「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

After etching a semiconductor substrate 36, Ar gas is supplied into a process chamber 6 to evacuate a reaction product 43 from the process chamber 6, and the dummy arm 25 and the dust collection plate 26 are then inserted into the process chamber 6 to collect the reaction product 43.例文帳に追加

半導体基板３６に対するエッチング処理が終了した後、プロセスチャンバー６内にＡｒガスを供給して、反応生成物４３をプロセスチャンバー６の外部に排気した後、ダミーアーム２５と集塵板２６とをプロセスチャンバー６の内部に挿入することにより反応生成物４３を集塵する。 - 特許庁

To provide a method for producing a bottom-up type nano-device, which initiates a reaction from a potential singular point on a substrate, and regularly arranges compound molecules so as to accelerate a chain reaction utilizing the arranging pattern.例文帳に追加

本発明は、基板上のポテンシャル特異点から反応を開始させた、ボトムアップ式のナノデバイスの製造方法を提供すること、規則性をもって化合物分子を配列させ、この配列パターンを利用して連鎖反応を促進するナノデバイスの製造方法を提供することなどを目的とする。 - 特許庁

The method for producing the melanin precursor includes supplying oxygen to a reaction solution containing at least one substrate compound selected from the group consisting of 3-(3,4-dihydroxyphenyl)alanine (DOPA) and analogues thereof, and an oxidizing enzyme or a microorganism containing the enzyme and simultaneously performing an oxidation reaction in a closed system.例文帳に追加

3-(3,4-ジヒドロキシフェニル)アラニン（DOPA）及びこれらの類縁体からなる群から選択される少なくとも１種の基質化合物、及び酸化酵素またはこの酵素を含む微生物を含有する反応液に酸素を供給しながら閉鎖系で酸化反応を行うことで、メラニン前駆体を製造する。 - 特許庁

The thin film production system is provided with: a step where silicon-containing process gas is fed from a first gas feed part so that a silicon-containing film is deposited on a substrate using the silicon-containing process gas in a reaction chamber; and a step where an exhaust pump exhausts the silicon-containing process gas from the reaction chamber.例文帳に追加

反応室において、シリコン含有プロセスガスを用いて基板上にシリコン含有膜が形成されるように、第１ガス供給部からシリコン含有プロセスガスを供給するステップと、排気ポンプが、前記反応室から前記シリコン含有プロセスガスを排気するステップとを具備する。 - 特許庁

A continuous film-forming process for supplying the insulating substrate 70, where the gate electrode is formed to the reaction room 12 of a film forming device, forming a gate oxide film with a chemical vapor phase growing method, and forming a semiconductor thin film by overlapping it on the gate oxide in the same reaction room 12 is executed.例文帳に追加

ゲート電極を形成した絶縁基板７０を成膜装置の反応室１２に投入して化学気相成長法によりゲート酸化膜を形成し、更に同一の反応室１２内でゲート酸化膜に重ねて半導体薄膜を形成する連続成膜工程を行なう。 - 特許庁

Under these processing conditions, the distance between the catalytic substance 3 and the substrate 10 is larger and a film-forming pressure is lower than the conventional film- forming conditions, increasing a mean free path of a reaction gas while suppressing the gas phase reaction thereof, resulting in the formation of an insulation film having prosper coverage.例文帳に追加

このようなプロセス条件下では、従来の成膜条件に比較して触媒体３と基板１０との距離が大きく、成膜圧力が低圧化されるため、反応ガスの平均自由行路が増加され、反応ガスの気相反応が抑制され、カバレッジのよい絶縁膜を形成できる。 - 特許庁

In a solid-liquid interfacial contact decomposing method wherein the carbon nanotube is synthesized on a substrate 33 by heating the substrate 33 carrying a catalyst consisting of a transition metal or an oxide of the transition metal in an organic liquid 30, a step of parallelly arranging the substrate 33 to a liquid surface of an organic liquid 30 and gradually cooling the substrate 33 when a synthesizing reaction is stopped is provided.例文帳に追加

有機液体３０中で、遷移金属又は遷移金属の酸化物からなる触媒を担持した基板３３を加熱して基板３３上にカーボンナノチューブを合成する固液界面接触分解法において、基板３３を有機液体３０の液面に対して平行に配置し、合成反応を停止する際に、基板３３の徐冷を行なう工程を具備する。 - 特許庁

The probe solidifying reaction array comprises a channel formed of a substrate and a section partitioning base material, a detection probe solidified to the channel on the substrate, and the liquid leakage detection probe fixed to the adhesion surface of the substrate on the substrate with the section partitioning base material.例文帳に追加

