「p-n junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A B^+ ion implantation layer 5 is then formed by ion implantation so that the concentration peak of a p region 6 eventually forms a pn junction 8 with an n^+ region 10.例文帳に追加

次に、ｐ領域６の濃度のピークが、最終的にｎ^+領域１０とのＰＮ接合８部になるように、Ｂ^+イオン注入層５をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

To provide a backside junction type solar cell capable of forming a low-resistance electrode accurately on an n-type region and a p-type region, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ｎ型領域上及びｐ型領域上に精度良く低抵抗の電極を形成できる裏面接合型の太陽電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Or also, instead of applying current to the liquid, paper which is impregnated with the liquid and dried is used as the material of a substrate for forming a P-N junction and various semiconductor devices can be made.例文帳に追加

あるいは通電せずにこの液体を紙などに吸収乾燥させたものを基材としてＰＮ接合を形成し、各種の半導体素子を製作する。 - 特許庁

In the junction field effect transistor 1; a p-type lower epitaxial layer 3, an n-type epitaxial layer 4, and a p-type upper epitaxial layer 5 are stacked on a semiconductor substrate 2 in this order from the side of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ１では、半導体基板２上に、ｐ型下エピタキシャル層３、ｎ型エピタキシャル層４およびｐ型上エピタキシャル層５が、半導体基板２側からこの順に積層されている。 - 特許庁

In a silicon-based power semiconductor device having a super junction structure where an N-type column and a P-type column are repeated alternately, an element having a boron diffusion-suppressing effect is added to the P-type column.例文帳に追加

本願発明は、Ｎ型カラムとＰ型カラムが交互に繰り返されるスーパジャンクション構造を有するシリコン系パワー半導体装置において、前記Ｐ型カラムには、ボロン拡散抑制効果を有する元素が添加されている。 - 特許庁

A control electrode 12d is an electrode for applying to the p^--epitaxial layer 3 such a voltage that the p^--epitaxial layer 3 and the n-type epitaxial layer 4 are brought into a mutually inverse bias in the case of the OFF-operation of the lateral junction type field effect transistor.例文帳に追加

制御電極１２ｄは、オフ動作時においてｐ^-エピタキシャル層３とｎ型エピタキシャル層４とが逆バイアス状態となるような電圧をｐ^-エピタキシャル層３に印加するためのものである。 - 特許庁

A capacity element 15 is formed with an independent n-type area 16 in the silicon substrate 11, pn junction is formed of the n-type area 16 and the p-type silicon substrate 11, and a depletion layer capacity C12 of an independent depletion layer 17 formed at the joint of the pn junction is used.例文帳に追加

その容量素子１５は、シリコン基板１１内に独立のｎ型領域１６を設け、このｎ型領域１６とｐ型のシリコン基板１１とでｐｎ接合を形成し、そのｐｎ接合の接合部に形成される独立の空乏層１７の空乏層容量Ｃ１２を利用するようにした。 - 特許庁

A p-type base region 12 is provided with a base electrode connection part 24 made of an n^+-type region, and moreover a Zener voltage controlled diffusion region 25 made of a p^+-type region is provided in the circumference of the base electrode connection part 24 in such a manner as to form p-n junction and cause Zener breakdown at the desired voltage.例文帳に追加

ｐ形のベース領域１２にｎ^+形領域からなるベース電極接続部２４が設けられ、さらにベース電極接続部２４の周囲に、ｐｎ接合を形成し所望の電圧でツェナー降伏するように、ｐ^+形領域からなるツェナー電圧コントロール拡散領域２５が設けられている。 - 特許庁

In each resistive element, an island voltage V1 applied to the n-type layer from a pad p1 allows a pn junction formed at the connection section between the n-type layer and the p-type diffusion layer to be set to a backward bias state for composing a resistor.例文帳に追加

各抵抗素子は、パッドＰ１からＮ型層に印加される島電圧Ｖ１によって、Ｎ型層とＰ型拡散層との結合部に形成されるＰＮ接合が逆バイアス状態となり、抵抗体を構成する。 - 特許庁

