例文 (999件) |
reaction substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1714件
On the substrate 1, two areas are formed, that is, a record area 3 and a reaction area 4, concentrically formed in the radial direction.例文帳に追加
基板1は、半径方向に同心円状に形成された記録領域3及び反応領域4の2つの領域が形成されている。 - 特許庁
The tank 11 is used for the dip type substrate treatment equipment, and prescribed treatment such as cleaning, etching and substitution at the time of reaction is performed.例文帳に追加
このような貯留槽11を浸漬式基板処理装置に利用し、所定の処理、例えば洗浄、エッチング、反応の際の置換などを行う。 - 特許庁
To provide a substrate treatment method capable of effectively removing a reaction product, while reducing the amount of removal liquid use.例文帳に追加
除去液の使用量を抑制しながらも良好に反応生成物の除去を行うことが可能な基板処理方法を提供すること。 - 特許庁
A gas decomposition product of the electrically negative insulating gas reacts on copper remaining on the DBC substrate, and the reaction product is identified as a defect of etching.例文帳に追加
電気負性絶縁ガスのガス分解生成物がDBC基板に残存した銅と反応した生成物を、エッチングの欠陥として判別する。 - 特許庁
To provide a means for forming a side wall metal on a semiconductor element using base material for which substrate working using a chemical reaction is difficult.例文帳に追加
化学的反応を用いた基板加工が困難な基盤材を用いた半導体素子に側壁メタルを形成する為の手段を提供する。 - 特許庁
The substrate 1 has the surface 1a on which a plurality of wells 8 are formed, which are fields for a hybridization reaction between a probe DNA and a sample DNA.例文帳に追加
基板1は、プローブDNAとサンプルDNAとのハイブリダイゼーション反応の場となるウェル8が表面1aに複数個形成されている。 - 特許庁
A reaction chamber in which a substrate is placed and a plasma generating chamber are separated by electrodes 104, 105 in a vacuum container to be evacuated to a vacuum.例文帳に追加
真空排気可能な真空容器内に、基板を設置する反応室とプラズマ形成室とを、電極部104,105によって分離する。 - 特許庁
In the method of manufacturing a semiconductor device, a nitride film is formed on a wafer (semiconductor substrate) in the reaction container by means of the sheet-feeding process.例文帳に追加
半導体装置の製造方法では、反応容器の内部で枚葉式処理によってウエハ(半導体基板)上に窒化膜を形成する。 - 特許庁
To provide an electrode assembly coupled with an RF power supply in order to provide a reaction gas as plasma gas used to process a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板を加工するための反応ガスをプラズマ状態にするためのRF電源が連結される電極組立体を提供する。 - 特許庁
When the residual gas is discharged under vacuum, the substrate stage 13 is moved into the evacuation chamber 16 and the exhaustion conductance of the reaction chamber 14 is made large.例文帳に追加
残留ガスの真空排気時には、基板ステージ13を退避室16内に移動させ、反応室14の排気コンダクタンスを大きくする。 - 特許庁
When inserting a support device 30 with a substrate 54 placed thereon into a reaction tube 42, a preset temperature of each heater zone in a heater 46 is set to be T5<T4<T3<T2<T1.例文帳に追加
反応管42内に基板54が載置された支持具30を挿入時、ヒータ46の各ヒータゾーンの設定温度をT5<T4<T3<T2<T1とする。 - 特許庁
To provide a biosensor capable of speedily and highly accurately measurements by facilitating the dissolution of a reaction reagent system even in a sample liquid containing a high concentration of substrate.例文帳に追加
高濃度の基質を含む試料液でも、反応試薬系が容易に溶解し、迅速に高精度の測定が可能なバイオセンサを提供する。 - 特許庁
An electrode system including a measuring electrode and a counter electrode is provided on an insulative substrate, and a reaction layer is provided on the electrode system or in the vicinity thereof.例文帳に追加
絶縁性の基板上に測定極と対極を含む電極系、および電極系上またはその近傍に反応層を設ける。 - 特許庁
A reaction layer 4 of nickel silicide is formed between the SiC substrate 1 and the nickel film 3 at the opening part 2a of the barrier film 2.例文帳に追加
SiC基板1とニッケル膜3との間においては、バリア膜2の開口部2aの部分に、ニッケルシリサイドの反応層4が形成されている。 - 特許庁
The deposition-film-forming apparatus 120 generates plasma in a reaction vessel 100 and layers the deposition films on a substrate 105 to be film-formed.例文帳に追加