本発明の一つの態様において、プローブ固相化反応アレイであって、基板と区画区切り基材によって形成された流路と、前記基板上の流路に固相化された検出プローブと、前記基板上の基板と区画区切り基材との付着面に固定化された液漏れ検知プローブとを備えていることを特徴とするプローブ固相化反応アレイを提供する。 - 特許庁

A substrate is heated to a predetermined temperature in a reaction chamber, silicon-containing gas and hydrogen gas are supplied between the substrate and a discharge electrode, a high frequency electric power of a source frequency of 100 MHz to 300 MHz is applied between the discharge electrode and the substrate to produce a discharge plasma, and a thin-film- crystal-like silicon thin film is stack-formed on the substrate.例文帳に追加

反応容器内で基板を所定温度に加熱し、基板と放電用電極との間にシリコン含有ガスおよび水素ガスを供給するとともに、電源周波数が１０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の高周波電力を該放電用電極と基板との間に印加して放電プラズマを生成させ、基板上に薄膜結晶系シリコン薄膜を積層形成する。 - 特許庁

The substrate 1 to be treated is placed on an anode 13 in a reaction tank 10 into which a gaseous raw material being a raw material of the thin film is introduced from a gaseous raw material introduction port 17.例文帳に追加

成膜の原料となる原料ガスが原料ガス導入口１７から導入された反応槽１０内で、処理対象の基板１は、陽極１３上に載置される。 - 特許庁

The dispensing chips 70a and 70b are held to the holding member 42 which is attached to the end part of the substrate 9 constituting the reaction container 10 via a movable member, in a detachable manner.例文帳に追加

分注チップ７０ａ，７０ｂは反応容器１０を構成する基板９の端部に可動部材を介して取り付けられた保持部材４２に脱着可能に保持されている。 - 特許庁

The reaction rate of the process can be increased, since the process temperature can be made almost the same as that of the substrate surfaces, while preventing lowering of the dissolved concentration of ozone due to temperature rise of the processing liquid.例文帳に追加

処理液の温度上昇によるオゾンの溶存濃度の低下を防止しつつ処理温度を基板表面の温度とほぼ同じにできるので処理の反応速度を高められる。 - 特許庁

On the first substrate transferred by the belt conveyer BC1, a first collecting layer is formed at a discharge device 20d, and a first reaction layer is formed at a discharge device 20f.例文帳に追加

次に、ベルトコンベアＢＣ１により搬送された第１の基板に、吐出装置２０ｄにおいて第１の集電層を、吐出装置２０ｆにおいて第１の反応層を形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for processing a substance such as semiconductor wafer, which can prevent deposition of a reaction by-product on a substrate transportation outlet and prevent partial contamination.例文帳に追加

基板搬入出口への反応副生成物の付着を防止し、パーティクル汚染等を防止できる半導体ウエハ等の基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reaction device for nucleic acid analysis, wherein fine particles on which a nucleic acid that is a detection object is immobilized are grid-likely arranged on a substrate, in matching with the pixel size of a 2-dimensional sensor.例文帳に追加

２次元センサの画素サイズに合わせて、検出対象の核酸が固定化された微粒子を基板上に格子状に配列した核酸分析用反応デバイスを提供する。 - 特許庁

Uniform processing is possible by promoting the reaction of the chemical for the peripheral part of the substrate 12 in which the etching is easily insufficient to the center due to the temperature drop.例文帳に追加

温度低下により中央部に対してエッチング処理が不十分になりやすい基板12の周辺部に対して、薬液の反応を促進することにより、均一な処理が可能になる。 - 特許庁

A shear stress on the surface of a sensor substrate (14) before and after the reaction of a probe to a target is measured, and the bonding between the probe and target is detected according to difference in the shear stress.例文帳に追加

プローブとターゲットとの反応前後のセンサー基板（１４）表面のせん断応力を測定し、そのせん断応力の差によって、プローブとターゲットとの結合を検出する。 - 特許庁

The method for confirming the addition of a specimen to a diluting liquid or a dissolving liquid includes the detection of glucose in the specimen by a color reaction to use glucose as a substrate.例文帳に追加

グルコースを基質とした呈色反応を用いて検体試料中のグルコースを検出することで、希釈液または溶解液に検体試料が添加されたことを確認する方法である。 - 特許庁

To provide an atomic-layer deposition apparatus which reliably purges precursors remaining in a reaction space, and stably and uniformly supplies a gas of the respective precursors onto a substrate.例文帳に追加

原子層堆積装置による反応空間内に残存する前躯体のパージが確実に行われ、各前躯体のガスが安定的に且つ均等に基板に対して供給されるようにする。 - 特許庁

To provide a substrate processing device capable of improving uniformity of a heat treatment among a plurality of wafers located in the vertical direction in a reaction container; and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

