「p-n junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A bypass capacitor C2 is formed by a P-N junction between an N-type well region 2f and the substrate 2 on the side of a digital circuit block 21.例文帳に追加

デジタル回路ブロック２１側では、Ｎウェル領域２ｆとＰ基板２との間のＰＮ接合によりバイパスコンデンサＣ２を形成する。 - 特許庁

A P-N junction formed between the layers 13a, 13b and the layers 12a, 12b is only a planar junction.例文帳に追加

第１、第２のベース層１３ａ、１３ｂと第１、第２の埋込層１２ａ、１２ｂとの間に形成されるＰＮ接合はプレーナ接合だけになる。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PROTEIN SEMICONDUCTOR, PROTEIN SEMICONDUCTOR, METHOD FOR PRODUCING P-N JUNCTION, P-N JUNCTION, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR CONTROLLING CONDUCTIVITY TYPE OF PROTEIN SEMICONDUCTOR例文帳に追加

タンパク質半導体の製造方法、タンパク質半導体、ｐｎ接合の製造方法、ｐｎ接合、半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器およびタンパク質半導体の導電型の制御方法 - 特許庁

The p-n junction diode 20 is constituted of a p-type silicon substrate 21 and a heavily doped region 23, formed by heavily doping n-type impurities on the surface of the p-type silicon substrate 21.例文帳に追加

ｐｎ接合ダイオード２０は、ｐ型シリコン基板２１と、ｐ型シリコン基板２１の表面にｎ型不純物が高濃度にドープされて形成される高濃度不純物領域２３とから構成されている。 - 特許庁

After p-type impurities have diffused from one main surface of a pair of main surfaces of an n-type substrate 1 and a p-n junction is formed, mesa-type grooves 5 are formed in the n-type substrate 1 so as to expose the p-n junction in prescribed regions, and glass films 7 are applied to the mesa-type groove 5.例文帳に追加

一対の主表面を有するｎ型基板１の一方の主表面からｐ型の不純物を拡散してｐｎ接合を形成した後に、一方の主表面から所定の領域にｐｎ接合が露出するようにｎ型基板１にメサ型の溝５を設け、このメサ型の溝５にガラス被膜７を形成する。 - 特許庁

An inductor is provided in a specified region and a high concentration n+ type diffused layer is formed beneath an isolating oxide film of that specified region, thereby forming a p-n junction with the n+ type diffused layer and a p- type semiconductor substrate.例文帳に追加

インダクターを設けた所定領域の分離酸化膜下に高濃度Ｎ^+形拡散層を形成して、そのＮ^+形拡散層とＰ^-形半導体基板からなるＰＮ接合を設けている。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and the p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a junction gate field effect transistor which suppresses the variation in p-layer impurity in a gate region and can attain proper p-n junction characteristics for the transistor.例文帳に追加

ゲート領域でのｐ層不純物のばらつきを抑制すると共に、良好なｐｎ接合特性を得る接合ゲート型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A separate implantation step is done in a zone surrounding the high voltage p++/n- well junction, in order to acquire a p- type implant region adjacent to the junction.例文帳に追加

接合部周辺のｐ^−タイプのインプラント領域を得るために、別の注入ステップが、高耐圧ｐ^＋＋／ｎ^−ウエル接合部を取り囲んでいるゾーンにおいて行われることを特徴とする。 - 特許庁

In a transistor part 10a, a junction capacity of a p-n junction between a p-type base layer 4 and the emitter layer 51 is limited to a low level, to prevent a decrease in high-frequency characteristics.例文帳に追加

トランジスタ部１０ａでは、ｐ型ベース層４とエミッタ層５１との間に形成されるｐｎ接合の接合容量は低く抑られ、高周波特性の劣化が防止される。 - 特許庁

This spike prevents diffusion of dopants into another layer, without having to form a p-n junction in the layer.例文帳に追加

スパイクによって、ｐｎ接合を層内に形成することなく、別の層にドーパントが拡散することが防止される。 - 特許庁

To prevent external diffusion in drive-in diffusion of impurities added for isolation region formation of a P-N junction.例文帳に追加

ＰＮ接合の分離領域形成用に添加された不純物のドライブイン拡散での外方拡散を防止する。 - 特許庁

To provide the method of processing a high voltage p++/n- well junction in a standard submicron CMOS process.例文帳に追加

標準サブミクロンＣＭＯＳプロセスで、高耐圧ｐ^＋＋／ｎ^−ウエル接合部を処理する方法を提供する。 - 特許庁

The p-type embedded diffusion layer forms n-type embedded diffusion layers 7, 30, and a pn junction region.例文帳に追加

そして、Ｐ型の埋込拡散層は、Ｎ型の埋込拡散層７、３０とＰＮ接合領域を形成している。 - 特許庁

In the lateral junction type field effect transistor, an n-type epitaxial layer 4 and a gate region 5 are formed successively on a p^--epitaxial layer 3.例文帳に追加

ｐ^-エピタキシャル層３上に、ｎ型エピタキシャル層４とゲート領域５とが順に形成されている。 - 特許庁

To provide a ZnO-based oxide semiconductor element capable of easily forming a proper p-n junction.例文帳に追加

