「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for processing the substrate includes the steps of setting the container 10 on a cooling stage 24, introducing a microwave via a cover 15, introducing a reaction gas from a gas valve 17, generating a plasma P therein, and plasma processing the substrate S.例文帳に追加

基板処理容器１０を冷却ステージ２４上にセットし、蓋体１５を介してマイクロ波を導入すると共にガスバルブ１７から反応ガスを導入し、内部でプラズマＰを発生させて基板Ｓに対してプラズマ処理を行う。 - 特許庁

Successively, pure water is supplied from a pure water discharging nozzle for stopping the developing reaction (S103) and, at the same time, the substrate is rotated while part of the developing solution piled up on the surface of the substrate is caused to remain on the surface (S104).例文帳に追加

続いて、現像反応を停止させるために純水吐出ノズルから純水を供給するとともに（Ｓ１０３）、基板の表面に液盛りされた現像液の一部を残留させつつ基板を回転させる（Ｓ１０４）。 - 特許庁

A ceiling wall 11a extending over the gaseous starting material mixing region A, reaction region B, and discharging region C is formed of boron nitride, and a bottom wall 11b at the periphery of the substrate 13 which is flush with the substrate is formed of quartz glass.例文帳に追加

原料ガス混合領域Ａと反応領域Ｂと排気領域Ｃとに亘る天井壁１１ａを窒化ホウ素で形成し、基板１３と同一平面となる基板周囲の底壁１１ｂを石英ガラスで形成する。 - 特許庁

In the film-depositing step, an epitaxial film is grown on the surface of the GaN substrate 10, by supplying a reaction gas containing ammonium, to a region opposing the surface of the GaN substrate 10 disposed on the susceptor 4.例文帳に追加

成膜工程では、サセプタ４上に配置されたＧａＮ基板１０の表面と対向する領域にアンモニアを含む反応ガスを供給することにより、ＧａＮ基板１０の表面上にエピタキシャル膜を成長させる。 - 特許庁

To provide a technique for increasing chemiluminescence efficiency or coloring efficiency by increasing enzyme reactivity in an enzyme reaction by which a chemiluminescent substrate or a chromogenic substrate is made to cause chemiluminescence or color.例文帳に追加

本発明の目的は、化学発光基質又は発色基質を化学発光又は発色させる酵素反応において、酵素反応性を高め、化学発光効率又は発色効率を向上させる技術を提供することである。 - 特許庁

As the photosensitive layer and the substrate are efficiently and simultaneously heated, an image forming reaction on a light-exposed region of the photosensitive layer with the recording light irradiation can be extremely efficiently performed.例文帳に追加

感光層と支持体とが効率よく同時に加熱されるので、記録光照射による感光層の露光領域の画像形成反応が極めて効率よく行なわれる。 - 特許庁

To prevent particles from being produced owing to a weld zone between a manifold flange and a gas intake port when substrate treating equipment which carries out gas chemical reaction in a processing chamber is manufactured.例文帳に追加

処理室でガス化学反応を伴う基板処理装置の、その装置を製造した時の、マニホールドフランジとガス導入ポートの溶接部に起因するパーティクルを抑止する。 - 特許庁

Exfoliation due to impact is net generated and a deposition or dissolution reaction of metal goes on reversibly and smoothly at the boundary between the electrolyte layer 15 and the transparent substrate 11.例文帳に追加

電解質層１５と透明基板１１との界面では、衝撃等による剥離が発生せず、また、金属の析出・溶解反応は、可逆的かつ円滑に行われる。 - 特許庁

To provide an exothermic substrate which excels in endurance and has high reliability, and a method of manufacturing the same, and to provide a microreactor with high reliability which enables a catalyzing reaction of a high efficiency.例文帳に追加

耐久性に優れ信頼性の高い発熱基板とその製造方法、高効率の触媒反応を可能とする信頼性の高いマイクロリアクターを提供する。 - 特許庁

Then, a chemical treatment process is performed to soak the panel 1 in a chemicals-dissolved fluid 17 to remove a fixed quantity of the surface of the substrate by chemical reaction to reduce the thickness.例文帳に追加