反応容器内の鉛直方向にある複数のウエハ相互間の熱処理均一性を向上させることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the substrate 15 can have micro channels 16a, 16b which are nearly perpendicular to the face of the membrane and have a function of reaction fluid portion of the fixed recessed portion and the first electrode 18.例文帳に追加

また、基板１５は、膜の面に対して略垂直な、固定凹部や第１の電極１８の反応流体部の機能を有するマイクロチャンネル１６ａ，１６ｂを備えることもできる。 - 特許庁

To provide a Pb-free solder alloy which has excellent thermal stress relaxation properties, and can suppress the reaction of Ni-Bi and Ni diffusion on joining of Ni-containing electronic parts and a substrate.例文帳に追加

熱応力緩和性に優れ、Ｎｉを含む電子部品や基板を接合する際にＮｉ−Ｂｉの反応やＮｉ拡散を抑制できるＰｂフリーはんだ合金を提供する。 - 特許庁

Above a table 11 which supports a wafer W to which an optical reaction adhesive sheet S is stuck, a plurality of light emitting diodes 16 are fixed on a straight line with a substrate 13 interposed therebetween.例文帳に追加

光反応型の接着シートＳが貼付されたウエハＷを支持するテーブル１１の上方に、基板１３を介して直線上に発光ダイオード１６が複数固定されている。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus which can efficiently use a reaction gas when a film is formed by heating a substrate, and can achieve a SiC film having a highly uniform film thickness and a high quality.例文帳に追加

基板を加熱して膜形成を行う際に反応ガスを効率良く使用でき、膜厚均一性の高い高品質のＳｉＣ膜を実現できる成膜装置を提供する。 - 特許庁

Because light of a predetermined wavelength is made to be incident from the substrate 11 side, a substance to be cleaned staying on an absorption film 14 is cleaned by the photocatalytic reaction with the photocatalytic film 13.例文帳に追加

基板１１側から所定波長の光が入射されることで、吸着膜１４に滞留した被浄化物質が、光触媒膜１３による光触媒反応により浄化される。 - 特許庁

An ink receiving layer constituted at least of an alkylacetalized polyvinyl alcohol resin, a curing agent capable of crosslinking reaction with the resin and particulates of silica gel is provided at least on one side of a substrate.例文帳に追加

支持体の少なくとも片面に、少なくともアルキルアセタール化ポリビニルアルコール樹脂とこれを架橋反応し得る硬化剤およびシリカゲル微粒子からなるインク受容層を設ける。 - 特許庁

In each of the reaction chambers 3, a shower head 5 for blowing off a material gas and an oxidant and a stage part 7 for mounting a semiconductor substrate are arranged to face each other.例文帳に追加

反応室３のそれぞれには、材料ガスと酸化剤を吹出すためのシャワーヘッド５と、半導体基板を載置するためのステージ部７とが互いに対向するように配設されている。 - 特許庁

To provide a thin film deposition apparatus and method permitting the trend dispersion of reaction gas and control of discriminating etching to a substrate, and a liquid crystal display device thereof.例文帳に追加

反応ガスの傾向性散布が可能であって、基板に対する差別的なエッチングの制御が可能な薄膜形成装置及び方法並びに液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In this deposition method, a compound having siloxane bond and an oxidizing gas are changed into plasma for reaction, and the silicon- containing insulating film 204 is formed on a substrate 103 to be deposited.例文帳に追加

シロキサン結合を有する化合物と酸化性ガスとをプラズマ化して反応させ、被堆積基板１０３上にシリコン含有絶縁膜２０４を成膜する成膜方法による。 - 特許庁

A titanium plate 71, or an alloy including titanium is used for a substrate of an insoluble anode while on a cathode side, an anticorrosion product is arranged so as to suppress a reduction reaction on the cathode side and to prevent oxidation.例文帳に追加

不溶性アノードにチタン板７１、或いはチタンを含む合金を基板に用いておりカソード側に被防食製品を配置しカソード側の還元反応を抑制し酸化を防止する。 - 特許庁

To lower heat treatment temperature for conducting the predetermined heat treatment such as a film forming process to form a film to a substrate by supplying the treatment gas into a reaction vessel and heating the processing atmosphere.例文帳に追加

反応容器内に処理ガスを供給すると共に処理雰囲気を加熱して基板に対して成膜処理などの所定の熱処理を行うにあたり、熱処理の温度を低くする。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus capable of maintaining a vacuum degree without requiring an evacuation apparatus of a large capacity and efficiently generating a reaction on a substrate surface to conduct film forming.例文帳に追加

大容量の排気装置を必要とすることなく真空度を維持し、基材表面に効率的に反応を生じさせて成膜を行うことができる成膜装置を提供すること。 - 特許庁

The waste ozone water 41 discharged from a substrate treating part 20 is introduced in to a reaction container 31, and is discharged to the outside of the system after it is irradiated with UV rays by an UV ray lamp 34.例文帳に追加

