「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a chemical reaction apparatus to be made further compact and thin by using a relatively economical substrate material and accomplishing good joint state by simple production process and a portable type power source system using the chemical reaction apparatus.例文帳に追加

比較的安価な基板材料を用いて、簡易な製造プロセスでより良好な接合状態を実現することができるとともに、一層の小型薄型化が可能な化学反応装置、及び、該化学反応装置を用いたポータブル型の電源システムを提供する。 - 特許庁

The toluene detection sensor system has means to use a sensitive membrane holding an immobilized enzyme having activity inhibited by toluene, perform an enzymatic reaction in a reactor containing a substrate of the enzyme at a definite concentration and detect the inhibited activity of the enzymatic reaction.例文帳に追加

トルエン検出用センサシステムは、トルエンによって活性が阻害される酵素が固定化された感応膜を用い、一定濃度の前記酵素の基質を含む反応槽内で酵素反応を実施し、前記酵素反応の阻害活性を検出する手段を有する。 - 特許庁

While a semiconductor substrate 18 in a reaction chamber of a low pressure CVD device is irradiated with a vacuum ultraviolet beam, tetramethyl chclotetrasiloxane (TOMCATS) as material gas is supplied into the reaction chamber and oxygen as additive gas is supplied.例文帳に追加

減圧ＣＶＤ装置の反応室内の半導体基板１８上に真空紫外光を照射した状態で、前記反応室内に原料ガスとして、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＯＭＣＡＴＳ）が供給されかつ添加ガスとして酸素が供給される。 - 特許庁

Silicon, consumed upon the progress of silicide reaction through the 2nd-RTA, is supplied from not only the silicon substrate 1 below the silicide film 11, but also the amorphous silicon film 12 above the silicide film 11 whereby the silicide reaction is advanced from the side of amorphous silicon film 12.例文帳に追加

２ｎｄ−ＲＴＡによるシリサイド反応の進行時に消費されるシリコンが、シリサイド膜１１下部のシリコン基板１のみではなく、上部のアモルファスシリコン膜１２からも供給されるため、シリサイド反応をアモルファスシリコン膜１２側にも進めることができる。 - 特許庁

To provide another method to perform oxidative reaction of an organic substrate in the presence of an organorhenium oxide and its derivative when an easily available rhenium catalyst is used to lower the whole cost for preparation of the catalyst and the oxidative reaction.例文帳に追加

オルガニルレニウムオキシド及びその誘導体の存在で有機基質の酸化反応を実施する他の方法を提供することであり、その際に、触媒準備及び酸化反応のための全体のコストを下げるために簡単に入手可能なレニウム触媒を使用 - 特許庁

The method of preparing a benzoxazole compound comprises carrying out a ring closure reaction of the reaction substrate of a benzoxazole compound by heating the same up to a temperature of 120 to 170°C in the presence of a copper catalyst in an ambience containing a solvent of a relative dielectric constant of 1 to 15 and oxygen.例文帳に追加

ベンゾオキサゾール化合物の製造方法は、ベンゾオキサゾール化合物の反応基質を、比誘電率が１〜１５である溶媒及び酸素を含有する雰囲気中にて、銅触媒の存在下に１２０〜１７０℃に加熱して閉環反応を行うものである。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor element includes steps of forming: multiple metal wires on a semiconductor substrate; a reaction prevention film on the metal wires in a region with via holes formed therein; an interlayer insulation film on the semiconductor substrate including the reaction prevention film; via holes by etching the interlayer insulation film above the reaction prevention film; and the via plugs in the via holes.例文帳に追加

半導体基板上に多数の金属配線を形成する段階;ビアホールが形成される領域の前記金属配線上に反応防止膜を形成する段階;前記反応防止膜を含む前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階;前記反応防止膜の上部の前記層間絶縁膜をエッチングしてビアホールを形成する段階;前記ビアホール内部にビアプラグを形成する段階を含む半導体素子の製造方法。 - 特許庁