続いて化学処理工程を行ない、表示パネル１を薬液１７に浸漬し、化学反応により基板の表面を一定量除去して肉厚を薄くする。 - 特許庁

To provide an applying/developing apparatus, capable of transferring a substrate from an exposure system to a heating section, and restraining a resolution reaction from proceeding in a resist so as to improve a developed line in uniformity of width.例文帳に追加

例えば塗布、現像装置において、レジストの解像反応の進行を抑えて露光装置から加熱部まで基板を搬送し、現像線幅の均一性を高めること。 - 特許庁

Each of the supply ports 7 to 10 is disposed to supply reactant or non-reactant toward the exhaust path 35 outside a substrate surface in an inside of the reaction chamber 1.例文帳に追加

各供給口７〜１０は反応室１内で、基板表面の外側の排気通路３５に向かって反応物または非反応物を供給するよう配置される。 - 特許庁

The plating layer is then calcined in an oxygen-containing atmosphere and is thereafter reduced to form a metallic film 7 to be joined through the reaction products 3 to the ceramic substrate 1.例文帳に追加

次いで酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元して、セラミックス基板１に反応生成物３を介して接合する金属膜７を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming on the surface of a substrate a first solid layer which is suitable for activating a chemical reaction to form a second layer thereon.例文帳に追加

第一固体層（first solid layer）上に第二層(second layer)を形成するための化学反応を活性化することのできる第一固体層を基板の表面に形成する方法を提供する。 - 特許庁

This injection head (10) discharge probe solutions containing the different types of probes each from nozzle holes (16) into reaction cells (41) of a glass substrate (40) and forms probe spots.例文帳に追加

インクジェットヘッド（１０）は各々のノズル孔（１６）から異種プローブを含有するプローブ溶液をガラス基板（４０）の反応セル（４１）内に吐出し、プローブスポットを形成する。 - 特許庁

When a part P hits a substrate T and receives downward reaction force, the pressure applied on the load cell is reduced, and the reduced amount is detected as a pressurizing force.例文帳に追加

部品Ｐが基板Ｔに当接してから下向きの反力を受けると、ロードセルへ加わる圧力が減少し、その減少分が押し付け圧力として検出される。 - 特許庁

To provide a substrate processing method that can reduce the possibility of abnormal reaction to maintain and improve the characteristics and the yield of a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

異常な反応を起こる可能性を低減し、半導体集積回路装置の特性並びに歩留りの維持、向上を図ることが可能な基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

To give a reaction chamber comprising a wafer-support-pin operating mechanism by which a semiconductor wafer can be raised or lowered stably in such a way that a substrate support pin is not hooked or the like.例文帳に追加

基板支持ピンの引っ掛かり等がなく安定して半導体ウエハを上昇若しくは下降することができるウエハ支持ピン動作機構を有する反応チャンバを与える。 - 特許庁

Metal silicates or phosphates are deposited on a heated substrate by the reaction of vapors of alkoxysilanols or alkylphosphates along with reactive metal amides, alkyls or alkoxides.例文帳に追加

反応性金属アミド、アルキル又はアルコキシドと一緒にアルコキシシラノール又はアルキリホスフェートの蒸気を反応させ、加熱された基板上に金属ケイ酸塩又はリン酸塩を被着させる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for processing the surface of a substrate in a furnace with improved precipitation of a thin layer as well as the reaction between gas-phase components and the surface.例文帳に追加

本発明は、炉内で基板の面を処理し、薄層の析出を向上させると共にガス相成分と面の反応を向上させる装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method by which non-specific detection is suppressed with high detection sensitivity in the method for detecting a gene by a primer elongating reaction on a prescribed substrate.例文帳に追加

所定の基体上でのプライマー伸長反応による遺伝子の検出方法において、検出感度が高くかつ非特異的な検出が抑えられる方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the cylindrical substrate 10 can be used as a reaction vessel or a vacuum vessel whereby many vacuum vessels are not necessitated and the facility can remarkably be reduced.例文帳に追加