Although the depleted layers 26 are formed in an n-type silicon layer 11 and off-set regions 13 by forming p-n junction with body regions 15, the body regions 15 are provided to surround the off-set regions 13.例文帳に追加

ボディ領域１５とのｐｎ接合により、ｎ^−型シリコン層１１及びオフセット領域１３中には空乏層２６が形成されるが、ボディ領域１５はオフセット領域１３を取り囲むようにして設けられている。 - 特許庁

An anode electrode film 20 is subjected to ohmic junction to a surface n+ region 16 formed on the surface layer above the upper-part n- layer 14, while being under to the p-region 15 as well at a part (not shown).例文帳に追加

アノード電極膜２０は、上部ｎ^- 層１４上の表面層に形成された表面ｎ^+ 領域１６に対してオーミック接合しており、また図示していない部分でｐ領域１５ともオーミック接合している。 - 特許庁

In this photodiode, plural barrier layers 3 accompanied by a P-N junction are formed, and carriers generated in the barrier layers are quickly transmitted to an N-type region, so that responsiveness is improved, and an operation becomes high speed.例文帳に追加

このフォトダイオードでは、ＰＮ接合に伴う空乏層３が多く形成されるとともに空乏層３に発生するキャリアが早くＮ型領域へ到達するので、応答性がよくなり、動作が高速となる。 - 特許庁

To make bias setting easily executable without being influenced by a variation in the manufacturing process of a MOSFET nor the fluctuation of a p-n junction temperature at the time of changing p-n junction between a body and a source of the MOSFET to a shallow forward bias, by applying a certain voltage to the back gate of the MOSFET for reducing 1/f noise generated in the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴで発生する１／ｆノイズを低減するために、そのバックゲートにある電圧を与え、該ＭＯＳＦＥＴのＢｏｄｙーｓｏｕｒｃｅのＰＮ接合を浅い順バイアスにする際、ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおけるバラツキやＰＮ接合温度の変動に影響されず、容易にバイアス設定を行うため。 - 特許庁

A ferroelectric capacitor 1 and a p-n junction diode are connected in series to form a nonvolatile memory device which exhibits hysteresis characteristics which change the capacitance when voltage reversing the polarization of the ferroelectric capacitor 1 is applied between electrodes A and C at the ends of the ferroelectric capacitor 1 and the p-n junction diode which are directly connected.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ１とｐｎ接合ダイオードを直列に接続し不揮発メモリ素子を構成し、この不揮発メモリ素子は、直接接続した強誘電体キャパシタ１とｐｎ接合ダイオードの両端の電極Ａ、Ｃ間に、強誘電体キャパシタ１を分極反転させる電圧を印加すると、容量が変化するヒステリシス特性を有する。 - 特許庁

This method for manufacturing the polycrystalline compound semiconductor solar battery has a process for composing a sub module by forming each semiconductor layer for forming a p-n junction and an electrode layer that is continuous to the p-n junction, and then allowing a current to flow to the sub module in a forward or backward direction from an external power supply while a light-inducing current does not flow.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合を形成する各半導体層とそれらに連なる電極層を形成してサブモジュールを構成した後、このサブモジュールに、光誘起電流が流れない状態で外部電源から順方向または逆方向に電流を流す工程を有する多結晶化合物半導体太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor thin film comprises a step of coating a substrate with organic molecules containing both anion atoms an cation atoms of a semiconductor as constituent components by various methods such as spraying, dipping, spin coating and evaporating, and heating to react them, resulting in p-type and n-type semiconductors with a p-n junction formed therebetween.例文帳に追加

本願発明は、半導体のアニオン原子とカチオン原子の双方をその分子構成元素に持つ有機分子をスプレー法、ディップ法、スピンコート法、蒸着法など様々な方法で基板に塗布し、加熱反応させて半導体薄膜を作製する製造方法である。 - 特許庁

The photonic crystal has a PIN junction structure formed by joining a P clad 130 made of a P-type semiconductor, an I part 170 including an active part, and an N clad 140 made of an N-type semiconductor together in a first direction, and has the plurality of resonators including the active part 160.例文帳に追加