The plasma treatment method which arranges a sample substrate 6 on a sample bed 7 provided inside a reaction vessel 8, generates plasma by discharge while supplying a material gas 4 and electric power into the reaction vessel 8, and holds the sample substrate in the plasma, is characterized by controlling a shape of generating plasma 5 through simultaneously supplying microwave electric power and direct current power into the reaction vessel 8.例文帳に追加

反応容器８の内部に設けた試料台７上に試料基板６を配置し、該反応容器８内に材料ガス４と電力を供給しながら放電によりプラズマを発生させ、該プラズマ中に試料基板を保持する処理方法において、反応容器８内にマイクロ波電力と直流電力を同時に供給することにより、発生するプラズマ５の形状をコントロールするプラズマ処理方法とその装置を基本手段として提供する。 - 特許庁

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 formed of nickel to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

In a reaction furnace 100 constituted of quartz glass 110, 120, a substrate holder 211 is arranged for holding the plate-like member 200, and the plate-like member 200 is heated while being rotated by a rotating mechanism of the substrate holder 211.例文帳に追加

石英ガラス１１０、１２０で構成される反応炉１００内には、板状部材２００を保持する基板ホルダ２１１が配置され、この基板ホルダ２１１の回転機構によって板状部材２００を回転されながら加熱処理を行う。 - 特許庁

The reactor 10 includes: flow passage grooves 18 formed on upper and lower surfaces 1a, 1b of a flow passage substrate 1; and first and second cap substrates 2, 3 covering the flow passage grooves 18 to form a reaction flow passage 12 between the cap and the substrate 1.例文帳に追加

反応器１０は、流路基板１の上下面１a，１bに形成された流路溝１８と、流路溝１８を覆うことによって流路基板１との間に反応流路１２を形成する第一及び第二の蓋基板２，３と、を備える。 - 特許庁

To provide a measuring substrate capable of enhancing detection sensitivity by suppressing a steric hindrance between labelling substances in the detection of the bio-sample present on a substrate at a predetermined position using hybridization reaction, and to provide a measuring method.例文帳に追加

基板上の所定の位置に存在する生体試料のハイブリダイゼーション反応を用いた検出において、標識物質間の立体障害を抑制することにより、検出感度を向上することのできる基板および測定方法を提供する。 - 特許庁

Using plasma 26 generated from reaction gas including chlorine gas and gas of compounds (chloroform, dichloromethane, etc.) expressed with the chemical formula C_xH_yCl_z , where x, y and z are positive integers, gallium nitride based compound layers 22-24, the sapphire substrate 21 or the alumina substrate are etched.例文帳に追加

塩素ガスと、x、y及びzが正の整数である化学式C_xH_yCl_zで表される化合物（クロロホルム、ジクロルメタン等）のガスとを含む反応ガスから生成したプラズマ２６により、窒化ガリウム系化合物層２２〜２４、サファイア基板２１もしくはアルミナ基板をエッチングする。 - 特許庁

In the vapor phase epitaxy equipment 20 which forms the thin film on the processed substrate 21 by using gas as material, a heating means 37 is arranged in a reaction tube 23 which means heats the gas introduced in the direction which meets in a depositing surface of the processed substrate 21.例文帳に追加

ガスを原料として被処理基板２１上に薄膜を形成する気相成長装置２０には、反応管２３内に被処理基板２１の成膜面に沿う方向に導入されるガスを加熱する加熱手段３７が備えられる。 - 特許庁

Furthermore, in the state that the first to third shutters are closed, reaction gas is introduced from a gas introduction device 31_1 into the first treatment chamber 11 interior to carry out etching of the surface of the substrate 70, and the foreign matter adhered to the surface of the substrate 70 is removed.例文帳に追加

さらに第一〜第三のシャッターを閉じた状態で、ガス導入装置３１_1より第一の処理室１１内部に反応ガスを導入して基板７０の表面のエッチングを行い、基板７０の表面に付着した異物を除去する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a glass substrate, in which a high quality glass substrate can be obtained by avoiding a damage caused by manual washing, and the contamination of the working atmosphere can be prevented by inhibiting diffusion of reaction products.例文帳に追加

手洗浄によるダメージをなくして高品質なガラス基板を得ることができるとともに、反応生成物の拡散を生じないようにして作業雰囲気の汚染を防止することができるガラス基板の製造方法及びその装置を得る。 - 特許庁