また、筒状基体１０を反応容器すなわち真空容器とすることができるので、多数の真空容器を必要とせず、設備を大幅に低減することもできる。 - 特許庁

The enzyme immobilized film is obtained by immobilizing enzyme on the inner surfaces of the pores of a porous film and bonding a polymeric compound, which is a reaction product of a substrate due to enzyme, to enzyme.例文帳に追加

多孔膜が有する孔の内面に酵素を固定し、前記酵素による基質の反応生成物である高分子性化合物を前記酵素に結合した。 - 特許庁

To provide a light-emitting device and a package wherein reaction between a connection terminal of a circuit pattern provided on a mounting substrate and gas in an external atmosphere can be suppressed.例文帳に追加

搭載基板に設けられた回路パターンの接続端子と外部雰囲気中のガスとの反応を抑制することのできる発光装置及びパッケージを提供する。 - 特許庁

A silicon oxide layer having a low relative dielectric constant is deposited by the reaction of an organosilicon compound with a hydroxyl forming compound at a substrate temperature less than about 400°C.例文帳に追加

約４００℃未満の基板温度での有機珪素化合物とヒドロキシル形成化合物との反応によって低比誘電体率を有する酸化珪素層を堆積する。 - 特許庁

Thereby, the residual air and moisture flowing in from the downstream of the reaction tube 110 are prevented from reaching the surface of the substrate 122 by convection.例文帳に追加

このため、上述のように反応管１１０の下流から流入した残留空気や水分が対流により基板１２２の表面に到達することが防止される。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which minimizes the replacement volume of a process gas supply pipeline, and to improve the speed of switching process gases supplied to a reaction chamber.例文帳に追加

処理ガス供給配管の置換容積を最小限とし、反応室内に供給する処理ガスの切替え速度を向上できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

When the above process is repeated with respect to each of the solution reservoirs 31, 32, 33, an epitaxial layer based on each reaction solution can be successively formed on the substrate W.例文帳に追加

以上の工程を、各溶液溜容器３１，３２，３３について行えば、各反応溶液に基づくエピタキシャル層を基板Ｗ上に順次積層させることができる。 - 特許庁

To smoothly start plating reaction after the charge of a substrate to a plating liquid in a horizontally carrying electroless copper plating method, and to reduce the whole treatment time.例文帳に追加

水平搬送無電解銅めっき方法において、めっき液に基板が投入された後に、スムーズにめっき反応を開始させ、全体の処理時間を短縮すること。 - 特許庁

To provide low melting point glass which is free from yellowing by silver reaction, has high visible light transmittance, and is useful for developing an electronic material substrate represented by a plasma display panel.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルに代表される電子材料基板開発で、銀反応による黄変が発生せず、かつ可視光透過率の高い低融点ガラスが望まれている。 - 特許庁

To provide an inexpensive substrate for nucleic acid sensors capable of controlling optimal temperature conditions for carrying out hybridization reaction in high accuracy and having good productivity.例文帳に追加

ハイブリダイゼーション反応を行なうための最適な温度条件を高精度に制御することができるとともに生産性の良い安価な核酸センサ用基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for detecting a gene by a primer-extension reaction on a prescribed substrate, having high detection sensitivity and capable of reducing the nonspecific detection.例文帳に追加

所定の基体上でのプライマー伸長反応による遺伝子の検出方法において、検出感度が高くかつ非特異的な検出が抑えられる方法を提供すること。 - 特許庁

There is further disclosed a method for determining the presence and absence of the existence of Arterivirus by using a reaction product produced by the LAMP amplification and a specific probe group immobilized on a substrate.例文帳に追加

更に、アルテリウイルスの存在の有無の判定が、前記ＬＡＭＰ増幅により生じた反応産物と基体に固定されている特定のプローブ群を使用する方法。 - 特許庁

A plurality of inclined plates 13 are vertically arranged at spaces between the side wall 10 of a reaction chamber 1 for plasma treatment and a susceptor 8 for placing a substrate 7 thereon.例文帳に追加