基板処理部２０から排出される排オゾン水４１を反応容器３１内に導入し、紫外線ランプ３４により紫外線を照射してから系外へ排出する。 - 特許庁

A working electrode 1 dipped into an electrolytic solution 6 in a reaction tank 4 is formed of a translucent ITO (Indium Tin Oxide)glass substrate to which electric conductivity is imparted by doping fluorine.例文帳に追加

反応槽４内の電解液６中に浸される作用極１は、フッ素をドープすることによって導電性が与えられた透光性のＩＴＯガラス基板から形成されている。 - 特許庁

The bottom surface of a reaction pipe 10 is airtightly loaded with a susceptor 15.The susceptor 15 is used as a substrate retention tool that passes through an opening part on the bottom surface for exposing the bottom part, and is made of graphite.例文帳に追加

反応管１０の底面上には、該底面の開口部を貫通してその底部を露出させた基板保持具としての黒鉛よりなるサセプタ１５が気密に填め込まれている。 - 特許庁

To provide a lead-free low melting-point glass which is prevented from yellowing due to silver reaction and has high visible light transmittance aiming at the development of the more excellent electronic material substrate represented by a plasma display panel.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルに代表される電子材料基板開発で、銀反応による黄変が抑制され、かつ可視光透過率の高い無鉛低融点ガラスが望まれている。 - 特許庁

To lower the cost by facilitating the maintenance of a device by forming a diffusion part for diffusing a reaction gas and a guide part guiding the diffused gas on the surface of a substrate separately and enabling them to be exchanged individually.例文帳に追加

拡散性能を損なうことなく、耐久性が向上してメンテナンスが容易になり、かつ製造及びランニングコストが低廉な成膜装置用ガスシャワー装置を提供する。 - 特許庁

To enable batch processing of a larger number of substrates to be processed by loading a larger number of substrates to be processed with respect to a reaction chamber of a limited volume in a vertical type substrate processing apparatus.例文帳に追加

縦型基板処理装置において、限られた容積の反応室に対してより多くの被処理基板を搭載することでより多くの被処理基板の一括処理を可能にする。 - 特許庁

To detect the target substance, an electric resistance value between the two electrodes 2 and 2 is measured after bringing a specimen into contact with the target substance reaction part 3 of the target substance detection substrate 1.例文帳に追加

標的物質を検出するには、標的物質検出基板１の標的物質反応部３に検体を接触させた後、二つの電極２、２間の電気抵抗値を測定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial substrate by which gas reaction among material gases used for film formation is suppressed, and an epitaxial film having a uniform film thickness is formed at a uniform film formation speed.例文帳に追加

成膜に用いる原料ガス同士の気相反応を抑制し、均一な成膜速度で均一な膜厚のエピタキシャル膜を形成するためのエピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The SOFC is comprised by continuously connecting single cells comprised by laminating the electrode reaction parts so that the porous metal substrates are held between the electrodes and laminating a porous metal substrate B.例文帳に追加

多孔質金属基体が電極で挟持されるように電極反応部を積層し、更に多孔質金属基体Ｂを積層して成る単セルを連接して成るＳＯＦＣである。 - 特許庁

This pattern forming method forms a barrier film 103 containing a polymer and a bridging agent on the resist film 102 of a substrate 101 to make this polymer cause a bridging reaction by heat.例文帳に追加

パターン形成方法は、基板１０１の上に形成したレジスト膜１０２の上に、ポリマーと該ポリマーに熱により架橋反応を生じさせる架橋剤とを含むバリア膜１０３を形成する。 - 特許庁

By supplying raw material gas to a principal surface of a silicon single crystal substrate W in a reaction vessel set in a pressure reducing environment, a silicon epitaxial layer is vapor-phase grown.例文帳に追加

減圧環境に設定した反応容器内におけるシリコン単結晶基板Ｗの主表面上に原料ガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 - 特許庁

This method for screening vegetable browning inhibitors comprises adding a test substance to a system of reaction between a substrate extracted from an object plant and a browning enzyme extracted from the identical plant.例文帳に追加

植物から抽出された基質、および同一の植物から抽出された褐変酵素との反応系に、被験物質を添加する方法で植物褐変防止物質をスクリーニングする。 - 特許庁

To provide an enzyme reaction method capable of obtaining an objective product in a high yield by removing an inhibitor in enzyme reactions using an aldehyde compound as a substrate.例文帳に追加

アルデヒド化合物を基質とする酵素反応において、酵素反応を阻害する物質を除去し、高収率で目的生成物を得る酵素反応方法を提供することを目的とする。 - 特許庁