At the time of forming a thin film on the substrate 7, the thickness of the formed thin film is made uniform by sufficiently diffusing the treating gas onto the substrate 7 by slowly supplying the gas to the reaction chamber 6 without accumulating the gas in the gas reservoir 10 provided halfway the feed channel 51.例文帳に追加

薄膜を成膜するとき、処理用ガスを供給炉５１の途中のガス溜め部１０に溜めることなく反応室６に徐々に供給して、基板７上に十分拡散するようにし、成膜される膜の厚さを均一にする。 - 特許庁

A thin film process that reaction gas is introduced in a vacuum container 3 through a gas feeding system 1, a plasma 6 is generated between upper and lower electrodes 4a and 4b, a thin film is deposited on the surface of a substrate 5, the surface of the substrate 5 is etched and the others are performed is executed.例文帳に追加

真空容器３内にガス供給システム１から反応ガスを導入し、上部電極４ａと下部電極４ｂとの間でプラズマ６を発生させ、基板５の表面に対して薄膜堆積やエッチングなどのプロセスを行う。 - 特許庁

To provide a substrate heating method and its apparatus for carrying out a crystallizing reaction uniformly all over a coated film made of ferroelectric material or high-dielectric constant material on a substrate, and for forming a thin film with good quality.例文帳に追加

基板上に塗布形成された強誘電体や高誘電率材料からなる薄膜の結晶化反応を膜全体に均一に進行させて良質な薄膜を形成することができる基板加熱処理方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

Here treatment is executed with a condition that a solid phase reacting layer is formed between the Pt film of the second electrode part and the semiconductor substrate and the solid phase reaction layer is not formed between the WSi/W film of the first electrode part and the semiconductor substrate.例文帳に追加

その後、第２の電極部のＰｔ膜と半導体基板との間で固相反応層が形成され、第１の電極部のＷＳｉ／Ｗ膜と半導体基板との間では固相反応層が形成されない条件で熱処理を行う。 - 特許庁

To observe electron transfer (redox reaction) in a π-conjugated metal complex molecule in an aqueous electrolyte, by a π-conjugated metal complex that is immobilized substrate that connects the π-conjugated metal complex molecule to a substrate via π-conjugated molecule structure.例文帳に追加

π共役金属錯体分子を、π共役分子構造を介して基板に接続したπ共役金属錯体固定化基板が、水系電解質にてπ共役金属錯体分子の電子移動（酸化還元反応）の観測に対応する。 - 特許庁

The biosensor comprises an electric insulating substrate, an electrode system of a working electrode and a counter electrode formed on the substrate, and a reaction layer containing an enzyme formed on the electrode system or in the vicinity thereof.例文帳に追加

本発明に係るバイオセンサは、電気絶縁性の基板、前記基板上に形成された作用極および対極を有する電極系、並びに前記電極系上またはその近傍に形成された少なくとも酵素を含む反応層を具備する。 - 特許庁

A substrate 10 for growth which has a plurality of through holes 11 of a tapered form as a turbulent flow generating means is prepared, and a catalytic metal 20 for promoting production reaction of carbon nanotube is deposited on the second surface 10b of the substrate 10 for growth.例文帳に追加

乱流発生手段としてテーパ状の複数の貫通孔１１を有する成長用基板１０を準備し、成長用基板１０の第２の面１０ｂにカーボンナノチューブの生成反応を促進させるための触媒金属２０を担持させる。 - 特許庁

When the treatment gas is periodically supplied to the reaction pipe 6, the control unit 60 controls supply cycles of the gas supply system and rotation cycles of the rotating mechanism 20, a peripheral edge place of the substrate when the treatment gas is supplied to the substrate early and a peripheral edge place of the substrate when the treatment gas is supplied next being different from each other.例文帳に追加

処理ガスを周期的に反応管６に供給する際、制御部６０がガス供給系の供給周期及び回転機構２０の回転周期を制御し、処理ガスが基板に対して先に供給される時の基板の周縁箇所と、その次に供給される時の基板の周縁箇所とが異なる。 - 特許庁