フォトニック結晶は、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１３０、活性部を含むＩ部１７０およびＮ型半導体からなるＮクラッド１４０が第１の方向に接合されたＰＩＮ接合構造を有するとともに、該活性部１６０を含む複数の共振器を有する。 - 特許庁

To solve the following problem; it is difficult to manufacture a semiconductor light emitting element which emits light between a conduction band and a valence band when a p-type or n-type semiconductor is difficult to manufacture in a conventional semiconductor light emitting element which is constituted of junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.例文帳に追加

従来の半導体発光素子は、主に、ｐ型半導体とｎ型半導体の接合から構成されるが、ｐ型又はｎ型の半導体が作製困難な場合には伝導帯と価電子帯の間で発光する半導体発光素子を作製することが難しい。 - 特許庁

The barrier conductor 8 on the bottom of a plug 11b is in contact with the n^--type semiconductor region 2 and the p^+-type semiconductor region 5 for connection with the p^+-type semiconductor region 5 in ohmic manner, and then Schottky junction is formed between the barrier conductor film and the n^--type semiconductor region 2.例文帳に追加

プラグ部１１ｂの底部のバリア導体膜８は、ｎ^−型半導体領域２とｐ^＋型半導体領域５の両者に接し、ｐ^＋型半導体領域５とオーミック接続するが、ｎ^−型半導体領域２との間にショットキ接合が形成されている。 - 特許庁

Here, a depletion layer is made at the interface (that is, the P-N junction face) between the n-type silicon substrate 101 and a p-type epitaxial film 102, so the parasitic capacity C8 and C9 in the vicinity of this interface becomes very small, therefore, the composite capacity of the noise propagation passage at large becomes small.例文帳に追加

ここで、Ｎ型シリコン基板１０１とＰ型エピタキシャル薄膜１０２との界面（すなわちＰＮ接合面）には、空乏層が形成されるので、この界面付近の寄生容量Ｃ_8 ，Ｃ_9 は非常に小さくなり、このためノイズ伝搬経路全体の合成容量も小さくなる。 - 特許庁

A P-type semiconductor layer 30 added a prescribed impurity is provided in a prescribed region of the surface 20a side opposite to the Si substrate 10 of the N^--type Si substrate 20, and a photodiode 1 having a PN junction by the N^--type Si substrate 20 and the P-type semiconductor layer 30 is constituted.例文帳に追加

また、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０のＳｉ基板１０とは反対側の面２０ａ側の所定領域に、所定の不純物が添加されたＰ型半導体層３０を設けて、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０とＰ型半導体層３０とによるＰＮ接合を有するフォトダイオード１を構成する。 - 特許庁

The N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 are placed in parallel with a substrate face of a semiconductor substrate 11 as two layers, and a PN junction comprising the N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 forms a diode structure.例文帳に追加

Ｎ型不純物拡散層１３及びＰ型不純物拡散層１４は半導体基板１１の基板面に対して平行となるように２層に設けられ、該Ｎ型不純物拡散層１３及びＰ型不純物拡散層１４とのＰＮ接合によるダイオード構造が形成される。 - 特許庁

This solar cell has a P-N junction on the light receiving face side of a semiconductor substrate 10 and a passivation film 18 on the rear surface thereof wherein a P type impurity diffusion layer 11 and a P electrode 12 connected therewith, and an N type impurity diffusion layer 13 and an N electrode 14 connected therewith are provided on the surface of the light receiving face.例文帳に追加

半導体基板１０の受光面側にＰＮ接合を有し、裏面上にパッシベーション膜１８を有する太陽電池であって、受光面の表面にＰ型不純物拡散層１１とＰ型不純物拡散層１１に接続されたＰ電極１２、Ｎ型不純物拡散層１３とＮ型不純物拡散層１３に接続されたＮ電極１４とを有している太陽電池。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a pn-junction constituted of a p-type semiconductor layer 13 and an n-type semiconductor layer 14 which are sequentially placed in the direction along the principal plane, and includes a p-electrode 11 provided in contact with the p-type semiconductor layer 13 and an n-electrode 12 in contact with the n-type semiconductor layer 14 in the direction extending along the principal plane.例文帳に追加