良好なｐｎ接合を容易に形成することが可能なＺｎＯ系の酸化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having a P-N junction free from voltage oscillation without adversely affecting other parts.例文帳に追加

他に悪影響を及ぼすことなく電圧発振を抑制したＰＮ接合部を有する半導体装置を得る。 - 特許庁

Each active region makes up one intrinsic(i) layer, corresponding to the p-i-n junction structure.例文帳に追加

活性領域は、それぞれ、ｐ−ｉ−ｎ接合構造の対応する１つの真性（ｉ）層を構成している。 - 特許庁

By this size reduction, the sectional area of a p/n junction exposed to radiation is reduced, thereby reducing SER.例文帳に追加

このサイズの低減により、放射にさらされるｐ／ｎ接合の断面積が小さくなることからSERも低減される。 - 特許庁

The solar cell is configured by integrating a P-N junction diode on a single-crystal silicon semiconductor substrate 1.例文帳に追加

太陽電池は、単結晶シリコン半導体基板１上にＰＮ接合ダイオードを集積化して構成される。 - 特許庁

Thereby, the inductance and the capacitance generated between the terminal resistor and the p-n junction structure are reduced.例文帳に追加

これにより、終端抵抗器とｐｎ接合構造との間に生じるインダクタンスやキャパシタンスを低減できる。 - 特許庁

Between the n^--type semiconductor layer 4 and the p-type semiconductor layer 5, a pn junction plane 7 is formed.例文帳に追加

ｎ^−型半導体層４とｐ型半導体層５との間にはｐｎ接合面７が形成されている。 - 特許庁

A solid p-n hetero junction has an electron conductor and a Hall conductor, and further a semiconductor for sensitization.例文帳に追加

固体ｐ−ｎヘテロ接合は、電子導体とホール導体を有し、さらに増感用半導体を有している。 - 特許庁

The p-type junction layer 250 having sphere surface, the n-type junction layer 260 and the transparent layer 270 can be formed by an inkjet print process.例文帳に追加

球形表面を有するＰ接合層２５０、Ｎ接合層２６０、および透明電極層２７０は、インクジェットプリント工程によって形成することができる。 - 特許庁

The semiconductor layer in the light receiving part (region PD) has a pn junction in a junction part of the p^--type epitaxial layer 2 and the n-type silicon substrate 5a.例文帳に追加

受光部（領域ＰＤ）における半導体層は、ｐ^−型エピタキシャル層２とｎ型シリコン基板５ａとの接合部にｐｎ接合を有する。 - 特許庁

Before the n--type drain layer 2A under a gate electrode 8 is thermally broken down, the surge current is released to a silicon substrate 1 through this p-n junction.例文帳に追加

ゲート電極８の下のＮ−型ドレイン層２Ａが熱破壊する前に、サージ電流は、このＰＮ接合を通ってシリコン基板１に逃げる。 - 特許庁

This varactor diode does not have a junction formed of the p^+ diffusion layer which is hard to vary in capacity and has high resistance and the n type epitaxial layer 20, so the capacity variation rate of the p-n junction is improved and the diode is driven with the low voltage, so that the capacity variation of the p-n junction can follow up a high-frequency voltage.例文帳に追加

本発明の可変容量ダイオードでは、容量が変化しにくく高抵抗であるｐ^+拡散層４０とｎ型エピタキシャル層２０との接合が形成されないので、ｐｎ接合の容量変化率が向上して低電圧で駆動されるようになり、ｐｎ接合の容量変化が高周波の電圧に追従できるようになる。 - 特許庁

A photodiode chip 1B has a first p-n junction region, formed at an interface between a region 13 and an epitaxial layer 12, and a second p-n junction region formed at an interface between a region 17 and an epitaxial layer 12.例文帳に追加

フォトダイオードチップ１Ｂは、領域１３とエピタキシャル層１２との界面に形成される第１のｐｎ接合領域と、領域１７とエピタキシャル層１２との界面に形成される第２のｐｎ接合領域とを有する。 - 特許庁

The width in the second direction perpendicular to the first direction of the P-type junction portion is narrower than the width in the second direction of the P-type contact portion, and the width in the second direction of the N-type junction portion is narrower than that of the N-type contact portion.例文帳に追加

Ｐ型接合部の第１方向に直交する第２方向の幅は、Ｐ型コンタクト部の第２方向の幅よりも狭く、Ｎ型接合部の第２方向の幅は、Ｎ型コンタクト部の第２方向の幅よりも狭い。 - 特許庁

A P-N junction element ta is applied to a power circuit, where the P-N junction element ta is effective when mounted to each signal and communication functional circuit, activates Peltier effect and Seebeck effect in the same element, and gives noise reduction effect.例文帳に追加

個々の「弱電」機能回路に対して設計製造時に取付けて効果がある「ペルチェ効果及びゼーペック効果を同一素子内で発生してノイズ低減効果を与えるＰＮ接合素子」ｔａを「強電」回路に応用する。 - 特許庁