In the open-to-atmosphere type chemical gas phase deposition method to deposit the oxide film on the substrate surface by blowing a gasified raw material together with a carrier gas on the substrate surface heated in open to atmosphere, it is featured that the structure of the oxide film deposited on the substrate surface is controlled by imparting an electric field to a reaction space field.例文帳に追加

気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けて基材表面に酸化物膜を堆積する大気開放型化学気相析出法において、反応空間場に電界を印加することを特徴とする基材表面に形成する酸化物膜の構造を制御する。 - 特許庁

A plasma treatment apparatus comprises a substrate placing part 5 for placing a substrate 2 to be treated by the plasma generated in a pressure reducible reaction chamber, and a peripheral member 3 which is arranged around the substrate placing part 5 and movable at least in the direction opposite to the direction that the surface of the peripheral member 3 is consumed by the plasma.例文帳に追加

減圧可能な反応室内に発生させたプラズマにより処理する基板２を設置する基板設置部５と、基板設置部５の周囲に設けられた周辺部材３とを備え、周辺部材３は、プラズマにより周辺部材３の表面が消耗する方向と反対方向に少なくとも可動である。 - 特許庁

The control part 90 controls the supply mechanism 70 to supply the first material gas and the second material gas and controls the substrate heating part 62 to heat the substrate held by the substrate holding part 44 to a temperature range in which a thermal polymerization reaction occurs so as to control the deposition rate of the polyimide film.例文帳に追加

制御部９０は、供給機構７０により第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するとともに、基板加熱部６２により、基板保持部４４に保持されている基板を、熱重合反応が生ずる温度範囲に加熱することによって、ポリイミド膜の成膜速度を制御する。 - 特許庁

Metal impurity at the surface area of the substrate is removed by supplying a substrate processing liquid formed of alkali solution of 10 weight% or more including CyDTA (trans-1, 2-diaminocyclohexane 4 acetic acid) reaction of metal impurity dispersed into the substrate processing solution and CyDTA.例文帳に追加

ＣｙＤＴＡ（トランス−１,２−ジアミノシクロヘキサン４酢酸）を含む１０重量％以上のアルカリ溶液からなる基板処理液を基板に供給してこの基板の表面部にある金属不純物を除去し、基板処理液中に分散した金属不純物とＣｙＤＴＡとを反応させる構成とする。 - 特許庁

In the reactive sputtering deposition device, the partition plate is provided between the target and the substrate, a vapor deposition chamber is divided into a substrate-side reaction chamber and a target-side sputtering chamber and a hole enabling a metallic substance separated from the target to reach the substrate is formed at the central part of the partition plate.例文帳に追加

本発明による反応性スパッタリング蒸着装置は、ターゲットと基板の間に仕切り板を設け、蒸着チャンバーを基板側の反応チャンバーとターゲット側のスパッタリングチャンバーとに区分し、仕切り板の中央部にはターゲットから分離された金属物質が基板に到達できるようにする穴を形成してなる。 - 特許庁

To suppress deterioration of exhaust gas purification capability of an exhaust gas purification catalyst containing an alkali metal or an alkaline earth metal on a Cr-containing substrate because of cracking of the substrate caused by a migration of Cr of the substrate to the catalytic active component side and reaction of Cr with the alkali metal or alkaline earth metal.例文帳に追加

Ｃｒを含有する基材上にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を設けた排ガス浄化触媒において、基材中のＣｒが触媒活性成分側へ移動してアルカリ金属又はアルカリ土類金属と反応し、基材の割れ、排ガスガス浄化性能の低下が生ずるのを抑制する。 - 特許庁

Then, a tantalum pentoxide film of a monolayer that is an ink resistant film 75 as a liquid resistant film is formed at a part of a second ink contacting part as the wetted part of a sealing substrate 30 as the substrate by reaction of an oxygen radical and a penta-ethoxy-tantalum film formed at a part of the second ink contacting part of the sealing substrate 30.例文帳に追加

