物拡散層５６との接合により構成される。 - 特許庁

The P-type semiconductor region and the N-type semiconductor regions of the PN junction (106) of the gate electrode are electrically insulated from each other.例文帳に追加

この際、ゲート電極のＰＮ接合部（１０６）のＰ型半導体領域とＮ型半導体領域とが電気的に絶縁されている。 - 特許庁

The gate of the power switching element 11 of a voltage driven type is connected to a junction point between sources of a n-channel FET13 and a p-channel FET14.例文帳に追加

電圧駆動型パワースイッチング素子１１のゲートは、ｎチャネルＦＥＴ１３とｐチャネルＦＥＴ１４のソースの接続点に接続されている。 - 特許庁

To promote the miniaturization and speedup of an MISFET by making the suppression of the short channel effect compatible with the reduction of the p-n junction capacitance.例文帳に追加

短チャネル効果の抑制とｐｎ接合容量の低減とを両立させることによって、ＭＩＳＦＥＴの微細化、高速化を推進する。 - 特許庁

A p-n junction is formed on a semiconductor substrate by irradiating a phosphorous containing plasma and then a silicon nitride film is formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

リンを含むプラズマを基板に照射して半導体基板にｐｎ接合を形成した後、基板の表面にシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

An overlay length L1 from the P-N junction to the end portion of the low resistivity part 11 is at least 10 μm and at most 100 μm.例文帳に追加

そして、上記ＰＮ接合から低比抵抗部１１の端部までのオーバーレイ長さＬ１が、１０μｍ以上１００μｍ以下である。 - 特許庁

(1) The thin-film magnetic sensor includes a diode substrate including a Zener diode type p-n junction, and a TMR element formed on its surface.例文帳に追加

（１）薄膜磁気センサは、ツェナーダイオード型のｐｎ接合を備えたダイオード基板と、その表面に形成されたＴＭＲ素子とを備えている。 - 特許庁

Ion-implantation of hydrogen is made in the substrate 1, and an implanted defect layer 5 is formed at a position deeper than the P-N junction interface.例文帳に追加

そして、半導体基板１に水素のイオン注入を施し、Ｐ−Ｎ接合界面より深い位置に注入欠陥層５を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor hetero-junction film wherein a p-type and an n-type organic semiconductor materials are uniformly mixed and having a high energy conversion efficiency.例文帳に追加

ｐ型およびｎ型の有機半導体物質が均一に混合された、エネルギー変換効率の高い半導体ヘテロ接合膜を提供する。 - 特許庁

In a CMOS transistor 100 consisting of transistors 1, 2, there is the p-n junction J5 which is formed with the semiconductor layers 10, 20.例文帳に追加

トランジスタ１，２から構成されるＣＭＯＳトランジスタ１００において半導体層１０，２０が形成するｐｎ接合Ｊ５が存在する。 - 特許庁

In a device active region 2, the super-junction structure is formed of an n-type drift layer 7 and a p-type pillar-shaped resurf 14.例文帳に追加

素子活性領域２において、ｎ型ドリフト層７とｐ型柱状リサーフ部１４とによってスーパージャンクション構造が形成されている。 - 特許庁

The projected guard ring area 17 forms a p-n junction 23 on the second area 13c of the barium nitride semiconductor layer 13 of a first conductivity type.例文帳に追加

凸状のガードリング領域１７は第１導電型窒化ガリウム系半導体層１３の第２のエリア１３ｃにｐｎ接合２３を成す。 - 特許庁

Groove parts 17 surrounding the p^++ type semiconductor regions 12 and deeper than the zener junction by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor region 12 are formed.例文帳に追加

また、平面でｐ^＋＋型半導体領域１２を取り囲み、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１２とによるツェナー接合よりも深い溝部１７を形成する。 - 特許庁

A channel region between an n^+ source region 6a and an n^- expansion drain region 2 is constructed from a (p) epitaxial layer 21 of uniform density to incur discontinuous density distribution in the vicinity of a pn junction between the n^- expansion drain region 2 and the (p) epitaxial layer 21.例文帳に追加

ｎ^+ソース領域６ａとｎ^-拡張ドレイン領域２との間のチャネル領域を、均一な濃度のｐエピタキシャル層２１で構成し、ｎ^-拡張ドレイン領域２とｐエピタキシャル層２１とのｐｎ接合付近に不連続な濃度分布を生じさせる。 - 特許庁

The CCD solid-state imaging module includes: a CCD area sensor including an n-type substrate and a p-well formed to the n-type substrate; and an overcurrent prevention means for preventing a forward bias from being applied to a junction between the n-type substrate and the p-well.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像モジュールは、ｎ型基板と前記ｎ型基板に形成されるｐウェルとを有するＣＣＤエリアセンサと、前記ｎ型基板と前記ｐウェルとの間の接合に順バイアスが印加されることを防止する過電流防止手段とを有する。 - 特許庁

The light emitting device is provided with a substrate 21, a junction structure comprising an n-type semiconductor layer 22 and a p-type semiconductor layer 23 which are formed on a front surface of the substrate 21, and an n electrode 24 formed on the n-type semiconductor layer 22.例文帳に追加

基板２１と、基板２１の上表面に形成されるｎ型半導体層２２とＰ型半導体層２３の接合体構造と、ｎ型半導体層２２に形成されるｎ電極２４とを備える。 - 特許庁

The shortest distance Lnch from a pn junction interface between the n^- region 1 and the p^+ region 2 to the joint between the wiring layer 11 and the n^- region 1 is shorter than the diffusion length Lp of a hole in the n^- region 1.例文帳に追加

ｎ^-領域１とｐ^+領域２とのｐｎ接合界面と配線層１１およびｎ^-領域１の接合部との最短距離Ｌｎｃｈが、ｎ^-領域１における正孔の拡散長Ｌｐよりも短い。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 comprises an n-type GaN substrate 2, a semiconductor laminate structure 3 that is formed on the n-type GaN substrate 2 and includes a p-n junction, and an electrode 8 formed on the semiconductor laminate structure 3.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｎ型ＧａＮ基板２と、ｎ型ＧａＮ基板２上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造３と、半導体積層構造３上に形成された電極８とを有する。 - 特許庁

Since the stretched extent of a depletion layer formed in the P-N junction of the element VAR is secured to the whole body of the N^+ type layer 56, the fall of the capacitance changing range is suppressed.例文帳に追加

可変容量素子ＶＡＲのＰＮ接合部に形成される空乏層の伸びる範囲がＮ^+ 層５６全体まで確保されるので、容量変化範囲の低下が抑制される。 - 特許庁

A source region 4, a drain region 5, and a p well region 3 are formed in an n well region 2 of a lateral MOSFET, an anode electrode 15 is provided in the n well region 2 to form a Schottky junction 16.例文帳に追加

横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域４、ドレイン領域５、ｐウェル領域３が形成されるｎウェル領域２にアノード電極１５を設けてショットキー接合１６を形成する。 - 特許庁