光電変換素子は、その主面に沿った方向に順次配置されたｐ型半導体層１３およびｎ型半導体層１４により構成されるｐｎ接合からなり、その主面に沿った方向にｐ型半導体層１３と接して配置されたｐ電極１１およびｎ型半導体層１４と接して配置されたｎ電極１２を有する。 - 特許庁

The P-N rectifying junction includes a base region of first conductivity type (e.g., P-type) provided in the substrate and a semiconductor layer of second conductivity type extending between the base region and the light collecting surface.例文帳に追加

前記Ｐ−Ｎ整流接合は、前記基板に提供される第１導電型（例えば、Ｐ型）のベース領域及び前記ベース領域と前記光受容表面との間に延長される第２導電型の半導体層を含む。 - 特許庁

A current passing through the P-type region 7b in the periphery of the channel is controlled by a PN junction formed by the first and second N-type regions and the P-type source region 14 so as to stabilize the characteristics of the PMOSTFT.例文帳に追加

第１および第２のＮ型領域とＰ型であるソース領域１４に形成されるＰＮ接合によってチャネル部周辺のＰ型領域７ｂを通過する電流を抑制し、ＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化する。 - 特許庁

Further, the P^---type impurity layer 12 is so formed as to be joined with an N^--type impurity layer 2 and has a concentration profile such that the density of P-type impurities (the amount of included impurities) becomes larger with the distance from the junction part.例文帳に追加

また、Ｐ^−−型不純物層１２は、Ｎ^−型不純物層２と接合するように、かつ接合部から離れるほどＰ型不純物の濃度（含まれる不純物の量）が大きくなる濃度プロファイルとなるように、形成する。 - 特許庁

The current flowing through the P-type region 7b around the channel region is suppressed by a PN junction formed in the first and second N-type regions and the source region 14, which is P-type to make the characteristics of the PMOSTFT stable.例文帳に追加

第１および第２のＮ型領域とＰ型であるソース領域１４に形成されるＰＮ接合によってチャネル部周辺のＰ型領域７ｂを通過する電流を抑制し、ＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化する。 - 特許庁

Since a barrier, which is formed by the depletion region, enhances more the current stopping power of the P-N junction part between a body and the drain, a P-type body region can be shallow formed by a low-concentration doping, without generating the problem of punch through.例文帳に追加

空乏領域によって生成されるバリヤがボディ−ドレイン間ＰＮ接合部の電流阻止能力を一層高めるので、Ｐ型ボディ領域を、パンチスルーの問題を生じさせずに低濃度ドープで浅く作ることができる。 - 特許庁

To prevent the withstanding voltage of a polysilicon diode from deterioration owing to the action of a MOSFET composed of a p-n junction of a polysilicon diode layer provided between the collector and the gate of an IGBT, an n-drift layer and a field oxide film.例文帳に追加

ＩＧＢＴのコレクタ−ゲート間に設けられたポリシリコンダイオード層のｐｎ接合とｎ−ドリフト層とフィールド酸化膜とによって構成されるＭＯＳＦＥＴが動作してポリシリコンダイオードの耐圧が劣化するのを防止する。 - 特許庁

A p-type area 105 with diffused Zn is formed penetrating the n-InP window layer 104, thereby forming a pn junction in the n-InGaAs optical absorption layer 103 or adjacent thereto and making the area 105 as a light receiving part.例文帳に追加

Ｚｎが拡散されたｐ型領域１０５を、ｎ−ＩｎＰ窓層１０４を貫通する様に形成する事で、ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３中あるいは近傍にｐｎ接合が形成され、受光部となる。 - 特許庁

The visible-ray transmitting structure is formed of a transparent substrate and a pn-junction layer comprising p-type and n-type semiconductors provided on the substrate, and has a power generating function utilizing blue to ultraviolet rays.例文帳に追加

透明基板と、基板上に設けられたｐ型半導体及びｎ型半導体のｐｎ接合層とからなる青〜紫外光発電機能を有する可視光透過構造体。 - 特許庁

Thus, junction capacity C of the electric charge detection part 7 is sharply reduced by depleting the P-type well 3 sandwiched between the electric charge detection part 7 and the N-type substrate 2.例文帳に追加