また、酸素ラジカルと基板としての封止基板３０の接液部としての第２接インク部の一部に形成されたペンタエトキシタンタル膜とが関わる反応によって、封止基板３０の第２接インク部の一部に液耐性膜としてのインク耐性膜７５である単分子層の五酸化タンタル膜を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step to form a sacrifice layer on a substrate, a step to form the thin film fuel cell layer on the sacrifice layer and to connect it to the substrate, and a step to remove the sacrifice layer and to form a gap to become a reaction gas pathway between the thin film fuel cell layer and the substrate.例文帳に追加

本発明によれば、燃料電池の製造方法は、基板上に犠牲層を形成するステップ、犠牲層上に薄膜燃料電池層を形成させ基板に接続するステップ、犠牲層を除去し薄膜燃料電池層と基板との間に反応ガス経路となる間隙を形成させるステップからなる。 - 特許庁

The substrate 101 is heated to 900°C by a heater 105 in a reaction furnace 104 and a plurality of the carbon nanotubes 102 are grown on the surface of the substrate 101 by the CVD method and successively the temperature of the substrate 101 is lowered to 650°C to grow the carbon nanotube 103 more longer.例文帳に追加

基板１０１を反応炉１０４の中でヒータ１０５により９００℃に加熱して、基板１０１の表面に化学的気相成長法により複数のカーボンナノチューブ１０２を成長させ、引き続いて、基板１０１の温度を６５０に低下させ、より長いカーボンナノチューブ１０３に成長させる。 - 特許庁

Then a thermally decomposed layer 12a, resulting from the thermal decomposition of the contact layer 12, is formed so as to disjoin the contact layer 12 from the substrate 11, by once taking out the substrate 11 from a reaction furnace and irradiating the contact layer 80 with a laser beam 80 from the substrate 11 side.例文帳に追加

一旦、反応炉から取り出して、レーザ光８０を母材基板１１側からｎ型コンタクト層１２に照射することにより、母材基板１１とｎ型コンタクト層１２との間にｎ型コンタクト層１２が熱分解してなる熱分解層１２ａを形成して、母材基板１１とｎ型コンタクト層１２の間の接合を分離する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical recording medium for forming a resin layer 2A by spin-coating the surface of a disk-like substrate 1 with a resin material, that is an ultraviolet-light reaction curing resin 2, a substrate in a shape, where the outer periphery surface forms an acute angle to a surface coated by the resin material is used as the substrate 1.例文帳に追加

円盤状の基板１の表面に紫外光反応硬化型樹脂２である樹脂材料をスピンコートし、樹脂層２Ａを形成する光記録媒体の製造方法において、前記基板１として、前記樹脂材料でコートする表面に対して外周面が鋭角をなす形状の基板を使用する。 - 特許庁

The method of producing the reformed fluororesin covering material includes processes of: covering the substrate surface having thermal stability at a temperature exceeding the melting point of the fluororesin with the fluororesin; subsequently irradiating the surface of a film of the fluororesin with ionizing radiation; and generating crosslinking reaction of the fluororesin and chemical reaction between the fluororesin and the substrate surface at the same time to achieve strong adhesion between the fluororesin and the substrate surface.例文帳に追加

フッ素樹脂の融点以上の温度において熱的安定性を有する基材の表面を前記フッ素樹脂で被覆し、次いでフッ素樹脂の膜の表面に電離性放射線を照射することによって、フッ素樹脂の架橋反応およびフッ素樹脂と基材表面との化学反応を同時に生じさせ、それによって両者の強固な接着を達成することを特徴とする、改質フッ素樹脂被覆材を製造する方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus, which is provided with a reaction chamber processing a substrate and an exhaust pump for exhausting the reaction chamber and in which the down time of the device is shortened, device managing cost is reduced, and the life time of the exhaust pump is improved.例文帳に追加

基板を処理する反応室と前記反応室内を排気する排気ポンプとを備えた半導体製造装置において、装置のダウンタイムの短縮と装置運営コストの低減と排気ポンプの寿命向上とを可能とする半導体製造装置を提供すること。 - 特許庁