To supply a light-emitting diode, in which there is no thyristor malfunction, that is, any p-n-p-n junction is not generated near a composition boundary, with a yield higher than in the conventional manner.例文帳に追加

サイリスタ不良が発生しない、すなわち組成界面付近でｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合が発生しない発光ダイオードを、従来よりも高歩留りで供給可能にすること。 - 特許庁

To faithfully simulate a reverse recovery current of a semiconductor element having a p-n junction part in accordance with an actual physical condition (that is, an actual operation environment) of the semiconductor element.例文帳に追加

p-n接合部を有する半導体素子の逆回復電流を、忠実に、当該半導体素子の実際の物理条件（即ち実際の動作環境）に即してシミュレーションすること。 - 特許庁

When an avalanche breakdown voltage is applied to a PN junction comprising a P type guard ring 4 and an N- layer 13a, a depletion layer 15 extending from the junction plane of the PN junction to the N- layer 13a side reaches an auto-doping layer 13b.例文帳に追加

Ｐ型ガードリング４とＮ^-層１３ａとからなるＰＮ接合にアバランシェ降伏電圧が印加された時に、前記ＰＮ接合の接合面からＮ^-層１３ａ側に伸びた空乏層１５が、オートドーピング層１３ｂに到達している。 - 特許庁

Since the rising voltage of p-n heterojunction comprising a p-type II-VI clad layer and current block layer is significantly higher than that of the p-n junction via the active layer 13, the leakage current at laser oscillation is less.例文帳に追加

ｐ型II-VIクラッド層と電流阻止層とから構成されるｐｎヘテロ接合の立ち上がり電圧が活性層１３を介したｐｎ接合に比べ非常に大きいため、レーザ発振時の漏れ電流が少ない。 - 特許庁

The n-type punch layer 25 and the p^--type semiconductor layer 23 and a p-type well 28 are electrically separated by forming a pn junction.例文帳に追加

ｎ型打抜き層２５とｐ^-型半導体層２３およびｐ型ウエル２８とは、ＰＮ接合が形成されることによって電気的に分離されている。 - 特許庁

By forming the conductive carbon nanotube array 33 in the p-type semiconductor layer 34, the surface area of p-n junction can be maximized.例文帳に追加

ｐ型半導体層３４の内部に伝導性炭素ナノチューブ配列体３３を設けることによって、ｐ−ｎ接合の表面積を最大化することができる。 - 特許庁

When a voltage is applied between the P-type impurity regions 15b and 15b via metal wiring 9 and 9, two P-N junctions formed on the junction surface between the N-type impurity region 15a and the P-type impurity regions 15b and 15b are formed opposed in the backward and forward directions, and a resistor is composed by either P-N junction.例文帳に追加

メタル配線９，９を介してＰ型不純物領域１５ｂ，１５ｂ間に電圧を印加すると、Ｎ型不純物領域１５ａとＰ型不純物領域１５ｂ，１５ｂの接合面に形成される２つのＰＮ接合が逆方向と順方向で対向して形成され、いずれかのＰＮ接合によって抵抗が構成される。 - 特許庁

Therefore, a surge current gets away to a silicon substrate 1 through the P-N junction before the N^--type drain layer 2 underlying a gate electrode 6 is thermally broken.例文帳に追加

このため、ゲート電極６の下のＮ−型ドレイン層２が熱破壊する前に、サージ電流はこのＰＮ接合を通ってシリコン基板１に逃げる。 - 特許庁

The pin junction 100 is constituted by successively laminating an n-layer 13, an i-layer 14, and a p-layer 15 upon another in this order.例文帳に追加

また、ｐｉｎ接合１００は、ｎ層１３、ｉ層１４、及びｐ層１５が順に積層されて成るものである。 - 特許庁

The lateral p-n junction is formed between this quantum well and an outer shell section formed around the vertical cavity.例文帳に追加

この量子井戸と、垂直キャビティの周りに形成された外殻部との間に、横方向ｐ／ｎ接合が形成される。 - 特許庁

Photons are generated in the multiple gain region by applying forward bias to the lateral p-n junction.例文帳に追加

この横方向ｐ／ｎ接合に順方向バイアスをかけることによって、多重利得領域で光子の発生が起こる。 - 特許庁

A P type electrothermal conversion semiconductor 1 and an N type electrothermal conversion semiconductor 2 are bonded by electric discharge plasma junction method.例文帳に追加

Ｐ型熱電変換半導体１とＮ型熱電変換半導体２とを放電プラズマ接合法により接合した。 - 特許庁

In this process, a region inside the outer edge of the conducting electrode 2 is caused to contact with the p-n junction 17.例文帳に追加

このとき、通電電極２を、該通電電極２の外縁よりも内部で、ｐ−ｎ接合部１７と接触させる。 - 特許庁

The junction diode 11 comprises an n-type gallium nitride-based semiconductor layer 13, and a p-type gallium nitride-based semiconductor layer 15.例文帳に追加

接合ダイオード１１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３と、ｐ型窒化ガリウム系半導体層１５とを備える。 - 特許庁