堆積膜形成装置120は、反応容器100内にプラズマを発生させ被成膜基体105に堆積膜を積層する装置である。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE COMPRISING SILICONE LAYER CURED BY HYDROSILYLATION REACTION, AND SILICONE COMPOSITION EMPLOYING RECYCLED ORGANIC SOLVENT例文帳に追加
ヒドロシリル化反応により硬化してなるシリコーン層を備えた基材の製造方法および回収された有機溶媒を使用するシリコーン組成物 - 特許庁
The sufficient junction strength is also provided between the contact layer 15 and the silicon substrate 13, because connected by the gold-silicon eutectic reaction.例文帳に追加
また、コンタクト層15とシリコン基板13との間は金−シリコン共晶反応により接合されているので、十分な接合強度を有する。 - 特許庁
The first substrate 51 is formed by thermal decomposition an oxidation reaction of a film-forming material containing chlorine on a piece of glass at 60°C or higher.例文帳に追加
第1の下地膜は、600℃以上のガラス上において、塩素を含む被膜形成原料の熱分解酸化反応により成膜する。 - 特許庁
Heating treatment is performed in a reaction furnace in the atmosphere of O2, and the SiO2 film 2 of film thickness A is formed on an Si substrate 1 being an Si layer.例文帳に追加
反応炉内で、O_2 雰囲気中で加熱処理を行い、Si層であるSi基板1上に膜厚AのSiO_2 膜2を形成する。 - 特許庁
To provide a technology for efficiently forming a nitride film on a substrate inexpensively by utilizing chemical energy in conjunction with catalytic reaction.例文帳に追加
触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することにより、窒化物膜を基板上に低コストで効率良く形成する技術を提供する。 - 特許庁
A pre-trans-splicing molecule (PTM) is a substrate for a trans-splicing reaction between the pre-trans-splicing molecule and a pre-mRNA, which is uniquely expressed in a specific target cell.例文帳に追加
プレトランススプライシング分子(PTM)は、該PTMと、特定の標的細胞で特異に発現されるプレmRNAとの間のトランススプライシング反応の基質となる。 - 特許庁
By introducing a silane chloride into a reaction container 1 of a vapor phase growth facility 100, a silicon layer is grown on a substrate by vapor phase growth.例文帳に追加
気相成長設備100の反応容器1内に塩化シランガスを導入することにより基板上にシリコン層を気相成長させる。 - 特許庁
A semiconductor substrate on which a polysilicon film is formed is positioned in a reaction chamber of a plasma chemical vapor deposition apparatus (step S10).例文帳に追加
その上にポリシリコン膜が形成された半導体基板をプラズマ化学気相蒸着装置の反応チャンバ内に位置させる(段階S10)。 - 特許庁
To recover/remove metal ions contained in a processing solution by the use of an oxidation-reduction reaction so as to prevent them from affecting a substrate adversely.例文帳に追加
酸化還元反応を利用することにより、処理液中の金属イオンを回収・除去して基板への悪影響を防止することができる。 - 特許庁
Then, the metal powder uniformly and strongly adheres to the whole surface of the substrate through a mechano-chemical reaction, to form the corrosion resistant film.例文帳に追加
すると、メカノケミカル反応により金属粉末は基材の表面全体に均一にしかも強固に密着し、耐食性の皮膜が形成される。 - 特許庁
To minimize thermal effects to a substrate, while accelerating a contact decomposition reaction due to a high-temperature electrical heating element in a hot-wire CVD.例文帳に追加
ホットワイヤCVDにおいて、高温発熱体による接触分解反応を促進しつつ基板に対する熱影響を最小限に抑える。 - 特許庁
With an inclination 45° or more, a reaction product preventing etching at the lower part of the substrate tends to peel off and drop from the substrate surface, so that unevenness or dispersion in etching amount in vertical direction is suppressed.例文帳に追加
45度以上傾けるので、基板下部のエッチングを妨げる反応生成物が基板表面から脱離下降しやすくなり、エッチング量の上下方向の不均一やばらつきが抑制される。 - 特許庁
The method for processing a substrate comprises a reaction furnace 11, a plurality of boats 21a and 21b, and a means for identifying the boat wherein a substrate is processed by specifying a boat depending on the content of processing.例文帳に追加
反応炉11と、該反応炉内で基板を保持する為の複数のボート21a,21bと、該ボートの識別手段を有し、基板処理の内容に応じてボートを指定して基板処理を行う。 - 特許庁
Heat treatment is applied on the substrate or the conductive path to cut the electrical connection of the through part and a semiconductor substrate part which is brought into contact with the through part by the reaction of them after the conductive path is formed.例文帳に追加
導電路の形成後、貫通部と該貫通部に接触する半導体基板部分との反応により両者の電気的接続を断つべく基板または導電路に加熱処理を施す。 - 特許庁