The wafer holder 1 has resistance heaters 3 arranged in a ceramics substrate 2 and leads 4 penetrating a reaction container 6 wherein the leads 4 are contained in a tubular guide member 5 and sealed hermetically between the guide member 5 and the reaction container 6 and in the guide member 5.例文帳に追加

セラミックス基体２中に抵抗発熱体３等を有し、リード４が反応容器６を貫通して設けられたウエハー保持体１であって、リード４を筒状のガイド部材５内に収納し、ガイド部材５と反応容器６の間及びガイド部材５の内部で気密封止されている。 - 特許庁

This target substance detection substrate 1 includes: a target substance reaction part 3 obtained by arranging a plurality of composites of a target binding substance specifically bound to a target substance and a carbon nano-tube in an irregular mesh; and two electrodes 2 and 2 electrically bound to the target substance reaction part 3.例文帳に追加

標的物質検出基板１は、標的物質と特異的に結合する標的結合物質とカーボンナノチューブとの複数の複合体を不規則な網目状に配置した標的物質反応部３と、標的物質反応部３と電気的に結合された二つの電極２、２と、を含む。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and heat treatment device that do not require a long heat treatment time, and that can terminate reaction to heat treatment if the reaction reaches a specifically fixed ratio, while the treatment of a substrate as a whole can be performed in a uniform manner.例文帳に追加

熱処理に長時間を要することなく、また、基板全体を均一に処理しながら、熱処理による反応が所定の割合まで進行した状態でその反応を停止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the stationary reaction area, the liquid specimen is introduced by a capillary phenomenon through the spacing kept by a thickness of the intermediate layer between the plate and an insulating substrate, and, accordingly, air in the reaction area is exhausted by escaping through the openings 202 which are not bonded with the resin bonding layer.例文帳に追加

固定反応区は、該中間層の厚さにより該プレートと絶縁基板の間隔を保って毛細現象によって液条検体を導入し、それに伴なって該反応区内の空気は、樹脂接着層で接着されていない開口２０２を通って逃げることにより排出される。 - 特許庁

The thin-film forming device includes a film-forming container to which a material gas and a reaction gas are supplied in alternation at different timings, and which forms a reduced pressure film-forming space for forming a thin film on a substrate; and a gas supply unit which supplies the material gas and the reaction gas to the film-forming container.例文帳に追加

薄膜形成装置は、原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給されて、基板に薄膜を形成するための減圧した成膜空間を形成する成膜容器と、原料ガスおよび反応ガスを前記成膜容器に供給するガス供給ユニットと、を有する。 - 特許庁

The plasma source comprises a ferrite structure which concentrates a field formed radially from a roof type linear antenna in which one sides of a first antenna and a second antenna formed at the inner upper part in a reaction chamber are connected on a treating substrate direction which is arranged in the reaction chamber.例文帳に追加

本発明によるプラズマソースは、反応チャンバの内側上部に形成された第１アンテナ及び第２アンテナの一側を連結したルーフ型線形アンテナから放射状に形成されたフィールドを前記反応チャンバ内部に配設された処理基板方向に集中させるフェライト構造体を含む。 - 特許庁

To provide a method of processing a plasma CVD apparatus which can obtain a high productivity by performing simultaneously cleaning in a reaction chamber and processing a semiconductor substrate by safe process with a low cost without etching in the reaction chamber or without taking a time and effort in handling.例文帳に追加

反応室内がエッチングされたり、取り扱いに手間がかかったりすることのない安全で低コストのプロセスによって、反応室内をクリーニングと半導体基板の処理を同時に実施して高い生産性を得ることができるプラズマＣＶＤ装置の処理方法を提供する。 - 特許庁

In order to jet an inert gas towards periphery portions Sa of a treatment substrate S by a gas supply mechanism 10, even if a lot of reaction products adhere, it is unnecessary to perform any chemical treatments of two or more processes, and the reaction products can be removed by a jet treatment of the inert gas.例文帳に追加

ガス供給機構１０が、処理基板Ｓの周縁部Ｓａに向けて不活性ガスを噴出するため、多量の反応生成物が付着したとしても２工程以上の薬液処理を行う必要なく不活性ガスの噴出処理によって反応生成物を除去することができる。 - 特許庁