このように、電荷検出部７とＮ型基板２に挟まれたＰ型ウエル３を空乏化することにより、電荷検出部７のジャンクション容量Ｃを大幅に下げることが可能となる。 - 特許庁

A diaphragm part 1 in which a detecting element (a p-n junction diode) D_j,_i is arranged is supported in an array isolation region 3 in a hollow state by a first support leg 2a and a second support leg 2b.例文帳に追加

検出素子（ｐｎ接合ダイオード）Ｄ_j,iを配置しているダイアフラム部１が、第１支持脚２ａと第２支持脚２ｂにより中空状態でアレイ分離領域３に支持されている。 - 特許庁

In addition, respective concentrations of type p impurity and type n impurity are set to 5×10^17/cm^3 or less at the area near the junction region of the base region and the emitter region.例文帳に追加

そして、ベース領域とエミッタ領域との接合領域近傍において、ｐ型不純物とｎ型不純物のそれぞれの濃度を５×１０^１７／ｃｍ^３以下にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element, where both of an n-type cladding layer and a p-type one are mainly made of the same kind of mixed crystal, resistance can be reduced, and type I junction with an active layer can be achieved.例文帳に追加

ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層が共に主として同種の混晶からなり、かつ低抵抗化可能であって活性層とタイプＩ接合し得る半導体素子を提供する。 - 特許庁

Optical carriers, generated by light are incident on a periphery of a first light-receiving region disappear near the interface of the second p-n junction, and in a part exposed to the end surface of the chip.例文帳に追加

第１の受光領域の周囲に入射した光により発生する光キャリアは、第２のｐｎ接合の界面近傍又はチップ端面に露出した部分で消滅してしまう。 - 特許庁

A high concentration phosphoric ion is implanted into a region for forming a pn junction varactor on a p-type Si substrate, and after a carbon is implanted, a low concentration n-type Si layer is formed on the Si substrate.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板上のＰＮ接合バラクタの形成領域に高濃度のリンイオンを注入し、カーボンを注入した後、Ｓｉ基板上に低濃度のＮ型Ｓｉ層を形成する。 - 特許庁

The amplifying transistor 1 is stabilized by using a resistance component of the diode 2A and a desired high-frequency signal is passed by the P-N junction capacity of the diode 2A.例文帳に追加

ダイオード２Ａの抵抗成分を利用して増幅トランジスタ１の安定化が図られ、且つダイオード２ＡのＰＮ接合容量により、所望の高周波信号を通過させることができる。 - 特許庁

The solar cell has a pn junction defined by a p-type semiconductor layer 13 functioning as a light absorbing layer and an n-type semiconductor layer 14 formed thereon.例文帳に追加

光吸収層として機能するｐ形半導体層１３とｐ形半導体層１３に積層されたｎ形半導体層１４とによって構成されるｐｎ接合を含む。 - 特許庁

By lowering the temperature of the solution 4 for epitaxial growth, a PN junction composed of an N type layer 11 and a P type layer 12 is formed on the principal surface of the semiconductor wafer 1 (c).例文帳に追加

（ｃ）エピタキシャル成長用溶液４の温度を下げることにより、半導体基板１の主表面上にＮ型層１１とＰ形層１２とからなるＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 110a is selectively formed just under the p-type diffusion layer 111a as the top gate, and becomes a channel layer of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

トップゲートとなる前記Ｐ型拡散層１１１ａの直下に選択的に形成された前記Ｎ型拡散層１１０ａは接合型電界効果トランジスタ１５１のチャネル層となる。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 16 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１６が形成されている。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 17 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１７が形成されている。 - 特許庁

A stacked matter S, which contains a p-n junction structure via a buffer layer 2 (or directly) and is formed of a GaN material is grown on a crystal substrate 1, and a light reception element is obtained.例文帳に追加

結晶基板１上に、バッファ層２を介して（または直接的に）ｐｎ接合構造を含みＧａＮ系材料からなる積層体Ｓを成長させて受光素子とする。 - 特許庁