The application of a magnetic field and a bias voltage to the plasma facilitates the reach of the radicals to the surface of the substrate and accelerates a reaction of the reached radicals to form a film on the surface of the substrate.例文帳に追加
磁場をバイアス電圧をプラズマに作用させることにより、該ラジカルが基板表面に到達し易くなり、到達したラジカルにより基板表面において被膜形成反応を促進させる。 - 特許庁
The substrate 12 takes on the reduction catalyst reaction by the movement of the excited electron produced in the semiconductor 10 to the substrate 12 at least by the irradiation of light to the semiconductor 10.例文帳に追加
そして、少なくとも半導体10に光を照射することによって半導体10に生じた励起電子が基材12に移動することによって、基材12が還元触媒反応を呈する。 - 特許庁
The double-sided adhesive tape for the polishing cloth fixing has a thermal reaction type adhesive layer containing a polyurethane resin on one surface of a substrate and has a pressure-sensitive adhesive layer on the other surface of the substrate.例文帳に追加
ポリウレタン樹脂を含有する熱反応型接着剤層を基材の一方の面に有し、感圧粘着剤層を前記基材の他方の面に有する研磨布固定用両面接着テープ。 - 特許庁
The raw material gas and the oxidizing agent gas is alternately fed into a reaction chamber with a substrate placed therein across a purging step with purge gas to deposit a metal oxide thin film on the substrate.例文帳に追加
そして、基板を置いた反応室内に前記原料ガスと酸化剤ガスをパージガスによる排気工程をはさんで交互に供給し、前記基板上に金属酸化物薄膜を成膜するようにした。 - 特許庁
This microchip 1 mainly includes a substrate 2 and a lid plate 3, a liquid feed passage 6 is formed in a groove shape on the substrate 2, and a recessed reaction vessel 5 is formed while being connected to the liquid feed passage 6.例文帳に追加
マイクロチップ1は、主として、基板2と蓋板3とから構成され、基板2上には、溝状に送液路6が形成され、送液路6に連結して窪み状の反応槽5が形成される。 - 特許庁
To provide a reaction apparatus having a reactor made of a metal substrate, in which thickness of the metal substrate constituting the reactor can be reduced while strength of the reactor is maintained.例文帳に追加
反応容器を金属基板により形成する構成において、反応容器の強度を維持しながら、反応容器を形成する金属基板の厚さを低減することができる反応装置を提供する。 - 特許庁
This multilayered bipolar optical modulating sheet 10 includes a transparent substrate 30, a transparent conductive layer 32 formed on the substrate 30, and a plurality of light modulating electric reaction layers 34, 36.例文帳に追加
多層型二極性光変調シートは、透明な基板30と、この基板30上に形成された透明な導電性層32と、複数の光変調電気的反応層34,36とを含む。 - 特許庁
The guide member 5 and the ceramics substrate 2 are not bonded and the atmosphere on the ceramics substrate 2 side in the internally sealed guide member 5 is substantially identical to the atmosphere in the reaction container 6, preferably.例文帳に追加
ガイド部材5とセラミックス基体2は接合されておらず、内部封止されたガイド部材5内のセラミックス基体2側の雰囲気が反応容器6内の雰囲気と実質的に同一であることが好ましい。 - 特許庁
Exemplary methods and apparatus comprise a thermocatalytic hydrogen generation reactor which includes a reaction chamber containing a catalyst-coated substrate, and a combustion chamber containing a catalyst-coated substrate.例文帳に追加
典型的な方法および装置は、触媒によって覆した担体を含んでいる反応室、および触媒によって被覆した担体を含んでいる燃焼室を備える熱触媒水素発生器からなる。 - 特許庁
The substrate responsive film material contains a high-molecular compound, which is ester-bonded by the carboxyl group of the carboxyl group-containing poly(meth)acrylamide and the hydroxy group of cyclodextrin, and enzyme for the reaction of a substrate.例文帳に追加
基質感応膜素材は、カルボキシル基含有ポリ(メタ)アクリルアミドの該カルボキシル基およびシクロデキストリンの水酸基でエステル結合している高分子化合物と、基質を反応させる酵素とが、含有されている。 - 特許庁
Reaction gas is supplied so as to flow uniformly from one end of the crystal growing surface of a sapphire substrate 50 to the other end, using a liner tube 12 having a flat shape just in front of the sapphire substrate 50.例文帳に追加
サファイア基板50の直前で偏平形状を有するライナー管12を用いて反応ガスがサファイア基板50の結晶成長面の一端から他端へ均一に流れるように供給する。 - 特許庁