プラズマ処理を行う反応室１の側壁１０と基板７を載置するサセプタ８との間に複数枚の傾斜板１３を上下段に、間隙をおいて配列する。 - 特許庁

The nucleic acid-amplifying substrate 10 is obtained by laminating a first layer and a second layer and forming a space between them to form a reaction liquid-storing part 20.例文帳に追加

核酸増幅基板１０は、第一層と第二層が積層されたものであり、両者の間で空隙が形成されて反応液溜部２０が形成されている。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus and a film deposition method which can efficiently accumulate air streams of a reaction gas on a substrate thereby enhancing a growth rate of an epitaxial film.例文帳に追加

反応ガスの気流を基板上に効率よく集めて、エピタキシャル膜の成長速度を増大させることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor wafer with a high crystallinity and a uniform in-plane Al composition distribution by using a horizontal type MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) furnace rotating a substrate under a reaction gas.例文帳に追加

反応ガス下で基板を回転させる横型ＭＯＣＶＤ炉を用いて結晶性が高く、かつ、面内のＡｌ組成分布が均一な化合物半導体ウェハを得る。 - 特許庁

To machine a plurality of substrates quickly and to reduce the amount of consumption of machining gas in a substrate-machining device for machining the substrates through radical reaction.例文帳に追加

ラジカル反応により基板を加工する基板加工装置において、複数枚の基板を短時間で加工可能とし、かつ加工用ガスの消費量を減少させる。 - 特許庁

To suppress heat energy loss in a chemical reaction apparatus supplying heat energy to a catalyst layer installed inside a minute passage formed on one surface of a substrate.例文帳に追加

基板の一面に形成された微小な流路内に設けられた触媒層に熱エネルギーを供給する化学反応装置において、熱エネルギー損失を抑制する。 - 特許庁

A substrate 17, such as a preform composed of a plurality of layers of a woven fabric partially woven from silicon carbide fibers, is placed in a reaction chamber 15 and is heated in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

炭化ケイ素繊維が織り込まれた織物の複数の層から形成されたプリフォームなどの基材１７が反応室１５内に配置され、窒素雰囲気中で加熱される。 - 特許庁

To provide a device for determining an enzyme activity simply in a high accuracy and at a low cost on the enzyme catalyzing so called a heterogeneous reaction by acting on an insoluble substrate.例文帳に追加

不溶性基質に作用するいわゆる不均一反応を触媒する酵素について、その酵素活性を簡便かつ高精度、安価に定量できる装置を提供する。 - 特許庁

A substrate 12, a boat 15 for holding at least an aluminum metal member 14 and a boat 17 for holding a gallium metal member 16 are arranged at the inside of a reaction tube 11.例文帳に追加

反応管１１の内部に基板１２と少なくともアルミニウム金属部材１４を保持するボート１５、ガリウム金属部材１６を保持するボート１７とを配置する。 - 特許庁

This prevents other surfaces of the vacuum chamber (18) and the rear side (34) of the substrate (10) from being contaminated with the reaction products (14) and/or their precursors.例文帳に追加

これにより、真空チャンバ（１０）の他の表面及び基板（１０）の裏面側（３４）が、反応生成物（１４）及び／またはプリカーサで汚染されることが防止される。 - 特許庁

After a specified time elapses, the silicon halide precursor is passed to the reaction chamber 15 to form a BN/Si_3N_4 coating with a predetermined thickness on the substrate 17.例文帳に追加

所定の時間が経過した後、ハロゲン化ケイ素前駆体が反応室１５へと通流されて基材１７上に所望の厚さのＢＮ／Ｓｉ_3Ｎ_4コーティングが形成される。 - 特許庁

Further, as exerting action at high temperatures, the technology can be used on conditions avoiding nicking reaction resistance due to higher-order structure formation of the DNA strand itself of the substrate.例文帳に追加

また、高温で作用を発揮できるので、基質であるDNA鎖自身の高次構造形成による切断反応抵抗性を回避した状態で用いることができる。 - 特許庁