At the time of growing the oxide thin film on the surface of a substrate by jetting at least a material gas and an oxidation gas to the substrate, together with heating the substrate arranged in a reaction chamber, the initial oxidation film is deposited on the surface of the substrate before the substrate is risen up to a temperature at which the temperature rise is occurred by catalysis.例文帳に追加
成膜室内に配置された基板を加熱しつつ、該基板に向けて少なくとも原料ガスと酸化ガスとを噴出させて基板表面に酸化物薄膜を成長させるにあたり、原料ガス及び/または酸化ガスにより基板が触媒作用で温度上昇を起こす温度まで上昇する前に、基板の表面に初期酸化膜を成膜する。 - 特許庁
This plasma CVD device is provided with a reaction container having an introduction port for supplying compound having a borazine skeleton; a power feeding electrode installed in the reaction container for supporting the substrate, and for applying a negative charge; and a plasma generation means installed so as to be faced through the substrate to the power feeding electrode for generation plasma in the reaction container.例文帳に追加
ボラジン骨格を有する化合物を供給する導入口を有する反応容器と、上記反応容器内に設置され、基板を支持するとともに負電荷を印加する給電電極と、上記基板を介し、上記給電電極に対向して設けられ、上記反応容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とをプラズマCVD装置を提供する。 - 特許庁
Data base 11 and 12 store the standard oxidation reduction potential of a reaction system relating the conduction band and valence electron band of the photocatalyst and a sample substrate and pretreating means 1 corrects the oxidation reduction potential by computation from the pH of the reaction system and the standard oxidation reduction potential relating to the photocatalyst and sample substrate existing in the reaction system from the date base 12.例文帳に追加
データベース11,12は、光触媒の伝導帯及び価電子帯並びに試供基質の関わる反応系の標準酸化還元電位を格納しており、前処理手段1は、反応系のpHと、データベース12から当該反応系に存在する光触媒及び試供基質に関わる標準酸化還元電位とから、演算によって前記酸化還元電位を補正する。 - 特許庁
The vapor phase apparatus 100 comprises a reaction tube 101, a substrate holder 103 provided in the reaction tube 101, a group III material gas supply 119 to supply a group III material gas to the reaction tube 101, a nitrogen material gas supply 117 to supply a nitrogen material gas to the reaction tube 101, and a doping gas supply tube 105 to supply a doping gas to the reaction tube 101.例文帳に追加
反応管101と、反応管101内に設けられている基板ホルダ103と、III族原料ガスを反応管101内に供給するIII族原料ガス供給部119と、窒素原料ガスを反応管101内に供給する窒素原料ガス供給部117と、ドーピングガスを反応管101内に供給するドーピングガス供給管105と、を備える気相成長装置100を提供する。 - 特許庁
(1) This enzymatic reaction of a hydrolase is regulated by impressing an electric voltage on a reaction solution containing the hydrolase and its substrate.例文帳に追加
(2)酵素反応と同時に酵素反応で生じた反応生成物を基質と分離し、且つ当該反応生成物を正電荷を有する生成物と負電荷を有する生成物とに分離し取得するための装置およびその方法の提供。 - 特許庁
A mixture of one or more kinds of chemicals for performing chemical reaction causing generation of reaction heat is supplied, as a treatment liquid, to the substrate during the liquid treatment, and supply of some of the chemicals is stopped during the intermediate treatment.例文帳に追加
また、液処理時に処理液として反応熱の生成を伴う化学反応を行う複数種類の薬液の混合液を基板に供給するとともに、中間処理時にいずれかの薬液の供給を停止することにした。 - 特許庁
The vertical semiconductor manufacturing device has a reaction chamber 1 for treating a number of substrates W loaded to a boat 3, and a transfer chamber 10 having a mechanism for conveying the substrate W where the boat 3 is put in the reaction chamber 1.例文帳に追加
縦型半導体製造装置は、ボート3に積載した多数枚の基板Wを処理するための反応室1と、反応室1にボート3に載せた基板Wを搬送するための機構を有する移載室10とを備える。 - 特許庁
To provide a lab-on-a-chip wherein the whole functions are arranged in one substrate by forming on one chip a passage part for carrying out the replication, synthesis, reaction, detection or the like of a nucleic acid, and a circuit part for regulating the reaction at the passage part.例文帳に追加
核酸の複製や合成、反応及び検出等を行う流路部と、流路部における反応を制御する回路部を一つのチップ上に設け、全ての機能が一つの基板上に設けられたラボオンチップの提供。 - 特許庁
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